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UNIDAD VI

INTRODUCCIN A LA ELECTRNICA DE POTENCIA

1. INTRODUCCIN Cada vez son ms los dispositivos y sistemas que en una o varias de sus etapas son accionados por energa elctrica. Los accionamientos consisten, en general, en procesos que transforman la energa elctrica en otro tipo de energa, o en el mismo tipo, pero con diferentes caractersticas. Los encargados de realizar dichos procesos son los Sistemas de Potencia. Las aplicaciones de la electrnica estuvieron limitadas durante mucho tiempo a las tcnicas de alta frecuencia (emisores, receptores, etc.). En la evolucin de la electrnica industrial, las posibilidades estaban limitadas por la falta de fiabilidad de los elementos electrnicos entonces disponibles (tubos amplificadores, tiratrones, resistencias, condensadores). Esta fiabilidad era insuficiente para responder a las altas exigencias que se requeran en las nuevas aplicaciones del campo industrial. Gracias al descubrimiento de los dispositivos semiconductores (transistores, tiristores, etc.) en la dcada de los 60, que respondan a las exigencias industriales (alta fiabilidad, dimensiones reducidas, insensibilidad a las vibraciones mecnicas, etc.), la electrnica industrial hizo progresos increbles, permitiendo la realizacin de procesos cada vez ms complejos, destinados a la automatizacin de procesos industriales. En general, cualquier conversin de energa elctrica se puede realizar por procedimientos electromecnicos o por procedimientos electrnicos. Los convertidores electrnicos disponen de las siguientes ventajas frente a los electromecnicos: Mayor flexibilidad y ms posibilidades de control. Mayor estabilidad y mayor rapidez de respuesta, gracias a las caractersticas elctricas. Menor mantenimiento al no disponer de partes mecnicas. Mayor vida media y mayor fiabilidad. No produccin del arco elctrico.

Como inconvenientes se pueden destacar: Menor robustez elctrica, al disponer de menor capacidad para soportar sobretensiones y sobrecorrientes. Mayor coste para algunas de sus aplicaciones.

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La mayor flexibilidad y controlabilidad de los dispositivos electrnicos, hace que se apliquen para resolver procesos cada vez ms complejos. Un equipo electrnico de potencia consta fundamentalmente de dos partes, tal como se simboliza en la siguiente figura:

Figura 1 Diagrama de bloques de un Sistema de Potencia [1]

Un circuito de Potencia, compuesto de semiconductores de potencia y elementos pasivos, que liga la fuente primaria de alimentacin con la carga. Un circuito de mando, que elabora la informacin proporcionada por el circuito de potencia y genera unas seales de excitacin que determinan la conduccin de los semiconductores controlados con una fase y secuencia conveniente. Antes de pasar al estudio de la electrnica de potencia, interesa resaltar su principal caracterstica, mostrar sus particularidades y situar el campo de aplicacin. En la Electrnica de Seal se vara la cada de tensin que un componente activo crea en un circuito habitualmente alimentado en continua. Esta variacin permite, a partir de una informacin de entrada, obtener otra de salida modificada o amplificada. Lo que interesa es la relacin entre las seales de entrada y salida, examinando posteriormente la potencia suministrada por la fuente auxiliar que requiere para su funcionamiento. La funcin de base es la amplificacin y la principal caracterstica es la ganancia.

Figura 2 Caracterstica fundamental de un sistema electrnico de Seal y de Potencia [1]

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En la Electrnica de Potencia, el concepto principal es el rendimiento. El elemento de base no puede trabajar en rgimen de amplificacin pues las prdidas seran elevadas, es necesario trabajar en rgimen de conmutacin, siendo el componente de base el semiconductor quien trabaja como interruptor. Este componente trabajando en conmutacin deber cumplir las siguientes caractersticas: Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conduccin). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y con pequea potencia de control. Ser capaz de soportar altas tensiones cuando est bloqueado y grandes intensidades, con pequeas cadas de tensin entre sus extremos, cuando est en conduccin. Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

As se puede definir a la Electrnica de Potencia de la siguiente manera:

Electrnica de Potencia es la parte de la Electrnica encargada del estudio de dispositivos, circuitos, sistemas y procedimientos para el procesamiento, control y conversin de la energa elctrica.
Por tanto la Electrnica de Potencia se ha introducido de lleno en la industria en aplicaciones tales como las fuentes de alimentacin, cargadores de bateras, control de temperatura, variadores de velocidad de motores, etc. Es la Electrnica Industrial quien estudia la adaptacin de sistemas electrnicos de potencia a procesos industriales. Siendo un sistema electrnico de potencia aquel circuito electrnico que se encarga de controlar un proceso industrial, donde interviene un procesamiento de energa elctrica entre la entrada y la carga, estando formado por varios convertidores, transductores y sistemas de control., los cuales siguiendo hoy en da evolucionando y creciendo constantemente. El campo de la Electrnica de Potencia puede dividirse en grandes disciplinas o bloques temticos:

Figura 3 Bloques temticos que comprende la Electrnica de Potencia [1]

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1.1

CLASIFICACIN DE LOS SISTEMAS DE POTENCIA Los sistemas electrnicos de potencia consisten en uno o ms convertidores de potencia, que gobiernan la transferencia de energa. El convertidor es el mdulo bsico en un sistema de potencia. En general, un convertidor controla y moldea la magnitud elctrica de entrada Vi, frecuencia fi y nmero de fases mi, en una magnitud elctrica de salida Vo, frecuencia fo y nmero de fases mo. La potencia puede fluir de forma reversible, intercambindose los papeles entre la entrada y la salida. Es un hecho que la Electrnica de Potencia es una disciplina emergente dentro de la Electrnica. Su utilizacin se extiende de forma amplia en sectores tales como el residencial, la industria, sector aeroespacial o militar. Recientemente el papel de la electrnica de potencia ha venido ganando con un especial significado en relacin a la conservacin de la energa y el control del medio ambiente. La realidad es que la demanda de energa elctrica crece con relacin directa a la mejora de la calidad de vida. La concepcin de esta asignatura est basada en la descripcin de los principales sistemas que se encargan de procesar la energa elctrica. Dado que el desarrollo de esta disciplina es constante, debido fundamentalmente a que est ligada al crecimiento del campo de aplicacin y a la mejora de las prestaciones de los semiconductores de potencia, el objetivo es presentar las estructuras de los convertidores estticos, sus caractersticas y sus campos de aplicacin. De esta forma se pretende ser capaz de determinar la manera de transformar la presentacin de la energa elctrica y por tanto, de seleccionar y disear la estructura de potencia ms conveniente para cada caso. De manera que se realice, mediante el citado sistema de potencia, la conversin energtica de la manera ms eficaz posible. De manera general se puede abordar el estudio de los distintos convertidores en funcin de los cuatro tipos de conversin posibles: 1. 2. 3. 4. Conversin Conversin Conversin Conversin alterna-continua. alterna-alterna. continua-alterna. continua-continua.

Desde el punto de vista real, dado que el funcionamiento del sistema encargado de transformar el tipo de presentacin de la energa elctrica viene condicionado por el tipo de energa disponible en su entrada, se ha adoptado como criterio clasificar los convertidores estticos de energa en funcin del tipo de energa elctrica que los alimenta, tal y como se muestra en la siguiente figura:

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Figura 4 Clasificacin y ejemplo de los convertidores estticos de energa elctrica [1]

Existen muchos tipos de clasificaciones, las cuales incluyen como caractersticas determinantes: El tipo de semiconductor utilizado. El modo de conmutacin El tipo de aplicacin.

Ahora, atendiendo al tipo de conmutacin se obtiene la siguiente clasificacin de convertidores de potencia: Conmutacin natural: Cuando la fuente de tensin primaria, presente a uno de los lados del convertidor, facilita el paso a corte de los semiconductores. Adems dichos semiconductores pasan a conduccin en fase con la frecuencia de la tensin de entrada. (Rectificadores, Reguladores de corriente alterna y Cicloconvertidores). Conmutacin forzada: Cuando los conmutadores controlables son llevados a corte y a conduccin a frecuencias mayores que la frecuencia de la red. (Troceadores, Inversores y Onduladores autnomos).

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De las clasificaciones anteriores se pueden extraer las caractersticas bsicas de cada uno de los convertidores mencionados: a. Rectificador no controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente continua de voltaje constante. Formado por diodos, constituyen montajes irreversibles. b. Rectificador controlado: Transforma la corriente alterna de voltaje constante en corriente continua de voltaje variable. Formado por tiristores. El montaje puede ser reversible, denominndose inversor no autnomo. c. Reguladores de AC: Transforman la corriente alterna de voltaje constante en corriente alterna de voltaje variable y de la misma frecuencia. d. Cicloconvertidores: Reguladores de alterna o convertidores directos alterna/alterna de distinta frecuencia. e. Ondulador autnomo o Inversor: Transforman una corriente continua en corriente alterna de frecuencia fija o variable. f. Troceador o "chopper": Transforma corriente continua de voltaje constante en corriente continua de voltaje variable.

