UNIVERSIDAD TECNICA DE AMBATO

FACULTAD DE INGENIERIA EN SISTEMAS,

ELECTRONICA E INDUSTRIAL
CARRERA DE INGENIERIA INDUSTRIAL EN PROCESOS DE
AUTOMATIZACION

Nombre:
Marcelo Andrs Espinosa Alvarado
Nivel:
Cuarto
Paralelo:
A
Tema:
Diodos Semiconductores
Fecha:
23 04 2013
Periodo:
Marzo Agosto 2013

OBJETIVOS:
Objetivo general:

Conocer cmo aplicar diodos semiconductores en circuitos

elctricos

Objetivos especficos:

Determinar el funcionamiento de los diodos semiconductores.

Calcular circuitos haciendo uso de diodos semiconductores.

DESARROLLO
1. Utilizando las caractersticas de la figura 2.149b, determine ID VD y VR para
el circuito de la figura 2.149a.
Repite el inciso (a) empleado en el modelo aproximado del diodo y compare
resultados.
Repite el inciso (a) empleado en el modelo ideal del diodo y compare
resultados

a) Curva comercial
E=8V
R=0,33k
I=E/R=8V/0,33k=24.24mA
VD=0,9v
ID=21.5mA

VR= ID.R=21.5mA x 0.33k=7.1V

b) Modelo lineal por segmento
E=8V
R=0,33k
I=E/R=8V/0,33k=24.24mA
VD=0,7v
ID=22mA
VR= ID.R=22mA x 0.33k=7.26V
c) Modelo ideal
E=8V
R=0,33k
I=E/R=8V/0,33k=24.24mA
VD=0V
ID=24.24mA
VR= ID.R=24.24mA x 0.33k=7.99V
2. Empleando las caractersticas de la figura 2.149b, determine ID y VD para el
circuito de la figura 2.150
Repite el inciso (a) con R=0.47k
Repite el inciso (a) con R=0.18k
El nivel de VD es relativamente cercano a 0.7 V en cada caso? Cmo se
comparan los niveles relativos de ID? Comente.
a)
E=5V
R=2,2k
I=E/R=5V/2,2k=2,27mA
VD=0,7v
ID=2mA
VR= ID.R=2mA x 2,2k=4,4V
b)
E=5V
R=0,47k
I=E/R=5V/0,47k=10,64mA
VD=0,7v
ID=8,8mA
VR= ID.R=8,8mA x 0,47k=4,14V
c)
E=5V
R=0,18k
I=E/R=5V/0,18k=27,8mA
VD=0,9v
ID=24,5mA
VR= ID.R=24,5mA x 0,18k=4,41V
A menor Resistencia mayor intensidad de corriente

3. Determine el valor de R para la figura 2.150 que ocasionara una corriente

en el diodo de 10mA si E=7V. Utilice las caractersticas de la figura 2.149b
para el diodo.
E=7V
I=10mA
R=E/I=7V/11,2mA=0.625k
VD=0,7v
ID=11,2mA

4. Empleando las caractersticas aproximadas del diodo de Si, determine el

nivel de VD ID y VR para el circuito de la figura 2.151.
Desarrolle el mismo anlisis del inciso (a) utilizando el modelo ideal del
diodo
Los resultados obtenidos en los incisos (a) y (b) sugieren que el modelo
ideal puede proporcionar una buena aproximacin para la respuesta real
bajo ciertas condiciones?
a)

I D =I R=

EV D 30 V 0,7V
=
=13,32mA
R
2,2 k

V R =EV D =30 V 0,7 V =29,3 V

b)

I D =I R=

EV D 30 V 0V
=
=13,69 mA
R
2,2 k

V R =EV D =30 V 0,7 V =30 V

c)
Los valores calculados son muy similares
5. Determine la corriente I para cada una de las configuraciones de la figura
2.152 empleando el modelo equilibrado del diodo.

a)

I =0 mA

El diodo esta con la polarizacin inversa, no circula I

20 V +0,7 V + I D 20=0

b)

I D=

20 V 0,7 V
=0,965 A
20

c)

I D=

10 V
=1 A
10

6. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.153

-5V+0,7V-ID(2,2k)=0
5 V 0,7 V
I D=
=1,95 mA
a)
2,2 k
V o=4,3

8V + I D (1,2 k ) + I D ( 4,7 k ) +0,7 V =0

b)

I D=

8 V 0,7 V
=1,24 mA
(1,2+ 4,7)k

V o=1,24 mA ( 4,7 k ) +0,7 V =6,53 v

7. Determinar el nivel de VO para cada red de la figura 2.154

a) I=19V/4k=4,75mA
Vo=20V-0,7V-0,3V-(4,75mA . 2k)=9,5V
( 100,3+2 ) V
I=
1,92 mA
b)
( 1,2+ 4,7 ) k
V o=10( 1,2 k.1,92mA )0,7+ ( ( 4,7 k.1,92 mA ) +2 )=7V

8. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.155.

22-ID(2,2k)-0,7V- ID(1,2k)
( 220,7 ) V
I D=
=6,26 mA
( 2,2+1,2 ) k
V o=6,26 mA .1,2 k=7,51V

I D=
V o0,7+5=0

20 V +5 V 0,7V
=2,65 mA
6,8 k

V o=4,3V

9. Determine VO1 y VO2 para las redes de la figura 2.156.

a)

V o 1=120,7=11,3 V

b)

V o 1=10+0,7+ 0,3=9 V
I=

V o 2=0,3 V

( 100,70,3 ) V
=2 mA
( 1,2+3,3 ) k

10 V 0,7 V 0,3 V + I ( 1,2 k ) + I ( 3,3 k )=0

V o 2=2 mA .3,3 k=6,6 V

10. Determine VO e ID para las redes de la figura 2.157.

a)

I R=

20 V 0,7V
=4,106 mA
4,7 k

I R=2 I D

I D=

I R 4,106 mA
=
=2,05 mA
2
2

V o=20 V 0,7 V =19,3 V

b)

I D=

( 100,75 ) V
=8,77 mA
2,2 k

V o=15 V 0,7 V =14,3 V

11. Determine Vo e I para las redes de la figura 2.158.

a)

I=

( 100,3 ) V
=9,7 mA
1k

b)

I=

( 160,70,712 ) V
=0,553 mA
4,7 k

V o=10 V 0,3 V =9,7 V

V o=12 V +(0,553.4,7)V =14,6VV

12. Determine Vo1, Vo2, e I para la red de la figura 2.159.

V o 1=0,7 V

V o 2=0,3 V

I1 =

( 200,7 ) V
=19,3 mA
1 k

I2 =

( 0,30,7 ) V
=0,851 mA
0,47 k

I R=I D + I 2

I D =19,30,85=18,45 mA

13. Determine Vo e ID para la red de la figura 2.160

I
2 x2
I =2 I D
10 V 0,7 V +
kI+ 2 kI=0
I D=
2
2+2

( )

V o=3,1 mA .2 k=6,2V

I D=

3,1 mA
=1,55 mA
2

I=

( 100,7 ) V
=3,1 mA
( 1+3 ) k

CONCLUSIONES

Se ha determinado como
aplicar

diodos

semiconductores

circuitos electricos.
Se ha determinado
funcionamiento

de

el
los

diodos semiconductores
Se ha calculado diferentes circuitos electricos con diodos
semiconductores.

BIBLIOGRAFIA

en

Teora de Circuitos y Dispositivos Electrnicos, 10E (R.L.

Boylestad, L. Nashelsky)