Concepto de BJT:

Dispositivo electrnico cuyas siglas provienen de Bipolar Junction Transistor, que significa
Transistor de Unin Bipolar. Est hecho habitualmente con silicio (Si) que es un
material semiconductor. Uniendo dos tipos de semiconductor (unin PN) se forma el
diodo de unin, y uniendo tres capas N-P-N o bien P-N-P se forma el transistor de unin
tambin llamado transistor BJT, y que es el ms conocido de los transistores y el que
primero se invent.
Simbologa:

Principios de operacin del transistor BJT (BUSCALO A VER SI ESTA BIEN)

El transistor bipolar o BJT es un dispositivo de tres capas de material

semiconductor. Dos tipos de transistor bipolar:
NPN y PNP, en dicha figura tambin se ilustran sus respectivos smbolos
elctricos. El transistor bipolar NPN contiene una delgada regin p entre dos
regiones n. Mientras que el transistor bipolar PNP contiene una delgada regin n
entre dos regiones p. La capa intermedia de material semiconductor se conoce
como regin de la base, mientras que las capas externas conforman las regiones
de colector y de emisor. Estas estn asociadas a las terminales de base, colector y
emisor respectivamente.
Dependiendo de la polarizacin de las dos uniones PN que conforman los
transistores bipolares, estos pueden operar normalmente en tres zonas de
operacin: zona de corte, zona activa y zona de saturacin. Para las aplicaciones
del transistor como amplificador es necesario operar el dispositivo en la zona
activa. Para utilizar el transistor como un interruptor electrnico se requiere
operarlo en las zonas de corte (como interruptor apagado) y saturacin (como
interruptor encendido). A continuacin se presenta una breve descripcin de cada
una de estas zonas de operacin.

factores que influyen en el diseo de un amplificador (no la consegui)

importancia de la ubicacion del punto q de un amplificador(FALTA)

factores que producen distorsion de la salida en un amplificador

Para evitar la distorsin, las amplitudes de todas las frecuencias dentro del rango de
funcionamiento del amplificador, deben ser amplificadas por el mismo factor. Un
amplificador que satisface este requisito se dice que es perfectamente lineal. Si los picos
de la forma de onda se recortan, esto da lugar a lo que se denomina distorsin armnica.
Otro tipo de distorsin es la distorsin de intermodulacin, que ocurre cuando diferentes
frecuencias en la mezcla de seales producen frecuencias suma y diferencia, que no
existan en la seal original. La distorsin transitoria ocurre cuando los componentes del
amplificador no pueden manejar la velocidad de cambio de la seal, por ejemplo, en los
rpidos ataques de percusin. Tambin hay distorsin de intermodulacin transitoria (TIM)
a los que son susceptibles los circuitos integrados modernos. Para su linealidad, tales
circuitos dependen de la realimentacin, pero los retardos en esta, pueden causar
distorsin de intermodulacin en los rpidos transitorios de la seal.

Definicin del FET.

Es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo elctrico para
controlar la conductividad de un "canal" en un material semiconductor. Los FET pueden
plantearse como resistencias controladas por diferencia de potencial.
Simbologa:

Tipos de Fets
El canal de un FET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P.
Podemos clasificar los transistores de efecto campo segn el mtodo de aislamiento entre
el canal y la puerta:

El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante

(normalmente SiO2).

El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unin p-n

El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unin

PN del JFET con una barrera Schottky.

En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), tambin denominado HFET

(heterostructure FET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante
entre la puerta y el cuerpo del transistor.

Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)

Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de

potencia. Son comnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente est
entre los 200 a 3000V. Aun as los Power MOSFET todava son los dispositivos ms
utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.

Los FREDFET es un FET especializado diseado para otorgar una recuperacin

ultra rpida del transistor.

Los DNAFET es un tipo especializado de FET que acta como biosensor, usando
una puerta fabricada de molculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de
ADN iguales

caracteristicas principales que diferencian al transistor de efecto de campo fet del

transistor de Union Bipolar bjt (falta)
aplicaciones en biomedica (falta)

Diferencias entre el JFET y el BJT

BJT
Controlado por corriente de base.
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y
electrones.
IC es una funcin de IB.
(beta factor de amplificacin)
Altas ganancias de corriente y voltaje.
Relacin lineal entre Ib e Ic.
JFET
Controlado por tensin entre puerta y fuente.
Dispositivo unipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos (canal
p) electrones (canal n).
ID es una funcin de Vgs.
gm (factor de transconductancia).
Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de
los BJT.