Revista de Investigacin de Fsica 15, 121502101 (2012)

Estudio de la influencia de impurezas en la conductividad elctrica de

apatitas: el caso de CaHAp
R. M. Espinozay C. V. Landauro
Facultad de Ciencias Fsicas, Universidad Nacional Mayor de San Marcos, AP 14-0149, Lima 14, Per
Recibido 17 diciembre 2012 Aceptado 15 febrero 2013

En el presente trabajo se estudia la dependencia de la conductividad elctrica de las apatitas respecto

a la temperatura. Para ello, se propone un modelo de conductividad espectral que toma en cuenta las
caractersticas ms relevantes del material mencionado. La conductividad elctrica calculada a partir
de este modelo est en buen acuerdo con las medidas experimentales obtenidas en estos sistemas por
Laghzizil et. al [1]. Adicionalmente, se observa un aumento de la conductividad elctrica, en el rango
de 1000 a 1300, al incluir impurezas en el sistema.
Palabras claves: Apatitas, conductividad espectral, conductividad elctrica.

Study of the impurities influence on the electrical conductivity of apatites: the

CaHAp case
In the present work we study the temperature dependence of the electrical conductivity of apatites.
For this purpose, we propose a spectral conductivity model which takes into account the most relevant
characteristics of the material analyzed. The electrical conductivity obtained from this model is in
good agreement with experimental data measured by Laghzizil et. al [1]. Additionally, we also observe
an increment of the electrical conductivity, in the range from 1000 to 1300) after including impurities
in the system.
Keywords: Apatites, spectral conductivity, electrical conductivity.

de implante seo [2].

En las ltimas dcadas el avance de la tecnologa

para el tratamiento de diferentes tipos de enfermedades y dolencias ha incentivado a la comunidad cientca hacia la bsqueda de nuevos materiales que puedan
reemplazar o mejorar el funcionamiento de algn tejido
u rgano daado del cuerpo humano. A este nuevo tipo
de materiales se les conoce como biomateriales.

Mientras que un gran nmero de investigadores se

han concentrado en el estudio de las propiedades mecnicas y la biocompatibilidad [3, 4] de estos materiales,
otros investigadores se han dedicado al estudio de sus
propiedades elctricas [58]. El estudio de estas propiedades en la HAp es muy variado. Por ejemplo, Fanovich
y colaboradores [5] han usado las medidas elctricas como una herramienta de caracterizacin para estudiar
la evolucin de microestructuras en la HAp [5]. Por
otro lado, Valdes y colaboradores [9] han examinado
las propiedades dielctricas de la HAp para entender
su descomposicin en el TCP como un resultado de la
deshidratacin de los iones OH a temperaturas elevadas. As, el concepto de estimulacin elctrica del implante, propuesta por Zakharov y colaboradores [10], es
relevante para examinar la dependencia trmica de la
permitividad y la prdida dielctrica de la HAp a temperaturas entre 20 y 500. Como se puede apreciar,
hay mltiples aplicaciones de las propiedades elctricas

Particularmente, los biomateriales relacionados a la

reparacin del tejido seo son conocidos como biocermicos dentro de los cuales hay un inters especial en los
denominados fosfatos de calcio como la hidroxiapatita
HAp -del ingls Hydroxyapatite-, Ca10 (PO4 )6 (OH)2 , y
el fosfato triclcico TCP -del ingls Tri-Calcium Phosphate-, Ca3 (PO4 )2 , que dieren uno del otro tanto en su
composicin qumica as como en sus propiedades fsicas y qumicas [2]. La hidroxiapatita tiene una composicin qumica muy similar a la del hueso humano, lo
cual la hace biocompatible con los tejidos vivos. Esta
biocompatibilidad posibilita su uso en variadas aplicaciones mdicas, por ejemplo, como un posible material

respinozab1@correo.unmsm.edu.pe

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de la HAp pero no se ha especicado como es la conductividad elctrica de la misma. En este sentido, en

el presente estudio se analiza tericamente la conductividad elctrica de la HAp y el efecto de las impurezas
sobre la misma.
El artculo est organizado como sigue: en la siguiente seccin introducimos las relaciones bsicas que usaremos en nuestros clculos. Adems, se indica el modelo empleado para la conductividad espectral. En la
siguiente seccin se presentan los resultados. Finalmente, las conclusiones son expuestas en la ltima seccin.

Dependencia con la temperatura de la

conductividad elctrica

(a)

(b)

Para determinar la dependencia de la conductividad elctrica con respecto a la temperatura empleamos

la formulacin de Kubo-Greenwood (KG) [11], dado por
(T ) =



f (, , T )
d
()
,

(1)

donde f (, , T ) es la funcin de distribucin de FermiDirac,

b () es la conductividad espectral y es el potencial qumico denido por
(T ) F (kB T )2

2
6

()
()

= F T 2 ,

(2)

donde () es la densidad de estados electrnicos (DOS)

y () es su derivada con respecto a la energa .
Para determinar la conductividad elctrica de las
apatitas es necesario conocer un modelo para
b (), el
cual debe contener las caractersticas ms relevantes de
este material.

