REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

INSTITUTO UNIVERSITARIO POLITCNICO

SANTIAGO MARIO
EXTENSIN MATURN
ESCUELA DE ING. ELECTRNICA

TRANSISTOR BIPOLAR BJT

Pro!"or#$ B#%&'((!r!"$
Milagifred ngel Calderin 25.502.057
Arolys Zurita
Brenda Reina 26.157.547
Carmen ern!nde" 25.576.##5
$ran%o &aglio 25.452.'76
Rafael Mar(n 25.612.5'2
)alentina Cede*o 25.7+2.246
S!%%')*$ D
S!%%')*$ D
M#+,r-*. /!0r!ro 1!( 2345
INTRODUCCIN
,l transistor- es el %om.onente ele%tr/ni%o estrella- .ues ini%i/ una aut0nti%a
re1olu%i/n en la ele%tr/ni%a 2ue 3a su.erado %ual2uier .re1isi/n ini%ial. Con el transistor
1ino la miniaturi"a%i/n de los %om.onentes y se lleg/ al des%u4rimiento de los %ir%uitos
integrados- en los 2ue se %olo%an- en .o%os mil(metros %uadrados- miles de transistores.
,stos %ir%uitos %onstituyen el origen de los mi%ro.ro%esadores y- .or lo tanto- de los
ordenadores a%tuales. 5or otra .arte- la sustitu%i/n en los monta6es ele%tr/ni%os de las
%l!si%as y antiguas 1!l1ulas de 1a%(o .or los transistores- redu%e al m!7imo las .0rdidas de
%alor de los e2ui.os.
,l transistor sustituyo a las antiguas 1!l1ulas termoi/ni%as de tres ele%trodos o tr(odo-
el transistor 4i.olar fue in1entado en los 8a4oratorios Bell de ,,. 99. ,n di%iem4re de
1#47 .or :o3n Bardeen- ;alter ouser Brattain y ;illiam Bradford <3o%=ley- 2uienes
fueron galardonados %on el 5remio >o4el de $(si%a en 1#56. &ra%ias a ellos fue .osi4le la
%onstru%%i/n de re%e.tores de radio .ort!tiles llamados %om?nmente @transistores@.
DESARROLLO
4.6 D!'*'%')*
,l transistor de uni/n 4i.olar Adel ingl0s Bi.olar :un%tion Bransistor- o sus siglas
B:B fue in1entado en 1#47C es un dis.ositi1o ele%tr/ni%o de estado s/lido %onsistente en
dos uniones 5> muy %er%anas entre s(- 2ue .ermite %ontrolar el .aso de la %orriente a tra10s
de sus terminales.
,l transistor 4i.olar est! formado .or una uni/n 5> y .or otra >5- %ara%ter(sti%a 2ue
3a%e 2ue un semi%ondu%tor de determinado ti.o se en%uentre entre dos de ti.o o.uesto al
.rimero- %omo se muestra en la figura 1. 8o 2ue se o4tiene %on esta %onfigura%i/n es
una se%%i/n 2ue .ro.or%iona %argas Ade 3ue%os o de ele%tronesC 2ue son %a.tadas .or otra
se%%i/n a tra10s de la se%%i/n media. ,l ele%trodo 2ue .ro.or%iona las %argas es el emisor y
el 2ue las re%oge es el %ole%tor. 8a 4ase es la .arte de en medio y forma las dos uniones-
una %on el %ole%tor y otra %on el emisor. Adem!s- la 4ase %ontrola la %orriente en el %ole%tor.
,ste ti.o de transistores re%i4e el nom4re de transistores de uni/n. 8os transistores
4i.olares son los transistores m!s %ono%idos y se usan generalmente en ele%tr/ni%a
anal/gi%a aun2ue tam4i0n en algunas a.li%a%iones de ele%tr/ni%a digital.
2.6 S-70o(o
Bransistor 4i.olar Consta de tres %ristales semi%ondu%tores Ausualmente de sili%ioC
unidos entre s(. <eg?n %omo se %olo2uen los %ristales 3ay dos ti.os 4!si%os de transistores
4i.olares.
D Bransistor >5>E en este %aso un %ristal 5 est! situado entre dos %ristales >. <on los
m!s %omunes.
D Bransistor 5>5E en este %aso un %ristal > est! situado entre dos %ristales 5 8a %a.a
de en medio es mu%3o m!s estre%3a 2ue las otras dos.
,n %ada uno de estos %ristales se reali"a un %onta%to met!li%o- lo 2ue da origen a tres
terminalesE
F ,misor A,CE <e en%arga de .ro.or%ionar .ortadores de %arga.
F Cole%tor ACCE <e en%arga de re%oger .ortadores de %arga.
F Base ABCE Controla el .aso de %orriente a tra10s del transistor. ,s el %ristal de en
medio.
Bi.os Bransistores Ge 9ni/nE


