FISICA

MODERNA

Gua de Ejercicios N 3 : Slidos .

Prof. A.Jamett J.

Ao 2006.

1.- Para una red cbica centrada en las caras , f.c.c. , cuya celda convencional tiene lado
a , determine (a) volumen de la celda convencional. (b) Nmero de puntos de la red por
celda convencional. (c)Volumen de la celda primitiva. (d) Nmero de puntos por unidad de
volumen. (e) Nmero de puntos vecinos ms prximos. (f) Distancia a los vecinos ms
prximos.
R:
(a) a3 (b) 4 (c) a3 (d) 4 / a3 (e) 12
(f) 0,70 a .
2.- Calcular la fraccin de empaquetamiento o mxima fraccin que puede llenarse con
esferas rgidas iguales, para una red cbica (a) b.c.c. (b) f.c.c.
R : (a) 0,68
(b) 0,74
3.- Estructura diamante.(a) Cuntos tomos hay en la celda primitiva del diamante?.
(b) Cul es la longitud en angstron de un vector primitivo de traslacin?. (c) Calcular el
ngulo entre los enlaces tetradricos en el diamante.(d) Cuntos tomos hay en la celda
cbica unidad convencional.
R : (c) 109 28
4.- Las intersecciones con los ejes cristalogrficos de los planos que se indican son :
A( 6,2,1) ; B (3,4,6) ; C (-2,1,-3) y D ( 2, ,3) . Determine los ndices de Miller de cada
plano.
R:
A ( 1,3,6)
5.- El peso molecular del aluminio es 27 Kg / Kmol y su densidad es 2700 Kg / m 3 .
Considerando que cada tomo aporta tres electrones libres (a) Cuntos electrones libres
habr por unidad de volumen? . (b) Cul es la separacin lineal de los tomos en un cristal
de Aluminio?. (c) Considerando que a temperatura ambiente el Al tiene estructura cbica
f.c.c. Cul ser el valor del lado de la celda convencional?.
6.- El sodio tiene peso molecular 23 Kg / Kmol , densidad 970 Kg / m 3 y un electrn libre
por tomo. (a ) Determine el nmero de Loschmidt o nmero de electrones por unidad de
volumen.(b) Calcule la energa de Fermi. (c) Determine la velocidad mxima de los
electrones.
7- El cobre tiene peso atmico 63,54 Kg/Kmol , densidad 8,96*103 Kg/m3 y estructura
f.c.c. , suponiendo que cada tomo slo libera un electrn
(a) Cul es la velocidad de los electrones ms rpidos, si el sistema se encuentra en su
estado fundamental?.
(b) Calcular la arista de la celda convencional y la distancia entre los tomos ms
prximos?.
8.- Un cuadrado metlico de lado L, tiene en su interior N electrones libres, cuyas energas
2 2 2
estn dadas por E
n x n 2y , donde nx y ny son nmeros cunticos. A la
2
2mL
temperatura de 0 K :
(a) Calcular la energa de Fermi .

(b) Determine la densidad de estados g(E) =

dn
dE

de estos fermiones.

(c) Demuestre que la energa total de los electrones es U = NEF.

(d) Calcule la energa media de cada fermin
9.- Un sistema est compuesto por 4.000 partculas que pueden estar en uno de los tres
niveles de energa , igualmente espaciados ,cuyos respectivos valores son 0 , y 2 ,que
tienen la misma probabilidad intrnseca g . (a) Comparar la probabilidad relativa de la
particin en que hay 2.000 partculas en el nivel inferior , 1.700 en el intermedio y 300 en
el nivel superior , con la particin resultante de la transferencia de dos partculas del nivel
intermedio ,una al inferior y otra al superior , proceso que es compatible con la

conservacin de la energa . (b) Determine la particin ms probable del sistema .(c) Si el

sistema se encuentra en la particin de equilibrio , y se efecta la misma transferencia
realizada en (a) , compare la probabilidad relativa entre estas ltimas particiones. qu
puede concluir?.(d) Calcular el cambio que se produce en la probabilidad de distribucin si
se transfiere dos partculas al nivel intermedio , una del nivel superior y la otra del inferior.
(e) Determinar la temperatura del sistema cuando est en equilibrio estadstico , suponiendo
que = 0,02 eV.
Rp : (a) P 2 / P 1 = 4,8 (b) n 1 = 2.277 ; n 2 = 1.146 ; n 3 = 577 (c) P/ Pe = 0,9966
(d) 0,206 (e) 338 K
10.- Las partculas clsicas de un sistema aislado pueden encontrarse en tres niveles de
energa, que tiene igual probabilidad intrnseca g = 1. En el cuadro se muestran tres
posibles particiones de tal sistema :
Energa

