1.1 IMPORTANCIA Y CLASIFICACION DE LOS MATERIALES EN LA ING.

Debido a que durante la lectura de este trabajo aprenderemos la importancia de los materiales en la ing. Pasaremos directamente a su clasificacin. La ciencia de materiales clasifica a todos los materiales en funcin de sus propiedades y su estructura atmica. Son los siguientes: Metales Cermicos Polmeros Materiales compuestos Semiconductores En realidad en la ciencia de materiales se reconocen como categoras nicamente los Metales, los materiales Cermicos y los Polmeros, cualquier material puede incluirse en una de estas categoras, as pues los semiconductores pertenecen a los materiales cermicos y los materiales compuestos no son ms que mezclas de materiales pertenecientes a las categoras principales. Metales: La ciencia de materiales define un metal como un material en el que existe un solape entre la banda de valencia y la banda de conduccin en su estructura electrnica (enlace metlico). Esto le da la capacidad de conducir fcilmente calor y electricidad, y generalmente la capacidad de reflejar la luz, lo que le da su peculiar brillo. En ausencia de una estructura electrnica conocida, se usa el trmino para describir el comportamiento de aquellos materiales en los que, en ciertos rangos de presin y temperatura, la conductividad elctrica disminuye al elevar la temperatura, en contraste con los semiconductores. Cermicos Los materiales cermicos son generalmente frgiles o vidriosos. Casi siempre se fracturan ante esfuerzos de tensin y presentan poca elasticidad, dado que tienden a ser materiales porosos. Los poros y otras imperfecciones microscpicas actan como entallas o concentradores de esfuerzo, reduciendo la resistencia a los esfuerzos mencionados. El mdulo de elasticidad alcanza valores bastante altos del orden de 311 GPa en el caso del Carburo de Titanio (TiC). El valor del mdulo de elasticidad depende de la temperatura, disminuyendo de forma no lineal al aumentar sta. Estos materiales muestran deformaciones plsticas. Sin embargo, debido a la rigidez de la estructura de los componentes cristalinos hay pocos sistemas de deslizamientos para dislocaciones de movimiento y la deformacin ocurre de forma muy lenta. Con los materiales no cristalinos (vidriosos), la fluidez viscosa es la

principal causa de la deformacin plstica, y tambin es muy lenta. Aun as, es omitido en muchas aplicaciones de materiales cermicos. Tienen elevada resistencia a la compresin si la comparamos con los metales incluso a temperaturas altas (hasta 1.500 C). Bajo cargas de compresin las grietas incipientes tienden a cerrarse, mientras que bajo cargas de traccin o cizalladura las grietas tienden a separarse, dando lugar a la fractura. Los valores de tenacidad de fractura en los materiales cermicos son muy bajos (apenas sobrepasan el valor de 1 MPa.m1/2), valores que pueden ser aumentados considerablemente mediante mtodos como el reforzamiento mediante fibras o la transformacin de fase en circonia. Una propiedad importante es el mantenimiento de las propiedades mecnicas a altas temperaturas. Su gran dureza los hace un material ampliamente utilizado como abrasivo y como puntas cortantes de herramientas. Polimeros Son una consecuencia directa de su composicin as como de la estructura molecular tanto a nivel molecular como supermolecular. Actualmente las propiedades mecnicas de inters son las de los materiales polmeros y stas han de ser mejoradas mediante la modificacin de la composicin o morfologa por ejemplo, cambiar la temperatura a la que los polmeros se ablandan y recuperan el estado de slido elstico o tambin el grado global del orden tridimensional. Normalmente el incentivo de estudios sobre las propiedades mecnicas es generalmente debido a la necesidad de correlacionar la respuesta de diferentes materiales bajo un rango de condiciones con objeto de predecir el desempeo de estos polmeros en aplicaciones prcticas. Durante mucho tiempo los ensayos han sido realizados para comprender el comportamiento mecnico de los materiales plsticos a travs de la deformacin de la red de polmeros reticulados y cadenas moleculares enredadas, pero los esfuerzos para describir la deformacin de otros polmeros slidos en trminos de procesos operando a escala molecular son ms recientes. Por lo tanto se considerarn los diferentes tipos de respuesta mostrados por los polmeros slidos a diferentes niveles de tensin aplicados; elasticidad, viscoelasticidad, flujo plstico y fractura. 1.2 ARREGLOS ATOMICOS La estructura de los materiales se puede examinar y describir en 3 niveles principales diferentes: Macroestructura Microestructura Nanoestructura Macroestructura

