Carecterizacion de Modulos Fotovoltaicos

CARACTERIZACIN DE MDULOS FOTOVOLTAICOS CON DISPOSITIVO PORTTIL
Tutor: Pedro Jose Dbora Autor: Julio Fernndez Ferichola
Indice.
NDICE
Indice.
1 2 3
OBJETIVOS............................................................................................................. 2 INTRODUCCIN.................................................................................................... 4 ANTECEDENTES ................................................................................................... 7 3.1 Tecnologa Fotovoltaica ................................................................................... 8 4 DESCRIPCIN GENERAL DE UNA INSTALACIN FOTOVOLTAICA....... 11 4.1 Mdulo fotovoltaico ....................................................................................... 12 4.2 Estructura del mdulo fotovoltaico ................................................................ 12 4.2.1 Tipos de mdulos fotovoltaicos y sus clulas ........................................ 13 4.2.1.1 Tipos de paneles segn su forma........................................................ 15 4.2.2 Cubierta frontal....................................................................................... 17 4.2.3 4.2.4 4.2.5 5 Encapsulante........................................................................................... 17 Cubierta posterior ................................................................................... 18 Clulas solares y sus conectores............................................................. 18
FACTORES DE PRDIDAS ENERGTICAS .................................................... 21 5.1 Prdidas por no cumplimiento de la potencia nominal................................... 21 5.2 Prdidas de mismatch o de conexionado........................................................ 22 5.3 Prdidas por polvo y suciedad ........................................................................ 22 5.4 Prdidas angulares y espectrales..................................................................... 23 5.5 Prdidas por cadas ohmicas en el cableado................................................... 23 5.6 Prdidas por temperatura ................................................................................ 23 5.7 Prdidas por sombreado del generador fotovoltaico ...................................... 24 5.8 Prdidas por rendimiento AC/DC del inversor .............................................. 24 6 CURVA CARACTERSTICA DEL MDULO FOTOVOLTAICO.................... 26 6.1 Terminologa .................................................................................................. 26 6.2 Ecuacin caracterstica ................................................................................... 28 6.3 Factores que afectan a la caracterstica I-V del generador ............................. 30 6.4 Condiciones de referencia .............................................................................. 35 6.5 Eficiencia del mdulo fotovoltaico................................................................. 38 6.6 Parmetros de rendimiento de Instalaciones Fotovoltaicas conectadas a la red 40 7 INTERCONEXIONADO DE CLULAS Y MDULOS FOTOVOLTAICOS. EL CAMPO FOTOVOLTAICO .......................................................................................... 44 7.1 El campo fotovoltaico..................................................................................... 44 7.1.1 Asociacin de clulas solares no idnticas en serie................................ 45 7.1.2 8 Asociacin de clulas solares no idnticas en paralelo. ......................... 47
PROTECCIONES EN LOS GENERADORES FOTOVOLTAICOS. DIODOS .. 51 8.1 Diodos de paso ............................................................................................... 51 8.2 Diodos de paso en campos de mdulos fotovoltaicos .................................... 54 8.3 Grupos conectados en paralelo ....................................................................... 54 8.4 Grupos conectados en serie ............................................................................ 55 8.5 Diodos de bloqueo. ......................................................................................... 56 8.6 Protecciones adicionales................................................................................. 58 9 INSTALACIN DE LOS MDULOS.................................................................. 61 9.1 Orientacin de los paneles.............................................................................. 61 2
Indice. 10 NORMATIVA........................................................................................................ 66 10.1 Normativa de las instalaciones fotovoltaicas ................................................. 66 10.2 Normativa de los mdulos fotovoltaicos ........................................................ 67 11 DISEO DEL DISPOSITIVO PORTTIL DE MEDIDAS ................................. 70 11.1 Introduccin.................................................................................................... 70 11.2 Carga capacitiva ............................................................................................. 71 11.3 Descripcin general ........................................................................................ 73 11.4 Dispositivo de medidas de 65V dc ................................................................. 76 11.4.1 Elementos empleados: ............................................................................ 76 11.4.2 Circuito elctrico .................................................................................... 77
11.5 Dispositivo porttil de medidas de 400V dc................................................... 81 11.5.1 Carga capacitiva ..................................................................................... 82 11.5.2 11.5.3 11.5.4 11.5.5 11.5.6 12 Elementos empleados: ............................................................................ 82 Temperatura del mdulo fotovoltaico: ................................................... 83 Medida de Irradiancia............................................................................ 84 Circuito elctrico .................................................................................... 85 Presupuesto............................................................................................. 86
11.6 Protocolo de medidas ..................................................................................... 88 CARACTERIZACIN DE MDULOS FOTOVOLTAICOS ............................. 91 12.1 PVSYST ......................................................................................................... 92 12.1.1 Prdidas .................................................................................................. 93 12.1.1.1 Prdidas por temperatura ................................................................ 93 12.1.1.2 Prdidas en el cableado................................................................... 95 12.1.1.3 Prdidas por calidad del mdulo y mismatch................................. 96 12.2 Siemens SM-55 .............................................................................................. 99 12.2.1 Caractersticas segn fabricante ........................................................... 100 12.2.2 12.2.3 Anlisis ................................................................................................. 101 Resumen ............................................................................................... 104
12.3 Solfocus CPV-16-205................................................................................... 105 12.3.1 Caractersticas segn fabricante ........................................................... 105 12.3.2 12.3.3 Anlisis ................................................................................................. 107 Resumen ............................................................................................... 108
12.4 Concentrix-Solar........................................................................................... 109 12.4.1 Caractersticas segn fabricante ........................................................... 109 12.4.2 12.4.3 Anlisis ................................................................................................. 111 Resumen ............................................................................................... 112
12.5 Sunlink SL-160-24 ....................................................................................... 113 12.5.1 Caractersticas segn fabricante ........................................................... 114 12.5.2 Anlisis ................................................................................................. 115
Indice. 12.5.3 Resumen ............................................................................................... 117
12.6 Sanyo 180 BE ............................................................................................... 118 12.6.1 Caractersticas segn fabricante ........................................................... 118 12.6.2 12.6.3 12.6.4 13 14 15 Anlisis de un mdulo fotovoltaico...................................................... 119 Anlisis de los mdulos Sanyo conectados en serie............................. 120 Conexin a la Red ................................................................................ 123
TRABAJOS FUTUROS....................................................................................... 127 CONCLUSIONES................................................................................................ 129 ANEXOS .............................................................................................................. 133 15.1 Anexo I: Hojas de caractersticas ................................................................. 133 15.1.1 Sanyo .................................................................................................... 133 15.1.2 15.1.3 15.1.4 Sunlink.................................................................................................. 136 Solfocus ................................................................................................ 138 Condensadores Epcos ........................................................................... 140
15.2 ANEXO II .................................................................................................... 142 15.2.1 Programacin de la hoja Excel para el tratamiento de datos................ 142 16 BIBLIOGRAFA .................................................................................................. 144
Debe ser simple para ser cierto. Sino es simple, probablemente no podremos descifrarlo. A.Einstein
A mis padres.
AGRADECIMIENTOS
Hasta que uno no termina su proyecto de fin de carrera no se da cuenta de todo el tiempo y esfuerzo que ha empleado en la realizacin del mismo, y aqu es donde me dispongo a agradecer a toda la gente que me ha apoyado, animado y ayudado a finalizarlo. En primer lugar quera agradecer a todos mis amigos, compaeros de clase y familia que durante meses slo me han escuchado hablar del proyecto. Ya podemos hablar de otras cosas!!!! A Pedro Jos Dbora, mi tutor, por el tiempo que ha empleado en sacar esto adelante, y por estar siempre en su despacho, lo cual ayuda mucho, igualmente agradecido estoy a Vicente Salas, siempre dispuesto a ayudar, hemos pasado buenos momentos los tres con mi proyecto. Por ltimo, y no menos importante, a toda persona que lea este proyecto, espero que le sea til a la vez que interesante. Mi agradecimiento a todos es igual que la gran satisfaccin que siento por haber terminado la carrera.
Captulo 1. Objetivos.
OBJETIVOS
Captulo 1. Objetivos.
1 OBJETIVOS
El control de instalaciones fotovoltaicas de modo eficiente exige un conocimiento preciso de las caractersticas I-V y P-V de los mdulos fotovoltaicos. Estas curvas permiten situar el punto de mxima transferencia de potencia (Ppmp) del mdulo fotovoltaico. La obtencin de las curvas I-V y P-V se puede realizar mediante cargas electrnicas variables de elevado coste. El objetivo de este proyecto el de disear e implantar un dispositivo capaz de caracterizar mdulos fotovoltaicos, es decir, medir la curva I-V de instalaciones fotovoltaicas, que pueden estar formadas por un nico mdulo, hasta varios mdulos conectados entre si, con los medios disponibles en el laboratorio del departamento de Tecnologa Electrnica. Haciendo del dispositivo una herramienta econmica y eficaz a la vez.
Mediante el uso de una carga capacitiva, que nos permite trazar con el uso de un osciloscopio dicha curva I-V completa, de una manera rpida y precisa, para su posterior anlisis y comparacin con las caractersticas ofrecidas por el fabricante de los mdulos fotovoltaicos.
El crecimiento exponencial del nmero de centrales fotovoltaicas tanto de grandes dimensiones (varios MW), como de instalaciones del orden de varios kW, debido a las normativas que regulan la tarificacin de la energa producida mediante instalaciones fotovoltaicas, hace necesario nuestro proyecto para poder analizar dichas centrales, verificar su potencia, rendimiento y como consecuencia su calidad.
El mtodo empleado en nuestro proyecto nos permite obtener de manera rpida y fiable los valores que caracterizan un mdulo solar, como son, los valores de ISC, VOC y PMM, con los que posteriormente emplearemos para comprobar si los datos obtenidos son coherentes con las caractersticas ofrecidas por el fabricante de los mdulos, o si el mdulo fotovoltaico tuviera algn tipo de fallo.
Captulo 2. Introduccin.
INTRODUCCIN
Captulo 2. Introduccin.
2 INTRODUCCIN
Los sistemas fotovoltaicos conectados a la red elctrica constituyen la aplicacin de la energa solar fotovoltaica que mayor expansin ha experimentando en los ltimos aos. Las instalaciones de mdulos fotovoltaicos, objeto de estudio del presente proyecto de fin de carrera, han dejado de ser meras experiencias piloto para integrarse en el conjunto de generadores elctricos que se aaden al complejo sistema de la Red Elctrica Espaola, y que continuarn expandindose con vigor en el futuro, al amparo de la creciente toma de conciencia sobre los problemas medioambientales que conlleva la estructura actual de la produccin de electricidad, fuertemente dependiente de la quema de combustibles fsiles.
La extensin a gran escala de esta aplicacin requiere el desarrollo de mtodos de ingeniera especficos, que permitan evaluar sus caractersticas y rendimientos en el conjunto del sistema elctrico. A ello, precisamente, dedica sus esfuerzos el presente proyecto que consiste en el diseo y fabricacin de un dispositivo porttil capaz de caracterizar mdulos fotovoltaicos, de una manera sencilla y eficaz.
Para ste proyecto hemos desarrollado un mtodo de medidas de instalaciones fotovoltaicas con el nimo de revisar tanto los sistemas instalados en la Universidad Carlos III de Madrid, como instalaciones externas.
Comenzaremos, en el captulo 4 describiendo una instalacin fotovoltaica, en especial los mdulos fotovoltaicos. En los captulos 5 y 6 analizaremos todos los factores de prdidas que afectan a una instalacin fotovoltaica y los parmetros que definen su rendimiento. En los captulos 7, 8 y 9 estudiaremos los tipos de conexiones que se realizan entre mdulos y clulas, las protecciones de los generadores fotovoltaicos y el tipo de orientacin con la que se instalan los generadores fotovoltaicos. En el captulo 10 haremos referencia a la normativa que rige las
instalaciones fotovoltaicas. El captulo 11, el ms importante, ya que en l se describe
Captulo 2. Introduccin. todo el proceso de diseo de los dispositivos de medida, con los que posteriormente analizamos los mdulos instalados en la universidad, en el captulo 12.
Captulo 3. Antecedentes.
ANTECEDENTES
Captulo 3. Antecedentes.
3 ANTECEDENTES
La energa fotovoltaica es la energa elctrica obtenida a travs de los fotones procedentes de la luz solar mediante clulas fotovoltaicas. Este tipo de energa es cada da ms importante debido a la mayor necesidad de energas limpias que permitan un desarrollo sostenible. La aparicin de este nuevo mtodo de producir energa estaba aos atrs, restringido a la alimentacin elctrica de lugares aislados, aplicaciones rurales, en la actualidad, las nuevas normativas y la evolucin en la tecnologa hacen que las instalaciones fotovoltaicas conectadas a red supongan un porcentaje considerable de la potencia total instalada en Espaa.
El desarrollo de la energa fotovoltaica requiere conseguir, con unos costes razonables, que los elementos de la instalacin alcancen unos rendimientos energticos elevados y as que la instalacin funcione de la mejor forma posible.
El Sol es el origen directo o indirecto de todas las fuentes de energa renovables, desde la solar o la elica a la mareomotriz. En el caso de la energa solar, sta aprovecha directamente la energa que recibimos del Sol (inicialmente ms de 1.350 W/m2), dando lugar a dos modalidades: la energa solar trmica y la energa solar fotovoltaica. La fotovoltaica utiliza la radiacin solar para generar electricidad aprovechando las propiedades fsicas de ciertos materiales semiconductores. La energa trmica utiliza directamente la energa que recibimos del Sol para calentar un fluido.
La utilizacin de las energas renovables en sus diversas formas son consideradas como una opcin atractiva para la produccin de energa elctrica tanto para los productores como para los consumidores. Especialmente atractiva resulta a pequea y a mediana escala, en zonas donde coinciden la disponibilidad tecnolgica, el recurso renovable, la demanda y la estructura elctrica. La realizacin de este importante paso, est demostrando que, en muchos casos, los sistemas de utilizacin de las energas renovables resultan viables tcnicamente, razonables econmicamente e inevitables desde el punto de vista medioambiental. Este tipo de energa es cada da ms importante debido a la mayor necesidad de energas limpias que permitan un desarrollo sostenible. 7
Captulo 3. Antecedentes. El desarrollo de la energa fotovoltaica requiere conseguir, con unos costes razonables, que los elementos de la instalacin alcancen unos rendimientos energticos elevados y as que la instalacin funcione de la mejor forma posible.
En la actualidad la nica tecnologa considerada para la produccin de electricidad solar por va fotovoltaica es la basada en el uso de mdulos fotovoltaicos planos, que incorporan clulas de silicio, ya sea mono o policristalino, o mdulos fotovoltaicos de alta concentracin, stos ltimos siendo los ms modernos y en los que se necesita mucha menos cantidad de silicio para las clulas.
Sin embargo, la tecnologa de mdulos fotovoltaicos planos fotovoltaicos s se encuentra desarrollada desde hace dcadas, ofreciendo en la actualidad un producto comercial que ha ido mejorando sus prestaciones en el tiempo gracias a la libre competencia. As los fabricantes actuales garantizan sus productos por tiempos superiores a 20 aos, obteniendo degradaciones inferiores al 20% durante la vida til de los mdulos.
3.1 Tecnologa Fotovoltaica

La clula fotovoltaica.
El fenmeno fotovoltaico fue descubierto en 1839 por el cientfico francs, Henri Becquerel. Las primeras celdas solares de selenio fueron desarrolladas en 1880, sin embargo, no fue sino hasta 1950 que se desarrollaron las celdas de silicio monocristalino que actualmente dominan la industria fotovoltaica. Las primeras celdas de este tipo tenan una eficiencia de conversin de solo 1%; ya para 1954 se haba logrado incrementar la eficiencia al 6% en condiciones normales de operacin, mientras en el laboratorio se lograron eficiencias cercanas a 15%. Desde entonces hasta nuestros das la eficiencia en las clulas no ha mejorado notablemente. La produccin elctrica est basada en el fenmeno fsico denominado "efecto fotovoltaico", que bsicamente consiste en convertir la luz solar en energa elctrica por medio de unos dispositivos semiconductores denominados clulas fotovoltaicas. Estas clulas estn elaboradas a base de silicio puro (uno de los elementos ms abundantes en
Captulo 3. Antecedentes. la naturaleza, componente principal de la arena) con adicin de impurezas de ciertos elementos qumicos (boro y fsforo), y son capaces de generar cada de ellas una corriente de 2 a 4 Amperios, a un voltaje de 0,46 a 0,48 Voltios, utilizando como fuente de energa la radiacin luminosa. Las clulas se montan en serie sobre mdulos fotovoltaicos o mdulos solares para conseguir un voltaje adecuado. Parte de la radiacin incidente se pierde por reflexin (rebota) y otra parte por transmisin (atraviesa la clula). El resto es capaz de hacer saltar electrones de una capa a la otra creando una corriente proporcional a la radiacin incidente. La capa antirreflejo aumenta la eficacia de la clula.
Generalmente, una clula fotovoltaica tiene un grosor que vara entre los 0,25 y los 0,35mm y una forma generalmente cuadrada, con una superficie aproximadamente igual a 100 mm2.
Los materiales para la fabricacin de los mdulos fotovoltaicos solares son: -Silicio Monocristalino: de rendimiento energtico hasta 15 - 17%. -Silicio Poli-cristalino: de rendimiento energtico hasta 12 - 14 % -Silicio Amorfo: con rendimiento energtico menor del 10 %; -Otros materiales: Arseniuro de galio, diseleniuro de indio y cobre, telurio de cadmio.
Actualmente, el material ms utilizado es el silicio monocristalino que tiene prestaciones y duracin en el tiempo superiores a cualquier otro material utilizado para el mismo fin.
Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica
DESCRIPCIN GENERAL DE UNA INSTALACIN FOTOVOLTAICA
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4 DESCRIPCIN GENERAL DE UNA INSTALACIN FOTOVOLTAICA
Una instalacin fotovoltaica conectada a la red dispone del conjunto de equipos, conexiones, aparamenta y sistemas que permiten su conexin a la red y su correcto funcionamiento.
En una instalacin fotovoltaica convencional, esquematizada en la Figura 1, se pueden distinguir tres bloques funcionales bien diferenciados:
Figura 1.Instalacin fotovoltaica.
1. El generador, formado por mdulos fotovoltaicos y su correspondiente estructura de soporte.
2. El inversor de potencia, responsable de adaptar las caractersticas de la energa producida por el generador (DC) a las requeridas por la red (AC)
3. La red elctrica convencional
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4.1 Mdulo fotovoltaico