Modelando la conductividad espectral

Enderby y Barnes [13] proponen un modelo para la
conductividad espectral
b () de semiconductores lquidos a altas temperaturas de la forma,

( ) ,
0
,

b() =

c ( c ) ,

c
c

(3)

donde , c son parmetros libres de ajuste, y c

son los bordes de la banda de valencia y de conduccin, respectivamente. El gap de energa, medido por
= c , toma normalmente valores entre 0 y 500
meV [13]. Un esbozo de ste modelo se muestra en la
Fig.1.a.

c
Figura 1: Representacin esquemtica para los modelos de
conductividad espectral. (a)
b() dado por la Ec. (3) y (b)

b() dado por la Ec. (4).

Ahora, basndonos en el estudio bajo primeros principios realizado por Matsunaga y Kuwabara [14], en el
cual se investiga la estructura electrnica de la hidroxiapatita, nosotros empleamos un modelo fenomenolgico,
muy similar al dado por la ecuacin (3), para la conductividad espectral de las apatitas. Como el gap de
energa en el caso de la HAp es grande [14] ( = 6
eV), con respecto al rango entre 0 y 500 meV, se puede
despreciar una pendiente. Por consiguiente, la ec. (3) se
convierte en

0
,
c

b () =
(4)
c ( c ) ,
c .
Este modelo fenomenolgico es usado como la conductividad espectral de las apatitas. Un esbozo de ste
modelo se muestra en la Fig.1.b.

Resultados
Al reemplazar la Ec.(4) en la Ec.(1), consideramos
que F y recordando que se cumple



f (, , T )
= sech2
( ) ,

4
2
obtenemos
Z
(T ) =

d [c ( c )]

sech2
4

( F ) , (5)
2

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con = (kB T )1 e integrando analticamente la Ec.

(5) obtenemos que
(6)

(T ) = c kB T ln [1 + exp(Ac )] ,
donde
Ac =

c F
.
kB T

(7)

De la Ec.(6) tenemos que para valores pequeos de

Ac ; es decir para (c F ) kB T , la dependencia de
la conductividad elctrica con la temperatura es prcticamente lineal
(T ) ln(2)c kB T,

tal que

(c F ) kB T, (8)

mientras que para valores grandes de Ac ; es decir para

(c F ) kB T , la conductividad elctrica prcticamente se anula, esto es
tal que (c F ) kB T.

(T ) 0,

(9)

En general, tenemos que la dependencia de la conductividad elctrica con la temperatura est dada por la
Ec.(6). En la Fig.2 se representa grcamente dicha dependencia. Los valores de los parmetros se han tomado
tal que se ajusten a los valores experimentales (tomados de la Ref. [1]) para la HAp con Calcio (CaHAp).
Dichos valores estn dados por c = 6.0 eV, F = 4.85
eV y c = 1.45 (-cm-eV)1 .

log(*T) [K/-cm]

-2

del tipo de una gaussiana para considerar la contribucin a la conductividad espectral debido a las impurezas. El ancho y la altura de la gaussiana dependen del
porcentaje y el tipo de impurezas presentes en la HAp
(o CaHAp). En nuestro caso el ancho y la altura se consideran como parmetros libres para ver su efecto en la
dependencia de la conductividad elctrica respecto a la
temperatura. Dicho modelo se adiciona al modelo para
la HAp sin impurezas, Ec.(4), tal que la conductividad
espectral, considerando el efecto de las impurezas en la
HAp, est dada por



( )2
|c | ,

C exp
2
c
2

b() =
(10)

c ( c )
c

donde C, y son parmetros libres de ajuste. As, al

reemplazar la Ec.(10) en la Ec.1 tenemos que
(T ) = 1 (T ) + 2 (T ),
donde
1 (T ) =




( )2

d C exp

2
2
4




( F ) ,
sech2
2

(12)

-3
2 (T ) =

-4
-5
-6
-7
0.8

(11)

0.9

1.1 1.2 1.3

-1
1000/T [K ]

1.4

1.5

Figura 2: Se muestra la conductividad elctrica como funcin de la temperatura, Ec.(6). Los valores de los parmetros
se han tomado tal que se ajusten a los valores experimentales
(tomados de la Ref. [1]) para la HAp con Calcio (CaHAp).

