UNIDADES DE MEMORIA

La memoria RAM (Random Access Memory) es la llamada memoria de acceso

aleatorio debido a su principal caracterstica de acceso instantneo a cualquier parte de
ella, gracias a un sistema de direcciones.

Se dice que es voltil porque la informacin en ella almacenada se pierde al retirarle la

energa.

La memoria RAM es uno de los elementos ms crticos del computador. Cuando usted
quiere usar un archivo de datos o programa, los datos o instrucciones son ledos desde
el disco duro o disquete y colocados en la RAM, para que sean ledos por el
procesador, permitindole manipularlos; es decir: ingresar nuevos datos, modificar los
existente, hacer clculos, bsquedas, resmenes y, entre otras cosas importantes.

La memoria RAM la podemos comparar con una agenda de trabajo, en la que se puede
anotar una reunin, ver el programa de actividades para un da determinado o anular
una cita.
Adems en esta agenda, al igual que en la memoria, los datos no estn mezclados sino
que conservan un cierto orden y cada dato ocupa una posicin bien determinada. Si se
desea saber la direccin de un cliente o un proveedor, no se iniciar la bsqueda
desde la A hasta encontrarlo, sino que se localiza directamente en la pgina
correspondiente a la inicial del apellido.

En las memorias hay dos caractersticas temporales importantes:

a. El tiempo de acceso: tiempo que tarda una escritura o lectura.
b. El tiempo de ciclo: tiempo que pasa desde que se inicia un acceso hasta que se esta
listo para el prximo.
El tiempo de ciclo suele ser superior al tiempo de acceso, pero los dos estn
relacionados. Tradicionalmente se ha dado mayor importancia al tiempo de acceso,
pero la dinmica de las memorias cach con sus accesos en rfagas, ha dado mayor
importancia al tiempo de ciclo. Esto ha propiciado la aparicin de mejoras estructurales
en las memorias, que pretenden mejorar el tiempo de lectura o escritura de un bloque

de datos y no de un dato individual, sin modificar la estructura de almacenamiento de la

memoria, sin elevar excesivamente el precio.

En su mayor parte, lo que est en la memoria de la computadora es informacin

temporal de trabajo.

La memoria de la computadora est organizada en unidades de bytes, compuesto

cada uno de ellos de 8 bits. El mismo patrn de bits puede ser visto como un nmero,
una letra del alfabeto o una instruccin particular de lenguaje de mquina, segn se le
interpreta. Los mismos bytes de memoria se usan para registrar cdigos de
instrucciones de programa, datos numricos y datos alfabticos.
Las direcciones de la memoria estn numeradas comenzando con cero. Los mismos
datos usados como datos de computadora tambin pueden emplearse para especificar
direcciones de memoria.
Los datos o programas siempre ocupan un espacio contiguo en la RAM, siempre
asignndole el espacio por bloques.
El DOS puede manejar de forma plana solo hasta 640 KB, para manejar valores
mayores a 1 MB, requiere de ayuda de HIMEM.SYS y EMM386.EXE.
DRAM (Dynamic Random Access Memory): Los datos se almacenan como en la carga
de un condensador. Tiende a descargarse y, por lo tanto, es necesario un proceso de
refresco peridico. Son ms simples y baratas que las SRAM.

SRAM (Static Random Access Memory): Los datos se almacenan formando biestables,
por lo que no requiere refresco. Igual que DRAM es voltil. Son ms rpidas que las
DRAM y ms caras.

Es una memoria de slo lectura. Su contenido es absolutamente inalterable, desde el

instante en que el fabricante grabo las instrucciones en el Chip, por lo tanto la escritura
de este tipo de memorias ocurre una sola vez y queda grabado su contenido aunque se
le retire la energa.
Los PC vienen con una cantidad de ROM, donde se encuentras los programas de BIOS
(Basic Input Output System), que contienen los programas y los datos necesarios para
activar y hacer funcionar el computador y sus perifricos.
La ventaja de tener los programas fundamentales del computador almacenados en la
ROM es que estn all implementados en el interior del computador y no hay necesidad
de cargarlos en la memoria desde el disco de la misma forma en que se carga el DOS.
Debido a que estn siempre residentes, los programas en ROM son muy a menudo los
cimientos sobre los que se construye el resto de los programas (incluyendo el DOS).

La memoria ROM se puede explicar de la manera siguiente:

Es un libro impreso, sea diccionario, novela, etc. no se puede variar el contenido del
mismo, tan solo es posible leer, recoger la informacin, nunca aadrsela o modificar el
texto.
En fin son memorias perfectas para guardar microprogramas, sistemas operativos,
tablas de conversin, generacin de caracteres etc.