Desde el punto de vista de la aplicacin de los sistemas fotovoltaicos para la obtencin de la electricidad, es necesaria la asociacin de clulas FV hasta obtener una potencia de generacin deseada, que depender del tipo de instalacin y adaptacin de corriente. Esta asociacin se materializa, en primer lugar, en el modulo FV, que es el dispositivo comercial ya acabado consistente en una asociacin de clulas FV siguiendo una configuracin serie-paralelo determinada y preparado para su instalacin exterior. De la misma manera que las clulas FV se asocian para formar el modulo FV, los mdulos se asocian entre si, en serie y en paralelo, hasta obtener la potencia deseada para el tipo de aplicacin al que se vayan a destinar.
4.2 Estructura del mdulo fotovoltaico

El mdulo FV consiste en la conexin elctrica de clulas FV en serie-paralelo hasta obtener unos valores de voltaje y corriente deseados. El conjunto as definido es encapsulado de forma que quede protegido de los agentes atmosfricos que le puedan afectar cuando est trabajando en la intemperie, dndole a la vez rigidez mecnica y aislndole elctricamente del exterior. Tradicionalmente los mdulos fotovoltaicos ms utilizados en aplicaciones autnomas de pequea potencia estaban constituidos por 33 36 clulas de silicio monocristalino o policristalino, asociadas en serie. No obstante en la actualidad, con la amplia gama de aplicaciones fotovoltaicas existentes y el incremento de nuevas aplicaciones como la integracin de sistemas fotovoltaicos en edificios o los mdulos fotovoltaicos de alta concentracin, el tamao y caractersticas de los mdulos presenta una gran variacin, pudiendo encontrarse desde el modulo convencional con cubierta convencional transparente, encapsulado en Tedlar y con 36 clulas conectadas en serie, hasta mdulos semitransparentes coloreados especialmente para su integracin en edificios, o los llamados AC-modules, que incorporan un pequeo inversor en la caja de conexiones generando por tanto en corriente alterna.
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4.2.1 Tipos de mdulos fotovoltaicos y sus clulas

Existen diferentes tipos de paneles solares en funcin de los materiales empleados, los mtodos de fabricacin que se empleen y la forma final. A continuacin se describen los materiales que pueden formar las clulas solares: Silicio Puro monocristalino- Basados en secciones de una barra de silicio perfectamente cristalizado en una sola pieza. En laboratorio se han alcanzado rendimientos mximos del 24,7% para ste tipo de paneles siendo en los comercializados del 16%.
Figura 2 Mdulo compuesto por clulas de silicio monocristalino
Silicio puro policristalino- Los materiales son semejantes a los del tipo anterior aunque en este caso el proceso de cristalizacin del silicio es diferente. Los paneles policristalinos se basan en secciones de una barra de silicio que se ha estructurado desordenadamente en forma de pequeos cristales. Son visualmente muy reconocibles por presentar su superficie un aspecto granulado. Se obtiene con ellos un rendimiento inferior que con los monocristalinos (en laboratorio del 19.8% y en los mdulos comerciales del 14%) siendo su precio tambin ms bajo.
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Figura 3 Mdulo formado por clulas de silicio policristalino
Por las caractersticas fsicas del silicio cristalizado, los paneles fabricados siguiendo esta tecnologa presentan un grosor considerable. Mediante el empleo del silicio con otra estructura o de otros materiales semiconductores es posible conseguir paneles ms finos y verstiles que permiten incluso en algn caso su adaptacin a superficies irregulares. Son los denominados paneles de lmina delgada.
As pues, los tipos de paneles de lmina delgada son:
Silicio amorfo. (TFS) Basados tambin en el silicio, pero a diferencia de los dos anteriores, este material no sigue aqu estructura cristalina alguna. Paneles de este tipo son habitualmente empleados para pequeos dispositivos electrnicos (Calculadoras, relojes) y en pequeos paneles porttiles. Su rendimiento mximo alcanzado en laboratorio ha sido del 13% siendo el de los mdulos comerciales del 8%.
Teluro de cadmio, Rendimiento en laboratorio 16% y en mdulos comerciales 8% Arseniuro de Galio- Uno de los materiales ms eficientes. presenta unos rendimientos en laboratorio del 25.7% siendo los comerciales del 20% Diseleniuro de cobre en indio- con rendimientos en laboratorio prximos al 17% y en mdulos comerciales del 9% Triple unin. GaAs, Ge y GaInP2 esta unin de tres semiconductores obtiene un rendimiento del 39%.
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4.2.1.1 Tipos de paneles segn su forma

Empleando cualquiera de los materiales antes comentados se fabrican mdulos fotovoltaicos para adaptarse a una aplicacin en concreto o para lograr un mayor rendimiento. Algunos ejemplos de formas de paneles distintos del clsico plano son: Planos con sistema de concentracin:
Esta tecnologa emplea una serie de superficies reflectantes, como son los espejos, metales, plsticos, que mediante una geometra de tipo paraboloide son capaces de dirigir la radiacin solar recogida en una superficie a otra muy inferior concentrando la luz solar sobre las clulas solares. Estos sistemas de concentracin hacen que una clula de menor tamao que la de un panel plano clsico tenga el mismo rendimiento, ya que recibe una cantidad concentrada de radiacin solar. Esto supone una disminucin del precio del panel ya que los materiales reflectantes son mucho ms baratos que las clulas solares, y sta tecnologa reduce el contenido de silicio en el panel. La tecnologa de concentracin nicamente utiliza la energa directa (aquella que se sabe de donde viene) por lo que el sistema debe contar adems con un sistema de seguimiento solar en dos ejes, que consta de un soporte para los mdulos y mediante unas sondas y una configuracin adecuada se desplaza en dos ejes para que los mdulos fotovoltaicos instalados en l encuentren siempre los rayos del sol perpendicularmente.
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Figura 4 Fotografa del seguidor solar instalado en la Universidad, en el que hay instalados mdulos de concentracin
Paneles de formato teja o baldosa:
Estos paneles son de pequeo tamao y estn pensados para combinarse en gran nmero para as cubrir las grandes superficies que ofrecen los tejados de las viviendas. Aptos para cubrir grandes demandas energticas en los que se necesita una elevada superficie de captacin.
Figura 5 Mdulo fotovoltaico de tipo teja o baldosa
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Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica Paneles bifaciales:
Basados en un tipo de panel capaz de transformar en electricidad la radiacin solar que le recibe por cualquiera de sus dos caras. Para aprovechar convenientemente esta cualidad se coloca sobre dos superficies blancas que reflejan la luz solar hacia el reverso del panel.
4.2.2 Cubierta frontal
Ha de poseer una elevada transmisin en el rango de longitudes de onda que puedan ser aprovechadas por una clula solar fotovoltaica (350 a 1200 nm en caso de clulas de silicio), y una baja reflexin de la superficie frontal, para aprovechar al mximo la energa solar incidente. Adems, el material ha de ser impermeable al agua, deber tener una buena resistencia al impacto, deber ser estable a la exposicin prolongada de rayos UV y contar con una baja resistividad trmica. Si se diera el caso de que penetrara agua en el interior del mdulo, sta corroera los contactos metlicos contribuyendo a reducir drsticamente la vida til del mdulo. En la mayora de los mdulos la superficie frontal se utiliza para dar rigidez y dureza mecnica al mismo.
Entre los materiales para la superficie frontal ms empleados podemos encontrar acrlicos, polmeros y cristal. El ms empleado suele ser el cristal templado con bajo contenido en hierro por sus caractersticas de bajo coste, elevada transparencia y estabilidad, impermeabilidad al agua y los gases y buenas propiedades de autolimpiado.
4.2.3 Encapsulante
Se utiliza para dar adhesin entre las clulas solares, la superficie frontal y la posterior del mdulo. Deber ser impermeable al agua y resistente a la fatiga trmica y la abrasin. El ms utilizado es el EVA (etilen-vinil-acetato).
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4.2.4 Cubierta posterior
Debe ser impermeable y con baja resistencia trmica. Normalmente se utiliza una pelcula de Tedlar adosada en toda la superficie del mdulo, aunque tambin existen modelos que emplean una nueva capa de Tedlar y un segundo vidrio.
4.2.5 Clulas solares y sus conectores
Las cintas de interconexin elctrica suelen ser de aluminio o acero inoxidable, y se sueldan de forma redundante, con dos conductores paralelos para aumentar la recoleccin de portadores en ambas caras de la clula.
Figura 6 Seccin transversal de un mdulo fotovoltaico.
Los bordes del bloque as laminado se protegen de la posible exfoliacin con una junta de neopreno, y todo el conjunto va incrustado en un marco de aluminio adherido normalmente con silicona, que le proporciona resistencia mecnica y est preparado para permitir su instalacin y ensamblaje en cualquier estructura . Se incorpora tambin una caja de conexiones externa (normalmente adherida con silicona a la parte posterior) que cuenta con dos bornes de salida positiva y negativa, para permitir el conexionado de
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Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica mdulos. ste ha de ser de cierre hermtico y resistente a la intemperie para proteger las conexiones del mdulo, y en algunos casos lleva incorporados diodos de proteccin.
El tiempo de vida til de los mdulos debe ser superior a los 20 aos, y el sistema ha de ser fiable incluso en las condiciones climatolgicas ms adversas. Para poder predecir esta fiabilidad a tan largo plazo, los mdulos son sometidos a ensayos de cualificacin de sus caractersticas elctricas (como haremos en nuestro proyecto) y fsicas. Algunos fabricantes poseen su propio Sistema de Aseguracin de Calidad y realizan algunos de estos ensayos en muestras obtenidas de sus cadenas de produccin, no obstante, existen normativas nacionales e internacionales de homologacin de mdulos fotovoltaicos que, si bien no son de obligado cumplimiento, son de una excelente garanta de durabilidad.
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Captulo 5.Factores de prdidas energticas.
FACTORES DE PRDIDAS ENERGTICAS
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5 FACTORES DE PRDIDAS ENERGTICAS

Al igual que en otros procesos de generacin de potencia elctrica, las prdidas son un factor determinante y a tener presente en todo momento para poder posteriormente evaluar los rendimientos de los equipos.
A priori resulta muy fcil pensar que la energa producida por una instalacin fotovoltaica es directamente proporcional a la irradiacin incidente en el plano del generador fotovoltaico. As por ejemplo un sistema con un generador fotovoltaico de potencia nominal 1 kWp instalado con unas condiciones meteorolgicas tales que reciba una irradiacin anual de 1800 kWh/m, dicho generador en ausencia de prdidas producira 1800 kWh.
Ahora bien, la experiencia y distintos estudios muestran que la energa producida por un mdulo fotovoltaico es sensiblemente inferior. Esta disminucin de la energa entregada por el generador respecto de la energa solar incidente puede ser explicada mediante una serie de prdidas energticas, cuyas principales fuentes se presentan a continuacin:
5.1 Prdidas por no cumplimiento de la potencia nominal

Los mdulos fotovoltaicos obtenidos de un proceso de fabricacin industrial no son todos idnticos, sino que su potencia nominal referida a las condiciones estndar de medida, CEM (en ingls, STC), presenta una determinada dispersin. En general los fabricantes garantizan que la potencia de un mdulo fotovoltaico de potencia nominal, P*, est dentro de una banda que oscila entre P*3%, P*5% o P*10%. Lamentablemente en algunas ocasiones suele darse el caso de que la potencia de cada uno de los mdulos fotovoltaicos se sita dentro de la banda inferior de potencias garantizadas por el fabricante.
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Captulo 5.Factores de prdidas energticas. Esto es, la potencia real suministrada por el fabricante, entendida como la suma de las potencias de cada uno de los mdulos que componen el generador fotovoltaico, de una instalacin de 1kWp nominal cuyo fabricante garantice el 10% debera ser cualquier valor entre 0.9 kWp y 1.1 kWp. Sin embargo, en general, se sita entre 0.9 kWp y 1 kWp.
5.2 Prdidas de mismatch o de conexionado

Son prdidas energticas originadas por la conexin de mdulos fotovoltaicos de potencias ligeramente diferentes para formar un generador fotovoltaico. Esto tiene su origen en que si conectamos dos mdulos en serie con diferentes corrientes, el mdulo de menor corriente limitar la corriente de la serie. De modo semejante ocurre para la tensin de la conexin de mdulos en paralelo. Resultando que la potencia de un generador fotovoltaico es inferior (o en un caso ideal, igual) a la suma de las potencias de cada uno de los mdulos fotovoltaicos que lo componen. Las prdidas de mismatch se pueden reducir mediante una instalacin ordenada en potencias (o en corrientes en el punto de mxima potencia) de los mdulos fotovoltaicos, as como la utilizacin de diodos de bypass.
5.3 Prdidas por polvo y suciedad

Tienen su origen en la disminucin de la potencia de un generador fotovoltaico por la deposicin de polvo y suciedad en la superficie de los mdulos fotovoltaicos. Cabra destacar dos aspectos, por un lado la presencia de una suciedad uniforme da lugar a una disminucin de la corriente y tensin entregada por el generador fotovoltaico y por otro lado la presencia de suciedades localizadas (como puede ser el caso de excrementos de aves) da lugar a un aumento de las prdidas de mismatch y a las prdidas por formacin de puntos calientes.
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5.4 Prdidas angulares y espectrales

La potencia nominal de un mdulo fotovoltaico suele estar referida a unas condiciones estndar de medida, STC, que, adems de 1000 W/m de irradiancia y 25C de temperatura de clula, implican una incidencia normal y un espectro estndar AM1.5G. No obstante en la operacin habitual de un mdulo fotovoltaico ni la incidencia de la radiacin es normal, ni el espectro es estndar durante todo el tiempo de operacin. El que la radiacin solar incida sobre la superficie de un mdulo FV con un ngulo diferente de 0 implica unas prdidas adicionales (mayores prdidas a mayores ngulos de incidencia). Las prdidas angulares se incrementan con el grado de suciedad. Por otro lado los dispositivos fotovoltaicos son espectralmente selectivos. Esto es, la corriente generada es diferente para cada longitud de onda del espectro solar de la radiacin incidente (respuesta espectral). La variacin del espectro solar en cada momento respecto del espectro normalizado puede afectar la respuesta de las clulas fotovoltaicas dando lugar a ganancias o prdidas energticas.
5.5 Prdidas por cadas ohmicas en el cableado

Tanto en la parte DC como en la parte AC (desde la salida de los inversores hasta los contadores de energa) de la instalacin se producen unas prdidas energticas originadas por las cadas de tensin cuando una determinada corriente circula por un conductor de un material y seccin determinados. Estas prdidas se minimizan dimensionando adecuadamente la seccin de los conductores en funcin de la corriente que por ellos circula.
5.6 Prdidas por temperatura

Los mdulos fotovoltaico presentan unas prdidas de potencia del orden de un 4% por cada 10 C de aumento de su temperatura de operacin (este porcentaje vara ligeramente en funcin de cada tecnologa). La temperatura de operacin de los 23
Captulo 5.Factores de prdidas energticas. mdulos fotovoltaico depende de los factores ambientales de irradiancia, temperatura ambiente y velocidad del viento y de la posicin de los mdulos o aireacin por la parte posterior. Esto implica que por ejemplo a igualdad de irradiacin solar incidente un mismo sistema fotovoltaico producir menos energa en un lugar clido que en un clima fro.
5.7 Prdidas por sombreado del generador fotovoltaico

Los sistemas FV de conexin a red se suelen instalar en entornos urbanos en los que en muchas ocasiones es inevitable la presencia de sombras en determinadas horas del da sobre el generador FV que conducen a unas determinadas prdidas energticas causadas en primer lugar por la disminucin de captacin de irradiacin solar y por los posibles efectos de mismatch a las que puedan dar lugar. Tambin pueden producirse sombras importantes de unos campos fotovoltaicos sobre otros.
Adems de las prdidas consideradas anteriormente puede haber otras especficas para cada instalacin, como pueden ser: averas o mal funcionamiento, los efectos de la disminucin del rendimiento de los mdulos FV a bajas irradiancias, etc...
5.8 Prdidas por rendimiento AC/DC del inversor

El inversor fotovoltaico se puede caracterizar por la curva de rendimiento en funcin de la potencia de operacin.
Es importante seleccionar un inversor de alto rendimiento en condiciones nominales de operacin y tambin es importante una seleccin adecuada de la potencia del inversor en funcin de la potencia del generador fotovoltaico (por ejemplo, la utilizacin de un inversor de una potencia excesiva en funcin de la potencia del generador fotovoltaico dar lugar a que el sistema opera una gran parte del tiempo en valores de rendimiento muy bajos, con las consecuentes prdidas de generacin).
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.
CURVA CARACTERSTICA DEL MDULO FOTOVOLTAICO
25
6 CURVA CARACTERSTICA DEL MDULO FOTOVOLTAICO

6.1 Terminologa
La representacin estndar de un dispositivo fotovoltaico es la caracterstica corriente-tensin (figura). La curva representa las posibles combinaciones de corriente y voltaje para un dispositivo fotovoltaico bajo unas condiciones ambientales determinadas (radiacin solar incidente y temperatura ambiente). El punto en concreto de corriente y voltaje en el que el dispositivo fotovoltaico trabajar vendr determinado por la carga a la que est conectado.
Figura 7 Curva caracterstica, con sus principales elementos, de una clula fotovoltaica
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Principales parmetros de la caracterstica I-V

Corriente de cortocircuito (Icc notacin espaola, Isc notacin internacional): es la mxima corriente que producir el dispositivo bajo unas condiciones definidas de iluminacin y temperatura, correspondientes a un voltaje igual a cero.
Voltaje de circuito abierto (Vca
notacin espaola, Voc notacin
internacional): Es el mximo voltaje del dispositivo bajo unas condiciones definidas de iluminacin y temperatura, correspondientes a una corriente igual a cero.
Potencia mxima (Pmax): Es la mxima potencia que producir el dispositivo en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura,
correspondiente al par mximo I-V.
Corriente en el punto de mxima potencia (Ipmp): Es el valor de la corriente para Pmax en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura.
Voltaje en el punto de mxima potencia (Vpmp): Es el valor de voltaje para Pmax en unas condiciones determinadas de iluminacin y temperatura.
Factor de forma (FF): Es el valor correspondiente al cociente entre Pmax y el producto de Isc x Voc. Puede venir expresado en tanto por ciento o tanto por 1, siendo el valor 100% el que corresponder a un hipottico perfil de cuadrado, no real. Nos da una idea de la calidad del dispositivo fotovoltaico, siendo ste tanto mejor cunto ms alto sea su factor de forma.
FF =
P max Voc I sc
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. Generalmente las clulas dentro del mdulo fotovoltaico se asocian en serie, con el fin de obtener unos valores de voltaje ms apropiados para su conexin a distintas cargas o a una batera (el voltaje de una clula estndar suele ser de unos 0.6V). El voltaje total del mdulo depender, por tanto, del nmero de clulas asociadas en serie. Por el contrario, la corriente que podemos obtener del mdulo fotovoltaico va a depender bsicamente del tipo y tamao de clulas (suponiendo que no haya clulas conectadas en paralelo en el interior del mdulo).
6.2 Ecuacin caracterstica