Efecto de impurezas en la conductividad

elctrica de CaHAp
Puesto que las impurezas son responsables de la aparicin de estados localizados en las zonas del gap de la
densidad de estados electrnicos, se propone un modelo

4



sech2
( F ) ,
2

d [c ( c )]

(13)

con F .
Para obtener una expresin analtica para (T ) solo nos falta determinar 1 (T ) puesto que ya se tiene
una expresin para 2 (T ) (vase la Ec.(6)). As, para determinar 1 (T ) tenemos en cuenta que la funcin
gaussiana se aproxima a cero cuando . Entonces, teniendo en cuenta lo anterior se puede cambiar
el lmite de integracin superior c por , con lo que
obtenemos,
1 (T ) =

C
4



( )2

d exp
2 2




2
sech
( F ) .
2

(14)

La relacin





d
2

( F ) =
tanh
( F )
sech2
2
d
2

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Tomando en cuenta la expansin en serie de Taylor

del trmino tangente hiperblico [15] se tiene que


 X

(1)n1 22n (22n 1)

tanh
( F ) =

2
(2n)!
n=1
2n1


, tal que | F | < kB T,

( F )
Bn
2
(16)
donde Bn son los nmeros de Bernoulli (B1 = 1/6,
B2 = 1/30, B3 = 1/42, ). Entonces, reemplazando
la Ec.(16) en la Ec.(15) e integrando trmino por trmino, obtenemos

2n1

(1)n1 22n (22n 1)

Bn

(2n)!
2
n=1


2n k + 1
(2n 1)!
k
, (17)
k!(2n 1 k)!
2

-2
log(*T) [K/-cm]

es usada para la integracin por partes, de la que obtenemos



Z
C
( )2

1 (T ) =

)
exp

2 2
2 2



( F ) d. (15)
tanh
2

= 10 meV
= 5 meV
= 1 meV

-3
-4
-5
-6
-7
0.8

0.9

1.1 1.2 1.3

-1
1000/T [K ]

1.4

1.5

Figura 3: Se muestra la conductividad elctrica como funcin de la temperatura, Ec.(20), para tres valores de , los
cuales se muestran en la parte interna de la figura. Adems,
estas curvas se comparan con la conductividad elctrica, lnea azul, sin considerar los efectos de las impurezas, Ec.(6).
Los dems valores para los parmetros se muestran en la
Tabla 1.

1 (T ) = C
2n1
X
k

(0 par)

donde es la funcin gamma [15] y

=

( F )

.
2

(18)

Considerando slo los tres primeros trminos de la

Ec.(17) se obtiene la expresin analtica
 2


C

+ 1/2
3
1 (T )

+
2
(kB T )3
2 2 kB T


 4
5
+ 32 + 3/4
. (19)
6
(kB T )5
Por lo tanto, de la Ec.(11) tenemos que la expresin
analtica para (T ), con 1 (T ) y 2 (T ) dados por las
ecs. (19) y (6), respectivamente, est dada por
 2


C
+ 1/2
3

(T ) =

+
2
(kB T )3
2 2 kB T
 4


+ 32 + 3/4
5
+
6
(kB T )5
c kB T ln [1 + exp(Ac )] ,

(20)

con
=

c F
( F )

, Ac =
,
kB T
2
y con la condicin |c F | .

(21)

En la Fig. 3 se muestra (T ), Ec.(20), tanto para

el caso sin como con impurezas (lnea azul). Los valores de los parmetros se tomaron tal que se ajusten a
los valores experimentales, tomados de la Ref. [1], para
CaHAp. Dichos valores estn dados en la Tabla 1.
Como se puede apreciar en la Fig. 3, cuando disminuye las curvas cada vez ms se aproximan a la curva
sin impurezas, lnea de color azul, como es esperado,
vase la Ec.(6).
En resumen, se puede notar que el modelo propuesto en el presente trabajo permite no solo modelar la
dependencia de la conductividad elctrica con la temperatura sino que tambin permite estudiar el efecto de
las impurezas en la conductividad.
c
(-cm-eV)1

c
eV

F
eV

C
(-cm)1

eV

1.45
6.0 4.85 1.24 106 4.84
Tabla 1: Valores de los parmetros para el modelo de (T )
dado por la Ec.(20).

Conclusiones
Para el estudio de la conductividad elctrica de
CaHAp se ha propuesto un modelo para la conductividad espectral, el cual est basado en clculos abinitio y que permite determinar la dependencia de la
conductividad elctrica con la temperatura en el rango de 1000 a 1300. Los resultados obtenidos estn en
buen acuerdo con los datos experimentales reportados

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en la literatura. Ms an, se ha estudiado el efecto de

las impurezas sobre la conductividad elctrica. Dichas
impurezas producen un aumento de la conductividad
elctrica, especialmente en el rango de 1000 a 1300.
Dicho incremento depende del tipo y porcentaje de las
impurezas presentes en el material.

Agradecimientos

Referencias

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R. M. Espinoza agradece a la Asociacin Familia

Ziga y Rivero por la beca otorgada para la culminacin de la redaccin de la tesis de maestra y que ha
permitido desarrollar, tambin, el presente trabajo.

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