N Partculas

Particin 1

Particin 2

Particin 3

n1
n2
n3

401
2598
2001

402
2598
2000

400
2600
2000

(a) Determinar las dos particiones que corresponden a un mismo sistema aislado.
(b) Encuentre la particin ms probable del sistema aislado anterior.
(c) Si el sistema tiene una temperatura de 300 K cuando se encuentra en equilibrio
estadstico, calcular el valor de la energa , en eV.
11- Las partculas clsicas e indistinguibles de un sistema aislado pueden estar en tres
diferentes niveles de energa: 0 ; 0,05 eV y 0,10 eV , con igual probabilidad intrnseca, g =
1.En cierto instante hay 500 partculas en el nivel inferior, 3000 partculas en el intermedio
y 100 partculas en el nivel superior.
(a) Escriba otra particin cualquiera de este sistema.
(b) Calcule la funcin de particin.
(c) Determine la temperatura del sistema, cuando este se encuentra en equilibrio
estadstico.
12.- Dadas las temperaturas 100 K , 300 K y 1.000 K determinar para cada una el
cociente de los nmeros de ocupacin n j / n i , de los niveles correspondientes a E Igual
a:
(a) 10 4 e V ,que es del orden del espaciamiento de los niveles rotacionales de
muchas molculas (b) 5 10 2 e V , que corresponde a los niveles vibracionales moleculares
(c) 3 eV que es del orden de las excitaciones electrnicas en tomos y molculas. Suponer
g = 1 . Rp : (a) 0,9885 ; 0,9962 ; 0,9988
(b) 3 10 3 ; 0,145 ; 0,56
164
49
(c ) 3 10
; 8 10
; 8 10 16
13.- Las energas posibles de una partcula en un sistema de partcula son 0 , , 2 , ...., n
, ...... (a) Demostrar que la funcin de particin del sistema es , considerando g i = 1
Z = ( 1 e - / k T )-1
(b) Calcular la energa media de las partculas (c) Hallar el valor
lmite de la energa cuando kT .
14.- Hallar el cociente entre los nmeros de molculas de un gas por unidad de intervalo de
energa alrededor de las energas 0,2 eV y 0,02 e V para las siguientes temperaturas (a)
100 K (b) 600 K
Rp : ( E 1/ E 2 ) e ( E1 E2 ) / k T (a) 6,3 10 9 (b) 2,54
15.- Obtener la energa y la velocidad ms probables de las molculas de un gas a una
temperatura determinada . Rp

E mp = kT

; v mp =

2kT
m

16.- Sabiendo que el cobre tiene una conductividad elctrica de 5,8 10 7 -1 m 1 ,

densidad es 8,93 g / cm 3, masa atmica 63,55 umas y que la movilidad de los electrones es
3,5 10 3 m 2 / (V s) ,calcular (a) la densidad de electrones libres (b) la densidad de tomos .

Rp : 1,04 10 29 m 3 (b) 8,46 10 28 m 3 Qu puede Ud concluir?

17.- Cul es la probabilidad de que un electrn ascienda trmicamente a la banda de
conduccin en el diamante ( Eg = 5,6 eV ) a la temperatura ambiente de 25 C?
Rp : 4,58 10 48
18.- Cul es la probabilidad de que un electrn ascienda trmicamente a la banda de
conduccin en el silicio ( E g = 1,07 eV ) a la temperatura ambiente de 25 C?
Rp : 4,39 10 10
19.- El silicio tiene densidad 2,33 g / cm 3 y masa atmica de 28,09 uma . Adems , de
cada 10 14 tomos de silicio puro , 28 proporcionan un electrn de conduccin . Calcular
(a) la densidad de tomos (b) la densidad de electrones de conduccin .
Rp : (a) 5,0 10 28 tomos / m 3 (b) 1,4 10 16 m 3 .
20.- Se pide caracterizar un semiconductor sabiendo que su conductividad a 20 C es 250
-1m-1 y a 100 C es 1.100 -1m-1 Cul es su separacin entre bandas , Eg?.
Rp: 0,349 eV
21.- Un silicio extrnseco contiene 0,1 ppm (partes por milln) de aluminio en peso, siendo
la masa atmica del Al 26,98 uma . Cul es el porcentaje de Al atmico?.
Rp : 10,4 10 6 %
22.- Si un hipottico semiconductor , con un dopado tipo n en el que E g = 1 eV y Ed =
0,9 eV , tiene una conductividad a temperatura ambiente ,25C , de 100 -1 m-1 Cul ser
su conductividad a 30 C?
Rp : 107 -1 m-1
23.- A qu temperatura se llenar al 25 por 100 el nivel de energa de 5,60 eV de los
electrones de plata , Ag?. El nivel de Fermi en la plata es 5,48 eV.
Rp : 994 C .
24.- Cul es la probabilidad de que un electrn ascienda a la banda de conduccin en el
InSb a (a) 25 C (b) 50 C?. La separacin entre bandas de energa es 0,17 eV.
Rp : (a) 0,0353 (b) 0,0451
25.- El Germanio de alta pureza a 300K tiene E g = 0,66 eV, e 0 0,364 m2/Vs , h = 0,19
m2/Vs y n = 2,3 1019 m-3 .
(a) Calcule la conductividad 0 .
(b) Si el Ge se dopa con Aluminio de valencia 3, de modo que la densidad de tomos
dopantes sea 2 1012 m-3, siendo Ea = 0,01 eV, determine la mxima longitud de onda
que debe tener un fotn incidente en este semiconductor para producir corriente.
26.- Para el Silicio de alta pureza a 300 K se tiene que Eg = 1,107 eV, e = 0,140 m2 / Vs ,
h = 0,038 m2/ Vs y n = 1,4 1016 m-3 .
(a) Calcular la conductividad 0 .
(b) Determinar la probabilidad de que un electrn ascienda trmicamente a la banda de
conduccin.
(c)Si el Si se dopa con As, valencia 5, de modo que la densidad de tomos dopantes sea 1,5
1012 m-3 Cul es el valor mximo de la conductividad extrnseca?. Qu tipo de
semiconductor extrnseco se form?.
27.- Un hipottico semiconductor intrnseco tiene una conductividad de 250 -1m -1 a 20 C
y una conductividad de 1100 -1m 1 a 373 K.
(a) Calcular la conductividad del semiconductor a 25 C.
(b) Si a este semiconductor se le practica un dopado tipo n , se observa que fotones de
25400 nm son necesarios para producir el ascenso de electrones donados a la banda
de conduccin, determinar la energa del nivel donante.