La curva caracterstica corriente tensin de una clula fotovoltaica puede describirse con suficiente precisin por la ecuacin: V + IRs V + IRs ) 1) mvt Rp
I = I l I 0 (exp(
(1)
Donde Il es la corriente fotogenerada, I0 es la corriente inversa de saturacin del diodo, vt es el voltaje trmico (vt=KT/e, siendo K la constante de Boltzman, T la temperatura en grados Kelvin y e la carga del electrn), m es el factor de idealidad del diodo, Rs es la resistencia serie y Rp la resistencia paralelo. Para el caso de un mdulo FV, su caracterstica elctrica depender del nmero de clulas en serie y paralelo que posea. Si suponemos que todas las clulas constituyentes de un mdulo fueran iguales, la corriente generada por el mdulo sera igual a la corriente de la clula multiplicada por el nmero de clulas en paralelo, y el voltaje sera igual al voltaje de la clula multiplicado por el nmero de clulas en serie: I mod = Ic * Np Vmod = Vc * Ns
(2) (3)
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. Donde Np y Ns son respectivamente el nmero de clulas en paralelo y en serie que contiene el mdulo que empleamos como ejemplo en la siguiente figura.
Figura 8 Esquema de conexionado elctrico en un mdulo fotovoltaico
Teniendo esto en cuenta, si combinamos las ecuaciones 1,2 y 3 se obtendra, para la curva caracterstica de un mdulo fotovoltaico formado por clulas iguales y con relacin a los parmetros de la clula:
V I = Np * ( I l I 0 (exp(
Ns
IRs
Np
V ) 1)
Ns
IRs
Np
mvt
Rp
(4)
Esta ecuacin muestra el mismo comportamiento que la caracterstica I-V de una clula, y de hecho en la prctica, cuando hablamos de la ecuacin caracterstica y los parmetros fundamentales de un mdulo fotovoltaico, no se suele hacer referencia a su relacin con la clula solar sino que se escribe la ecuacin 1 con todos los parmetros caractersticos (Il, I0, m, Rs, Rp) del mdulo. La siguiente figura muestra un ejemplo de la curva caracterstica de un mdulo FV partiendo de la misma clula y con diferentes configuraciones serie paralelo. Los parmetros significativos de esta curva son los mismos que se empleaban para el caso de clulas, es decir, Isc es la corriente de cortocircuito, Voc es la tensin de circuito abierto, Vpmp e Ipmp son los valores de voltaje de y corriente correspondientes al punto de mxima potencia Pmax, y FF es el Fill factor o Factor de forma (FF=VpmpIpmp/VocIsc) que nos da una idea de la calidad de la curva.
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Configuracin 36s 18s x 2p 13s x 3p Isc (A) 2,8 5,6 8,5 Voc(V) 21,6 10,8 7,2 Pmax (W) Vpmp (V) Ipmp (A) 46 17,7 2,6 46 8,8 5,1 46 5,9 7,7
Tabla 1 Parmetros caractersticos para las curvas de la Figura 5
Figura 9. Curva caracterstica del mdulo fotovoltaico para diferentes combinaciones serie-paralelo de la clula solar.
6.3 Factores que afectan a la caracterstica I-V del generador

La curva caracterstica corriente tensin del generador fotovoltaico se ve afectada por factores ambientales tales como la intensidad de iluminacin (irradiancia), la temperatura y la distribucin espectral de la luz.
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Efecto de la Intensidad de Iluminacin (Irradiancia)

En general la irradiancia afecta principalmente a la corriente, de forma que se puede considerar que la corriente de cortocircuito del generador fotovoltaico es proporcional a la irradiancia:
I sc ( E 2 ) = I sc ( E1 )
E2 E1
(5)
Donde: Isc (E2) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia E2 Isc (E1) es la corriente de cortocircuito para un nivel de irradiancia E1
Figura 10. Efecto de la irradiancia sobre la caracterstica I-V de un generador fotovoltaico
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Comparativa irradiancia
0,6
Corriente 75W/m2 12C
corriente 140W/m2 10C
0,5
0,4
Intensidad (A)
0,3
0,2
0,1
0
0 50 100 150 200 250 Tensin (V) 300 350 400
Figura 11. Efecto de la irradiancia sobre la caracterstica I-V de un generador fotovoltaico, medido en mdulos fotovoltaicos medidos con el dispositivo porttil de medidas.
Podemos comprobar con la grfica obtenida en el laboratorio del departamento de Tecnologa Electrnica que a mayor irradiancia obtenemos una mayor corriente de cortocircuito (ISC).
La ecuacin EC es vlida para variaciones de irradiancia a temperatura constante, y resulta una aproximacin cuando sta vara, ya que supone despreciar los efectos que la temperatura tiene sobre la corriente de cortocircuito. Sin embargo podemos considerarlo como una expresin adecuada para tener una idea de cules seran los valores de la Isc a diferentes irradiancias ya que el error que se comete es inferior al 0.5%.
Efecto de la temperatura
La temperatura afecta principalmente a los valores de voltaje de la caracterstica I-V, y tiene su mayor influencia en el voltaje de circuito abierto (Voc), aunque tambin modifica los valores del punto de mxima potencia y el valor de ISC (ste muy ligeramente). En la siguiente figura podemos observar la variacin de la curva
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. caracterstica I-V de un mdulo instalado en la terraza de la universidad al variar la temperatura y con pequeas variaciones de irradiancia, ya que ha sido imposible obtener los datos para distintas temperaturas y mismos valores de irradiancia.
Figura 12. Ejemplo terico de la variacin de la caracterstica I-V del generador FV al variar la temperatura manteniendo la irradiancia constante.
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4
Comparativa temperatura
Corriente 10C 895W/m2 corriente 32C 870W/m2 corriente 53C 920W/m2
3,5
Corriente (A)
2,5
1,5
0,5
0 0 10 20 30
Tensin (V)
40
50
60
70
Figura 13. Efecto de la variacin de la caracterstica I-V del generador FV al variar la temperatura, en mdulos fotovoltaicos medidos con el mdulo porttil.
Existen tres coeficientes , y que representan la variacin de los parmetros fundamentales de la caracterstica I-V del generador fotovoltaico con la temperatura. As, expresa la variacin de la corriente de cortocircuito con la temperatura, la variacin del voltaje de circuito abierto y la variacin de la potencia mxima. En general, los fabricantes de mdulos FV incluyen en sus hojas de caractersticas tcnicas los valores de estos tres coeficientes.
En caso de que se desconozcan los valores de los coeficientes, stos se pueden calcular siguiendo los pasos indicados en la normativa UNE 60891, o se pueden tomar unos valores estndar para una clula de silicio de ~100 cm2:
1.5 mA/C -2.3 mV/C

1 = 0.0044 1 C Pmax
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Efecto del contenido espectral de la luz

Dependiendo de la hora de medida y la poca del ao el espectro presenta pequeas desviaciones respecto al espectro considerado estndar en la superficie terrestre. Si se realiza una medida del espectro en el momento de tomar la caracterstica I-V puede realizarse una pequea correccin multiplicando la corriente de cortocircuito por el factor espectral, obteniendo de la comparacin del espectro estndar y el espectro en condiciones experimentales. Esta correccin suele ser muy pequea y se utiliza cuando se requiere elevada precisin por tratarse de calibraciones de clulas o mdulos fotovoltaicos
6.4 Condiciones de referencia

Dado que la curva caracterstica del mdulo fotovoltaico cambia con las condiciones ambientales, es necesario definir una serie de condiciones de operacin para poder contrastar los valores de distintos fabricantes y extrapolar a partir de ellas a otras condiciones deseadas.
Condiciones Standard de Medida (CEM o STC)

Son en las de uso ms generalizado y universal, y vienen definidas por: Irradiancia = 1000W/m2 Distribucin espectral = AM 1.5G Incidencia Normal Temperatura de la clula 25C
Normalmente los parmetros caractersticos de los mdulos o clulas incluidos en las hojas de especificaciones tcnicas de los fabricantes vienen definidos en estas condiciones. Sin embargo la experiencia muestra que pocas veces los mdulos fotovoltaicos alcanzan estas condiciones, ya que un nivel de irradiancia de 1000W/m2 que puede alcanzarse al medioda, los mdulos adquieren temperaturas de ms de 25C, a no ser que sea un da claro de invierno. Es por esto por lo que se definen adems, otras
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. condiciones que pretenden representar el comportamiento del mdulo de manera ms realista.
Extrapolacin a condiciones estndar de medida (CEM)

El mtodo consiste en corregir los valores de Isc y Voc a los niveles de irradiancia y temperatura de la clula deseados, y posteriormente trasladar toda la curva I-V hasta la Isc y Voc corregidas. Los valores de Isc y Voc en las condiciones deseadas se obtienen segn las ecuaciones:
I sc , 2 = I sc ,1
E2 E1
+ (T2 T1 ) E kT Ln( 2 ) + (T2 T1 ) E1 e
(6)
Voc , 2 = Voc ,1m
(7)
donde Isc,1, Voc,1, T1 y E1 son la corriente de cortocircuito, voltaje de circuito abierto, temperatura e irradiancia respectivamente en las condiciones experimentales, Isc,2, Voc,2, T2 y E2 son estos mismos parmetros en las condiciones a las que se desea corregir la curva. m es el factor de idealidad del diodo y son los coeficientes de temperatura k es la constante de Bolztman (1.3810-23J/K) y e la carga del electrn (1.60210-19 C).
Una vez corregidos los valores de Isc y Voc cada punto de la curva I-V se traslada la cantidad necesaria hasta alcanzar los valores corregidos de Isc y Voc, es decir: I 2 = I 1 + I sc V2 = V1 + Voc
I sc = I sc , 2 I sc ,1 Voc = Voc , 2 Voc ,1
Los coeficientes de temperatura y los proporcionan los fabricantes de los mdulos. El valor de m se puede fijar entre 1 y 1.2 que es un valor tpico para clulas de Silicio cristalino.
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. Las condiciones estndar de medida vienen definidas por los siguientes valores de irradiancia y temperatura: E2=1000 W/m2 T2=25C
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Condiciones Nominales de Operacin (CON)

Irradiancia = 800W/m2 Velocidad del viento 1 m/s Temperatura de la clula Temperatura de Operacin Nominal de la Clula (TONC) Temperatura ambiente = 20C
Donde TONC es lo que se define como la temperatura nominal de operacin de la clula, y representa la temperatura que alcanzaran loas clulas solares para un nivel de irradiancia de 800W/m2, temperatura ambiente de 20C, velocidad del viento 1m/s e incidencia normal. El valor de TONC tambin viene incluido en las hojas de caractersticas tcnicas de los mdulos, y para un mdulo de silicio monocristalino suele estar en torno a los 47C. Adems, existen normas internacionales que indican la forma de calcular esta temperatura.
Dado que las condiciones nominales de operacin hacen referencia a la temperatura ambiente, y no a la temperatura del mdulo, se hace necesario una expresin que relacione ambas. Se puede considerar una buena aproximacin:
NOCT 20 E 800
Tc = Ta +
(8)
Donde:Tc es la temperatura de la clula o mdulo Ta es la temperatura ambiente NOCT es la Temperatura de Operacin Nominal de la Clula E es la irradiancia
6.5 Eficiencia del mdulo fotovoltaico

La eficiencia de un dispositivo es la manera comn de definir la calidad del mismo. Para el caso de un generador fotovoltaico, esta sera el cociente entre la energa producida por el dispositivo y la energa incidente. Sin embargo, existen varias maneras de definir la eficiencia del generador fotovoltaico, dependiendo del rea del mismo que
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. se tenga en cuenta. As, en los catlogos de fabricantes y en bibliografas de referencia podemos encontrar:
Eficiencia con respecto al rea total:

Esta definicin implica la relacin entre la mxima potencia generada por el dispositivo y la cantidad de radiacin solar incidente en el dispositivo completo. Por dispositivo completo se entiende el rea total del mdulo, incluyendo clulas, espacio intercelular, contactos y marco del mismo.
reatotal =
Pmax AT ET
(9)
Donde areatotal es la eficiencia con respecto al rea total, Pmax es la potencia mxima que puede generar el dispositivo, At es el rea total del mismo y Et es la radiacin solar incidente total.
Eficiencia con respecto al rea de clula:

Es una versin modificada de la anterior, en la que slo se considera el rea cubierta por las clulas dentro del mdulo ignorando el espacio entre clulas y el marco del mdulo. De esta manera se evita el efecto de marcos muy grandes, que en realidad no afectan a la calidad de la clula FV.
La expresin sera la misma que la de la ecuacin (10), sustituyendo el rea total por el rea de clulas Ac.
Eficiencia con respecto al rea activa de clula:

Esta definicin implica el clculo de la eficiencia basada solamente en el rea del dispositivo que est expuesta a la luz solar incidente. Las reas sombreadas por los contactos o las rejillas de las clulas no estaran incluidas. Esta es la eficiencia que nos
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. ofrece siempre un valor mayor, aunque normalmente slo se utiliza para clulas individuales y en resultados de laboratorio, y no en dispositivos comerciales acabados.
6.6 Parmetros de rendimiento de Instalaciones Fotovoltaicas conectadas a la red

El uso de los parmetros adecuados de rendimiento nos facilita la comparacin de sistemas fotovoltaicos conectados a la red en los que pueden variar sus valores de Voc e Isc con respecto a los ofrecidos por el fabricante. Tres parmetros de rendimiento que definen el sistema global de rendimiento con respecto a la energa producida, energa solar recibida y todos los efectos sobre el sistema como las prdidas globales son: productividad final, referencia de productividad y performance ratio. Estos parmetros son discutidos por su idoneidad para el diseo de sistemas fotovoltaicos y su evaluacin de rendimiento.
Las medidas de rendimiento precisas y coherentes son necesarias para el continuo desarrollo de la industria fotovoltaica. Para los fabricantes de componentes las evaluaciones de rendimiento son referencias de la calidad de los productos existentes. Para los equipos de investigacin y desarrollo las medidas son un instrumento para identificar las necesidades futuras de los equipos.
Debido al crecimiento de la industria, ha surgido una clara necesidad de desarrollar un anlisis estndar de medidas de rendimiento para sistemas fotovoltaicos. Estos parmetros de rendimiento permiten la deteccin de problemas de funcionamiento, facilita la comparacin de sistemas que pueden diferir con los parmetros facilitados por el fabricante, validacin de rendimiento del sistema en la fase de diseo. modelos para estimar el
Los parmetros que describen las cantidades de energa para los sistemas fotovoltaicos y sus componentes son establecidos por la Agencia Internacional de Energa (IEA) y por el Programa de Sistemas Fotovoltaicos de Potencia descrito en el
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. IEC estndar 61724 (Monitorizacin de sistemas fotovoltaicos - Guas para la medida, el intercambio de datos y el anlisis).
Tres de los parmetros de rendimiento del IEC estndar 61724 deben usarse para definir un sistema global con respecto a la produccin de energa, radiacin solar incidente y todos las prdidas registradas en el sistema. Estos parmetros son Final Yield, Yf (kWh/kWp, horas equivalentes de sol, HES), productividad de referencia Referente Yield, Yr y Performance Ratio.
Yf, Productividad final
Es la potencia neta de salida dividida por la potencia nominal (dc) que viene reflejada en la placa de caractersticas del mdulo fotovoltaico solar. Representa el nmero de horas que debera de funcionar a esa potencia para proporcionar dicha potencia de salida. La Productividad Final o Final Yield, YF, definida como la energa til anual producida por el sistema en un cierto perodo de tiempo, EDC, por unidad de potencia instalada, expresada en kWh/kWp.
Yf =
E P0
(kWh/kWp) (horas)
(10)
Yr Productividad de referencia
La productividad de referencia Yr definido como la irradiacin solar anual incidente en el plano del generador fotovoltaico, Ga (, ), expresada en kWh/m, respecto de radiacin nominal G* de 1 kW/m. Representa un nmero equivalente de horas a la irradiancia estndar de medida (1000 W/m).
Yr =
Ga G*
(horas)
(11)
Es una funcin de la localizacin, orientacin del mdulo fotovoltaico, y mes a mes y ao a ao la variabilidad de las condiciones meteorolgicas.
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Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV. PR Performande Ratio
Finalmente el Rendimiento Global del sistema, PR, o Perfomance Ratio, se define como un factor de rendimiento que considera las prdidas energticas asociadas a los rendimientos de conversin DC/AC y de seguimiento del punto de mxima potencia del inversor y al hecho de que el rendimiento de las clulas solares en la realidad es inferior al que indica el valor de su potencia nominal, debido a que la temperatura de operacin suele ser notablemente superior a 25 C; y es el cociente entre la productividad final o Final Yield, y la productividad de referencia o Referente Yield.
PR =
Yf Yr
(adimensional)
(12)
42
Captulo 7.Interconexionado de clulas y mdulos FV.
INTERCONEXIONADO DE CLULAS Y MDULOS FOTOVOLTAICOS
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7 INTERCONEXIONADO DE CLULAS Y MDULOS FOTOVOLTAICOS. EL CAMPO FOTOVOLTAICO

