Union P-N

PINEDO MAYURI Jos Luis

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Autor: Zamora Kelly

DIODO DE UNIN PN POLARIZADO

La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica
un potencial mayor que a la regin n.
Para que un diodo est polarizado directamente, se debe conectar el polo
positivo de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En
estas condiciones podemos observar que:
El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con
lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.

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Cuando se aumenta el voltaje de entrada disminuye la regin de

agotamiento permitiendo el incremento de la difusin as como la
recombinacin de los electrones y huecos

Al disminuir el voltaje de entrada se observa lo Aumenta la regin de

agotamiento ocasionando la disminucin de la difusin y la
recombinacin de los electrones y huecos.

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La ley de Shockley

Aqu tenemos un voltaje de

polarizacin Vp = +0.4V vemos
que:
La barrera de Energa
Potencial en la UNION, existe.
Hay un FLUJO de ambos
PORTADORES de uno hacia el
otro.
La CONCENTRACION de
PORTADORES MINORITARIOS
decrece exponencialmente;
AZUL = electrones y ROJO =
huecos.
La conduccin de Portadores
es por Difusin y Arrastre.
Las CORRIENTES
exponenciales son por tramos y
segn corresponda.
En la UNION misma, las
corrientes son constantes y
similares.

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Diodo Shockley
Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados
estables: uno de bloqueo o de alta impedancia y de conduccin o baja
impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky.
Est formado por cuatro capas de semiconductor de tipo N y P, dispuestas
alternadamente. Es un tipo de tiristor

GRAFICA DE DIODO SHOCKLEY

Ecuacion Shockley
El modelo matemtico ms empleado en el estudio del diodo es el de Shockley
(en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el
comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que
liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia

de tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin (aproximadamente 10^{-12} A)
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin
del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del
orden de 2 (para el silicio).
El trmino VD = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura,
del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C)

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CONMUTACIN DE UN DIODO
Vemos como se muestra los parmetros del diodo y circuito, mediante estas
animaciones modificando los valores que se visualiza el comportamiento de la
corriente. Como vemos para este caso en el N va incrementando mientras P
disminuye.

Al conectar un diodo en forma directa acta como interruptor cerrado

dejando pasar la corriente.

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Al conectar un diodo en forma inversa acta como interruptor abierto NO

dejando pasar la corriente.

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