La macroestructura es la estructura del material a nivel macroscpico, donde la escala de longitud es aproximadamente mayor a 1000nm (nanmetros). Entre las propiedades que constituyen la macroestructura estn la porosidad, los recubrimientos superficiales y las microfisuras internas o externas. Microestructura La microestructura es la estructura del material a una escala de longitud de aproximadamente 10 a 1000nm. La escala de longitud es una longitud o intervalo de dimensiones caractersticas dentro de la que se describen las propiedades o los fenmenos que suceden en los materiales. En el caso normal, la microestructura comprende propiedades como el tamao promedio del grano, la distribucin de ese tamao, la orientacin de los granos y otras propiedades relacionadas con los defectos en los materiales (un grano es una porcin del material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi idntico). Nanoestructura Es una estructura con un tamao intermedio entre las estructuras moleculares y microscpicas (de tamao micromtrico). Generalmente, estas estructuras experimentan efectos cunticos que no son tan obvios en estructuras de mayor tamao y tienen por tanto propiedades fsicas especiales. Para describir nanoestructuras necesitamos diferenciar entre el nmero de dimensiones en la nanoescala. Las superficies sin textura tienen en la nanoescala una dimensin, es decir, el grosor de la superficie de un objeto est entre 0.1 y 100 nm. Los nanotubos tiene dos dimensiones en la nanoescala, es decir, el dimetro del tubo est entre 0.1 y 100 nm; su longitud puede ser mucho mayor. Finalmente, las nanopartculas esfricas tienen tres dimensiones en la nanoescala, es decir, la partcula tiene entre 0.1 y 100 nm en cada dimensin espacial. Los trminos de nanopartculas y partculas ultrafinas (UFP) a menudo son usados como sinnimos aunque las UFP puede alcanzar el rango del micrmetro. Aunque posiblemente los nanotubos de carbono son las nanoestructuras ms conocidas, se ha encontrado u obtenido una considerable variedad de nanoestructuras, basadas en diferentes campos de la fsica o de la qumica.

1.2.1 ORDEN DE CORTO ALCANCE. Un material muestra orden de corto alcance si el arreglo espacial de los tomos se extiende slo a los vecinos ms cercanos de dicho tomo. Cada molcula de agua en fase vapor tiene un orden de corto alcance debido a los enlaces covalentes entre los tomos de hidrgeno y oxgeno. Sin embargo, las molculas de agua no tienen una organizacin especial entre s. Los polmeros tambin despliegan arreglos atmicos de corto alcance que se parecen mucho a la estructura del vidrio de slice. El polietileno est compuesto por cadenas de tomos de carbono, con 2 tomos de hidrgeno unidos a cada carbono. Dado que ste tiene una valencia de 4 y que los tomos de carbono e hidrgeno tienen enlaces covalentes, se produce una estructura tetradrica. Las unidades tetradricas pueden unirse de manera aleatoria para producir cadenas polimricas. Los cermicos y los polmeros que slo tienen este orden de corto alcance son materiales amorfos. ORDEN DE LARGO ALCANCE. Los metales, muchos materiales cermicos e incluso algunos polmeros, tienen una estructura cristalina en la cual los tomos muestran tanto un orden de corto alcance como un orden de largo alcance; ese arreglo atmico especial se extiende por todo el material. Uno o ms tomos quedan asociados a cada punto de red. La red difiere de un material a otro tanto que en tamao como en forma, dependiendo del tamao de los tomos y del tipo de enlace entre ellos. La ESTRUCTURA CRISTALINA de un material se refiere al tamao, la forma y la organizacin atmica dentro de la red. La CELDA UNITARIA es la subdivisin de la red cristalina que sigue conservando las caractersticas generales de toda la red. Al apilar celdas unitarias idnticas, se puede construir toda la red. 1.2.2 Redes, Celdas Unitarias y Estructuras Cristalinas Redes. Existen 14 redes de Bravais diferentes y todas las estructuras cristalinas minerales conocidas encajan en una de esas 14 disposiciones. Estas redes pueden ser: Tipo P: Se denomina primitiva y tiene puntos de red en los vrtices de la celda. Tipo I: Red centrada en el interior. Esta presenta puntos de red en los vrtices de la celda y en el centro de la celda. Tipo F: Red centrada en todas las caras. Presenta puntos de red en los centros de todas las caras, as como en los vrtices. Tipo C: Red centrada en la base. Una red tipo C se refiere al caso en el que la simetra traslacional coloca puntos de red en los centros de las caras delimitados por las direcciones a y b as como en el origen. Adems de la simetra traslacional descrita en una red cristalina existen elementos de simetra. Estos elementos son:

 Centro de inversin. Plano de reflexin. Ejes de rotacin de orden 2, 3, 4 y 6. Ejes de rotacin-inversin de orden 3, 4 y 6. Los elementos de simetra anteriores pueden coexistir en una estructura cristalina dando lugar a lo que se conoce como grupo puntual de simetra. Existen 32 grupos puntuales de simetra y el nombre alude a que las operaciones asociadas forman un grupo matemtico y los elementos tienen un punto en comn que no se mueve al realizar las operaciones. Cuando se acoplan traslacin con los ejes de rotacin y planos de simetra surgen nuevos elementos de simetra: ejes helicoidales y planos de deslizamiento. Cuando se combinan los 32 grupos puntuales de simetra con los elementos de simetra traslacional y las 14 redes de Bravais se obtienen los 230 grupos espaciales de simetra posibles. Estos grupos determinan los tipos y posiciones de los elementos de simetra que son posibles para una estructura cristalina. Los puntos de red que muestran la simetra traslacional de una estructura pueden ser conectados mediante los planos de red. Cada plano pertenece a un conjunto de planos equiespaciados que contienen todos los puntos de red. Estos planos se nombran usando los ndices de Miller. Estos ndices se designan convencionalmente h, k, y l, se escriben entre parntesis (h,k,l) y son enteros positivos, negativos o cero. Las celdas unitarias Se pueden definir de forma muy simple a partir de dos (2D) o tres vectores (3D). La construccin de la celda se realiza trazando las paralelas de estos vectores desde sus extremos hasta el punto en el que se cruzan. Existe un tipo de celda unitaria que se construye de un modo distinto y que presenta ciertas ventajas en la visualizacin de la red ya que posee la misma simetra que la red, es la celda de Wigner-Seitz. Una celda unitaria se caracteriza principalmente por contener un nico nodo de la red de ah el adjetivo de "unitaria". Si bien en muchos casos existen distintas formas para las celdas unitarias de una determinada red el volumen de toda celda unitaria es siempre el mismo. En ocasiones resulta ms sencillo construir otro tipo de celdas que sin ser unitarias describen mejor la estructura de la red que tratamos. Este tipo de celdas se denominan celdas convencionales. stas tienen, a su vez, sus propios parmetros de red y un volumen determinado. Todas estas celdas se consideran celdas primitivas ya que son capaces de cubrir todo el espacio mediante traslaciones sin que queden huecos ni solapamientos. Sus diferencias o caractersticas son las siguientes: Empaquetamiento compacto: Esto es cuando los tomos de la celda estn en contacto unos con otros. No siempre ser as y en muchos casos mediar una distancia mnima entre las nubes electrnicas de los diferentes tomos.

Parmetro de red: Es la longitud de los lados de la celda unitaria. Puede haber tan solo uno, dos o hasta tres parmetros de red distintos dependiendo del tipo de red de bravais que tratemos. En las estructuras ms comunes se representa con la letra a y con la c en caso de haber dos. Nodos o tomos por celda: Tal y como dice el nombre es el nmero de nodos o tomos que posee cada celda. Una celda cuadrada, por ejemplo, poseer un nodo por celda ya que cada esquina la comparte con cuatro celdas ms. De hecho si una celda posee ms de un nodo de red es que no es unitaria, en cambio si posee ms de un tomo por celda pudiera ser que estuvisemos en una celda unitaria pero con una base atmica de ms de un tomo. Nmero de coordinacin: Es el nmero de puntos de la red ms cercanos, los primeros vecinos, de un nodo de la red. Si se trata de una estructura con empaquetamiento compacto el nmero de coordinacin ser el nmero de tomos en contacto con otro. El mximo es 12. Factor de empaquetamiento: Fraccin del espacio de la celda unitaria ocupada por los tomos, suponiendo que stos son esferas slidas. Donde f es el factor de empaquetamiento o fraccin de volumen ocupado, n el nmero de tomos por celda, v el volumen del tomo y Vc el volumen de la celda. Normalmente se suele dar el factor de empaquetamiento compacto para las diferentes celdas como indicador de la densidad de tomos que posee cada estructura cristalina. En este caso los tomos se tratan como esferas rgidas en contacto con sus vecinos ms cercanos. Densidad: A partir de las caractersticas de la red, puede obtenerse la densidad terica del material que conforma la red mediante la siguiente expresin. Donde es la densidad, NA el nmero de Avogadro y m la masa atmica. Volumen de la celda unitaria primitiva: Toda celda unitaria tiene el mismo volumen representado por la siguiente frmula. Donde a son los vectores de la base de la red. Estructura cristalina Todos los materiales estn integrados por tomos los que se organizan de diferentes maneras, dependiendo del material que se trate y el estado en el que se encuentra. Cuando un material se encuentra en forma de gas, sus tomos estn ms dispersos o desordenados (a una mayor distancia uno de otro) en comparacin con los tomos de ese mismo material pero en estado lquido o slido. Existen materiales en los que sus tomos siempre estn en desorden o desaliniados an en su estado slido, a estos materiales se les llama materiales amorfos, un ejemplo es el vidrio, al que se considera como un lquido solidificado. En el caso de los metales, cuando estos estn en su estado slido, sus tomos se alinean de manera regular en forma de mallas tridimensionales. Estas mallas pueden ser identificadas fcilmente por sus propiedades qumicas, fsicas o por medio de los rayos X. Cuando un material cambia de tipo de malla al modificar su temperatura, se dice que es un material polimorfo o alotrpico.