7.1 El campo fotovoltaico
En las instalaciones fotovoltaicas normalmente se requiere el empleo de ms de un mdulo para satisfacer las demandas energticas de las mismas, por este motivo se asocian en serie o en paralelo hasta que se adquieren los valores de intensidad y voltaje deseados. El conjunto de todos los mdulos que constituyen el sistema de generacin recibe el nombre de campo fotovoltaico o array (del ingls, array = tabla, matriz, formacin). Por lo general los mdulos se interconexionan entre si formando unidades que se suelen denominar Grupos. Los grupos se unen para formar el campo de mdulos fotovoltaicos.
Para mayor simplicidad se supone que el mdulo est constituido por clulas idnticas, con lo cual los valores de voltaje aparecen multiplicados por el nmero de clulas en serie, y los de corriente por el nmero de clulas en paralelo. En la prctica, debido a la dispersin de los parmetros de las clulas en el proceso de fabricacin, y a la posibilidad de que no todas ellas trabajen en las mismas condiciones. Un ejemplo claro sera el caso en que, un campo de mdulos fotovoltaicos de gran rea, una parte del mismo estuviese afectado por una nube y otra no, o el caso de un sistema integrado en un edificio en el cual una parte del mismo estuviera sombreado por edificios colindantes y el resto no. Algunos de estos efectos son evitables poniendo especial cuidado en el diseo del sistema, pero otros resultan impredecibles e inevitables, por lo que se ha de recurrir a protecciones en el sistema. Los dos efectos principales que produce esta dispersin de parmetros son:
- Reduccin de la potencia mxima del campo. - Algunas clulas pueden convertirse en cargas, disipando parte de la energa producida por las dems.
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Captulo 7.Interconexionado de clulas y mdulos FV. El primer efecto, el de dispersin de los parmetros se conoce tambin con el nombre de prdidas por desacoplo (en ingls, mismatch losses), ya estudiado en el captulo 5.
Los fabricantes de mdulos suelen clasificar las clulas por categoras de forma que las que componen un mismo mdulo no tengan una dispersin grande en sus valores de Isc, para minimizar estas prdidas. De la misma manera operan con los mdulos, los clasifican de acuerdo con la corriente en el punto de mxima potencia, para luego asociar en serie slo mdulos que estaran dentro de la misma categora, supone una considerable reduccin de las prdidas por desacoplo. En general estos factores estn muy estudiados en base a los datos de produccin de muchos lotes de mdulos fotovoltaicos, existiendo expresiones que relacionan los parmetros principales de los mdulos con distribuciones estadsticas.
El efecto de sombreado parcial es en muchos casos inevitable, y es que puede provocar que una clula sombreada invierta su polaridad convirtindose por lo tanto en una carga que disipar toda la energa producida por el resto de las clulas. Si la potencia disipada tiene un valor elevado la clula elevar su temperatura pudiendo llegar a su destruccin. Este fenmeno se conoce con el nombre de punto caliente, y para evitarlo de recurre a la insercin de protecciones (diodos).
7.1.1 Asociacin de clulas solares no idnticas en serie
La figura 14. muestra un ejemplo de la curva resultante de asociar dos clulas no iguales en serie. El comportamiento de la curva resultante es el siguiente:
1) En el punto correspondiente al voltaje en circuito abierto, la corriente total del generador es igual a cero, y el voltaje resultante Vg es igual a la suma de los dos voltajes en circuito abierto
V =V
g OCA
+V
OCB
(13)
45
Captulo 7.Interconexionado de clulas y mdulos FV. 2) En el punto 1, o en cualquier otro punto situado entre P y el voltaje en circuito abierto, las dos clulas operan como generadores, con una corriente Ig1 y un voltaje total del generador
V =V +V
g A1 A2
(14)
3) El punto P que corresponde al lmite de la corriente de cortocircuito de la clula de menor eficiencia o sombreada. El voltaje resultante en ese punto ser slo el voltaje de la curva A.
4) El punto 2 correspondera a la operacin en el voltaje de circuito abierto del generador, donde Ig = Isc y Vg2 = VA2 + VB2 = 0. Para que esto se cumpla, es decir, que el voltaje sea cero, la clula B se polarizar inversamente hasta que VB2 = - VA2 actuando consiguientemente como un receptor.
Figura 14.Curva resultante (lnea de trazo discontinuo) de dos clulas no iguales Ay B asociadas en serie.
El mismo razonamiento se puede hacer para un mayor nmero de clulas o mdulos conectados en serie con una clula o mdulo con menor eficiencia que el resto o parcialmente sombreado. El voltaje del sistema completo puede llegar a aplicarse 46
Captulo 7.Interconexionado de clulas y mdulos FV. sobre ste si las condiciones de operacin son prximas a las condiciones de corriente de cortocircuito. Esto hara disipar al elemento una potencia elevada, calentndose y produciendo el efecto del punto caliente. En la figura 15 se muestra esquemticamente este caso, donde la clula 2 se situara a un voltaje igual a la suma de todos los voltajes del resto de los elementos pero con signo opuesto. Para evitar este fenmeno de recurre a los diodos de paso en paralelo en una rama de la clulas conectadas en serie.
Figura 15.Ejemplo de la curva resultante (lnea de trazo discontinuo) de un mdulo con Ns clulas asociadas en serie (Ns-1 iguales y una clula de menor eficiencia).
7.1.2 Asociacin de clulas solares no idnticas en paralelo.
Para el caso de una asociacin en paralelo de clulas no iguales la curva resultante es equivalente al caso anterior, solo que en este caso se sumarn las corrientes individuales para obtener una curva global de corriente en paralelo. En la prctica la dispersin de voltajes de circuito abierto de los mdulos es bastante pequea y no es probable que estos trabajen a temperaturas tan desiguales como para producir diferencias significativas en los valores de Voc. La figura 16 muestra un ejemplo de dos clulas en paralelo que trabajan en distintas condiciones, mostrando los puntos ms significativos de operacin:
47
Figura 16. Curva resultante (lnea de trazo discontinuo) de asociar dos clulas no iguales en paralelo.
1) En el punto correspondiente a la corriente en cortocircuito de la curva global el voltaje es cero, el valor de ISCG ser la suma de las corrientes en cortocircuito de las clulas individuales
I
SCG
=I
SCA
+I
SCB
(15)
2) En un punto genrico tal como el 1, entre ISCG y el punto P el voltaje resultante es V1 y la corriente es suma de las corrientes individuales las dos clulas operan como generadores de corriente. IG1 = IA1 + IB1 (16)
3) El punto crtico es el P, que corresponde al voltaje en circuito abierto de la clula de menor eficiencia, VGP = VOCB y la corriente del generador es igual a la corriente en ese punto de la clula A, ya que la clula B no genera ni disipa energa.
4) El punto 2 corresponde al punto de circuito abierto del conjunto, entonces: IG2 = IA2 + IB2 = 0 IA2 = IB2 (17)
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Captulo 7.Interconexionado de clulas y mdulos FV. Y la clula de menor eficiencia trabaja como receptor.
Siguiendo el mismo razonamiento para una asociacin ms grande de clulas en paralelo, con una de ellas de menor eficiencia obtendramos la curva mostrada en la figura 17. En este caso la clula de menor eficiencia absorbera la corriente del resto de las clulas aumentando su temperatura. Para que este fenmeno no tenga lugar se recurre a la insercin de diodos de bloqueo en serie de cada una de las ramas en paralelo.
Figura 17. Curva resultante (lnea de trazo discontinuo) de asociar en paralelo Np-1 clulas iguales y una clula de menor eficiencia.
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Captulo 8.Protecciones en los Generadores Fotovoltaicos.
PROTECCIONES EN LOS GENERADORES FOTOVOLTAICOS
50
8 PROTECCIONES EN LOS GENERADORES FOTOVOLTAICOS. DIODOS

8.1 Diodos de paso
Para evitar los problemas que puede ocasionar una iluminacin no uniforme, la presencia de sombras u otros factores que pueden hacer que una parte del generador fotovoltaico trabaje en distintas condiciones que el resto se recurre al empleo de protecciones. Los diodos de paso se colocan en paralelo en asociaciones de clulas FV en serie, para impedir que todos los elementos de la serie se descarguen sobre una clula que resulte sombreada.
La figura 18. muestra esquemticamente el modo de funcionamiento de un diodo de paso. Aqu se han colocado diodos sobre cuatro ramas de clulas conectadas en serie, el diodo se conecta con polaridad opuesta a la de las clulas, de manera que si stas trabajan correctamente, por el diodo no pasa corriente. Si una de las tiras en serie resulta severamente sombreada de forma que invierte su polaridad, la polaridad del diodo cambiar, con lo que puede conducir ofreciendo un camino fcil para que pase la corriente generada por el resto de los grupos de clulas. Adems, en el caso de que se sombrease una clula slo se descargaran sobre ella el resto de las clulas que estn en la misma rama, con lo que dependiendo del nmero de clulas que se pongan por diodo se puede limitar la cantidad de potencia a disipar por una clula, y por tanto su temperatura.
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Figura 18 Esquema del modo de funcionamiento de un diodo de paso
La mayora de los fabricantes de mdulos incorporan diodos de paso en tomas intermedias en las cajas de conexiones de sus mdulos, siendo las configuraciones ms usuales las mostradas en las siguientes figuras para un mdulo de 36 clulas conectadas en serie. La figura 19. muestra una configuracin tpica para un mdulo con dos cajas de conexiones, una para el terminal positivo y otra para el negativo, y donde se ha instalado un diodo en cada una de las cajas de conexin. En caso de sombreado severo, la corriente circular por un grupo de 12 clulas y luego a travs del diodo, es decir, 2/3 del mdulo son puenteados.
La figura 20. muestra otro diseo posible, donde se introducen dos diodos en la caja de conexiones, uno sobre cada 18 clulas. En caso de que una rama se deteriorase o fuera severamente sombreada, la corriente pasara por el otro grupo de 18 clulas trabajando correctamente. Por el contrario, si solamente fuera una clula la deteriorada o sombreada, sta slo disipara la potencia de las otras 17 clulas que estn en la misma rama, limitndose as la cantidad de potencia disipada y por tanto la elevacin de la temperatura.
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Figura 19 Esquema de diodos de paso en un mdulo FV de 36 clulas
Figura 20 Esquema de diodos de paso en un mdulo FV de 36 clulas.
Por ltimo, los diodos de paso que se conecten en las ramas en serie han de ser capaces de soportar los valores de corriente y voltaje que ocasionalmente pudieran circular por ellos sin elevar su temperatura excesivamente ni deteriorarse. Como norma general se toma que el diodo sea capaz de soportar dos veces la Isc de la rama sobre la que estn colocados, es decir como los valores de Isc de las clulas comerciales suelen estar comprendidos entre 3 y 7 A, habrn de soportar unos 6-14A lo que es un valor relativamente pequeo. Para el caso del voltaje se toma el doble de la Voc del voltaje final del campo fotovoltaico, pero como esto no lo puede conocer el fabricante a priori, se suelen emplear diodos con valores lo suficientemente altos en torno a unos 600V.
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8.2 Diodos de paso en campos de mdulos fotovoltaicos

Cuando se trata de un campo de mdulos fotovoltaicos, hay dos maneras de efectuar la conexin entre los distintos mdulos FV. Se pueden conectar los mdulos primero en paralelo, para luego asociar los grupos en paralelo en serie, o primero conectar los mdulos en serie, para luego conectar los grupos en serie en paralelo. La prctica recomendada es sta ltima, ya que si se conectan primero los grupos en paralelo ser necesario insertar diodos de paso de gran potencia que soporten toda la corriente que podra pasar sobre ellos en caso de sombreamiento.
8.3 Grupos conectados en paralelo

En la figura 21 tenemos un ejemplo de grupos de generadores fotovoltaicos conectados en paralelo. Si alguno de los mdulos del grupo en paralelo es sombreado, entonces ese grupo no ser capaz de producir el voltaje de los otros grupos en serie con l. Los mdulos no sombreados en el grupo intentarn compensar esto produciendo ms corriente, para lo cual operan a menor voltaje, moviendo el punto de operacin en la curva I-V hacia voltajes cada vez ms pequeos. Si el sombreado es severo, es posible que el grupo pase por cero voltios y opere en la regin de voltajes negativos para tratar de alcanzar el nivel de corriente de los otros grupos no sombreados en serie con l. Si esto ocurre, todos los diodos de paso de los mdulos individuales comenzarn a conducir corriente, pero la corriente que conducirn en este caso ya no es la de un nico mdulo, sino que podra ser la del sistema entero. Los diodos individuales de cada mdulo se sobrecargaran y fallaran.
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Figura 21. Diodos de paso en grupos conectados en paralelo. El diodo ha de ser capaz de soportar la corriente de todo el campo.
Para evitar esto la solucin es instalar un diodo de paso externo, lo suficientemente grande como para que pueda soportar la corriente del sistema completo. Si un grupo sombreado necesita compensar la corriente alcanzando voltajes negativos, entonces la corriente de los otros grupos puentear el grupo defectuoso completo a travs del diodo externo. Esto puede implicar cableado y coste extra, por lo que no es la prctica habitual.
8.4 Grupos conectados en serie

En el caso de que los mdulos se conecten primero en serie, los diodos de paso instalados en los mdulos individuales son suficientes y no hacen falta diodos de proteccin extra. En este caso la corriente que puede pasar a travs del diodo es solamente la de un mdulo, ya que la corriente que pasa por cada una de las ramas es nicamente la de un mdulo. Si un mdulo es sombreado, este ser puenteado pasando la corriente a travs del diodo de paso y luego hacia los otros mdulos.
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8.5 Diodos de bloqueo.

Cualquier sistema fotovoltaico aislado debera tener un sistema para controlar los flujos de corriente con el fin de prevenir las corrientes inversas desde la batera hasta el campo de mdulos fotovoltaicos y/o proteger las ramas dbiles o deterioradas. Los diodos de bloqueo se utilizan para realizar esta funcin. Las dos funciones principales de los diodos de bloqueo son: 1. Prevenir que la batera se descargue sobre el mdulo por la noche. 2. Bloquear los flujos de corriente inversos de ramas en paralelo deterioradassombreadas durante el da.
Diodos de bloqueo para prevenir descargas nocturnas de la batera

En los sistemas FV que emplean bateras, sera posible que la batera se descargase durante toda la noche a travs del mdulo si no se empleasen protecciones. Este efecto no sera muy pernicioso para el mdulo pero ocasionara una prdida preciosa de energa del banco de bateras.
Figura 22. Curva de iluminacin y de oscuridad de un generador fotovoltaico indicando los flujos de corriente durante el da y la noche.
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Captulo 8.Protecciones en los Generadores Fotovoltaicos. La figura 22 muestra un ejemplo de la curva de iluminacin y de oscuridad de un generador fotovoltaico, donde se han indicado los flujos de corriente. Durante la noche la batera mantiene su voltaje de operacin, y la corriente que pasa por el mdulo va en sentido opuesto. La cantidad de energa que se pierde depende en primer lugar del voltaje del voltaje de circuito abierto del generador y del punto de operacin de la batera, y adems de la forma de la curva de oscuridad del mdulo. Para evitar esas prdidas de energa se recurre a la insercin de diodos de bloqueo conectados en serie entre el generador fotovoltaico y la batera. Estos diodos permiten el flujo de corriente desde el mdulo hasta la batera durante el da, pero bloquean el paso inverso de corriente de la batera al campo fotovoltaico. No obstante hay que tener en cuenta que el paso de corriente a travs del diodo durante el da produce una cada de tensin que puede variar entre 0.4 a 0.7 V dependiendo del diodo. Esta cada puede representar un 6% en un sistema de 12V, si bien en sistemas de 24V es menos importante, y ha de hacerse un estudio previo para saber que tipo de diodos y en qu cantidad ha de llevar un sistema fotovoltaico.
Diodos de bloqueo para impedir flujos de corriente en ramas paralelo durante el da

Cuando se conectan en paralelo varias ramas de mdulos fotovoltaicos, puede darse el caso que una de ellas resulte severamente sombreada o deteriorada, y que la corriente de otra rama se derive hacia sta. El empleo de diodos de bloqueo conectados en serie en cada una de las ramas en paralelo evita el paso de corriente en sentido inverso, aislando las ramas defectuosas. Normalmente en este tipo de
configuraciones, como la que se muestra en la figura 21, los diodos de bloqueo se sitan todos ellos en una caja de conexin externa, donde llegan los cables positivos procedentes de cada uno de los grupos del campo separadamente, y un cable de mayor grosor en el que se agrupan los terminales negativos.
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Figura 23 Diodos de paso en grupos conectados en serie
Aqu, como en el caso anterior, los diodos tambin suponen una cada de tensin en torno a los 0.6-0.7V, y deben ser capaces de soportar la corriente de cortocircuito y el voltaje de circuito abierto del campo fotovoltaico completo. Como norma general se toma que puedan soportar dos veces la Isc y la Voc del campo fotovoltaico.
8.6 Protecciones adicionales Cableado

La correcta seleccin del tipo y calibre del cableado aumentar el rendimiento y la fiabilidad del sistema fotovoltaico, evitando situaciones de riesgo. El tipo de cable depender de las conexiones que va a realizar, pero en general deben cumplir:
-Estar aislados de la intemperie y ser resistentes a la humedad - Los cables utilizados para interconectar mdulos deben estar especificados como resistentes a la luz solar.
- Los cables que vayan a ser enterrados se colocarn en una zanja de al menos 40 cm de profundidad, y llevarn un revestimiento de combustin lenta, resistente a la humedad, corrosin y formacin fngica.
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Captulo 8.Protecciones en los Generadores Fotovoltaicos. Adems, la seccin del cable ha de ser tal que asegure que la cada de tensin en el generador y entre ste y el resto de los componentes del sistema no supere el 1% de la tensin nominal.
Protecciones contra sobretensiones

Se utilizarn interruptores y fusibles para proteger los equipos y el personal. Los interruptores permiten cortar manualmente el flujo de corriente en caso de una emergencia o para un mantenimiento programado, mientras que el fusible proporciona una proteccin contra sobrecorrientes en caso de un cortocircuito del sistema o de una falta a tierra.
Conexin a tierra
Todas las superficies metlicas y el armazn del conjunto, que pudieran ser tocadas por el personal deben estar conectadas a tierra, y adems es recomendable el uso de dispositivos adicionales de proteccin como varistores, etc.
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Captulo 9.Instalacin de los mdulos fotovoltaicos.
INSTALACIN DE LOS MDULOS
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9 INSTALACIN DE LOS MDULOS

