CURVA CARACTERSTICA DE UN DIODO ZENER Y UN DIODO TUNEL

DIODO ZENER
Esta se diferencia del diodo rectificador (que es un diodo que trabaja en polarizacin
directa, pero a la inversa es un aislante). Pero el diodo Zener funciona en polarizacin
directa e inversa. La utilizacin principal de este diodo, es que se utiliza en la polarizacin
inversa, y trabaja a partir del efecto Zener, que a una pequea tensin inversa, se alcanza
la corriente de saturacin, que es prctica!ente estable y de !a"nitudes despreciables a
efectos prcticos.
#e"$n au!enta la tensin de polarizacin inversa, %asta alcanzar un valor deter!inado,
!uy "rande, conocido co!o voltaje de ruptura (&'), entonces se produce una avalanc%a
y la corriente se %ace !uy intensa.
(l producirse la avalanc%a suele que la unin P)*, que al colisionar los electrones de
valencia, estos saltan a la banda de conduccin, de !odo que producen %uecos
adicionales, electrones libres en la banda de conduccin, au!enta la corriente inversa
%asta alcanzar valores !uy "randes.
En la pri!era fi"ura, se !uestra la curva caracter+stica del diodo Zener, se !uestra la
zona de trabajo, y que si se pone en polarizacin inversa y le se"ui!os au!entando !s,
lle"a a la zona de ruptura para producir corriente inversa con valores "randes. En la
se"unda fi"ura se !uestra su si!bolo"+a y for!as de los diodos zener.
El diodo Zener para su trabajo nor!al, no debe pasar una corriente !,i!a, porque
puede destruir el diodo, el valor ser e,presado por el fabricante.
El diodo Zener, se suele utilizar co!o ele!ento de proteccin, co!o re"ulador de voltaje,
co!o circuito recortador o co!o li!itador.

Prueba del diodo Zener.) se co!prueba con un o%!+!etro en la escala ',- en for!a
si!ilar a un diodo convencional.
DIODO TNEL
#us caracter+sticas, !ostradas en la fi"ura, son diferentes de las de cualquier diodo %asta
a%ora analizado en que tiene una re"in de resistencia ne"ativa. En esta re"in, un
incre!ento del voltaje ter!inal reduce la corriente en el diodo.
FIGURA 1
El diodo tnel se fabrica dopando los materiales semiconductores que formarn
la unin pn a un nivel de 100 a varios miles de veces el de un diodo
semiconductor tpico. Esto reduce en gran medida la regin de
empobrecimiento, a una magnitud de 10
-6
cm, o por lo general a
aproimadamente del anc!o de esta regin en el caso de un diodo
semiconductor. Esta delgada 1"100 regin de empobrecimiento, a trav#s de la
cual muc!os portadores pueden $penetrar% en lugar de que intenten superarla,
a ba&os potenciales de polari'acin en directa es la responsable de pico que
aparece en la curva de la figura arriba. (ara propsitos de comparacin, la
caracterstica de un diodo semiconductor tpico se superpone a la
caracterstica del diodo tnel de la figura 1 .
Esta regin de empobrecimiento reducida !ace que los portadores la
$penetren% a velocidades que eceden por muc!o las disponibles con diodos
convencionales. El diodo tnel se puede utili'ar por consiguiente en
aplicaciones de alta velocidad, como en computadoras, donde se desean
tiempos de conmutacin de nanosegundos o picosegundos.
)os materiales semiconductores ms frecuentemente utili'ados en la
fabricacin de diodos tnel son el germanio * el arseniuro de galio. )a relacin
Ip/Iv es mu* importante en aplicaciones de computadora. (ara el germanio, en
general es de 10+1 * para el arseniuro de galio es de cerca de ,0+1.
)a corriente pico Ir de un diodo tnel puede variar desde algunos
microamperios !asta varios cientos. El volta&e pico, sin embargo, est limitado
a unos 600 m-. (or esta ra'n, un -./ simple con un potencial de batera de
cd interna de 1.0 puede da1ar severamente un diodo tnel si se aplica de
manera incorrecta.
El circuito equivalente de diodo tnel en la regin de resistencia negativa se da
en la figura , aba&o con los smbolos de ms uso para diodos tnel. )os valores
de los parmetros son tpicos para unidades comerciales actuales. El inductor
Ls se debe sobre todo a los conductores terminales.
El resistor RS se debe a los conductores, el contacto !mico en la unin
conductor-semiconductor, * a los materiales semiconductores mismos. )a
capacitancia C es la capacitancia de difusin en la unin * R es la resistencia
negativa de la regin. )a resistencia negativa se utili'a en osciladores que
describiremos ms adelante.
El encapsulado o empaquetado de un diodo tnel plano de 2dvanced
3emiconductor se muestra en la figura ,, mientras que los valores nominales
mimos * caractersticas del dispositivo aparecen en la figura1 . .bserve que
eiste un intervalo de valores pico para cada dispositivo, de modo que el
proceso de dise1o debe ser satisfactorio para el intervalo total de valores. 4o
podemos decir qu# valor pico resultar para un dispositivo particular. Este
intervalo de valores es comn para la ma*ora de los diodos tnel, de modo
que los dise1adores deben estar enterados de esta cuestin. 5uriosamente, el
volta&e en el valle se mantiene bastante constante a 0.16 -, el cual es de
manera significativa menor que el volta&e de encendido tpico de un diodo de
silicio. (ara esta serie de diodos, la resistencia negativa oscila entre 7 80 *7
180 o!ms, un intervalo bastante grande para este importante parmetro.
-arios diodos tnel slo estipulan un valor constante como - ,00 o!ms para
una serie particular.
Figura 2
El diodo t$nel es e!pleado en una a!plia variedad de circuitos tales co!o osciladores,
a!plificadores, s.itc% de alta velocidad, circuitos l"icos, !ezcladores y detectores. Para
co!prar un diodo t$nel se debe especificar el cdi"o.
Prueba del dio tnel.) se prueba con un o%!+!etro en la escala de '/- ',-0 deber
de !arcar !uy baja resistencia en a!bos sentidos.