Cada tipo de malla en los metales da diferentes propiedades, no obstante que se trata del mismo material, as por ejemplo en el caso del hierro aleado con el carbono, se pueden encontrar tres diferentes tipos de mallas: la malla cbica de cuerpo centrado, la malla cbica de cara centrada y la malla hexagonal compacta. Cada una de estas estructuras atmicas tiene diferentes nmeros de tomos, como se puede ver en las siguientes figuras. Malla cbica de cuerpo centrado Malla cbica de cara centrada Malla hexagonal compacta La malla cbica de cuerpo de cuerpo centrado. Es la estructura que tiene el hierro a temperatura ambiente, se conoce como hierro alfa. Tiene tomos en cada uno de los vrtices del cubo que integra a su estructura y un tomo en el centro. Tambin se encuentran con esta estructura el cromo, el molibdeno y el tungsteno. La malla cbica de cara centrada aparece en el hierro cuando su temperatura se eleva a aproximadamente a 910C, se conoce como hierro gamma. Tiene tomos en los vrtices y en cada una de sus caras, su cambio es notado adems de por los rayos X por la modificacin de sus propiedades elctricas, por la absorcin de calor y por las distancias intermoleculares. A temperatura elevada el aluminio, la plata, el cobre, el oro, el nquel, el plomo y el platino son algunos de los metales que tienen esta estructura de malla. La malla hexagonal compacta se encuentra en metales como el berilio, cadmio, magnesio, y titanio. Es una estructura que no permite la maleabilidad y la ductilidad, es frgil. Modificar a una malla de un metal permite la participacin de ms tomos en una sola molcula, estos tomos pueden ser de un material aleado como el carbn en el caso del hierro, lo que implica que se puede diluir ms carbn en un tomo de hierro. Si se tiene en cuenta que el carbn es el que, en ciertas proporciones, da la dureza al hierro, entonces lo que se hace al cambiar la estructura del hierro es permitir que se diluya ms carbn, con lo que se modifican sus propiedades. Otra de las caractersticas de los metales que influye notablemente en sus propiedades es el tamao de grano, el cual depende de la velocidad de enfriamiento en la solidificacin del metal, la extensin y la naturaleza del calentamiento que sufri el metal al ser calentado. 1.2.3 Puntos, Direcciones y planos de la celda unitaria El tamao y la forma de la celda unidad pueden describirse por tres vectores reticulares a, b, c y por ngulos entre las caras y la longitud relativa de las aristas, denominados parmetros de red, constantes de red o ejes cristalogrficos. a, b, c : longitud de las aristas correspondientes a los ejes coordenados X, Y,Z. a , b , g : ngulos entre las aristas. Tambin existen planos en las celdas unitarias, para determinarlos usamos coordenadas de puntos en donde estos planos interesectan a les ejes x, y, z. Ejemplos:

1.3 Defectos e imperfecciones Tipos de imperfecciones : La primera imperfeccin del cristal es su propia limitacin, la teora cristalina considera que la materia cristalina es un medio peridico infinitamente extendido en las tres direcciones del espacio. Pero un cristal real esta limitado en el espacio por caras, por otros cristales adyacentes, o por otros materiales. Por ejemplo un cristal de fluorita puede crecer en una grieta de roca caliza, la estructura de la fluorita se ve limitada en ese caso por la caliza. En las caras de los cristales existe un estado de no saturacin, por ello tiene tendencia a absorber partculas creando por ejemplo epitaxias o pelculas orientadas. (Definicin de epitaxia: es el crecimiento de cristales de un mineral en una cara cristalina de otro mineral (puede darse entre minerales iguales, homoepitaxia), de forma que el sustrato cristalino de ambos minerales tiene la misma orientacin estructural. Existe, homoepitaxia o heteroepitaxia segn los materiales sean iguales o distintos. 1.3.1 Defectos puntuales Defectos puntuales, un lugar vacante en una estructura que afecta a solo un tomo. La introduccin de impurezas en una estructura no representa un cambio importante en ella , ya que las impurezas entran en cantidades muy pequeas y solo producen alteraciones locales sin efectos importantes en la estructura general. Isomorfismo: hay particulas que forman estructuras de igual dimensin y geometra pero cuya composicin qumica es distinta. 1.3.2 Dislocaciones En el mbito de la ciencia de materiales y la fsica del estado slido, las dislocaciones son defectos de la red cristalina de dimensin uno, es decir que afectan a una fila de puntos de la red de Bravais. Las dislocaciones estn definidas por el vector de Burgers, el cual permite pasar de un punto de la red al obtenido tras aplicar la dislocacin al mismo. Las dislocaciones suceden con mayor probabilidad en las direcciones compactas de un cristal y son sumamente importantes para explicar el comportamiento elstico de los metales, as como su maleabilidad, puesto que la deformacin plstica puede ocurrir por desplazamiento de dislocaciones. 1.3.3 Defectos superficiales El cristal ideal requiere una continuidad perfecta de la red cristalina. La integridad estructural del cristal sufre cuando se rompe esta continuidad de la red. Las imperfecciones ms importantes que afectan a la continuidad de una red son las dislocaciones. Las imperfecciones que tiene un cristal real hacen aumentar su energa, pero este tiende a configurarse de la forma ms estable posible, es decir con las mnimas imperfecciones. El cristal ideal tiene una estructura cuya energa es mnima. Como la eliminacin total de imperfecciones es imposible las concentra en regiones de su estructura y adyacentemente a estas regiones mal formadas estn otras bien formadas. Esta es una idea a la que se lleg gracias a la aplicacin de los rayos-X al estudio de los cristales.