9.1 Orientacin de los paneles
La orientacin ptima sera que los mdulos fotovoltaicos estuvieran en todo momento perpendiculares a la lnea imaginaria que una el sol con la instalacin fotovoltaica. Eso es lo que sucede en las instalaciones con seguidor de dos ejes, en ese caso la instalacin se mueve siguiendo el movimiento del sol a lo largo del da. Pero las instalaciones fijas deben orientarse para tratar de aprovechar al mximo la energa recibida del sol. La instalacin de los mdulos fotovoltaicos est determinada por dos ngulos, el acimut (ngulo que mide la desviacin respecto al ecuador) y la inclinacin o elevacin (ngulo formado por la superficie del mdulo y el plano horizontal).
Acimut ()
La posicin idnea es con = 0, es decir, orientado hacia el ecuador, ya que el sol sale por el Este y se pone por el Oeste, para que durante el da el panel capte la mayor cantidad de radiacin posible.
Un factor importante que ya hemos estudiado en el apartado 5 es el de las sombras, hay que tener cuidado para que no se produzcan sombras sobre los paneles o parte de ellos, para lo cual es preciso estudiar los elementos que rodean al campo de paneles (rboles, edificios, muros, etctera), y las sombras que una fila de paneles puede producir sobre las otras.
Inclinacin ()
Una vez fijado el acimut, el parmetro que es determinante, y que hay que introducir en la tabla de clculos, es la inclinacin del panel, que se expresa como el ngulo beta (). Debido a que la mxima altura que alcanza el sol cada da vara segn las estaciones, teniendo su mximo en el da del solsticio de verano y su mnimo en el solsticio de invierno, lo ideal sera que el panel siguiese esta variacin, pero esto no es
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Captulo 9.Instalacin de los mdulos fotovoltaicos. posible por razones de coste. Se pueden dar a los paneles dos inclinaciones, una para los meses de verano y otra para los meses de invierno, pero en ese caso tambin se complican las estructuras soporte, por lo que slo tiene sentido si hay un incremento considerable del consumo durante el verano.
Figura 24 Orientacin e inclinacin de los mdulos
Segn los objetivos para los que se haya realizado la instalacin, la orientacin e inclinacin vara. Los distintos objetivos pueden ser instalaciones dedicadas a la produccin todo el ao, o slo para una determinada poca.
Como veremos ms adelante para una instalacin en Madrid la orientacin e inclinacin ptima son = 0 y = 30, esto suponiendo que la instalacin est enfocada a la produccin anual.
En cualquier caso, se recomienda que la inclinacin del panel nunca sea menor que 15 debido a que acumulan polvo y/o humedad.
Todos los mdulos fotovoltaicos examinados en este proyecto que son fijos, es decir, que no estn instalados en un seguidor solar, tienen una inclinacin de 30 y se encuentran orientados 0 al sur, para aprovechar al mximo las horas de sol durante todo el ao. Para comprobar que la orientacin e inclinacin es la ptima, hemos empleado un programa informtico llamado PVSYST4, en el que podemos simular cualquier instalacin de mdulos fotovoltaicos, y nos proporciona datos como las posibles prdidas que podramos tener debido a una mala orientacin. En el programa se
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Captulo 9.Instalacin de los mdulos fotovoltaicos. introducen los datos de la ciudad en la que va a estar instalado el sistema fotovoltaico y el programa te proporciona los valores de energa total recibida en el mdulo inclinado
Figura 25. Capturacin de la pantalla del programa en el que se muestra la orientacin e inclinacin de los mdulos fotovoltaicos.
El programa adems de valores de energa recibida en el mdulo fotovoltaico, en la siguiente figura se muestra la banda de trayectorias del sol a lo largo de todo el ao, para una instalacin situada en Madrid y con la orientacin e inclinacin elegidas anteriormente. Como se puede observar en la figura 25, la orientacin y la inclinacin aplicadas a los mdulos fotovoltaicos proporcionan el mximo posible de horas de insolacin posibles, ya que slo estaramos recibiendo radiacin solar por la parte posterior del mdulo unos pocos minutos y a unas horas en las que el nivel de irradiancia son mnimos (salida y puesta del sol).
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Figura 26. Ventana del programa PVSYST4 en el que muestra la lnea del horizonte para la orientacin que tienen los mdulos fotovoltaicos.
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Captulo 10.Normativa.
NORMATIVA
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Captulo 10.Normativa.
10 NORMATIVA
10.1 Normativa de las instalaciones fotovoltaicas REAL DECRETO 1578/2008, de 26 de septiembre
Desde el ao 2000 en el que el Gobierno introdujo el Plan de Fomento de las Energas Renovables en Espaa 2000-2010. El panorama de energas renovables en Espaa ha evolucionado de manera muy rpida en el caso de la energa solar fotovoltaica. Dicho plan estableca un objetivo de 150MW de potencia fotovoltaica instalada. En el ao 2005, se realiz una revisin del Plan de 2000 y fue aprobado el Plan de Energas Renovables 2005-2010, con el que el gobierno tena el propsito de reforzar los objetivos prioritarios de la poltica energtica, aumentar la seguridad y calidad del suministro elctrico y mejorar el respeto al medio ambiente, adems de los compromisos internacionales como el Protocolo de Kyoto y la pertenencia de Espaa a la Unin Europea. Todo esto con el objetivo de alcanzar los objetivos del Plan Nacional de Asignacin de derechos de emisin de gases de efecto invernadero, 2008-2012. En el Plan de 2005 el objetivo de potencia fotovoltaica se ampli a 400MW. El crecimiento de la potencia instalada experimentado por la tecnologa solar fotovoltaica ha sido muy superior al esperado. Segn la informacin publicada por la Comisin Nacional de Energa (CNE) en relacin al cumplimiento de los objetivos de las instalaciones del rgimen especial, determinado de acuerdo con los artculos 21 y 22 del Real Decreto 661/2007, de 25 de mayo, en agosto de 2007 se super el 85 por ciento del objetivo de potencia instalada fotovoltaica para 2010 y en el mes de mayo de 2008, se han alcanzado ya los 1.000 MW de potencia instalada. Esta rpida evolucin ha supuesto numerosas inversiones industriales relacionadas con la tecnologa solar fotovoltaica, hasta tal punto, que actualmente en Espaa se pueden producir todos los elementos de la cadena que interviene en una instalacin solar fotovoltaica.
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Captulo 10.Normativa. Debido a este crecimiento tan rpido y para dar continuidad y expectativas a estas inversiones, como tambin definir una pauta progresiva de implantacin de este tipo de tecnologa, se propone un objetivo anual de potencia que evolucionar al alza de manera coordinada con las mejoras tecnolgicas, en lugar de utilizar la potencia total acumulada para fijar los lmites del mercado de esta tecnologa. Esto debe ir acompaado de un nuevo rgimen econmico que estimule la evolucin tecnolgica y la competitividad de las instalaciones fotovoltaicas en Espaa a medio y largo plazo. Este Real Decreto establece un nuevo rgimen econmico a la baja con respecto al de 2005 para regular la actividad de produccin de energa elctrica en rgimen especial, con el objetivo de que la evolucin tecnolgica y la instalacin de nuevos generadores tengan un desarrollo sostenible y a la par con una perspectiva a largo plazo.
10.2 Normativa de los mdulos fotovoltaicos

UNE-60891
Esta norma indica los procedimientos que deberan seguirse para realizar las correcciones con la temperatura y la irradiancia de las curvas I-V medidas, de dispositivos con clulas de silicio cristalino.
La norma incluye los procedimientos para determinar los coeficientes de temperatura, resistencia serie interna y factor de correccin de la curva. Al no disponer de un laboratorio en el que poder realizar los experimentos necesarios, tomaremos los valores proporcionados por los fabricantes para y , como hemos indicado en el Captulo 6, o en su defecto emplearemos unos valores estndar.
UNE-61215
Todo mdulo fotovoltaico debe pasar unas pruebas antes de ser puesto a la venta, de ello se encarga, en Espaa, el CENER (Centro nacional de energas renovables), que realiza los distintos anlisis establecidos por las normas IEC en los que examinan de
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Captulo 10.Normativa. manera exhaustiva los mdulos para determinar sus caractersticas y verificar su correcto funcionamiento.
Para la realizacin de los ensayos se sigue la norma UNE-EN 61215 en la que se realizan las siguientes pruebas mostradas en la siguiente tabla:
Ensayo
Ttulo 1 Inspeccin visual 2 Funcionamiento en CEM 3 Ensayo de aislamiento
Condiciones de ensayo Iluminacion > 1000 luxes Temperatura de clula 25C, Irradiancia 1000W/m2 1000V corriente contnua + 2 veces la tensin de sircuito abierto
4 Medida de los coeficientes de temperatura Variacin controlada de la temperatura del dispositivo ensayado 5 Medida de la TONC 6 Funcionamiento a la TONC 7 Funcionamiento a baja irradiancia 8 Ensayo de exposicin en el exterior Ensayo de resistencia a la formacin de 9 puntos calientes 10 Ensayo UV 11 Ensayo de ciclos trmicos 12 Ensayo de humedad-congelacin 13 Ensayo continuoo de calor hmedo 14 Ensayo de robustez de los terminales 15 Ensayo de torsin 16 Ensayo de carga mecnica 17 Ensayo de granizo 800W/m2, temperatura ambiente de 20C Irradiancia 800W/m2 Temperatura de clula 25C, Irradiancia 200W/m2 60 kWh/m2 de irradiacin solar total 5 exposiciones de una cora con 1000W/m2 en el pero de los casos de condicin de ensayo de punto caliente En consideracin 50 y 200 ciclos desde -40C hasta 85C 10 ciclos desde 85, 85% HR hasta -40C 1000 horas 85C 85%HR Segn IEC 60068 Angulo de deformacin 1,2 Dos ciclos de carga uniforme de 2400Pa, durante 1 hora. Bola de hielo de 25mm de dimetro a 23 m/s dirigida sobre 11 puntos de impacto
Tabla 2 Tabla de ensayos
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Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas.
DISEO DEL DISPOSITIVO PORTTIL DE MEDIDAS
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11 DISEO DEL DISPOSITIVO PORTTIL DE MEDIDAS

11.1 Introduccin
En este captulo se va a explicar el diseo de un sistema porttil de medida que permite caracterizar mdulos fotovoltaicos. El circuito de potencia del sistema porttil est formado por uno conjunto de condensadores que desempearn la funcin de carga para el mdulo fotovoltaico, paralelamente a los condensadores se encuentra una resistencia de potencia mediante la cual se descargarn los condensadores. Tanto la conexin del circuito a los mdulos fotovoltaicos a medir, como la resistencia de potencia destinada a la descarga de los condensadores se realizarn mediante interruptores. Para la obtencin de los datos de las medidas realizadas, emplearemos un osciloscopio porttil, del cual, posteriormente se extraern los datos y sern tratados en una hoja de Excel diseada para este proyecto.
La caracterstica fundamental del sistema, es que a travs del circuito de carga capacitiva, el mdulo fotovoltaico pasa por todos los estados posibles de carga y lo hace en un tiempo relativamente corto de tal forma que con esto se logra que no haya cambios significativos en las condiciones externas (irradiancia y temperatura) a las que el mdulo fotovoltaico se encuentra sometido.
Como ya hemos mencionado anteriormente, la caracterizacin de mdulos fotovoltaicos es importante tanto para la investigacin, como para el diseo y control de calidad de una instalacin. Por lo tanto un sistema como el diseado para este proyecto, permite disponer de una herramienta tremendamente til e importante por su confiabilidad y simplicidad de funcionamiento.
Para poder realizar la caracterizacin de un mdulo fotovoltaico, se deben medir tensin corriente para diferentes estados de carga del mdulo, arrancando desde el estado de mnima tensin y mxima corriente (Isc), pasando por diversos estados de carga hasta alcanzar el estado de mxima tensin y mnima corriente (Voc) del mdulo fotovoltaico. Normalmente el ensayo, segn normas, se debe realizar bajo condiciones normalizadas, es decir con una radiacin de 1000 W/m2 y una temperatura de clula de 70
Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. 25C, como ya hemos comentado con anterioridad esto es prcticamente imposible, ya que al aire libre donde realizamos las medidas, para encontrar esas condiciones de irradiancia y temperatura del mdulo fotovoltaico tendra que ser un da tremendamente claro y soleado y probablemente de invierno para que la temperatura del mdulo no superara los 25C. Como hemos visto en el apartado 6.4, emplearemos las ecuaciones mostradas para corregir las diferencias entre las condiciones de medida reales y las estndar.
La ventaja de este sistema frente a otros capaces de caracterizar mdulos fotovoltaicos, como pueden ser un PVE o empleando una carga electrnica, es la simplicidad con la que se realizan las medidas, la precisin obtenida en las mismas y una muy importante a la hora de realizar medidas en huertas solares o instalaciones que se encuentren aisladas o lejos de poder conectarse a la red normal, es el funcionamiento sin alimentacin necesaria.
Los interruptores son de accionamiento manual, y los dems equipos que se necesitan tienen su propia alimentacin.
11.2 Carga capacitiva

Para poder medir la curva I-V de un mdulo fotovoltaico es necesario conectarle en paralelo algn tipo de carga, para poder medir los valores de corriente y tensin. Decidimos conectar una carga capacitiva ya que el comportamiento de un mdulo fotovoltaico es similar al de una fuente de corriente contnua, y como podemos comprobar en la figura siguiente, en el proceso de carga de un condensador, a travs de un mdulo fotovoltaico, ste pasa por todos sus posibles estados de carga. Comenzando por la corriente de cortocircuito, pasando por el punto de mxima potencia, hasta llegar al circuito abierto en el que la corriente es cero.
Se debe determinar el valor de la capacidad para disminuir el tiempo de medida de forma que las condiciones meteorolgicas que rodean el mdulo fotovoltaico no cambien sus valores (temperatura e irradiancia).
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Corriente de carga
2,5
Tensin del condensador Tensin del condensador
Corriente de carga
40 35
30 T e n s i n (V )
1 26 51 76 101 126 151 176 201 226 251 276 301 326 351 376 401 426 451 476 -0,5 Tiempo 1,5 C o rrie n t e ( A )
25 20 15 10 5
0,5
0 -5 0 0,1 0,2 0,3 Tiempo 0,4 0,5 0,6
Figura 27 Curvas de corriente y de tensin para el proceso de carga de un condensador
La ecuacin caracterstica de un condensador es:
I c (t ) = C
dV dT
(18)
Considerando que la corriente es constante desarrollamos la siguiente ecuacin:
dT = C dV
(19)
Lo que da lugar a:
I c T = C V
(20)
Despejando se obtiene:
V =
I c xT C
(21)
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Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. En donde: V: tensin del mdulo fotovoltaico a circuito abierto T: tiempo de carga del condensador C: capacidad Ic: Corriente de carga De la ecuacin (19) se obtiene que la capacidad ser:
C=
I c xT V
(22)
Para el clculo del valor de C suponemos un tiempo de carga que entre dentro del rango de tiempos que tiene el osciloscopio que vamos a utilizar para tomar los datos de las medidas, dicho rango va de 100s/div a 2s/div.
11.3 Descripcin general

En un principio nuestro objetivo era disear un dispositivo porttil para caracterizar mdulos fotovoltaicos en instalaciones del orden de los 100kWp, el problema que se encontr, no era de diseo, sino econmico. Lo que limita nuestro alcance en tensin y corriente son los interruptores que empleamos para conectar tanto los mdulos fotovoltaicos como la resistencia de descarga. Y el precio de dichos interruptores aumenta con el nivel de tensin y corriente. Una instalacin de 100kWp tiene unos valores aproximados de tensin del orden de 900V y una corriente de 250A. Comenzamos la bsqueda de posibles interruptores en el mercado que cumplieran con los requisitos, y tanto interruptores-fusible, de accionamiento manual, como IBGT controlados por drivers tenan un precio elevado. Para los IGBT, slo el mdulo IBGT, su precio era superior a los 150, lo que ya encareca nuestro dispositivo. Por lo tanto, decidimos tratar de conseguir el mayor alcance posible con los medios disponibles en el laboratorio. Y con dichos medios hemos desarrollado dos estaciones, una para medir mdulos fotovoltaicos de hasta 65V de tensin de circuito abierto y la segunda, porttil, de hasta 400V y 20A.
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Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. Estos dispositivos nos permiten caracterizar los generadores fotovoltaicos, verificando la concordancia entre el comportamiento real de los equipos y lo establecido por el fabricante.
Para realizar el anlisis de los generadores fotovoltaicos, que consiste en la medida de su curva I-V (relacin entre la corriente y la tensin) con una carga capacitiva y un osciloscopio de alta precisin. Este dispositivo permite medir generadores con configuraciones que generen hasta 20A de corriente de cortocircuito, lo que nos limita dicha corriente son los interruptores empleados en la conexin del mdulo porttil con el mdulo fotovoltaico.
Para realizar la medida de corriente, en un principio se iba a emplear una sonda de corriente, la cual descartamos rpidamente debido al error que se produce al medir. La solucin al problema de la medida de la corriente, fue optar por emplear una pequea resistencia shunt y con otra sonda del osciloscopio medir la cada de tensin en dicha resistencia y luego con ayuda de la ley de Ohm, obtener el valor de corriente.
En los esquemas elctricos de cada dispositivo de medidas fabricados en el laboratorio, la disposicin en la que se encuentran las sondas y la referencia del osciloscopio es la ptima para minimizar el error cometido en las medidas. Para que la evitar que la medida de la corriente afectara de manera significativa en el proceso de carga de los condensadores, empleamos una resistencia de el valor mnimo posible y sobre esa resistencia medimos la cada de tensin, la resistencia es de valor 0.022.
Un dato importante a tener en cuenta a la hora de medir es la resistencia interna de los condensadores, al comprobar en la hoja de caractersticas (AnexoI), el valor mximo del valor de ESR es de 75m, la cual consideramos despreciable, ya que ese valor de inmpedancia no se puede considerar como una carga a un mdulo fotovoltaico.
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Figura 28 Fotografa de la resistencia de 0.022
Una vez finalizado el ensayo, para descargar los condensadores y evitar posibles cortos o chispazos peligrosos, se procede a la descarga de los mismos a travs de una resistencia de potencia. Cuando el proceso de descarga termina se puede proceder a la toma de la siguiente medida.
Para todos los ensayos hemos empleado un osciloscopio del laboratorio de electrnica de la marca Tektronix modelo THS4200, con disquetera para poder extraer los datos de las medidas en forma de archivo de Excel *.csv.
Para las medidas a realizar fuera de la Universidad se emplear un osciloscopio porttil de la marca Tektronix modelo THS-720A. Este osciloscopio almacena las medidas en archivos *.csv, y posteriormente se conecta a un ordenador para extraer los datos travs de un cable RS-232 y as poder sacar las curvas I-V.
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11.4 Dispositivo de medidas de 65V dc

Partiendo de la teora que ya hemos visto, nos adentramos en el diseo de un dispositivo con el que poder alcanzar a los objetivos marcados, medir la curva I-V de un mdulo fotovoltaico. Para ello recurrimos a los medios de que disponemos en el laboratorio.
11.4.1