Tal como indica su nombre, (P) programable ROM, estas memorias son programables
se entregan vrgenes al programador, este mediante un dispositivo especial las
programar grabando en ellas los datos que considera de inters para su trabajo, o
para su uso personal. El proceso de programacin es destructivo: una vez grabada, es
como si fuese una ROM normal, o sea, una vez que la memoria sea programada no
podr ser alterada nuevamente.
Para conseguir que la informacin que se desea grabar sea inalterable, se utilizan dos
tcnicas:
Por destruccin de fusible o por destruccin de unin.
Una vez programadas por el usuario, las PROM tienen las mismas caractersticas que
aquellas que poseen las ROM.
Las memorias PROM se subdividen en s, en EPROM y RPROM.

Estas memorias son similares a las PROM pero con la diferencia que se pueden borrar
y volver a grabar varias veces. Existen dos tipos de memorias segn el proceso de
borrado de las mismas:
MEMORIA EPROM_
Se trata de una memoria PROM, de la que se puede borrar la informacin mediante
rayos ultravioleta. Para esta operacin es necesario que el circuito integrado disponga
de una ventana de cuarzo transparente a los rayos ultravioleta. El tiempo de exposicin
a los rayos ha de ser corto, pero variable segn el constructor. Una vez borrados los
datos de la EPROM, se necesita disponer de un grabador especial para introducir
nuevos datos.
MEMORIA RPROM_
Estas memorias utilizan transistores MNOS (metal nitruro xido slicio) por lo que se
borran elctricamente si se aplican a las entradas unos valores de tensin oportunos.
Para el borrado de las memorias RPROM, como para la programacin, se necesita un
programador especial.
EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory):
Se puede borrar selectivamente byte a byte con corriente elctrica. Es ms cara que la
EPROM.

Memoria flash: Est basada en las memorias EEPROM pero permite el borrado bloque
a bloque y es ms barata y densa.

ARQUITECTURA DE UN FLASH MEMORY

Existen una gran variedad de parmetros que permiten caracterizar o clasificar una
memoria
Naturaleza fsica del almacenamiento:
* Semiconductor (Ej. RAM, ROM, FlashROM, StickMemory)
* Magntico (Ej. Unidades de cinta o disco)
* ptico (Ej. Unidades DVD, CDROM)
Modo de Acceso a la Informacin:
* Secuencial: Para acceder a un byte se requieren leer o escribir en las posiciones
previas. (Ej. Unidad de cinta, FIFO)
* Aleatorio: Se puede acceder a cualquier byte sin condicin de acceder a bytes previos
(Ej. RAM, ROM, DVD, Discos magnticos).
Mantenimiento de la informacin:
* Voltiles: pierden la informacin almacenada transcurrido cierto tiempo o si se
desconecta la alimentacin de la memoria. (Ej. DRAM, RAM)
* No voltiles: la informacin almacenada perdura en el tiempo independientemente de
la alimentacin del dispositivo y hasta que
sta sea sustituida por una nueva. (Ej. NVRAM, FLASH, Magnticas, pticas.
Tiempo de acceso:
Mide el intervalo de tiempo que transcurre desde que se solicita un dato a la memoria y
sta lo devuelve.
* Bajo. Ej. SRAM (cach), DRAM, ROM (en general las de tipo semiconductor)
* Alto. Ej. Unidades magnticas y pticas.

MEMORIAS: MEMORIAS SEMICONDUCTORAS: ORGANIZACIN (1)

La unidad mnima de almacenamiento es el bit y la estructura fsica que lo soporta se
denomina celda bsica
La memoria organiza las celdas por filas y columnas (estructura matricial).
Existen varias formas de acceder las celdas (o grupos de ellas): decodificacin por filas
y decodificacin por filas y columnas.

MEMORIAS: MEMORIAS SEMICONDUCTORAS: ORGANIZACIN (2)

COMPONENTES

1 Conector USB
2 Dispositivo de control de almacenamiento masivo USB
3 Puntos de Prueba
4 Circuito de Memoria flash
5 Oscilador de cristal
6 LED
7 Interruptor de seguridad contra escrituras
8 Espacio disponible para un segundo circuito de memoria flash
Componentes primarios
Las partes tpicas de una memoria USB son las siguientes:

Un conector USB macho tipo A (1): Provee la interfaz fsica con la computadora.

Controlador USB de almacenamiento masivo (2): Implementa el controlador USB

y provee la interfaz homognea y lineal para dispositivos USB seriales
orientados a bloques, mientras oculta la complejidad de la orientacin a bloques,
eliminacin de bloques y balance de desgaste. Este controlador posee un
pequeo microprocesador RISC y un pequeo nmero de circuitos de memoria
RAM y ROM.

Circuito de memoria Flash NAND (4): Almacena los datos.

Oscilador de cristal (5): Produce la seal de reloj principal del dispositivo a 12

MHz y controla la salida de datos a travs de un bucle de fase cerrado (phaselocked loop)

Componentes adicionales
Un dispositivo tpico puede incluir tambin:

Puentes y Puntos de prueba (3): Utilizados en pruebas durante la fabricacin de

la unidad o para la carga de cdigo dentro del procesador.

