Transistores FET.

Transistor de efecto de campo (FET) son dispositivos semiconductores donde el

control de la corriente se realiza mediante un campo elctrico. Tienen las
siguientes caractersticas:
- Dispositivo unipolar: un nico tipo de portadores de carga
- Ocupa menos espacio en un circuito integrado que el bipolar, lo que supone una
gran ventaja para aplicaciones de microelectrnica
- Tienen una gran impedancia de entrada (del orden de M)

Existen dos tipos de transistores de efecto campo:
- De unin: JFET o simplemente FET
- De puerta aislada: IGFET, MOS, MOST o MOSFET

En los transistores FET se crea un campo elctrico que controla la anchura del
camino de conduccin del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la
magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensin).
De forma anloga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y
pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de
canal n y de canal p.

Una de las caractersticas ms importantes de los FETs es su alta impedancia de
entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de mega
hmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que
presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilohmios. Esto
proporciona a los FET una posicin de ventaja a la hora de ser utilizados en
circuitos amplificadores.

Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la
seal aplicada, es decir, la variacin de la corriente de salida es mayor en los BJT
que en los FET para la misma variacin de la tensin aplicada. Por ello,
tpicamente, las ganancias de tensin en alterna que presentan los amplificadores
con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.

En general los FET son ms estables con la temperatura y, normalmente, ms
pequeos en construccin que los BJT, lo que les hace particularmente tiles en
circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una caracterstica importante de los FET es que se pueden comportar como si se
tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realizacin de
circuitos utilizando nica y exclusivamente transistores FET.







TRANSISTORES DE UNIN DE EFECTO DE CAMPO. (JFET)

Los JFET los podemos clasificar en dos grandes grupos:

JFET de canal n
JFET de canal p




Estructura bsica del JFET de canal n.

D = Drenado: (Drain). Es el terminal por al que salen los portadores del dispositivo
(los electrones en el JFET de canal n y los huecos en el de canal p)
S = Fuente: (Source). Es el terminal por el que entran los portadores.
G = Puerta: (Gate). Es el terminal mediante el que se controla la corriente de
portadores a travs del canal.

Smbolos.

Smbolos del canal n y del canal p.

Para el funcionamiento ms habitual, los transistores de canal n se polarizan
aplicando una tensin positiva entre drenado y fuente (VDS) y una tensin
negativa entre puerta y fuente (VGS). De esta forma, la corriente circular en el
sentido de drenado a fuente. En el caso del JFET de canal p la tensin VDS a
aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva, de esta forma la corriente
fluir en el sentido de la fuente hacia el drenado.





Curvas caractersticas de JFET con canal n.


Curvas caractersticas.
EL TRANSISTOR MOSFET.

ESTRUCTURA Y TIPOS.


Los transistores de efecto campo de puerta aislada (de acumulacin) tienen ID
nula con VGS = 0, lo cual es interesante para trabajar en conmutacin. Estos
transistores de efecto campo de puerta aislada se suelen llamar MOS (Metal
Oxide Sc) y tienen una impedancia de entrada elevada, del orden de 1010
1015



Tipos:

- Canal P -> sustrato N; impurificaciones P+
- Canal N -> sustrato P; impurificaciones N+

Construccin de la zona del canal

- Muy impurificada o enriquecida (enhacement) en los portadores de carga del
sustrato -> MOS de enriquecimiento o acumulacin

- Poco impurificada o empobrecida (depletion) en los portadores de carga del
sustrato (enriquecida en los portadores de las impurificaciones de D y S) -> MOS
de empobrecimiento o de deplexin





Curvas de salida: ID = f(VDS, VGS).


SMBOLOS GRFICOS.
El terminal de puerta no tiene conexin con el resto de terminales, ya que tal y
como hemos visto anteriormente, est aislado elctricamente del resto del
dispositivo. Pero, a diferencia del caso anterior, en el MOSFET de acumulacin los
terminales de drenado y fuente estn unidos a travs de una lnea continua, esta
lnea hace referencia al canal que ahora si que existe desde un principio. La flecha
indica el sentido en que circulara la corriente en el caso de que la unin p n
estuviera polarizada en directa.


Para el funcionamiento ms habitual, los transistores MOSFET de acumulacin se
Polarizan:

Los transistores MOSFET de deplexin de canal n se polarizan aplicando una
tensin positiva entre drenado y fuente (VDS) y una tensin entre puerta y fuente
(VGS) que puede ser negativa o positiva, segn veremos al analizar el
funcionamiento dispositivo. De esta forma, la corriente circular en el sentido de
drenador a fuente. En el caso del MOSFET de acumulacin de canal p la tensin
VDS a aplicar debe ser negativa y la tensin VGS positiva o negativa, de esta
forma la corriente fluir en el sentido de la fuente hacia el drenado.





















Amplificadores Operacionales.

El objeto de un amplificador electrnico, es elevar el valor de la tensin, corriente o
potencia de una seal variable en el tiempo, procurando mantenerla lo ms fiel
posible.

Los parmetros que caracterizan a un amplificador son los siguientes:



Dnde:
A = ganancia del amplificador.
Ve = tensin de entrada.
ie = Intensidad de entrada.
Ze = Impedancia de entrada.
Vs = tensin de salida.
is = Intensidad de salida.
Zs = Impedancia de salida.
La ganancia (A), es la relacin entre la salida y la entrada. Se puede distinguir
entre ganancia de tensin, corriente y potencia.
Av = Vs/Ve ganancia de tensin.
AI = is/ie ganancia de corriente.
Ap = Ps/Pe = Av.AI ganancia de potencia.

El amplificador operacional (AO), es un amplificador que posee, dos entradas
activas referidas a masa (entrada diferencial); la entrada inversora (-), y la no
inversora (+). Tiene una salida y se alimenta con tensin simtrica (dos fuentes de
tensin).

El amplificador operacional posee dos entradas: una INVERSORA (-) y otra NO
INVERSORA (+) y una salida asimtrica referida a masa.



Existen dos tipos de funcionamiento bsico: sin realimentacin o en BUCLE
ABIERTO y con realimentacin o en BUCLE CERRADO.
Normalmente se usa en BUCLE CERRADO. La red de realimentacin determina
la funcin que realiza el montaje, permitiendo la construccin de amplificadores
asimtricos, osciladores, integradores, diferenciadores, sumadores, restadores,
comparadores, filtros, etc.

Caractersticas de los amplificadores operacionales.

1. La impedancia de entrada es muy alta, del orden de megohms.
2. La impedancia de salida Zout es muy baja, del orden de 1 ohm
3. Las entradas apenas drenan corriente, por lo que no suponen una carga.
4. La ganancia es muy alta, del orden de 10^5 y mayor.
5. En lazo cerrado, las entradas inversora y no inversora son prcticamente
iguales.

Circuitos bsicos con operacionales.

Amplificador no inversor.


Amplificador inversor


Buffer o seguidor

Restador

Sumador


Bibliografa.

Principios de electrnica - Autor Malvino.

http://www.areatecnologia.com/amplificadores-operacionales/amplificador-
operacional-introduccion.htm

http://www.lcardaba.com/articles/opamps.html









































INSTITUTO TECNOLGICO DE LEN





Ingeniera en Sistemas Computacionales.


Principios elctricos y aplicaciones digitales.


Contenido: Transistores FET, Transistores
MOSFET, Amplificadores operacionales.


Maestro: Ing. Jimnez Gonzales Rafael.



Alumno: Jos Martn Lpez Ramrez.



Fecha de entrega: 13 de Mayo del 2014