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diseo estructural
Una metodologa estructural se muestra en el ejemplo de diseo de la industria de ms rpido
CMOS OpAmp implementa en el proceso de n-um bien solo 0,6. Este OpAmp tiene-carril a
carril de entrada / salida, el ancho de banda de ganancia unitaria 250 MHz, 350 V / us
velocidad de respuesta,> 100 dB de ganancia en lazo abierto con 150 ohm de carga, el ruido 6
nV / Hz y consume 5 mA de 2.5- 5,5 V de alimentacin. Considerado son la constante-gmrailto-rail etapa de entrada, aumentar la ganancia DC, impulso de velocidad de respuesta, la
implementacin cascodo doblado, mejora la recuperacin de sobrecarga.
Este documento se encuentra en: Solid-State Circuits Conference, 2002. ESSCIRC 2002.
Actas de la 28a Europeo , Fecha de emisin: 24 a 26 septiembre, 2002 , Escrito
por: Ivanov, V .; Shilong Zhang
2002 IEEE
SECCIN I
I NTRODUCCIN
La metodologa de diseo estructural [ 1 ] [ 2 ] [ 3 ] [ 4 ] se basa en los siguientes
principios:
1. -cada parmetro importante en un sistema debe ser controlado por un bucle de
retroalimentacin
2. -Estabilidad en estos bucles se consigue sin compensacin por el uso de los
amplificadores de una sola etapa
3. anlisis -system se simplifica a la consideracin de la estructura de ganancia (en
forma de grfico de seal o diagrama de bloques)
4. sntesis -system consiste en la generacin de la serie de las implementaciones
de estructura de ganancia seguidos de simulaciones SPICE y la seleccin de la
solucin de circuito basado en parmetros secundarios.
Los objetivos clave de este diseo OpAmp fueron: de carril a carril capacidad de IO,
velocidad (ancho de banda y tiempo de establecimiento), unidad de carga (150 Ohm /
100 mA max), aumento de la CC, la ganancia / error de fase en la banda de vdeo (0,1%
/ 0,10), bajo ruido y bajo consumo de corriente. Estas demandas encaminados para las
decisiones de bloques del circuito de la siguiente manera:
1. operacin -rail-to-rail de entrada es proporcionada por pares diferenciales
PMOS / NMOS con cascodo doblado.Gran velocidad se entiende el
funcionamiento de los transistores de entrada en fuerte inversin y
g mecualizador en un punto de conexin entre pares es necesario [ 5, pp.1833; 10 ];
2. -cada etapa de ganancia adicional en la ruta de seal OpAmp corta ancho de
banda global de ganancia unitaria al menos 3 veces [ 5, pp.123-170 ]. Estructura
en dos etapas fue elegido ya que hay al menos dos etapas de ganancia en un
OpAmp rr: par (s) diferencial de entrada y de salida de los transistores en
configuracin de fuente comn;
3. - La ganancia de DC en un 2-etapa convencional CMOS OpAmp [ 5, p.196 ] est
limitado a 60-80 dB debido a la baja impedancia de salida del circuito de
cascodo doblado y los circuitos de realce de ganancia [ 6 ]; [ 7 ], debe aadirse;
4. -rpido asentamiento de gran seal no es posible sin circuitos impulso de giro
[ 8];
SECCIN II
SECCIN III
SECCIN IV
Etapa diferencial
se utiliza como X2 amplificador con fuente de corriente 10 y
el espejo M11 / M12.M17 est incluido para que coincida con voltajes de drenaje de M6
y M10. Corriente de drenaje de M6 es igual a
donde
son las
dimensiones de los transistores correspondientes y ha sido elegido para ser un media
de la corriente de cola .
SECCIN V
SECCIN VI
compensacin / descarga
( Fig. 1 ) y la capacitancia parsita en el
nodos.Esta corriente ha sido impulsado por la adicin del circuito no lineal (X7 en fig.
1 ) con la corriente de salida frente a la dependencia de voltaje de entrada como se
muestra en la fig. 6 [ 8 ].
SECCIN VII
Cuando la salida OpAmp se acerca a uno de los carriles de alimentacin y uno de los
transistores de salida M2, M3 ( fig. 1 ) comienza a trabajar en la regin triodo, la
corriente de la etapa de entrada todava pueden correr a la puerta nodos gn, gp y
cargar uno de ellos a la gran potencial. Provoca retraso, llamado tiempo de
recuperacin de sobrecarga, cuando la seal de entrada cambiar de signo y OpAmp
necesidad de salir de la saturacin ( fig. 8 ).
