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Principios Fsicos

Principios F sicos
Miguel Tardo Lpez
Miguel Tard o Lpez

Los dielctricos (aislantes) son materiales en los cuales los


electrones (portadores de carga elemental) permanecen unidos a los
tomos del material (posiciones fijas) o a las impurezas presentes
en los mismos, es decir, en general los electrones no pueden
moverse libremente dentro del aislante (pueden desplazarse
distancias de orden molecular). La resistividad de estos
materiales es del orden de 1016 a 1020 cm.
Los conductores (metales), por el contrario, son materiales en los
cuales los electrones pueden moverse libremente (recorriendo
distancias macroscpicas). Suele decirse que en los metales existe
un mar de electrones que es compartido por todos los tomos del
material. La conductividad de un metal es del orden de 10-4 a 100
(cm)-1.
Ntese que el carcter de portadores libres o ligados se traduce en
comportamientos elctricos sustancialmente distintos, es decir,
conductores o dielctricos.
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Miguel Tardo Lpez
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CAMPO Y POTENCIAL DENTRO DE UN CONDUTOR


Superficie Gaussiana

E0
E

E = E0+E
E --10

41-

* si existe alguna carga reside en la


superficie

V = cte .

nE

ld E

=0
C

ld E

= V

tE

= Et l + Enx + Et l + Enx
'

'

x 0

=0

Et l = 0 Et = 0

* Et es cero sobre la superficie de un conductor; si no, el conductor


no alcanza el equilibrio electrosttico pues existe una Ft 0 =q Et

0 ld nE

ld E

VB VA = V = cte.

tE

=0 =

= (

NE

VB VA =

dl = 0

* E es normal a la superficie justo fuera del


conductor
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CAMPO Y POTENCIAL EN LA SUPERFICIE DE UN CONDUTOR

ad n E

= E n A + (0) A =

En =
0

A
0

Discontinuidad en la componente normal del campo elctrico

E n = E n( + ) E n( ) =

= n
0

0 =
0
0

= 0E n

E E

* El campo elctrico en la superficie de un conductor est determinado por la


densidad superficial de carga en dicho punto. La superficie del conductor es una
superficie equipotencial.
Ntese que al igual que en el caso de la esfera o del plano infinito no conductor la
componente normal del campo elctrico es discontinua.
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EFECTO PUNTAS

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Dos esferas conductoras de radios r1 >>r2 y


densidades superficiales de carga 1y 2

Para el potencial elctrico

q1 q 2
q
1 q
=
V = V1 = V2 =
=

r1
r2
4 0 r1 4 0 r2
1

Para el campo elctrico (suponiendo que las esferas estn lo suficientemente alejadas)

E1 =

q 1
1 q 2
=
E2 =
=
2
2
0
4 0 r2
0
4 0 r1
1

E1 1 r2
=
=
E 2 2 r1

r2
r2
1 = 2 ; << 1 1 << 2
r1
r1

es mayor en zonas con menor radio de curvatura (efecto punta). En las puntas
de un conductor hay mayor densidad de carga
campos elctricos ms intensos.
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Propiedades de un material conductor en equilibrio electrosttico

1) En el interior de un conductor el campo elctrico es nulo: E=0


(condicin de equilibrio electrosttico).
2) En el interior de un conductor no existe carga neta (consecuencia de la
ley de Gauss y de 1) ).
3) Si E=0, la integral de lnea de E a lo largo de cualquier trayectoria
dentro del conductor tambin es cero, por lo que el potencial es
constante en todos los puntos, es decir, el conductor es un volumen
equipotencial.
4) E en la superficie del conductor es perpendicular a sta, ya que es una
superficie equipotencial. Por tanto, un conductor en equilibrio
electrosttico slo puede acumular carga elctrica en la superficie.
As, en un punto de su superficie con una densidad de carga , el
campo E inmediatamente fuera del conductor es:
n

=
n
0
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CONDUCTOR CON UNA CAVIDAD EN SU INTERIOR


Si un conductor tiene una cavidad en su interior, su carga total se distribuye tal que:

Qtot = Qe + Qi
1- Si no hay carga dentro de la cavidad, la carga del conductor slo se puede
distribuir sobre la superficie externa del conductor. sea cual sea la carga dentro o
fuera del conductor, como E=0 en el interior del conductor incluyendo su cavidad
entonces las cargas de un cuerpo neutro que se coloquen en dicha cavidad no se
vern afectadas; se dice que el cuerpo est apantallado. Adems V ser constante e
igual al potencial del conductor que envuelve el cuerpo.