1.3.4 Importancia de los Defectos Podemos finalizar que un defecto cristalino es cualquier perturbacin en la periodicidad de la red de un slido cristalino. Sabemos que un cristal perfecto es un modelo ideal, en el que las especies estn colocadas de forma peridica y regular. Cualquier cristal puede tener defectos, empezando por el hecho de que no hay cristales infinitos. Son estos defectos los que dan las propiedades ms interesantes de la materia como las deformaciones, la resistencia, la conductividad, etc. En conclusin podemos agregar queque los defectos cristalinos es de gran importancia en el estudio de los cristales. 1.4 MOVIMIENTO DE ATOMOS 1.4.1 Aplicaciones de la difusin DIFUSION Es el movimiento de los tomos, iones o molculas, dentro de un material. Estos se mueven de manera predecible, tratando de eliminar diferencias de concentracin y producir una composicin homognea y uniforme. Observar la evolucin de una gota de tinta en un vaso de agua, o de un cristal de alguna sustancia coloreada en el solvente adecuado, los olores que llegan a nosotros, son experiencias diarias de fenmenos de difusin en gases y lquidos, estados en los que por su misma situacin de movilidad, los tomos difunden con rapidez. Sin embargo este fenmeno es una tendencia general en la naturaleza, y aunque ms lento, es igualmente observable en slidos, tendiendo a homogeneizar las imperfecciones. Se han definido como slidos a aquellos materiales cuyos tomos, iones o molculas estn ordenados en una forma fija y regular de mnima energa, llamada red cristalina. An siendo regulares, las redes cristalinas naturales pocas veces son perfectas: la descripcin y el control de las imperfecciones existentes, y an la creacin de imperfecciones en una red cristalina perfecta, son un aspecto importantsimo de la ingeniera de los materiales. Las imperfecciones de la red pueden consistir en la ausencia de uno o mas tomos en los puntos correspondientes de la misma (vacancias) en la aparicin de un tomo diferente (de mayor o menor radio) lo que provoca tensiones y distorsiones en la red. Los tomos ms pequeos pueden acomodarse tambin en los huecos dejados por los tomos de la red (sitios intersticiales) constituyendo otro tipo de imperfeccin. Y an los mismos, los tomos, iones o molculas ordenados en la red tienen energa como para desplazarse de un punto a otro, intercambiando posiciones con otro tomo idntico, siguiendo las tendencias homogeneizantes antes mencionadas.

Puesto que no todos los tomos tienen la misma energa, se podr aplicar un criterio estadstico. La probabilidad de intercambiar posiciones depende de la temperatura segn la ecuacin de Arrhenius tasa de movimiento = C0 e-Q/RT donde C0 es una constante, Q es la energa de activacin (en cal/mol) , R la constante de los gases ( en cal/mol K ) y T la temperatura absoluta. Se basa en un criterio estadstico sobre la probabilidad de que n tomos/segundo tengan una energa adicional Q como para poder desplazarse de uno a otro sitio de la red. La energa de activacin es la energa que debe tener un tomo, in o molcula, para poder llegar a su nueva posicin: es fcil ver que los tomos se encuentran en una situacin normal, de baja energa y relativamente estable. Al difundir, al abrirse paso a un nuevo sitio, el tomo debe comprimir los tomos circundantes, vencer una barrera energtica, esa es la energa de activacin. El calor aplicado es lo que proporciona esa energa. Un bajo valor de Q representa una difusin fcil. Si se grafica el logaritmo de la tasa de movimiento vs. la inversa de la temperatura, se puede obtener Q de la pendiente. Se ha podido verificar experimentalmente, por medio de trazadores radioactivos, que los tomos se mueven dentro de la red de una posicin a otra incluso en slidos absolutamente puros. Este proceso se denomina autodifusin, y aunque ocurre continuamente en todos los materiales no tiene efecto importante en su comportamiento. Si lo tiene cuando ocurre con tomos de distintos materiales, por ejemplo en las soldaduras. Cada tipo de tomo difunde gradualmente hasta lograr una distribucin uniforme, luego de transcurrido suficiente tiempo. A este proceso se lo denomina difusin de tomos sustitucionales Los dos mecanismos importantes mediante los cuales ocurren estos procesos de difusin son la difusin por vacancia y la difusin intersticial: Difusin por vacancia: tanto en la autodifusin como en la difusin de tomos sustitucionales, un tomo puede abandonar su sitio en la red para llenar una vacancia cercana. Pero en el mismo momento se crea una vacancia en el sitio antes ocupado por l. Al progresar la difusin se observa un flujo de tomos y de vacancias en sentidos opuestos, conocido como difusin por vacancia. Difusin intersticial: si en la estructura cristalina est presente un tomo o in pequeo en un sitio intersticial, ste pasar de un sitio intersticial a otro sin necesidad que existan vacancias. Este mecanismo ser mucho ms rpido que el anterior, ya que el nmero de sitios intersticiales es muchsimo mayor que el de vacancias. Procesos en base a difusin Crecimiento de grano: un material compuesto por gran nmero de granos tiene muchos bordes de grano, que representan reas de alta energa debido a una