8.6 C#r#%+!r-"+'%#"
9n transistor est! formado .or dos uniones de 5> .ero su %om.ortamiento no es el
de dos diodos enfrentados.
5ro%eso de fa4ri%a%i/n %on la "ona intermedia estre%3a y d04ilmente im.urifi%ada.
5osi4ilidad de %ontrolar la %orriente entre %ole%tor y emisor mediante el %ontrol de
la %orriente de la 4ase.
,lemento triterminalE terminal de %ontrol
Gos ti.osE >5> y 5>5.
Bransistor %om?n
5>5.
Bransistor %om?n
>5>.
Bransistor >5>
%on uni/n en la
%!.sula.
Bransistor multiD
emisor.
5.6/,*%'o*!"
9n transistor es un %om.onente 2ue tiene- 4!si%amente- dos fun%ionesE
Ge6a .asar o %orta se*ales el0%tri%as a .artir de una 5,H9,IA se*al de mando.
Cuando un transistor se utili"a %omo interru.tor o sJit%3- la %orriente de 4ase de4e
tener un 1alor .ara lograr 2ue el transistor entre en %orte y otro .ara 2ue entre en satura%i/n.
CorteE ,n este %aso la %orriente de 4ase es nula Ao %asiC es de%ir- el transistor no
%ondu%e en a4soluto. >o est! fun%ionando. <e di%e 2ue el transistor se %om.orta %omo un
interru.tor a4ierto.
<atura%i/nE ,n este %aso- el transistor %ondu%e totalmente y se %om.orta %omo un
interru.tor %errado.
$un%iona %omo un elemento Am.lifi%ador de se*ales %uando su estado es a%ti1o.
A%ti1aE ,n este %aso el transistor %ondu%e .ar%ialmente- 8a %orriente del %ole%tor es
dire%tamente .ro.or%ional a la %orriente de la 4ase. 8a %orriente del %ole%tor es 100 1e%es la
%orriente de la 4ase. 5or eso se di%e 2ue el transistor am.lifi%a la %orriente.
)C,E 1olta6e %ole%tor emisor
KCE %orriente %ole%tor
KBE %orriente 4ase
9.6A:('%#%')*
8os transistores tienen multitud de a.li%a%iones- entre las 2ue se en%uentranE
Am.lifi%a%i/n de todo ti.o Aradio- tele1isi/n- instrumenta%i/nC
&enera%i/n de se*al Aos%iladores- generadores de ondas- emisi/n de
radiofre%uen%iaC
Conmuta%i/n- a%tuando de interru.tores A%ontrol de rel0s- fuentes de alimenta%i/n
%onmutadas- %ontrol de l!m.aras- modula%i/n .or an%3ura de im.ulsos 5;MC
<e usan generalmente en ele%tr/ni%a anal/gi%a y en la ele%tr/ni%a digital.
<on em.leados en %on1ersores est!ti%os de .oten%ia- %ontroles .ara motores y lla1es
de alta .oten%ia A.rin%i.almente in1ersoresC- aun2ue su .rin%i.al uso est! 4asado en
la am.lifi%a%i/n de %orriente dentro de un %ir%uito %errado.
;.6/#0r'%#%'o*
,l transistor de uni/n 4i.olar- o B:B .or sus siglas en ingl0s- se fa4ri%a 4!si%amente
so4re un mono%ristal de &ermanio- <ili%io o Arseniuro de galio- 2ue tienen %ualidades de
semi%ondu%tores- estado intermedio entre %ondu%tores %omo los metales y los aislantes
%omo el diamante. <o4re el sustrato de %ristal- se %ontaminan en forma muy %ontrolada tres
"onas- dos de las %uales son del mismo ti.o- >5> o 5>5- 2uedando formadas dos uniones
>5.
8a "ona > %on elementos donantes de ele%trones A%argas negati1asC y la "ona 5 de
a%e.tadores o L3ue%osM A%argas .ositi1asC. >ormalmente se utili"an %omo elementos
a%e.tadores 5 al Kndio AKnC- Aluminio AAlC o &alio A&aC y donantes > al Ars0ni%o AAsC o
$/sforo A5C.
,l me%anismo 2ue re.resenta el %om.ortamiento semi%ondu%tor de.ender! de
di%3as %ontamina%iones- de la geometr(a aso%iada y del ti.o de te%nolog(a de
%ontamina%i/n Adifusi/n gaseosa- e.ita7ial- et%.C y del %om.ortamiento %u!nti%o de la
uni/n.
,l transistor es un dis.ositi1o de tres "onas o %a.as. 5odemos tener una "ona de
material ti.o n en medio de dos "onas de material ti.o .- en este %aso se denomina
transistor .n.- o 4ien tener una "ona ti.o . %on dos "onas ti.o n a %ada lado- en %uyo %aso
estar(amos 3a4lando de un transistor n.n.