Elementos empleados:
Interruptores automticos estndar 2 Condensadores electrolticos de 4700F Resistencia de 22 Resistencia (shunt) de 0.022 Sondas del osciloscopio Cable de 6mm2 de seccin.
La carga empleada para estas medidas consta de 2 condensadores de 4700F y 65V (Figura 22.) conectados en paralelo para alcanzar los 9000 F que previamente hemos calculado empleando las ecuaciones 19 y 20.
Figura 29 Imagen del modelo de condensador empleado en el mdulo de 65V
Una vez conocidos los elementos a emplear nos disponemos a montar el circuito, y a medir mdulos fotovoltaicos.
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Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. Como podemos comprobar en la figura 22. el circuito empleado es muy simple, con los interruptores conectamos los condensadores al mdulo fotovoltaico por un lado, y a la resistencia de descarga por el otro. Y colocando las sondas del osciloscopio en las posiciones indicadas obtenemos las medidas de corriente y tensin para trazar la curva I-V.
11.4.2
Circuito elctrico
Figura 30 Circuito elctrico del dispositivo de medidas de 65V
Con este dispositivo analizamos todos los mdulos fotovoltaicos instalados en la terraza de la universidad disponemos de varios tipos de mdulos fotovoltaicos planos y de concentracin cuyas tensiones de circuito abierto no superan los 65V. Para estas primeras medidas comenzaremos por el mdulo fotovoltaico ms pequeo, en trminos de potencia, instalado en la universidad. Dicho mdulo fotovoltaico, de la marca Siemems, de el cual se muestran a continuacin sus caractersticas, tiene una tensin en circuito abierto de 21,5V. Lo que haremos ser conectar los 2 mdulos idnticos en serie para llegar a los 40 V de tensin de circuito abierto.
Al ser las medidas en un espacio de tiempo muy corto, quisimos estar seguros de que no afectaba a la medida la velocidad de accionar el interruptor. Para ello comparamos las curvas obtenidas con los interruptores normales, y con un MOSFET como interruptor .
77
Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. Siendo un MOSFET un tipo de transistor que controlbamos su estado de conduccin y corte empleando un generador de funciones. Para que el MOSFET se mantuviera en el estado de conduccin el tiempo suficiente y que se cargaran los condensadores, configuramos el generador de funciones con una seal cuadrada de frecuencia de conmutacin de muy baja, lo que permita el proceso de carga.
Despus de estas comprobaciones y al no encontrar diferencias (figura 32 y figura 33, salvo las introducidas por las diferentes condiciones de temperatura del mdulo e irradiancia en el momento de la medida) optamos por emplear los interruptores normales y as hacer el circuito ms simple posible. Las medidas mostradas en las Figuras 32 y 33 son medidas en condiciones reales. En captulo 12 se proceder a caracterizar los mdulos fotovoltaicos extrapolando las medidas a condiciones estndar de medida.
60
Potencia
Corriente
50
2,5
30
1,5
20
10
0,5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tensin (V)
Figura 31 Curva medida empleando interruptor normal
78
Corriente (A)
Potencia (W)
40

60
Potencia
Corriente
50
2,5
30
1,5
20
10
0,5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40
Tensin (V)
Figura 32 Curva medida empleando MOSFET
El ltimo paso antes de instalar el dispositivo en una caja acondicionada para ello, sustituimos los interruptores automticos por unos interruptores pequeos que tienen un poder de corte de 250V y 16A. En la siguiente figura se muestra la caja ya terminada con todo preparado para realizar medidas.
El interruptor verde es el que conecta el o los mdulos fotovoltaicos a los condensadores, y el rojo es que conecta los condensadores a la resistencia de potencia.
De las cinco bornas que hay instaladas en la caja, dos, son para conectar el positivo y el negativo del mdulo a medir, y las otras tres, son para conectar las sondas y la referencia del osciloscopio. Todas las conexiones se encuentran debidamente indicadas, como se puede comprobar en la siguiente figura.
79
Corriente (A)
Potencia (W)
40
Figura 33 Dispositivo de medidas de 65V
80
11.5 Dispositivo porttil de medidas de 400V dc.

Una vez comprobado el buen funcionamiento del dispositivo de medidas de 65V, nos disponemos a dimensionar el mdulo para poder medir todos los mdulos fotovoltaicos instalados en la universidad. La potencia mxima que hay instalada en la azotea la proporcionan 6 mdulos fotovoltaicos iguales de la marca Sanyo, que al conectarlos en serie alcanzan una tensin de 400V dc, proporcionando una corriente de 3.5A aproximadamente, segn condiciones de temperatura e irradiancia.
Figura 34 Fotografa del dispositivo porttil de medida de 400V
81
11.5.1
Carga capacitiva
Para el clculo del valor de C se supuso el caso de mxima potencia que tendramos en la universidad, 400V y 3,5A. Suponiendo el tiempo de carga de los condensadores en 0.5s, se determin que la capacidad debe ser de aproximadamente 4700F. En el mercado encontramos dos condensadores de 2200 F que soportan una tensin de hasta 450V dc, conectndolos en paralelo alcanzamos la capacidad requerida.
11.5.2

Elementos empleados:
Interruptores automticos de 400V y 20A 2 Condensadores electrolticos de 2200F y 450V Resistencia de potencia de valor 22 Resistencia (shunt) de 0.022 Sensor de temperatura LM 335 Voltmetro alcance 500V Sondas del osciloscopio Clula de irradiancia Conductores de 6mm2 de seccin.
Figura 35 Imagen de la resistencia de potencia empleada y de uno de los condensadores
82
11.5.3
Temperatura del mdulo fotovoltaico:
Como hemos visto en los apartados anteriores conocer la temperatura del mdulo fotovoltaico es fundamental. Para ello utilizamos un sensor de temperatura LM 335.
Para calibrar dicho sensor, acoplamos el Lm335 a una placa pequea metlica, bast con mantener la placa en la mano y con un termmetro de precisin, controlar que llegamos a los 25C. Ajustamos el potencimetro para el nivel de tensin requerido a esa temperatura. Posteriormente comprobamos con un polmetro de alta precisin que incorpora una sonda de temperatura que la calibracin del LM335 haba sido correcta.
Una vez calibrado el sensor lo instalamos en la parte posterior de uno de los mdulos fotovoltaicos como se puede comprobar en las siguientes figuras donde se muestra el circuito de calibracin para el LM 335 y su colocacin en la parte posterior de un mdulo fotovoltaico.
Para facilitar la medida de temperatura, en el interior de la caja del dispositivo porttil de medidas instalaremos el circuito que requiere el LM 335, y a travs de bornas conectaremos el sensor al circuito. Para alimentar al LM 335 instalaremos una pila de 9V, que alimentar el sensor cuando ste se conecte a las bornas.
Figura 36 Esquema del circuito de calibracin del LM 335
83
Figura 37. Termmetro de precisin, en la parte derecha ubicacin del sensor LM335 en la parte posterior de un mdulo fotovoltaico fotovoltaico.
11.5.4
Medida de Irradiancia
Figura 38. Fotografas de la clula que mide la irradiancia y del tipo de interruptor automtico empleado en el mdulo medidor de 400V.
Para medir la irradiancia acoplamos al mdulo fotovoltaico, con la misma inclinacin y orientacin una clula solar, de la que salen dos terminales que nos
84
Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. proporcionan un valor de tensin, el cual, mediante la transformacin mostrada a continuacin nos proporciona el valor de irradiancia en W/m2. 65mV1000W/m2.
11.5.5
Circuito elctrico
Figura 39 Circuito elctrico del mdulo porttil de 400V
Figura 40 Fotografa del interior del dispositivo porttil de medidas
85
Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. El mdulo porttil cuenta con un voltmetro, que nos indica la tensin en los condensadores, para asegurarnos de que una vez terminadas nuestras medidas, los condensadores quedan descargados y evitamos posibles cortocircuitos.
Las conexiones a realizar para proceder a las medidas son muy simples, ya que todas las conexiones estn indicadas con rtulos en el dispositivo porttil.
Para simplificar el procedimiento de medidas todos los equipos externos como son el LM335 o la clula de irradiancia, se conectan al dispositivo porttil y a travs de unas bornas se realizan las medidas con el polmetro.
11.5.6
Presupuesto
A continuacin detallamos los elementos adquiridos y sus precios, el resto de equipos y elementos empleados para el desarrollo de este proyecto estn disponibles en el laboratorio del departamento de Electrnica.
Equipo Condensadores electrolticos 2200F, 450V Interruptores automticos 400V/20A Voltmetro analgico Caja TOTAL
Unidades
Precio ()
Total ()
88,47
176,94
2 1 1
20 30 50
40 30 50 296,94
86
Figura 41. Imagen de la parte posterior del dispositivo de medidas, con las conexiones de la clula de irradiancia y el LM335.
Figura 42 Imagen de la parte superior del dispositivo porttil de medidas
87
11.6 Protocolo de medidas

Para realizar las medidas, hemos seguido siempre el mismo procedimiento, que se detalla a continuacin, para facilitar los procesos de medida y evitar posibles errores o conexiones indebidas de los equipos.
Los equipos necesarios para realizar las medias son:
Dispositivo porttil de medidas Osciloscopio porttil Polmetro LM335 Clula de irradiancia
NOTA: Antes de realizar cualquier conexin, asegurarse de que los interruptores estn abiertos (Posicin OFF).
1. Conexin de la clula solar para medir irradiancia.
2. Conexin de LM335 en parte posterior del mdulo fotovoltaico.
3. Comprobacin con polmetro de la polaridad de los mdulos fotovoltaicos.
4. Conexin de mdulos fotovoltaicos en el mdulo.
5. Comprobacin con polmetro de los voltajes de condensadores y de los mdulos fotovoltaicos a medir
6. . Conexin de sondas del osciloscopio en las bornas indicadas.
7. Encendido del osciloscopio porttil.
88
Captulo 11.Diseo del dispositivo porttil de medidas. 8. Cierre del interruptor 1
9. Capturar el proceso de carga con el osciloscopio.
10. Apertura del interruptor 1, y cierre del interruptor 2.
11. Anotacin de las medidas de voltaje del LM335 y de la clula de irradiancia.
12. Comprobar lectura del voltmetro de los condensadores. Una vez descargados se procede a la siguiente medida.
Figura 43 Fotografa tomada en el laboratorio, realizando ensayos con osciloscopio porttil
89
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos.
CARACTERIZACIN DE MDULOS FOTOVOLTAICOS
90
12 CARACTERIZACIN DE MDULOS FOTOVOLTAICOS

De todos los mdulos analizados con el dispositivo de medidas seleccionamos los mostrados en este captulo por sus peculiaridades, empezando por los mdulos Siemens que presentan la mayor desviacin con respecto a la potencia que deberan entregar, pasando por los mdulos de concentracin de Solfocus y Concentrixsolar, el mdulo de Sunlink que presenta problemas de puntos calientes, y finalizando con los mdulos Sanyo, los cuales cumplen a la perfeccin con lo reflejado en sus hojas de caractersticas.
Para la caracterizacin de mdulos emplearemos las ecuaciones 6 y 7 mostradas en el apartado 6.4 en el que se muestran dichas ecuaciones que nos permiten extrapolar las curvas I-V tomadas con el dispositivo porttil de medidas, a condiciones estndar de medida para poder comparar los resultados obtenidos con los facilitados por los fabricantes de los mdulos examinados en la Universidad.
Para extrapolar las curvas a CEM, emplearemos los valores de y que nos proporcione la hoja de caractersticas de cada fabricante, en su defecto emplearemos los valores estndar citados en el apartado 6.3. los cuales mostramos a continuacin.
1.5 mA/C -2.3 mV/C
Todas las curvas I-V mostradas en los anlisis de cada mdulo se muestran en CEM. En la siguiente figura se muestra la comparacin de curvas en condiciones reales y en CEM. Como ya hemos comentado anteriormente es casi imposible realizar las medidas en las condiciones estndar, en dicha comparacin comprobamos que los valores de las medidas en condiciones reales no nos proporcionan la informacin necesaria para poder determinar si el funcionamiento de los mdulos es correcto, ya que los valores son muy inferiores a los extrapolados a CEM.
91
Figura 44 Comparacin de curvas en condiciones reales de medida y en CEM
Gracias al programa PVSYST, que cuenta con una amplia base de datos de mdulos fotovoltaicos disponibles en el mercado, analizaremos de manera ms exhaustiva los mdulos disponibles en la universidad y en la base de datos del programa. Permitindonos realizar un anlisis completo y extraer unas conclusiones coherentes, para ello, es necesario que establezcamos unos valores de prdidas introduciendo los datos de temperatura, irraidancia, cableado empleado y potencia medida con nuestro mdulo porttil de medida. Una vez introducidos los datos podremos realizar un anlisis completo del funcionamiento de los mdulos fotovoltaicos sometidos a examen.
12.1 PVSYST
Este programa nos permite simular cualquier tipo de instalacin fotovoltaica, ya que cuenta con una extensa base de datos de mdulos fotovoltaicos en el mercado, pudiendo introducir valores de prdidas en el sistema, para que la simulacin sea lo ms prxima a la realidad. Por lo que podremos comparar lo proporcionado por el fabricante, con lo que nos facilite el programa y con las medidas realizadas en el laboratorio con el mdulo porttil de medida.
Para averiguar las prdidas que presentan nuestros mdulos, como se muestra en las siguientes figuras, introduciremos en el programa los datos del cableado,
92
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. temperaturas (ambiente y del mdulo fotovoltaico), porcentaje de desviacin con respecto a la potencia nominal, posibles sombras y efecto del ngulo de incidencia.
12.1.1
Prdidas
Como podemos ver en la Figura 44 y siguientes, tenemos 5 pestaas en las que pinchar, para ir introduciendo los valores de prdidas en nuestra instalacin.
Para las dos ltimas pestaas, que son las correspondientes a las prdidas por polvo o suciedad (Soiling) y por efecto del ngulo de incidencia (IAM) se tomarn los valores que el programa facilita por defecto, ya que no es imposible estimar dichos valores.
Una vez introducidos todos los valores de prdidas, el programa nos proporciona la curva I-V resultante en dichas condiciones, y que compararemos con la obtenida por nosotros en condiciones reales, que debera de ser prcticamente idntica y as analizar las prdidas que tiene nuestro sistema.
12.1.1.1
Prdidas por temperatura
El comportamiento trmico es caracterizado por el factor de prdidas trmicas, k, tiene una gran influencia en el rendimiento elctrico del mismo. Es definido por un equilibrio trmico entre la temperatura ambiente y el calentamiento del mdulo debido a la radiacin solar incidente, que definimos a continuacin: k (Tcell Tamb) = Ginc (1 - reatotal )
(30)
Donde es el coeficiente de absorcin de irradiacin solar y reatotal es el coeficiente de rendimiento del mdulo respecto de su rea y Ginc es la radiacin incidente en el mdulo fotovoltaico. Los valores estndar para ambos coeficientes son: = 0.9 y reatotal = 10%.
93
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. k, que a su vez puede ser dividido en una componente constante kc y un factor proporcional a la velocidad del viento kv.
k = kc + kv v
(k [W/mk],
v = velocidad del viento [m/s]).
Estos factores dependen de la ubicacin de la instalacin, si es interior o exterior, si es en un tejado inclinado o llano, etc. Ya que no es el objeto de este proyecto, se tomarn los valores estndar proporcionados por el programa, que son:
kc = 20 W/mk,
kv = 6 W/mk / m/s
Estos valores que se han extrado de muchas medidas realizadas en instalaciones, con mdulos montados al aire libre, con libre circulacin de aire alrededor.
Para el Standard NOCT factor emplearemos los valores de temperatura nominal de operacin facilitados por los fabricantes de los mdulos.
ste valor de temperatura nominal de operacin es calculado con unas determinadas condiciones:
Gincid = 800 W/m, Tamb=20C, Velocidad del viento = 1 m/s,
Figura 45 Imagen de la pantalla de introduccin de prdidas trmicas
94
12.1.1.2
Prdidas en el cableado
El programa te da la opcin de calcular la seccin necesaria para tu instalacin, o que introduzcas los valores de longitud y seccin del cableado empleado. Nosotros introduciremos los valores del cableado existente en nuestra instalacin y seguiremos la norma HE-5 del Cdigo Tcnico de la Edificacin que especifica que la cada mxima de tensin permitida entre los mdulos fotovoltaicos y el inversor, en nuestro caso, el laboratorio donde realizamos el anlisis, no debe ser superior al 1%.
En el apartado siguiente en el que caracterizaremos los mdulos instalados en la Universidad, en dicho anlisis tendremos en cuenta estos factores y as de paso comprobaremos que la instalacin cumple con la normativa vigente.
Figura 46 Pantalla de introduccin de prdidas en el cableado
95
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. 12.1.1.3 Prdidas por calidad del mdulo y mismatch. Como podemos comprobar en las Figuras 46 y 47, podemos introducir unos valores de prdidas para la prdida de eficiencia (Diferencia entre la potencia entregada con la proporcionada por el fabricante) y las prdidas por mismatch.
Para el factor de prdida de efectividad tomaremos la relacin entre la potencia entregada segn el fabricante y la medida por nosotros en CEM.
Para el factor de prdidas por mismatch (Figura 47), introducimos las condiciones de temperatura e irradiancia en las que realizamos nuestra medida, y el nmero de mdulos conectados en serie.
Figura 47 Pantalla de introduccin de prdidas por mismatch y calidad del mdulo FV
96
Figura 48 Pantalla de introduccin de los valores de condiciones externas
Figura 49 Curva I-V calculada para las condiciones reales de medida
El programa nos permite simular el funcionamiento de los mdulos fotovoltaicos en las mismas condiciones en las que hemos realizado las pruebas, y tambin en condiciones estndar de medida.
97
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. Puesto que ninguno de nuestros sistemas est conectado a un inversor, nos es imposible calcular el valor de rendimiento global PR. Utilizando el PVSYST4 podemos simular que nuestra instalacin se conecta a la red mediante un inversor, pudiendo as realizar el estudio completo de una instalacin solar fotovoltaica, introduciendo todos los valores de prdidas posibles en la instalacin. Para ello simularemos las conexiones a la Red, de aquellos mdulos instalados en la universidad que cumplan con los requisitos de niveles de tensin y corriente que exigen los tres modelos de inversores disponibles en el laboratorio.
98
12.2 Siemens SM-55
Figura 50 Fotografa de los mdulos solares Siemens SM-55
A continuacin analizaremos los mdulos fotovoltaicos de la marca Siemens, modelo SM-55, instalados en la Universidad (Figura 51).
Dicho mdulo de la marca Siemens es un mdulo fotovoltaico plano formado por 36 clulas de silicio monocristalino, que se encuentra instalado en la terraza de la Universidad y que su orientacin es de 0 Acimut y una inclinacin de 30 sobre el plano horizontal.
Representaremos las curvas I-V obtenidas en el laboratorio con el dispositivo porttil de medidas, dichas curvas sern extrapoladas a condiciones estndar de medida, posteriormente se compararn con los proporcionados por el fabricante que representaremos con ayuda del programa PVSYST4.
99
12.2.1
SM-55 Tensin nominal Potencia mxima (1)
Caractersticas segn fabricante