ineficiente compactacin de los tomos. Si se reduce el rea total de los bordes de grano mediante el crecimiento de estos, se tendr en el material una energa general inferior. El crecimiento de los granos implica el desplazamiento de los bordes de grano, permitiendo que algunos granos crezcan a costa de otros. Implica en general mantener el material a temperaturas altas el perodo necesario de tiempo (ej. algunos metales). Soldadura por difusin : mtodo utilizado para unir materiales. Se efecta en tres pasos. Primero, aplicando presin que deforma ambas superficies obligndolos a unirse, fragmentando las impurezas y produciendo una gran rea de contacto tomo-tomo. Mientras las superficies se mantienen en compresin y a temperatura elevada, los tomos difunden a lo largo de los bordes de grano hacia las vacancias restantes, reducindose el tamao de las vacancias en la interfase (este paso es rpido). Finalmente, el crecimiento de los granos aleja los huecos remanentes de las fronteras de grano. El tercer paso implica la eliminacin completa de los huecos para lo que deber ocurrir la difusin volumtrica que es relativamente lenta. Este proceso se utiliza para unir metales reactivos como el titanio, para unir metales y materiales distintos, y para unir cermicos. Sinterizacin: Un cierto nmero de materiales se manufacturan en formas tiles mediante un proceso que requiere la consolidacin de pequeas partculas en una masa slida. La sinterizacin es un tratamiento a alta temperatura que hace que las partculas se unan y que de manera gradual se reduzca el volumen del espacio de los poros entre las mismas. Es de uso frecuente en la fabricacin de componentes cermicos as como en la produccin de componentes metlicos en la llamada metalurgia de polvos. Cuando se compacta polvo de un material para obtener una preforma, las partculas de polvo entran en contacto en muchos puntos, aunque con una cantidad significativa de poros entre ellas. Los tomos difundirn hacia los puntos de contacto a fin de reducir la energa superficial entre las partculas. Si el sinterizado se efecta durante un tiempo prolongado pueden eliminarse los poros y el material se hace denso. La velocidad de sinterizacin depende de la temperatura, de la energa de activacin y del coeficiente de difusin, as como del tamao original de las partculas. Este mtodo es usado para metales y cermicos avanzados, en estos ltimos una vez terminado el proceso , su microestructura queda fija. Los cermicos avanzados estn diseados para optimizar las propiedades mecnicas a temperaturas elevadas, reduciendo (por el sinterizado como forma de unin) la fase vtrea de la unin cermica, de bajo punto de fusin. 1.4.2 MECANISMOS DE DIFUSIN Existen dos mecanismos principales de difusin en los tomos en una estructura cristalina: (1) mecanismo de vacantes o sustitucional, y (2) el mecanismo intersticial. 1. Mecanismo de difusin por vacantes o sustitucional

Los tomos pueden moverse en las redes cristalinas desde una posicin a otra si hay presente suficiente energa de activacin, proporcionada sta por la vibracin trmica de los tomos, y si hay vacantes u otros defectos cristalinos en la estructura para que ellos los ocupen. Las vacantes en los metales son defectos en equilibrio, y por ello algunos estn siempre presentes para facilitar que tenga lugar la difusin sustitucional de los tomos. Segn va aumentando la temperatura del metal se producirn ms vacantes y habr ms energa trmica disponible, por tanto, el grado de difusin es mayor a temperaturas ms altas. La energa de activacin para la difusin propia es igual a la suma de la energa de activacin necesaria para formar la vacante y la energa de activacin necesaria para moverla. La siguiente tabla presenta la relacin de algunas energas de activacin para la autodifusin en metales puros. Tabla 1 Metal Punto de fusin, C Rango de temperatura estudiado, C Estructura Cristalina Energa de Activacin, KJ/mol Cinc 419 240-418 HCP 91.6 Aluminio 660 400-610 FCC 165 Cobre 1083 700-990 FCC 196 Nquel 1452 900-1200 FCC 293 Hierro 1530 808-884 BCC 240 Molibdeno 2600 2155-2540 BCC 460 Se pude observar que a medida que incrementa el punto de fusin del material. La energa de activacin tambin aumenta. Esto se da porque los metales con temperatura de fusin ms altas tienden a mayores energas de enlace entre sus tomos. La difusin tambin puede darse por el mecanismo de vacantes en soluciones slidas. La diferencia entre los tamaos de los tomos y las energas de enlace entre ellos son factores que afectan la velocidad de difusin. 2. Mecanismo de difusin intersticial La difusin intersticial de los tomos en redes cristalinas tiene lugar cuando los tomos se trasladan de un intersticio a otro contiguo al primero sin desplazar permanentemente a ninguno de los tomos de la matriz de la red cristalina. Para que el mecanismo intersticial sea efectivo, el tamao de los tomos que se difunde debe ser relativamente pequeo comparado con el de los tomos de la matriz. Los