LEDs (6): Indican la transferencia de datos entre el dispositivo y la computadora.

Interruptor para proteccin de escritura (7): Utilizado para proteger los datos de
operaciones de escritura o borrado.

Espacio Libre (8): Se dispone de un espacio para incluir un segundo circuito de

memoria. Esto le permite a los fabricantes utilizar el mismo circuito impreso para
dispositivos de distintos tamaos y responder as a las necesidades del
mercado.

Tapa del conector USB: Reduce el riesgo de daos y mejora la apariencia del
dispositivo. Algunas unidades no presentan una tapa pero disponen de una
conexin USB retrctil. Otros dispositivos poseen una tapa giratoria que no se
separa nunca del dispositivo y evita el riesgo de perderla.

Ayuda para el transporte: En muchos casos, la tapa contiene una abertura

adecuada para una cadena o collar, sin embargo este diseo aumenta el riesgo
de perder el dispositivo. Por esta razn muchos otros tiene dicha abertura en el
cuerpo del dispositivo y no en la tapa, la desventaja de este diseo est en que
la cadena o collar queda unida al dispositivo mientras est conectado. Muchos
diseos traen la abertura en ambos lugares.

DISEO DE UN FLASH MEMORY

Una memoria flash USB ("Universal Serial Bus"), es un pequeo dispositivo de
almacenamiento masivo 100% electrnico, es decir, no tiene partes mecnicas en
movimiento que produzcan friccin; consta de una pequea cubierta que protege los
circuitos de almacenamiento y un conector de tipo USB. Permite la escritura y borrado
de la informacin (archivos de Office, videos, msica, e incluso sistemas operativos,
etc.), de manera rpida, sencilla y segura; siendo conectado por medio del puerto USB
de la computadora. La definicin de la Real Academia Espaola de la lengua es
simplemente "dispositivo porttil pequeo de almacenamiento de datos".
Las memorias USB 1.0, reemplazaron del mercado comercial al popular disquete de
3".
Las memorias USB 2.0, reemplazaron del mercado comercial a las memorias USB 1.0
Se prev que las memorias USB 3.0, reemplazarn del mercado las versiones 2.0

Conectores y puertos USB

El conector con que cuenta es un puerto USB; hay bsicamente 2 versiones

fsicamente idnticas de este conector, el USB 1.1 y el USB 2.0. En este tipo de
conectores, el macho se distingue por ser el que viene en los dispositivos extrables, y
el conector hembra es el que se encuentra integrado en la computadora, e inclusive en

equipos de sonido. Junto con el prximo lanzamiento del puerto USB 3.0, tambin se
estn desarrollando las primeras memorias USB 3.0 con velocidades muy superiores al
actual estndar.
Es importante mencionar que los fabricantes manejan en sus dispositivos la velocidad
de transmisin como Megabits por segundo (Mbps) y no en Megabytes/segundo (MB/s)
como se cree. Ejemplo de ello es la velocidad que se usa para el puerto USB 2.0, la
cul es de 480 Megabits por segundo (Mbps) pero al transformar en
Megabytes/segundo esto equivale a 60 Megabytes/segundo (MB/s).

Figura 8. Conector externo USB (macho) y puertos USB (hembra).

Versin de puerto

Velocidad
de
transferencia
(Megabytes/segundo)

USB 1.1

1.5 Mbps a 12 Mbps -

USB 2.0

Hasta 480 Mbps

USB 3.0

Hasta 3.2 Gbps - 400 MB/s

(Megabits/segundo)

187.5 KB/s a 1.5 MB/s

60 MB/s

Adems de que la memoria USB 2.0 es ms veloz que la versin anterior, tambin la
gran diferencia radica en que es posible crear un dispositivo de arranque, esto es,
instalar un sistema operativo capaz de funcionar de manera correcta simplemente
para realizar tareas de mantenimiento. Son capaces de arrancar sistemas operativos
como Microsoft Ms-DOS, IBM PC-DOS, versiones FreeDOS y el sistema operativo
Linux.
Un puerto USB 3.0 es capaz de soportar dispositivos USB 1.X/2.0, sin embargo de
manera inversa, no es posible debido a que fsicamente varan las formas.
Las capacidades comerciales para memorias USB 1.0 y USB 2.0 son:

Primeras capacidades: 16 Megabytes (MB), 32 MB, 64 MB, 128 MB, 256 MB.

Capacidades recientes: 512 MB, 1 GB, 2 GB, 4 GB y 8 GB.

Actualmente las de mayor capacidad comercial son: 16 GB, 32 GB, 64 GB, 128
GB y 256 Gigabytes (GB).

Las capacidades comerciales para memorias USB 3.0 son:

Primeras capacidades: 16 Gigabytes (GB) y 32 GB.