Tensin mxima (salida abierta) 21,7 Temperatura Tensin nominal de mxima del trabajo 45C sistema Variacin de intensidad con Distorsin la temperatura +1.2mA/ C mxima (3) Resistencia Variacin de al granizo (25 mm de tensin con la -0.077 dimetro) temperatura Volts/ C Rango de variacin de temperatura
12V
1000V (ISPRA) 600V (UL1703)
55W
Potencia mnima (2) 50W Corriente en el punto de mxima potencia 3,15A Tensin en el punto de mxima potencia 17,4V Corriente mxima (salida en cortocircuito) 3,45A
1.2 grados
23m/s
-40 a 85C
Clulas en serie
36
Humedad relativa
85%
1293 x 329 x Dimensiones 34 mm Peso 5,5 kg
Tabla 3 Valores caractersticos de un mdulo Siemens SM-55
Figura 51 Curva I-V proporcionada por el fabricante Siemens, para el mdulo SM-55
100
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. Como podemos comprobar comparando los valores de la Tabla 3 y la Figura 52, al conectar los mdulos en serie deberamos de obtener el doble de potencia y el doble de tensin de cortocircuito, pero como ya hemos estudiado en el Captulo 5 tenemos prdidas, debido a los distintos factores que afectan al rendimiento de nuestros mdulos fotovoltaicos.
Introduciendo los valores que hemos visto en el apartado anterior en el programa PVSYST4 calcularemos las posibles prdidas existentes en nuestro sistema.
12.2.2
Anlisis
Condiciones estndar de medida CEM
Figura 52 Curva I-V para los mdulos Siemens medida en el laboratorio y extrapolada a CEM
En la Figura 53 se representa la curva caracterstica de los dos mdulos Siemens SM-55 conectados en serie. La curva ha sido extrapolada a condiciones estndar de medida para su anlisis. Observamos que la curva de corriente (Verde), no permance constante sino que presenta una disminucin que es debida a las prdidas por mismatch, uno de los mdulos conectados limita la corriente hacindola disminuir. En la siguiente figura se representa con PVSYST la curva en ausencia de prdidas para estos mdulos.
101
Figura 53 Curva I-V para dos mdulos Siemens SM-55 en conectados en serie en CEM
Comprobamos que en efecto, nuestra instalacin tiene prdidas, ya que su potencia mxima es inferior a los 110W que nos indica el fabricante. Otro dato importantsimo es que el valor de tensin de circuito abierto es inferior, y como ya hemos visto en el apartado 6.3., la influencia de la temperatura hace, que la curva se desplace hacia la izquierda obteniendo unos valores inferiores de tensin de circuito abierto (Voc).
A continuacin introducimos en PVSYST los valores reales de las condiciones en las que hemos realizado la medida, para poder estimar unos valores de prdidas en el sistema analizado. Para ello como hemos visto en el apartado anterior se introducen los datos del cableado existente en la instalacin, temperatura de la clula, diferencia de potencia mxima con respecto a la proporcionada por el fabricante, etc.
Una vez que se introducen los datos, el programa nos proporciona la curva resultante de sumar todas las prdidas que hay en el sistema (Figura 55).
El programa nos proporcionada las curvas asociadas a cada prdida, y la resultante de la suma de todas (Curva de color negro). La curva sin prdidas sera la de color rojo.
102
Figura 54 Curvas de prdidas facilitadas por PVSYST
Por lo tanto, gracias al programa, podemos estimar que tenemos unas prdidas globales del 13,9%.
Al comparar la curva I-V facilitada por el programa y la medida con el mdulo porttil de medida y posteriormente extrapolada a CEM, comprobamos la gran semejanza entre ambas en cuanto a los valores caractersticos (Isc, Voc y Pmp). Por lo que podramos tomar sta estimacin de prdidas como correcta, ya que el valor de la potencia mxima entregada por el mdulo difiere en 1W con el medido con el dispositivo porttil de medidas.
103
12.2.3
Resumen
Parmetros del sistema
Inclinacin 30 Instalacin de los mdulos Acimut Caractersticas del mdulo fotovoltaico Clulas Modelo SM-55 Fabricante Siemens Parmetros de fbrica Nmero de mdulos en serie 2 Potencia nominal de cada mdulo 55Wp Potencia total instalada 110Wp Tensin en el punto de mxima potencia 34,8V Corriente en el punto de mxima potencia 3,15A Corriente de cortocircuito (Isc) 3,45A Tensin de circuito abierto (Voc) 43,4V Parmetros medidos extrapolados a CEM 31,223V Tensin en el punto de mxima potencia 2,985A Corriente en el punto de mxima potencia 3,496A Corriente de cortocircuito (Isc) 41,495V Tensin de circuito abierto (Voc) Potencia mxima 93,21W Potencia normalizada= Potencia nominal/potencia mxima medida 0,847363636 Factor de forma 0,6436 Rendimiento mdulos% 10,95582877 Prdidas calculadas por PVSYST Mismatch 2,70% IAM 2,30% Temperatura del mdulo 6,70% Cableado 2,70% Diodo 2% Prdidas globales 13,90% Tabla 4 Valores de los mdulos Siemens SM-55 Si-mono 0
104
12.3 Solfocus CPV-16-205

El mdulo fotovoltaico Solfocus se trata de un mdulo fotovoltaico que emplea la tecnologa de concentracin, la cual mediante espejos concentra la energa solar recibida por el mdulo hasta 500 veces ms que si no se emplearan los espejos.
El mdulo se encontraba instalado en el seguidor tambin instalado en la terraza de la Universidad mostrado en la Figura 4.
12.3.1

Sol Focus
Potencia mxima (1) Ipmp Vpmp Isc Voc 205W 5,1A 40V 5,4A 46V
Figura 55 Mdulo fotovoltaico de concentracin. Solfocus
La tecnologa CFV de Solfocus combina su diseo ptico registrado con compuesto reflejante de alta concentracin, con clulas solares multi-unin. Cada panel de Solfocus incorpora unidades de energa que consisten de espejos primarios y secundarios, un elemento ptico sin imgenes y una clula solar de triple unin. Los espejos primario y secundario enfocan la energa del sol 500 veces en el receptor ptico, el cul dirige la luz a la clula solar de alta eficiencia que tiene ms del doble de la eficiencia de las clulas de silicio normales.
105
Figura 56 Imagen de la tecnologa de espejos empleada en el mdulo de Solfocus.
Figura 57 Curva I-V segn fabricante
106
12.3.2
Anlisis
A continuacin se muestra la curva I-V medida con el dispositivo porttil de medidas, en ella podemos observar variaciones en la curva de corriente (Verde), lo que afecta a la curva de potencia (Azul). Dichas variaciones pueden ser producidas por posibles suciedades en el mdulo, como por ejemplo, excrementos de aves, o por la mala conexin interna entre clulas. Un factor a tener en cuenta en los mdulos de concentracin, es que con altas irradiancias se produce un aumento del valor de la resistencia interna del mdulo fotovoltaico, lo que hace disminuir la potencia entregada y hace que el factor de forma sea inferior. Las prdidas producidas por suciedad puede que produzcan que unas clulas trabajen a distintas condiciones que las dems (Temperatura e irradiancia), lo que produce un aumento de temperatura de las clulas con la consecuente disminucin de sus propiedades y por consiguiente que la corriente que producen es menor que la del resto de clulas.
180 160
5
Potencia
Corriente
140 120
Potencia (W)
4
100
3
80 60 40
1 2
20 0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 0
Tensin (V)
Figura 58 Caracterizacin mdulo fotovoltaico de concentracin 45V de Voc
Comparamos la curva obtenida en el laboratorio (Figura 59) con la proporcionada por el fabricante (Figura 58), y comprobamos que obtenemos un valor
107
Corriente (A)
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. considerablemente inferior de potencia mxima, que puede ser ocasionado por lo comentado anteriormente.
Los valores de tensin de circuito abierto (Voc) y corriente de cortocircuito (Isc) se encuentran muy prximos, o incluso como el de tensin de circuito abierto, que es el mismo que el proporcionado por el fabricante.
El valor de Isc puede verse afectado por la suciedad del mdulo antes comentada, ya que dicho mdulo fotovoltaico al estar instalado en el seguidor solar, la energa solar incidente es la mxima en todo momento.
El valor de Voc es el proporcionado por el fabricante, debido a que su tecnologa le permite que las prdidas a altas temperaturas sean mnimas.
12.3.3
Resumen
Instalacin de los mdulos Sobre seguidor solar Caractersticas del mdulo fotovoltaico Clulas Modelo CPV-16-205 Fabricante Solfocus Parmetros de fbrica Nmero de mdulos en serie 1 Potencia nominal de cada mdulo 205Wp Potencia total instalada 205Wp Tensin en el punto de mxima potencia 40,0V Corriente en el punto de mxima potencia 5,1A Corriente de cortocircuito (Isc) 5,4A Tensin de circuito abierto (Voc) 46V Parmetros medidos extrapolados a CEM Tensin en el punto de mxima potencia 38,515V 4,4583A Corriente en el punto de mxima potencia Corriente de cortocircuito (Isc) 5,0886A 46,301V Tensin de circuito abierto (Voc) Potencia mxima 171,564W Potencia normalizada= Potencia nominal/potencia mxima medida 0,836897561 Factor de forma 0,7281 Tabla 5 Valores del mdulo de concentracin Solfocus triple unin
108
12.4 Concentrix-Solar
ste mdulo fotovoltaico emplea la tecnologa de concentracin, no disponemos de las caractersticas segn su fabricante, ya que es un mdulo que no est disponible a la venta. La empresa Concentrix Solar ofrece plantas de concentracin completas, llave en mano.
Figura 59 Imagen del mdulo fotovoltaico de Concentrix solar
12.4.1
La tecnologa empleada por los mdulos de Concentrix Solar es de las ms modernas existentes en instalaciones fotovoltaicas de concentracin. Bajo la denominacin FLATCON comercializa sus plantas de concentracin llave en mano.
Las plantas energticas FLATCON son apropiadas para ser introducidas en pases con irradiacin solar alta y directa, donde representan una excelente alternativa a las instalaciones fotovoltaicas convencionales con mdulos planos de silicio y a las plantas termosolares centrales. Las ventajas son numerosas:
109
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. 10-20% menos de costes de produccin de energa en comparacin con las instalaciones fotovoltaicas convencionales
funcionamiento rentable con un gran espectro de potencia de 1-10 MW alto grado de eficiencia de mdulos y sistemas, y por ende menor necesidad de superficie
Para sus innovadores sistemas de concentracin Concentrix Solar utiliza la tecnologa de alta potencia FLATCON. La misma fue desarrollada durante aos de investigacin por el Instituto Fraunhofer para Sistemas de Energa Solar y fue preparada para la produccin en serie por Concentrix Solar. Este innovador sistema est caracterizado por su fuerza y sus altos grados de eficiencia.
Los mdulos FLATCON constan de una placa lente (lente Fresnel) y de una placa de base, donde se encuentran montadas las clulas solares de alta potencia. Las lentes Fresnel concentran la luz solar irradiada multiplicada por 500 en las clulas solares que se encuentran debajo. La precisin con la cual las clulas solares estn montadas en la placa de base es con 25 m extraordinariamente alta. El punto focal de la luz solar enfocada se encuentra exactamente localizado en la clula solar de un dimetro de slo 2 mm. Para la construccin de sus mdulos Concentrix Solar utiliza elementos de la tecnologa de circuitos impresos y vidrio aislante, de bajo coste y que han dado buenos resultados durante aos. La precisin y calidad en la fabricacin de los mdulos tienen como consecuencia un extremadamente alto grado de eficiencia de los mismos de ms del 27%.
110
12.4.2
Anlisis
Al no tener las caractersticas de fbrica, nos limitaremos a caracterizar dicho panel y extrapolar las medidas a CEM, y de este modo definir sus caractersticas.
I-V
50 45 40 35
Potencia
Corriente
0,3
0,25
30 25 20 15 10 5 0
0 50 100 150 200 250 300
0,15
0,1
0,05
Tensin (V)
Figura 60 Caracterizacin de mdulo fotovoltaico nuevo de concentracin. 300V de Voc
Observamos que la curva de corriente disminuye de forma uniforme, como ya hemos estudiado antes lo ideal sera que permaneciera constante hasta que empezara a decrecer al aproximarse al punto de mxima potencia.
Como hemos estudiado en el anlisis del mdulo de concentracin de Solfocus, esta cada del nivel de corriente se puede deber a la suciedad sobre el mdulo fotovoltaico o a fallos de conexin interna, o al aumento del valor de la resistencia interna debida a una alta irradiancia.
111
Corriente (A)
Potencia (W)
0,2
12.4.3
Resumen
Instalacin de los mdulos Instalado sobre seguidor solar Caractersticas del mdulo fotovoltaico Clulas Desconocido Concentrix Fabricante Solar Parmetros medidos extrapolados a CEM Tensin en el punto de mxima potencia 264,547V Corriente en el punto de mxima potencia 0,16179A Corriente de cortocircuito (Isc) 0,23569A Tensin de circuito abierto (Voc) 291,548V Potencia mxima 42,925W Potencia normalizada= Potencia nominal/potencia mxima medida Desconocida Tabla 6 Valores caractersticos del mdulo Concentrix solar. Si-mono Modelo
112
12.5 Sunlink SL-160-24

La empresa Sunlik es uno de los lderes mundiales en fabricacin de mdulos fotovoltaicos, empleando clulas de silicio mono y policristalino. Cuenta con ms de 30MW de potencia instalada alrededor del mundo.
El anlisis de este mdulo fotovoltaico es especial, ya que tras las primeras medidas. Comprobamos que obtenamos unos datos de temperaturas fuera de lo normal, por lo que decidimos analizar el mdulo con una cmara termogrfica. Con la cmara termogrfica analizamos el mdulo y comprobamos que la temperatura de sus clulas no era uniforme, como podemos comprobar en la figura 65.
Para completar el anlisis medimos su curva caracterstica, y determinamos los valores de potencia, corriente y tensin proporcionados por el mdulo fotovoltaico.
Figura 61 Imagen de cmara termogrfica empleada
113
Figura 62 Imagen de los mdulos Sunlink
12.5.1
El mdulo fotovoltaico modelo SLI 160-24, es un mdulo plano formado por clulas de silicio monocristalino (Figura 63)
Figura 63 Curvas I-V para el mdulo Sunlink a distintos valores de irradiancia
114

Caractersticas Potencia nominal Tensin en el punto de mxima potencia Corriente en el punto de mxima potencia Corriente de cortocircuito (Isc) Tensin de circuito abierto (Voc) Caractersticas fsicas Dimensiones del mdulo (mm) Peso Nmero de clulas y conexiones Margen de temperatura 175Wp 36,00V 4,86A 5,17A 44,8V 1580x808x35 15.5kg 72(6x12) -40 a +85C
Tabla 7 Valores caractersticos de la curva I-V del mdulo de Sunlink
12.5.2
Anlisis
I-V
200 180 160 140

Potencia (W)
Potencia
Corriente
9 8 7 6 5 4 3 2 1 0
Corriente (A)
120 100 80 60 40 20 0
0 5 10 15 20 Tensin (V) 25 30 35 40
Figura 64 Curva I-V medida con el mdulo porttil de medida
Gracias a la cmara termogrfica (Figura 62) conocemos que el mdulo tiene puntos calientes, es decir, clulas que se trabajando con temperaturas superiores hasta en 20C con respecto al resto de clulas. Como hemos estudiado el efecto de la temperatura repercute en una menor tensin de cortocircuito.
115
Figura 65 Imagen tomada con la cmara termogrfica del mdulo Sunlink
Observamos en la curva I-V dicho valor inferior de Voc, y un valor superior de Isc e Ipmp.
Los fabricantes de mdulos aseguran que la potencia entregada por el mdulo se encuentra en un rango de 10%, en este caso la potencia mxima obtenida es considerablemente menor que la que debera ser segn el fabricante, en torno a un 15% menos de potencia.
La existencia de puntos calientes puede deberse a defectos de fabricacin o de conexin entre clulas. Dicho aumento de temperatura en esas clulas puede provocar que toda la potencia generada por las clulas que se encuentren en serie con la afectada, se disipe en forma de calor en dicha clula. Para evitarlo los diodos de proteccin actan limitando la corriente por cada grupo de clulas conectadas en serie.
stas medidas han sido realizadas en un da soleado de Febrero, en el que la temperatura ambiente era de 15C, y como podemos observar en la imagen tomada con la cmara termogrfica, hay clulas que se encuentran prximas a los 50. En un da de verano en el que la temperatura ambiente se encuentre en torno a los 30C dichas
116
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. clulas podran superar los 85C que el fabricante nos indica como lmite de temperatura de trabajo, por lo que dichas clulas podran destruirse.
12.5.3
Resumen
Inclinacin 30 Instalacin de los mdulos Acimut Caractersticas del mdulo fotovoltaico Clulas Modelo SLI-160-24 Fabricante Sunlink Parmetros de fbrica Nmero de mdulos en serie 1 Potencia nominal de cada mdulo 175Wp Potencia total instalada 175Wp Tensin en el punto de mxima potencia 36,00V Corriente en el punto de mxima potencia 4,86A 5,17A Corriente de cortocircuito (Isc) 44,8V Tensin de circuito abierto (Voc) Parmetros medidos extrapolados a CEM Tensin en el punto de mxima potencia 30,520V Corriente en el punto de mxima potencia 4,94A Corriente de cortocircuito (Isc) 5,354A Tensin de circuito abierto (Voc) 39,15V Potencia mxima 150,877W Potencia normalizada= Potencia nominal/potencia mxima medida 0,862154286 Factor de forma 0,720339934 Rendimiento mdulo% 11,8242163 Tabla 8 Valores caractersticos del mdulo Sunlink 160-24 Si-mono 0
117
12.6 Sanyo 180 BE
Figura 66 Fotografa de los 6 mdulos fotovoltaicos Sanyo
12.6.1
Los mdulos fotovoltaicos Sanyo, son planos y sus clulas estn formadas por finas obleas de silicio monocristalino rodeadas a su vez por capas ultra finas de silicio amorfo. Las cuales convierten a estos mdulos en un referente mundial de eficiencia. Las clulas alcanzan unos rendimientos del 17% y el mdulo fotovoltaico alcanza un rendimiento del 15%.
La estructura de sus clulas solares le permite obtener unos altos valores de eficiencia con respecto a mdulos fotovoltaicos de similares caractersticas. El rendimiento total del mdulo est estimado en el 15,3%, siendo el mdulo fotovoltaico plano con mayor rendimiento analizado en este proyecto.
118