tomos pequeos como los de hidrgeno, carbono, oxgeno y nitrgeno, pueden difundirse intersticialmente en algunas redes cristalinas metlicas. Por ejemplo, el carbono puede difundirse intersticialmente en hierro alfa BCC y hierro gamma FCC. En la difusin intersticial de carbono en hierro, los tomos de carbono deben pasar entre los tomos de la matriz de hierro.
Las propiedades mecnicas engloban la respuesta de los materiales en estado slido a las cargas externas.

Si consideramos dos tomos unidos, entre ellos se establecen unas fuerzas de atraccin y de repulsin que se compensan siempre que se mantenga entre ellos la distancia interatmica. Si sobre ellos se ejerce una presin o carga que tienda a aproximarlos la distancia interatmica se acortar y se incrementara las fuerzas de repulsin. De la misma manera si intentamos separarlos aumentarn las fuerzas de atraccin, para mantener la distancia interatmica. Si extrapolamos lo que sucede con dos tomos con lo que sucedera con el conjunto de tomos que forman un cuerpo, es fcil comprender que cuando se aplica una fuerza externa a un cuerpo, denominada carga, se crea en su interior una reaccin que se le opone, denominada tensin, y un cambio de forma, denominado deformacin.

TENSIN

Es la reaccin que se produce en el interior de un slido cuando sobre el se aplica una carga, La tensin es siempre de la misma magnitud y de sentido contrario a la carga aplicada. Segn la direccin, el sentido y el punto de aplicacin de la carga tenemos tres tipos de tensin (Fig. 1):

Tensin de compresin: Es la que se opone a una fuerza que tiende a comprimir el cuerpo. Se produce sometiendo al cuerpo a dos cargas de igual direccin y sentido contrario y convergente.

Tensin de traccin: Es la que se opone a una fuerza que tiende a estirar el cuerpo. Se produce sometiendo al cuerpo a dos cargas de igual direccin y sentido contrario y divergentes

Tensin tangencial: Es la que se opone a un movimiento de torsin o de desplazamiento de una parte del cuerpo hacia otra. Se produce sometiendo al cuerpo a dos cargas de direcciones paralelas y sentido contrario, convergente o divergente. Tambin se denomina Tensin de corte, cizalla o flexin.

Estos tres tipos de tensiones no se suelen presentar de forma aisladas sino simultneamente, aunque predominen unas u otras segn como se produzca la carga. De manera general, los materiales se comportan mejor ante las tensiones compresivas, despus ante las traccionales y por ltimo ante las tangenciales o de flexin.

La tensin creada sobre la superficie de un cuerpo se trasmite a lo largo de todo l a travs de las uniones atmicas. Esta tensin va a estar en funcin de la magnitud de la carga aplicada y de la extensin de la superficie donde se aplique, siguiendo la frmula

T= C/S

Esto implica que para una misma carga, mientras mayor sea la superficie donde se aplique menor tensin generar, y a la inversa (Fig. 2). En la boca no se producen cargas muy elevadas, las que sean capaces de producir la musculatura masticatoria fundamentalmente, pero al aplicarse sobre superficies muy pequeas, un vrtice cuspdeo por ejemplo, la tensin resultante s puede llegar a ser muy elevada. Para que esto no suceda interesa repartir la zona de aplicacin de la carga por una amplia superficie.

La Tensin se mide en Pascales, que es la tensin que genera una carga de un Newton de fuerza aplicada sobre una superficie de un metro cuadrado. Esta unidad es muy pequea para medir las tensiones que vamos a manejar, por lo que utilizaremos el megapascal (Mp), un milln de veces mayor. En ocasiones se utiliza el Kg/cm2 y el psi o libras/pulgadas2 (Fig. 3).

DEFORMACIN

Como ya hemos dicho, cuando sometemos un material a una carga, este material experimenta tensin y deformacin. La deformacin es el cambio en las dimensiones del cuerpo. Se puede medir en unidades de longitud, rea o volumen, pero estas medidas van a depender del tamao de la muestra. No es lo mismo una deformacin de 2mm en una muestra de 1 cm que en una carretera de 1 Km. Para dar cifras generales la deformacin se expresa en tanto por ciento. Para ello se divide el cambio en la dimensin entre la dimensin original y se multiplica por 100.

