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Vamos a tratar en este tema el transistor de efecto campo JFET, y para ello,
el captulo, est dividido en varias secciones. Puedes acceder a cada una de
las secciones, mediante el men local que puedes encontrar en la parte
derecha de la pgina.
Introduccin
El JFET, transistor de efecto de campo o transistor unipolar, fue inventado en
1948, al mismo tiempo que el transistor normal o bipolar, pero no fue
posible su implantacin hasta 1970 debido a la alta tecnologa necesaria
para formar sus uniones.
No es muy comn encontrarse en un circuito un JFET aislado, stos suelen
aparecer, ms bien, insertos en circuitos integrados. Otras veces aparecen
incorporados, por ejemplo, en las cpsulas microfnicas, como un pequeo
amplificador de la seal dbil que se produce en stas.
Un JFET rene las caractersticas ms interesantes de las vlvulas
electrnicas, con las grandes ventajas de los componentes
semiconductores. Segn su composicin, existen dos tipos de transistores
JFET, los JFET de canal N y los de canal P.
En la siguiente figura, se muestra la estructura de un transistor unipolar
JFET de canal N con su smbolo correspondiente:
Estas curvas nos indican los valores que toma la intensidad de drenador (I D)
en funcin de las variaciones que experimenta la tensin de graduadorsurtidor (VGS) para valores de VDSconstantes.
En general, la curva de transconductancia de cualquier JFET posee la forma
de una parbola, tal como se muestra en la figura anterior. Esta grfica se
corresponde con las curvas de drenador del JFET.
Esta curva se corresponde con la siguiente ecuacin:
De esta forma, conociendo los valores de I DSS y VGS(apag) (datos que suele
proporcionar el fabricante en las hojas tcnicas) se puede determinar el
valor de la corriente ID para cualquier valor de la tensin VGS aplicada a la
puerta.
Aplicaciones
JFET de canal P.
Este tipo se obtiene a partir de la estructura de la resistencia MOS,
aadiendo una conexin metlica al emisor, que la resistencia no
necesitaba para a su construccin. Este contacto conductor constituye el
terminal de puerta mientras que los otros dos terminales actan de fuente y
drenador. El canal lo constituye la fina regin P que forma la resistencia.
Obsrvese que el FET de canal P requiere dos operaciones de difusin P
contrariamente a lo que ocurre al FET de canal N de la anterior figura.
Con lo dicho, resulta evidente que tal resistencia es fuertemente no lineal.
La resistencia es igual a la inversa de la pendiente de la curva tensin-
El MOSFET
Introduccin al MOSFET
Los MOSFET, o simplemente MOS (Metal-Oxide Semiconductor, Field Effect
Transistor) son muy parecidos a los JFET. La diferencia entre estos estriba en
que, en los MOS, la puerta est aislada del canal, consiguindose de esta
forma que la corriente de dicho terminal sea muy pequea, prcticamente
despreciable. Debido a este hecho, la resistencia de entrada de este tipo de
transistores es elevadsima, del orden de 10.000 MW , lo que les convierte
en componentes ideales para amplificar seales muy dbiles.
Existen dos tipos de MOSFET en funcin de su estructura interna: los de
empobrecimiento y los de enriquecimiento. Los primeros tienen un gran
campo de aplicacin como amplificadores de seales dbiles en altas
frecuencias o radio-frecuencia (RF), debido a su baja capacidad de entrada.
Los segundos tienen una mayor aplicacin en circuitos digitales y sobre todo
en la construccin de circuitos integrados, debido a su pequeo consumo y
al reducido espacio que ocupan.
MOSFET de empobrecimiento
Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario
suministrar corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta
esto, se puede aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal.
Con esta disposicin se consigue eliminar prcticamente la corriente de
fuga que apareca en dicho terminal en los transistores JFET. En la siguiente
figura se puede apreciar la estructura de un MOSFET de canal N.
Obsrvese cmo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje
de tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con
tensiones positivas como negativas. Por esta razn, la corriente I DSS,
correspondiente a la enterseccin de la curva con el eje I D, ya no es la de
saturacin.
Como ocurra con el JFET, esta curva de trasconductancia es parablica y la
ecuacin que la define es tambin:
Tipo de enriquecimiento
Este tipo de MOSFET est diseado de tal manera que slo adminte la forma
de trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicacin fundamental de este
transistor se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.
En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de
drenador y en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.
Para reducir la tensin umbral del dispositivo, hemos de atacar estos dos
conceptos, en la fase de fabricacin de estos dispositivos, por ejemplo,
mediante fabricacin con la tcnica SATO.
Expresiones generales
El punto de operacin de un transistor bipolar viene indicado por cuatro
variables elctricas. De entre las diversas opciones posibles, para la deduccin del
modelo hbrido se escogen como variables independientes la corriente IB y la tensin
VCE, mientras que las dependientes son VBE e IC. De este modo, las ecuaciones
caractersticas del transistor vendrn dadas por dos funciones f1 y f2 tales que:
en donde los coeficientes hij se llaman parmetros hbridos, puesto que tienen diferentes
unidades entre s.
Funcin f1 =>
Funcin f2 =>
Tal y como puede observarse, los coeficientes hre y hoe son nulos segn estos
clculos. Este resultado refleja las limitaciones del modelo de Ebers-Moll propuesto, ya
que en realidad hre 5 x 10-5 y hoe 6 x 10-6 -1. Sin embargo, su valor es tan pequeo que en
muchos casos son aceptables las expresiones obtenidas anteriormente.
Representacin grfica
Figura 1
Terminal 1 = Base
Terminal 2 = Colector
Terminal 3 = Emisor