SEMICONDUCTORES

En un material semiconductor fuertemente dopado con impurezas donadoras, la variacin relativa en funcin de la temperatura es: [ ].Baja para los huecos y alta para los electrones. [X].Alta para los huecos y aja para los electrones. [ ].Baja para am os. [ ].Alta para am os. !ean dos semiconductores e"tr#nsecos de distinto tipo $uno % y otro &' pero con el mismo nivel de dopado: [ ].El & tiene m(s resistividad )ue el %. [X].El % tiene menos conductividad )ue el &. [ ].Am os presentan la misma resistividad. [ ].&in*una de las anteriores. +on el aumento de la temperatura en los semiconductores: [ ].Aumenta la conductividad de los intr#nsecos y disminuye la de los e"tr#nsecos. [ ]. ].Aumenta la conductividad de los e"tr#nsecos y disminuye la de los intr#nsecos. [ ].Am as diminuyen. ["].&in*una de las anteriores. ,a conductividad en dos semiconductores e"tr#nsecos, uno con impurezas aceptadoras y otro con impurezas donadoras: [ ]. Es mayor en el de tipo % para un mismo nivel de dopado ["]. Es mayor en el de tipo & para un mismo nivel de dopado [ ]. &o se puede sa er [ ]. &o presentan conductividad distinta En un material semiconductor e"tr#nseco fuertemente dopado, un rusco aumento de la temperatura provoca las si*uientes variaciones $en terminos relativos': [ ].Aumentan los portadores mayoritarios y los minoritarios permanecen constantes. [X].Aumentan los portadores minoritarios y los mayoritarios permanecen pr(cticamente constantes. [ ].Am os tipos de portadores permanecen constantes. [ ].&in*una de las anteriores. En un material semiconductor e"tr#nseco fuertemente dopado, se puede hacer la si*uiente afirmacin: [ ].El n- de portadores mayoritarios es inversamente proporcional al *rado de dopado. [ ].El n- de portadores minoritarios es directamente proporcional de dopado. [X].El n- de portadores minoritarios es inversamente proporcional al *rado de dopado. [ ].&in*una de las anteriores. En un semiconductor e"tr#nseco tipo &: [X] ,a conductividad aumenta conforme aumenta la temperatura. [ ] ,os aumentos de temperatura provocan un aumento de la movilidad de los portadores minoritarios. [ ] ,a concentracin de electrones es menor )ue en un semiconductor intr#nseco. [ ] ,a resistividad es directamente proporcional al n.mero de (tomos donadores.

En un material de tipo semiconductor, el ancho de la anda prohi ida [ ].Aumenta si aumenta la temperatura. [ ].Es de unos / e0 apro"imadamente. [ ].Aumenta con la temperatura hasta los 122-3 para lue*o disminuir. [X].4isminuye si aumenta la temperatura. En un material semiconductor, las corrientes de difusin son de idas: [X].A la diferencia en el nivel de concentraciones de portadores. [ ].Al campo el5ctrico aplicado e"teriormente. [ ].A la *eneracin de pares electrn6hueco por aporte de ener*#a e"terna. [ ].A un dopado con impurezas aceptoras.