Cuando se libera la carga a la que sometemos al material, la tensin desaparece pero la deformacin puede desaparecer o no. En funcin de esto tenemos dos tipos de deformacin:

Deformacin elstica: Es la que desaparece por completo cuando el material se descarga. Esta recuperacin de la forma primitiva se produce por la tendencia de los tomos a recuperar su distancia interatmica, alterada por la carga ejercida. Durante la deformacin elstica se produce un cambio volumtrico que se recupera al cesar la carga.

Deformacin plstica: Es la que es la que no se recupera al cesar la carga aplicada. Esta deformacin se produce porque se ha forzado la distancia interatmica y las uniones atmicas se han roto, por lo que no hay ninguna fuerza que tienda a recuperar la situacin anterior. Los tomos se desplazan en su posicin, sin que haya cambio volumtrico pero s de forma.

CURVA TENSIN/DEFORMACIN

La tensin y la deformacin que experimentan un material ante una carga estn relacionadas y definen el comportamiento mecnico del material. Colocando en el eje de ordenadas la tensin que se genera y en el de abcisas la deformacin correspondiente podemos representar la curva tensin/deformacin (T/D) (Fig. 4). En ella se representa la tensin y la deformacin que sufre un material cuando est siendo sometido a una carga progresivamente mayor hasta su fractura.

Ya en 1678, Robert Hooke postul que la Tensin y la Deformacin de un cuerpo sometido a carga estn relacionadas y son directamente proporcionales. Enunci la ley de la proporcionalidad o ley de Hooke. Con el tiempo se demostr que esta ley solo es cierta en tensiones iniciales pero que llegado un punto, denominado punto P Lmite Proporcional, la proporcionalidad se pierde. Aumentos adicionales de tensin, superiores al punto P, producen incrementos proporcionalmente mayores de la deformacin, hasta que el material se rompe en el punto T. El punto T indica la fractura de la muestra y la tensin a la que se produce se denomina resistencia del material que se define como la mxima tensin que puede soportar un material sin romperse. La pendiente o inclinacin de la porcin lineal de la curva T/D nos determina el Mdulo Elstico o Modulo de Young, que nos mide la rigidez, como explicaremos ms adelante.

El punto P divide a la curva T/D en dos partes diferentes, una recta y otra curva. El comportamiento del material en estas dos partes es claramente distinto.

Como ya hemos descrito, un cuerpo deformado, al anularse la carga, puede recuperar por completo su forma primitiva o por el contrario quedar permanentemente deformado de maneta total o parcial, es decir, puede experimentar una deformacin elstica o plstica. El punto E de la curva T/D se corresponde con la mayor tensin que puede soportar un material sin sufrir deformacin permanente, y se denomina Lmite Elstico. Tensiones por debajo del Lmite Elstico inducen deformacin elstica (recuperable), por encima implican deformacin plstica (no recuperable). Este punto es importante establecerlo para saber si una estructura que va a estar sometida a tensin permanezca dimensionalmente estable, es decir, que no se deforme permanentemente. Ser preciso disearla de manera que esas tensiones no superen el Lmite elstico, o utilizar un material con ese punto ms elevado.

La tensin correspondiente al Lmite Elstico es difcil de establecer ya que en la prctica encontramos que con cualquier tensin, por pequea que sea, se produce una mnima deformacin permanente, despreciable pero suficiente como para dificultar la localizacin del punto E. Como la tensin del punto E y la del punto P prcticamente coinciden, en ocasiones se utiliza este ultimo, mas fcil de localizar para identificar el Lmite Elstico de un material.

En la grfica T/D podemos analizar con ms profundidad los tipos de deformacin: elstica y plstica (Fig. 5). Si sobre la grfica seleccionamos un punto cualquiera, superior al lmite elstico, veremos que a esa tensin T1 el material se va a deformar D. Al cesar la accin de la carga la tensin baja a 0 y la deformacin se recupera rpidamente hasta B, quedando el material parcialmente deformado. El punto B se localiza trazando la paralela a la porcin lineal o elstica de la curva T/D. La deformacin BC es la deformacin elstica, la AB la plstica. Si elegimos un punto por debajo del punto E, al trazar la paralela a la zona lineal nos da 0, que es la deformacin plstica.

Como podemos ver, a una tensin superior al Lmite Elstico un cuerpo experimenta una deformacin elstica y otra plstica, es decir, recupera parte de la deformacin y en parte queda permanentemente deformado. A este comportamiento se le denomina viscoelstico. La cantidad de deformacin permanente que experimenta un cuerpo va a estar en funcin de: su naturaleza, el tiempo que ha estado sometido a carga y la intensidad de esta carga: a mayor tiempo e intensidad de carga mayor deformacin plstica.