8a "ona %entral se denomina 4ase- y las laterales emisor y %ole%tor. Cada una de las
"onas %onsta de un terminal .or donde e7traer las %orrientes. ,stos terminales se
re.resentan .or la ini%ial del nom4re de la "ona res.e%ti1aE , AemisorC- B A4aseC y C
A%ole%torC. 8a "ona de emisor es la m!s fuertemente do.ada de las '- es la "ona en%argada
de NemitirO o inye%tar .ortadores mayoritarios 3a%ia la 4ase. ue%os en el %aso de un
transistor .n. o ele%trones en el %aso del transistor .n.. 8a 4ase tiene un ni1el de do.ado
netamente inferior al de la "ona de emisor. <e trata de una "ona %on un es.esor muy inferior
al de las %a.as e7teriores.
<u misi/n es la de de6ar .asar la mayor .arte .osi4le de .ortadores inye%tados .or el
emisor 3a%ia el %ole%tor. 8a "ona de %ole%tor- %omo su .ro.io nom4re indi%a es la
en%argada de re%oger o N%ole%tarO los .ortadores 2ue inye%tados .or el emisor 3an sido
%a.a%es de atra1esar la 4ase.

CONCLUSIONES
,l transistor de uni/n 4i.olar Adel ingl0s Bi.olar :un%tion Bransistor- o sus siglas
B:BC es un dis.ositi1o ele%tr/ni%o de estado s/lido %onsistente en dos uniones 5> muy
%er%anas entre s(- 2ue .ermite %ontrolar el .aso de la %orriente a tra10s de sus terminales. 8a
denomina%i/n de 4i.olar se de4e a 2ue la %ondu%%i/n tiene lugar gra%ias al des.la"amiento
de .ortadores de dos .olaridades A3ue%os .ositi1os y ele%trones negati1osC- y son de gran
utilidad en gran n?mero de a.li%a%ionesP .ero tienen %iertos in%on1enientes- entre ellos su
im.edan%ia de entrada 4astante 4a6a.
8a t0%ni%a de fa4ri%a%i/n m!s %om?n es la de.osi%i/n e.ita7ial. ,n su
fun%ionamiento normal- la uni/n 4aseDemisor est! .olari"ada en dire%ta- mientras 2ue la
4aseD%ole%tor en in1ersa. 8os .ortadores de %arga emitidos .or el emisor atra1iesan la 4ase-
.or2ue es muy angosta- 3ay .o%a re%om4ina%i/n de .ortadores- y la mayor(a .asa al
%ole%tor. ,l transistor .osee tres estados de o.era%i/nE estado de %orte- estado de satura%i/n
y estado de a%ti1idad.
,l t0rmino 4i.olar 3a%e referen%ia al 3e%3o de 2ue en la %ondu%%i/n de la %orriente
inter1ienen los dos ti.os de .ortadores Aele%trones y 3ue%osC. ,l termino 6un%tion Auni/nC
3a%e referen%ia a la estru%tura del dis.ositi1o- ya 2ue est!n dos uniones .n en el transistor y
mediante la .olari"a%i/n de estas uniones %onseguiremos %ontrolar el fun%ionamiento del
dis.ositi1o.
BIBLIOGRA/A
1.D 3tt.EQQJJJ.uni%rom.%omQButRtransistorR4i.olar.as.
2.3tt.EQQJJJ.edute%ne.utn.edu.arQmi%roele%troni%aQ0'D$ABRKCACKS>T20G,
T20BRA><K<BSR,<T20BK5S8AR,<..df
'.D3tt.EQQ%14.e3u.esQo.enR%ourseRJareQ%astellanoQte%ni%asQele%troRgenQteoriaQtemaD4D
teoria..df
4.D3tt.EQQJJJ.slides3are.netQsiele%omQtransistoresD46t
5.D3tt.EQQes.Ji=i.edia.orgQJi=iQBransistorRdeRuniTC'TB'nR4i.olar
6.D3tt.EQQJJJ.iuma.ul.g%.esQU4enitoQGo%en%iaQByC,y$Q5G$Qa.untesQteoriaQCa.'..df
7.D3tt.EQQJJJ.monografias.%omQtra4a6osD.dfQtransistoresDa.li%a%ionesQtransistoresD
a.li%a%iones..df