Caractersticas Potencia nominal Tensin en el punto de mxima potencia Corriente en el punto de mxima potencia Corriente de cortocircuito (Isc) Tensin de circuito abierto (Voc) 180Wp 54,0V 3,33A 3,65A 66,4V
Tabla 9 Valores caractersticos del mdulo Sanyo
Figura 67 Curvas I-V a distintas irradiancias segn fabricante
12.6.2
Anlisis de un mdulo fotovoltaico
A continuacin analizaremos los mdulos Sanyo, para ello realizamos el estudio a cada uno y posteriormente se conectarn en serie y se analizarn los valores caractersticos para cada configuracin. Desde un nico mdulo, hasta los seis mdulos conectados en serie, analizando as los mdulos de mxima potencia disponibles en la Universidad.
Con ayuda del programa PVSYST simularemos toda la instalacin, adems de un estudio de la posible conexin a la red empleando un inversor disponible en el laboratorio.
119
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. A continuacin mostramos slo la curva I-V de un mdulo Sanyo, despus de haber analizado cada uno por separado y encontrar que las diferencias entre ellos son mnimas, slo mostramos una para evitar repetirnos en exceso.
Como podemos observar comparando la Figura 68 y Figura 69 y la Tabla 9 mostrada a continuacin, el mdulo Sanyo apenas difiere con las caractersticas proporcionadas por el fabricante. Tras introducir los datos en el programa PVSYST, encontramos que las nicas prdidas que sufre nuestra instalacin, son las correspondientes a las prdidas introducidas por los diodos de proteccin instalados en el mdulo.
I-V
200 180 160
Potencia
Corriente
4 3,5 3
140
Potencia (W) Corriente (A)
120 100 80 60
2,5 2 1,5 1
40 20 0
0 10 20 30 Tensin (V) 40 50 60 70
0,5 0
Figura 68 Caracterizacin de un mdulo fotovoltaico Sanyo de 65V de Voc

Pmax (W) Ipmp (A) Vpmp (V) Voc (V) Isc (A) Pnormalizada 177,249588 3,324 53,31 66,3156 3,67086148 0,984719933 180 3,33 54 66,4 3,65
Medidos Fabricante
Tabla 10 Valores medidos para un mdulo Sanyo
12.6.3
Anlisis de los mdulos Sanyo conectados en serie.
A continuacin analizaremos los 6 mdulos Sanyo conectados en serie y estudiaremos los valores caractersticos y las posibles prdidas que pudiera haber en el sistema.
120
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. Comenzamos mostrando las curvas I-V para las distintas configuraciones, desde un mdulo solo, hasta los seis mdulos conectados en serie.
I-V 6 mdulos Sanyo
Corriente 6p corriente 5p corriente 2p corriente 4p corriente 1p
4 3,5 3 2,5 Corriente (A) 2 1,5 1 0,5 0 0 50 100 150
corriente 3p
200 Tensin (V)
250
300
350
400
Figura 69. Comparacin de los 6 mdulos fotovoltaicos Sanyo conectados en serie. Curvas extrapoladas a CEM.
Pmax (W) Medidas 1 mdulo Fabricante Medidas 2 mdulos Fabricante Medidas 3 mdulos Fabricante Medidas 4 mdulos Fabricante Medidas 5 mdulos Fabricante Medidas 6 mdulos Fabricante 177,249588 180 360,351732 360 552,972014 540 743,505604 720 912,312134 900 1082,19907 1080 Ipmp (A) 3,324 3,33 3,39 3,33 3,44 3,33 3,4303 3,33 3,35 3,33 3,3818 3,33 Vpmp (V) 53,31 54 106,29 108 160,23 162 216,745 216 272,28 270 326,126 324 Voc (V) 66,3156 66,4 131,6388 132,8 197,1052 199,2 261,9326 265,6 329,0846 332 390,6266 398,4 Isc (A) Pnormalizada FF Rendimiento
3,67086148 3,65 0,984719933 0,72811761 3,76281977 3,65 1,000977033 0,72749378 3,74800664 3,65 1,024022249 0,74852226 3,75991792 3,65 1,032646673 0,75494676 3,68053293 3,65 1,013680149 0,75322579 3,68956131 3,65 1,002036172 0,75088013
15,0325672
15,2807226
15,6325446
15,7642482
15,474718
15,2941509
Tabla 11 Valores de los mdulos Sanyo conectados en serie
En la Tabla 11 (Valores caractersticos de las Figuras 70 y 71) se muestra la comparacin entre los valores medidos, con los valores segn el fabricante y comprobamos que los mdulos proporcionan potencias superiores a las descritas en las hojas de caractersticas.
121
Curvas de potencia 6 mdulos Sanyo
1200
1000
Potencia 6p Potencia 5p Potencia 4p Potencia 3p Potencia 2p Potencia 1p
800
Potencia (W)
600
400
200
0
0 50 100 150 200 Tensin (V) 250 300 350 400
Figura 70 Curva potencias para los 6 mdulos fotovoltaicos conectados en serie
A continuacin introducimos los parmetros de nuestro sistema en PVSYST y obtenemos la siguiente curva I-V (Figura 72) para los 6 mdulos conectados en serie. En dicha curva se detalla que el sistema tiene unas prdidas de -0,6%, lo que indica que nuestro sistema trabaja por encima de las caractersticas indicadas por el fabricante.
122
Figura 71 Clculos realizados por PVSYST
12.6.4
Conexin a la Red
Simularemos la conexin a la Red de los 6 mdulos fotovoltaicos Sanyo conectados en serie, a travs del inversor de la marca SMA, modelo Sunny Boy 1000E, instalado en la universidad.
123
Captulo 12.Caracterizacin de mdulos fotovoltaicos. La simulacin corresponde a un ao completo del sistema conectado a la Red
Figura 72. Imagen del programa PVSYST en la que se muestran los resultados de la conexin a la Red del sistema formado por 6 mdulos fotovoltaicos Sanyo.
Como podemos observar obtenemos un valor de PR (Performance Ratio, apartado 6.6), realmente bueno, ya que este valor es el indicador de rendimiento global de la instalacin. Por supuesto, esto es una simulacin que habra que contrastar con un estudio exhaustivo de la instalacin.
A continuacin se muestran los valores de PR para cada mes, as como la produccin de energa y para finalizar un esquema con las prdidas de energa.
Figura 73. Imagen de los datos de produccin de energa y Performance Ratio, para los 6 mdulos Sanyo
124
Figura 74 Esquema de prdidas de energa para los 6 mdulos conectados a la Red
125
Captulo 13.Trabajos futuros.
TRABAJOS FUTUROS
126
Captulo 13.Trabajos futuros.
13 TRABAJOS FUTUROS
La evolucin natural del dispositivo porttil de medidas sera el empleo de interruptores de mayor potencia, ya sean IGBT o interruptores de accionamiento manual. Como ya hemos comentado eso implica una inversin considerable de dinero ya que el valor de los IGBT e interruptores para valores de 1000V y 250A es del orden de los 250/unidad.
Figura 75 Imagen de un mdulo IGBT de capacidad 1000V y 250A
Otra evolucin posible sera insertar una tarjeta de adquisicin de datos, as se elimina el uso del osciloscopio, ya que la tarjeta almacenara los valores de tensin, corriente, temperatura e irradiancia medidos y posteriormente se procedera a exportar dichos valores a un ordenador mediante un puerto serie, donde podran ser tratados para extraer las curvas.
Actualmente en el mercado no existen dispositivos a la venta con capacidades de medida de 100kWp, lo ms parecido es un dispositivo llamado PVE con capacidades de 1000V y 40A mximo. Estos dispositivos son capaces de realizar medidas cada ciertos segundos de forma automtica segn se configuren. Posteriormente se extraen los datos mediante un puerto serie
Combinando las evoluciones anteriormente citadas obtendramos un dispositivo de gran capacidad de medida, ya que se podran medir instalaciones de hasta 100kWp, y con la simplicidad de un PVE, que es capaz de almacenar las medidas realizadas.
127
Captulo 14.Conclusiones.
CONCLUSIONES
128
14 CONCLUSIONES
Lo primero, objetivo cumplido, hemos sido capaces de disear con los elementos disponibles en la Universidad un dispositivo porttil para caracterizar mdulos fotovoltaicos, e instalaciones fotovoltaicas de hasta 9 kW.
Todo anlisis que se realice a una instalacin fotovoltaica debe comenzar por su curva I-V, ya que define todos sus puntos caractersticos. Con este dispositivo hemos creado la base de cualquier anlisis que se realice a cualquier mdulo fotovoltaico.
Figura 76. Fotografa de la mesa donde compaeros ya trabajan con los dispositivos de medida en la Universidad.
El dispositivo es tremendamente til y fcil de utilizar, ya que slo hay que accionar dos interruptores. El nico elemento que puede introducir dificultad al proceso de anlisis de mdulos fotovoltaicos, aunque para la mayora de alumnos no debera ser difcil, es el osciloscopio, ya que hay que configurarlo de tal manera que las ondas se vean de manera precisa y correcta. En nuestro caso el botn AUTOSET, al que siempre hemos recurrido en las infinitas prcticas realizadas durante la carrera no nos proporciona la configuracin deseada. Pero una vez ajustado el osciloscopio a los valores deseados, el tiempo de medida no es superior a un minuto.
129
Captulo 14.Conclusiones. Varios alumnos ya estn utilizando los mdulos porttiles de medida para analizar nuevos mdulos fotovoltaicos disponibles en la Universidad, y si las evoluciones indicadas en el captulo de trabajos futuros se llegan a realizar, se podrn medir grandes instalaciones fuera de la Universidad, como huertas solares, o instalaciones en edificios.
Ahora que estamos en tiempos de crisis, el aspecto econmico es ms importante que nunca, y por ello hemos tratado de construir nuestro dispositivo con los mximos posibles elementos disponibles en la Universidad, los nicos equipos adquiridos han sido los condensadores, ya que sin ellos no podramos haber medido todos los mdulos instalados en la Universidad, la caja en la que hemos instalado todos los componentes, y los que han limitado nuestro alcance, los interruptores. El precio de los interruptores crece exponencialmente con su alcance, haciendo de ellos el elemento ms determinante, ya que instalando los condensadores en serie podramos haber medido instalaciones de hasta 900V.
Desde aqu animo a la Universidad Carlos III de Madrid a realizar esa inversin en interruptores y a los alumnos a desarrollar las evoluciones de mi proyecto, ya que para m ha sido muy gratificante.
A continuacin se muestra el anlisis de las potencias normalizadas de los mdulos analizados con el dispositivo porttil de medida.
130
Potencia Normalizada
1,3
Siemens SM 55 Sunlik 160-24

1,2
Solfocus Sanyo 180 Be
Potencia normalizada
1,1
0,9
0,8
0,7
0 1 2 Equipos analizados 3 4 5
Figura 77 Grfica con las potencias normalizadas de los mdulos analizados
En la Figura 78 observamos el valor de la potencia normalizada de los mdulos analizados en este proyecto. La potencia normalizada, es la relacin entre la potencia medida y extrapolada a CEM, y la potencia nominal del mdulo.
Como hemos estudiado en el Captulo 5, la potencia de los mdulos debera estar entre un 3 y un 10% del valor nominal de fbrica, como podemos comprobar, slo los mdulos Sanyo se encuentran dentro de dicho rango, inclusive ligeramente superior al valor de potencia nominal.
131
Captulo 16Anexos.
ANEXOS
132
Captulo 16Anexos.
15 ANEXOS
15.1 Anexo I: Hojas de caractersticas
15.1.1 Sanyo
133
Captulo 16Anexos.
134
Captulo 16Anexos.
135
Captulo 16Anexos.
15.1.2
Sunlink
136
Captulo 16Anexos.
137
Captulo 16Anexos.
15.1.3
Solfocus
138
Captulo 16Anexos.
139
Captulo 16Anexos.
15.1.4
Condensadores Epcos
140
Captulo 16Anexos.
141
Captulo 16Anexos.
15.2 ANEXO II
15.2.1 Programacin de la hoja Excel para el tratamiento de datos

Datos Macro ' Macro grabada el 15/01/2009 por Julio Fernandez Ferichola ' ' Acceso directo: CTRL+d ' Range("A1").Select Range(Selection, Selection.End(xlDown)).Select Application.CutCopyMode = False Selection.TextToColumns Destination:=Range("A1"), DataType:=xlDelimited, _ TextQualifier:=xlDoubleQuote, ConsecutiveDelimiter:=False, Tab:=False, _ Semicolon:=False, Comma:=True, Space:=False, Other:=False, FieldInfo _ :=Array(Array(1, 1), Array(2, 1)), DecimalSeparator:=".", ThousandsSeparator _ :=",",TrailingMinusNumbers:=TrueEndSub
Anexo
142
Captulo 16.Bibliografa.
BIBLIOGRAFA
143
16 BIBLIOGRAFA
Engineering of photovoltaic systems. Eduardo Lorenzo IES-UPM Fundamentos dimensionado y aplicaciones de la energa solar fotovoltaica. CIEMAT. Energa solar fotovoltaica en la Comunidad de Madrid. CIEMAT Capacitive loads based on IGBTs for on-site characterization of PV arrays. J. Muoz, E. Lorenzo Curso provincial de energas renovables, Energa solar fotovoltaica. Universidad de Valladolid. Retratos de la conexin fotovoltaica a la Red. Eduardo Lorenzo IES-UPM Estimacin de la energa generada por un sistema fotovoltaico conectado a la Red. Miguel Alonso y Faustino Chenlo CIEMAT. Performance parameters for Grid connected PV systems. B. Marion. National Renewable Energy Laboratory Ensayos de grandes generadores fotovoltaicos instalados en Espaa. Muoz J., Lorenzo E. IES Universidad Politcnica de Madrid. Enlaces de internet: www.sciencedirect.com www.technosun.com/es/principal/productos http://www.solarweb.net/forosolar/aspectos-tecnicos/10763-medidor-curvas-vi.html http://www.pv-engineering.de/en/pvpm.htm http://www.boe.es/aeboe/consultas/bases_datos/doc.php?coleccion=iberlex&id= 2008/15595 http://www.sanyo-solar.eu/ http://www.solfocus.com/en/index.php http://www.isofoton.com/ http://www.tynsolar.com.tw/product.htm
144
Captulo 16.Bibliografa. http://www.concentrix-solar.de/tecnologia/?L=2 http://www.sunlink.com/ http://www.energiasrenovables.ciemat.es/
145
146

Carecterizacion de Modulos Fotovoltaicos

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CARACTERIZACIN DE MDULOS FOTOVOLTAICOS CON DISPOSITIVO PORTTIL

Tutor: Pedro Jose Dbora Autor: Julio Fernndez Ferichola

Indice. 12.5.3 Resumen ............................................................................................... 117

instalaciones fotovoltaicas. El captulo 11, el ms importante, ya que en l se describe

3.1 Tecnologa Fotovoltaica

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

DESCRIPCIN GENERAL DE UNA INSTALACIN FOTOVOLTAICA

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

4 DESCRIPCIN GENERAL DE UNA INSTALACIN FOTOVOLTAICA

Figura 1.Instalacin fotovoltaica.

1. El generador, formado por mdulos fotovoltaicos y su correspondiente estructura de soporte.

3. La red elctrica convencional

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

4.1 Mdulo fotovoltaico

4.2 Estructura del mdulo fotovoltaico

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

4.2.1 Tipos de mdulos fotovoltaicos y sus clulas

Figura 2 Mdulo compuesto por clulas de silicio monocristalino

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

Figura 3 Mdulo formado por clulas de silicio policristalino

As pues, los tipos de paneles de lmina delgada son:

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

4.2.1.1 Tipos de paneles segn su forma

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

Paneles de formato teja o baldosa:

Figura 5 Mdulo fotovoltaico de tipo teja o baldosa

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica Paneles bifaciales:

4.2.2 Cubierta frontal

Captulo 4. Descripcin general de una instalacin fotovoltaica

4.2.4 Cubierta posterior

4.2.5 Clulas solares y sus conectores

Figura 6 Seccin transversal de un mdulo fotovoltaico.

Captulo 5.Factores de prdidas energticas.

FACTORES DE PRDIDAS ENERGTICAS

Captulo 5.Factores de prdidas energticas.

5 FACTORES DE PRDIDAS ENERGTICAS

5.1 Prdidas por no cumplimiento de la potencia nominal

5.2 Prdidas de mismatch o de conexionado

5.3 Prdidas por polvo y suciedad

Captulo 5.Factores de prdidas energticas.

5.4 Prdidas angulares y espectrales

5.5 Prdidas por cadas ohmicas en el cableado

5.6 Prdidas por temperatura

5.7 Prdidas por sombreado del generador fotovoltaico

5.8 Prdidas por rendimiento AC/DC del inversor

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

CURVA CARACTERSTICA DEL MDULO FOTOVOLTAICO

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

6 CURVA CARACTERSTICA DEL MDULO FOTOVOLTAICO

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

Principales parmetros de la caracterstica I-V

Voltaje de circuito abierto (Vca

notacin espaola, Voc notacin

correspondiente al par mximo I-V.

6.2 Ecuacin caracterstica

Figura 8 Esquema de conexionado elctrico en un mdulo fotovoltaico

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

Tabla 1 Parmetros caractersticos para las curvas de la Figura 5

6.3 Factores que afectan a la caracterstica I-V del generador

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

Efecto de la Intensidad de Iluminacin (Irradiancia)

Figura 10. Efecto de la irradiancia sobre la caracterstica I-V de un generador fotovoltaico

Captulo 6.Curva caracterstica del mdulo FV.

Corriente 75W/m2 12C