Cuando el voltaje de salida cae por debajo del valor umbral (establecido por una
relacin de desajuste M1 / M0 N), amplificador M1 / M0 M18 convierte en tensin y
lmites puerta gn de mayor aumento.
SECCIN VIII
E EXPERIMENTAL R ESULTADOS
Descrito OpAmp est fabricando en dos modificaciones: con la entrada de carril a
carril con compensacin optimizada para la operacin seguidor (simple, doble,
cudruple); y con entrada de alimentacin nica (slo OGP), una compensacin
optimizada para la ganancia de 2, pero an estable de ganancia unitaria (simple, doble,
triple). Adems de las caractersticas descritas, comprende esquema de polarizacin
especial para mantener la dinmica estables frente a la temperatura y las variaciones
del proceso, circuito de proteccin de la temperatura. Principales parmetros medidos
SRAM estn en la Tabla 1 .
SECCIN IX
C ONCLUSIN
En este trabajo se muestra la aplicacin de la metodologa estructural a la alta
velocidad de diseo CMOS OpAmp. Cada caracterstica importante circuito, con
exclusin de la etapa de entrada estabilizacin, se ha logrado por medio del bucle de
realimentacin de control. OpAmp comprenden 12 bucles de control, pero debido a la
utilizacin de los amplificadores de corriente de entrada con estructura de una sola
etapa, los nicos condensadores de compensacin son la compensacin Miller en la
ruta de seal principal.
NOTAS AL PIE
No hay datos disponibles
REFERENCIAS
1 . VN Ivanov y VV Ivanov
Potencia integrada rumb amplificadores
p. 170, 1987 , Leningrado
Mostrar Contexto
2 . VN Ivanov y VV Ivanov
Diseo del sistema analgico utilizando ASICs rumb
p. 182, 1988 , Leningrado
Mostrar Contexto
3 . V. Ivanov
"tcnicas de circuito regulador de conmutacin"
Curso de gestin de energa, vol. 92, 2001 , Lausana
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4 . V. Ivanov
"La velocidad y la precisin OpAmp mejora"
Diseo analgico de baja tensin, p. 118, 2002 , Monterey
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5 . K. de Langen y JH Huijsing
OpAmps compacto de baja tensin y de alta velocidad
p. 249, 1999 , Kluwer
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6 . K. Bult y G. Geelen
"La Tcnica CMOS Gain-Impulso"
Analog Integrated Circuits y Procesamiento de Seales, pp. 119-135, 1991
Mostrar Contexto
7.
V. Ivanov
Circuitos CMOS Translinear
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8 . V. Ivanov, G. Johnson y S. Zhang
V. Ivanov
Circuitos CMOS Translinear
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9 . V. Ivanov, G. Johnson y S. Zhang
V. Ivanov
Circuitos CMOS Translinear
Mostrar Contexto
10 . V. Ivanov y S. Zhang
V. Ivanov
2001
Mostrar Contexto
11 . E. Seevinck
"circuitos Translinear CMOS"
Analog Circuit Design, pp. 323-336, 1996 , Kluwer
Mostrar Contexto
AUTORES
Vadim Ivanov
No Bio Disponible
Shilong Zhang
No Bio Disponible
CITADO POR
Citado por IEEE
1 . Un amplificador operacional 100 dB CMRR CMOS con capacidad de alimentacin
nica
Ivanov, V., Filanovsky, I., Junlin Zhou
Electrnica, Circuitos y Sistemas, 2004. ICECS 2004. Actas de la 11 Conferencia
Internacional IEEE sobre, pp. 2004 9- 12, 2004
Breve Resumen | Texto completo: PDF
2 . Un amplificador separador ganancia de carril a carril unidad para los paneles TFT LCD
de alta resolucin de bajo costo
Soo-Yang Park, Won Sup Chung, Sang Hee Hijo
Electrnica de Consumo, IEEE Transactions on, vol. 55, no. 4, pp. 2190-2194, 2009
PALABRAS CLAVE
IEEE Palabras clave
Los modelos analticos , ancho de banda , el ruido de circuito , la sntesis del sistema de
control , circuitos de retroalimentacin , circuito de
realimentacin , Impedancia ,Instrumentos , Rail a insumos ferroviarios , Voltaje