2- Si situamos una carga q>0 dentro de la cavidad de un conductor con Qtot=+Q

= 0

ad

=0=

Qint = Qi + q = 0

0
+ q q en la cavidad
Qi = q Qe = Qtot Qi = Q + q

tni

tni

Superficie Gaussiana

Qint

induce

Qe = Q + q
Si Qtot = 0 Qe = + q (carga en la cavidad)

Campo elctrico
qint
S.G

r 3

= Q a

Q

1 Qr
4 a 3

0
E=
1 Q

4 0 r 2

E = E ( 4r 2 )

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ra
ra

r<a
r>a

Potencial elctrico
r

V1 ( r ) V1 ( ) =

Q
4 0 r

dr =
2

Q
4 0 r

=k

Q
r

Q
r2
Qr
3 2
V2 ( r ) V1 ( ) =
dr
dr =
2
3
4 0 r
4 0 a
8 0 a
a

a
a

CAPACIDAD. CONDENSADORES

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El uso ms comn de los conductores en electrosttica es el almacenamiento


de carga elctrica.
Cul es la capacidad de un conductor o sistema de conductores para
almacenar carga (de ser un capacitor)?
Capacidad es una medida cualitativa de un capacitor para almacenar carga.
Existen dos sistemas de inters:
1) Conductor aislado:
- Se define su capacidad por: C =

Q
V

- C es una propiedad caracterstica del conductor que slo depende de su


geometra y del medio aislante que lo rodea
Cesf .cond . = 4 0 R
- La unidad de capacidad (SI) es el faradio:

culombio
C
1F = 1 faradio = 1
=1
voltio
V
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2) Condensador:

Q = C V
C es una medida de capacidad de almacenar carga elctrica a una diferencia
de potencial fija V.

Condensador no polarizado AC

Condensador polarizado DC
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- Es un sistema de dos conductores, con cargas iguales pero opuestas.


- La carga Q de los conductores se denomina carga del condensador; cada
conductor es una armadura o placa del condensador.

Q 0 A
=
- La capacidad de un condensador se define como: C =
d
V
- C es tambin caracterstica del condensador, y slo depende de su
geometra y del medio aislante situado entre las placas de ste.
- Sin embargo, lo ms conveniente para calcular C es calcular V entre las
placas del condensador a partir de E:

V = V+ V =

placa +

placa

y calcular C usando: C =

E dl

Q
Q
=
V placa + E dl

placa

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Condensador plano paralelo:

S. gaussiana

Idealizacin.
Efecto borde

S.G

ad E

'

qenc

= EA ' =

A'
=
0

E=
0

V = V V+ =

ld E

= Ed

Camino de
integracin

0 A
Q
C=
=
V
d
Ntese que C slo depende del
factor geomtrico (A/d). Adems,
para un V fijo una placa de mayor
A almacena ms carga.

V = Ed
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Condensador de cilindros coaxiales


S. Gaussiana

+Q

+Q

S.G

ad E

= EA = E ( 2rl ) =

qenc

l
0

E=
2 0 r
b

Vab = -

rd )r(E

Vab = Vb Va =

b dr
=2 0 r
a

b
ln
2 0 a

2 0 L
Q
C=
=
V ln(a )
b
Ntese que C nuevamente slo
depende del factor geomtrico (a/b).

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Condensador esfrico
S. Gaussiana

= E r A = E ( 4r ) =

qenc

4 0 r 2
b

Vab = Vb Va =
a

V =

Er =

rd )r(E

S.G

ad E

=-

Q ba

4 0 ab

Q
ab
C=
= 4 0

V
ba

dr
4 0 r 2
a

Ntese que C slo depende del


factor geomtrico (a,b).

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ASOCIACION DE CONDENSADORES
- El condensador es muy comn en los circuitos elctricos.
- En general, en un circuito dado, se suele tener varios condensadores
conectados entre s, formando un sistema o asociacin de condensadores;
stos son equivalentes a un condensador con una capacidad equivalente Ceq
que, al ser cargado a la misma diferencia de potencial, almacena la misma
carga.
La batera sostenida por una reaccin
qumica puede considerarse como una
bomba de carga que lleva una carga Q
desde el polo de menor potencial (-) al de
mayor potencial (+) para compensar la
prdida de carga que ha fluido a la placa
(+) del condensador.
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Asociacin de condensadores en paralelo: todos los condensadores estn


a la misma V.

La capacidad equivalente es
la suma de las capacidades:
N

Ceq = C1 + C2 + ... + C N = Ci
i =1

C1 =

Q1
Q
C2 = 2
V
V

Q = Q1 + Q2 = C1 V + C2 V = (C1 + C2 ) V
Q
Ceq =
= C1 + C2
V

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Asociacin de condensadores en serie: todos los condensadores tienen


la misma Q.

La capacidad equivalente C
del sistema est dada por:
N

1
1
1
1
=
+ ... +
=
Ceq C1
C N i =1 C i

V1 =

Q
Q
V2 =
C1
C2

Q Q
V = V1 + V2 =
+
C1 C2

Q
Q Q
V =
=
+
Ceq C1 C2

1
1
1
=
+
Ceq C1 C2
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Capacidad equivalente
C12 = C1 + C2

1
1
1
=
+
C123 C12 C3

C123

(C1 + C2 )C3
C12C3
=
=
C12 + C3 C1 + C2 + C3
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