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Las celdas mas comunes son de silicio(pueden ser y se elaboran utilizando planchas (wafers) monocristalinas, planchas policristalinas o lminas delgadas. Las planchas monocristalinas (de aproximadamente 1/3 a 1/2 de milmetro espesor) se cortan de un gran lingote monocristalino que se ha desarrollado a aproximadamente 1400C, este es un proceso muy costoso. El silicio debe ser de una pureza muy elevada y tener una estructura cristalina casi perfecta. Las planchas policristalinas son realizadas por un proceso de moldeo en el cual el silicio fundido es vertido en un molde y se lo deja asentar. Entonces se rebana en planchas. Como las planchas policristalinas son hechas por moldeo son apreciablemente ms baratas de producir, pero no tan eficiente como las celdas monocristalinas. El rendimiento ms
la
estructura
El silicio amorfo, una de las tecnologas de lmina delgada, es creado depositando silicio sobre un substrato de vidrio de un gas reactivo tal como silano (SiH4). El silicio amorfo es una de grupo de tecnologas de lmina delgada. Este tipo de clula solar se puede aplicar como pelcula a substratos del bajo costo tales como cristal o plstico.
En la produccin de celdas solares al silicio se le introducen tomos de impurezas (dopado) para crear una regin tipo p y una regin tipo n de modo de producir una unin p-n. El dopado se puede hacer por difusin a alta temperatura, donde las planchas se colocan en un horno con el dopante introducido en forma de vapor. Hay muchos otros mtodos de dopar el silicio. En la fabricacin de algunos dispositivos de lmina delgada la introduccin de dopantes puede ocurrir durante la deposicin de las lminas o de las capas. Un tomo del silicio tiene 4 electrones de valencia (aquellos ms dbilmente unidos), que enlazan a los tomos adyacentes. Substituyendo un tomo del silicio por un tomo que tenga 3 o 5 electrones de la valencia producir un espacio sin un electrn (un agujero) o un electrn extra que pueda moverse ms libremente que los otros, sta es la base del doping. En el doping tipo p, la creacin de agujeros, es alcanzada mediante la incorporacin en el silicio de tomos con 3 electrones de valencia, generalmente se utiliza boro. En el dopaje de tipo n, la creacin de electrones adicionales es alcanzada incorporando un tomo con 5 electrones de valencia, generalmente fsforo.
Una vez que se crea una unin p-n, se hacen los contactos elctricos al frente y en la parte posterior de la clula evaporando o pintando con metal la plancha. La parte posterior de la plancha se puede cubrir totalmente por el metal, pero el frente de la misma tiene que tener solamente un patrn en forma de rejilla o de lneas finas de metal, de otra manera el metal bloqueara al sol del silicio y no habra ninguna respuesta a los fotones de la luz incidente. Se puede determinar la cantidad de energa que se podra obtener determinando las siguientes propiedades o variables:
El tipo y el rea del material La intensidad de la luz del sol La longitud de onda de la luz del sol
* Quantum Dots
La mejora de la eficiencia de las clulas solares mediante el uso de nanoestructuras de Semiconductores Quantum Dots (QD), .
el funcionamiento de estas celdas es como celdas fotovoltaicas con la diferencia de su eficiencia en su uso y beneficios que algunos de ellos son los siguientes 1) la absorcin de luz superior, en particular en el infrarrojo regin espectral, 2) Compatibilidad con la produccin de clulas solares de silicio estndar (en contraste con III / V semiconductores), 3) Aumento de la intensidad de fotos a temperaturas ms altas, 4) Mejora de la resistencia a la radiacin en comparacin con las clulas solares convencionales.
*Nanopartculas de TiO2 actan como aceptores, recogida de electrones.( La luz solar pasa a travs del electrodo simple, y el tinte impregnado en el electrodo compuesto absorbe la luz. Cuando una molcula del tinte absorbe la luz, un electrn pasa a tener un estado excitado y puede saltar desde el tinte a la banda de conduccin del TiO2. En el electrodo
compuesto, el electrn se difunde desde el TiO2 hacia el vidrio conductor. Desde all, el electrn es llevado mediante un cable conductor hacia el electrodo simple. Despus de haber perdido un electrn la molcula del tinte se encuentra oxidada, es decir, tiene un electrn menos que antes. La molcula del tinte recupera su estado inicial cuando el electrn es reinyectado a travs del electrodo simple. De esta manera el proceso se transforma en un ciclo que genera una corriente elctrica.) Absorbe ms del 90% de la luz del sol.
Bibliografa
http://www.itlalaguna.edu.mx/academico/carreras/electronica/opteca/OPTOPDF4_arc hivos/UNIDAD4TEMA1.pdf
Baxter et al., Nanotechnology 17, S304 (2006) and Appl.Phys.Lett. 86, 053114 (2005).
International Journal of Chemical Engineering and Applications, Vol. 2, No. 2, April 2011
http://www.textoscientificos.com/energia/celulas