1.2 APLICACIN DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA En general los sistemas de potencia se utilizan para accionar cualquier dispositivo que necesite una entrada de energa elctrica distinta a la que suministra la fuente de alimentacin primaria. A continuacin se presentan algunas de las aplicaciones industriales de cada uno de los convertidores: Rectificadores: Alimentacin de todo tipo de sistemas electrnicos, donde se necesite energa elctrica en forma de corriente contina. Control de motores de continua utilizados en procesos industriales: Mquinas herramienta, carretillas elevadoras y transportadoras, trenes de laminacin y papeleras. Transporte de energa elctrica en c.c. y alta tensin. Procesos electroqumicos. Cargadores de bateras. Reguladores de alterna: Calentamiento por induccin. Control de iluminacin. Equipos para procesos de electrodeposicin.

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Cambiadores de frecuencia: Enlace entre dos sistemas energticos de corriente alterna no sincronizados. Alimentacin de aeronaves o grupos electrgenos mviles. Inversores: Accionadores de motores de corriente alterna en todo tipo de aplicaciones industriales. Convertidores corriente continua en alterna para fuentes no convencionales, tales como la fotovoltaica o elica Calentamiento por induccin. Troceadores: Alimentacin y control de motores de continua. Alimentacin de equipos electrnicos a partir de bateras o fuentes autnomas de corriente contina.

Figura 5 Aplicaciones de los dispositivos de potencia [1]

1.3

HISTORIA DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA La historia de la electrnica de potencia empez en el ao 1900, con la introduccin del rectificador de arco de mercurio. Luego aparecieron el rectificador e tanque metlico, el rectificador de tubo al alto vaci de rejilla controlada, el ignitrn, el fanotrn y el tiratrn. Estos dispositivos se aplicaron al control de la energa hasta la dcada de 1950. La primera revolucin electrnica se inicia en 1948 con la invencin del transistor de silicio en los Bell Telephone Laboratorios por los sensores Bardeen, Brattain y Schockley. La mayor parte de las tecnologas

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electrnicas avanzadas actuales tienen su origen en esta invencin. A travs de los aos la electrnica moderna ha evolucionado a partir de los semiconductores de silicio. La siguiente gran invencin vino del mismo laboratorio, este fue el transistor de disparo PNPN, que se defini como un tiristor o rectificador controlado de silicio (SCR por sus siglas en ingls). La segunda revolucin electrnica empez en 1958 con el desarrollo del tiristor comercial por General Electric Company. Ese fue el principio de una nueva era en la electrnica de potencia. Desde entonces se han introducido diversos tipos de semiconductores de potencia y tcnicas de conversin. La revolucin de la microelectrnica dio la capacidad de procesar una gran cantidad de informacin a una velocidad increble. La revolucin de la electrnica de potencia est permitiendo controlar grandes cantidades de energa con una eficiencia cada vez mayor. Debido a la fusin de la electrnica de potencia, que es el msculo, con la microelectrnica, que es el cerebro, se ha descubierto muchas aplicaciones potenciales de la electrnica de potencia, y se descubrirn ms. La revolucin de la electrnica de potencia ha ganado inercia, desde el fin de los aos 80 y principios de los 90. La siguiente figura muestra un resumen de la evolucin histrica de la Electrnica de Potencia [2].

Figura 6 Sntesis histrica de los dispositivos semiconductores [1]

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La electrnica de potencia representa alrededor de un 15% de la totalidad del mercado electrnico y un 35% del consumo de energa elctrica en EE.UU. es procesado mediante circuitos electrnicos de potencia. La Electrnica de Potencia se desarrolla fundamentalmente a partir del nacimiento del tiristor. Se desarrollan entre los aos 1965 y 1980 gran cantidad de convertidores para el procesamiento de la potencia elctrica basados en este dispositivo. Cabe agrupar los desarrollos en este sentido en convertidores AC/DC (rectificadores controlados), convertidores DC/AC y AC/AC (inversores), y convertidores DC/DC (choppers de potencia). A partir de los aos 1980 se produce un fuerte incremento de la penetracin en el mercado de equipos de potencia debido fundamentalmente a la incorporacin por parte de estos de otros nuevos elementos de potencia como el transistor, MOSFET, IGBT, que permiten mayores frecuencias de conmutacin y consecuentemente la reduccin del tamao de los equipos. El tiristor sigue ocupando a pesar de todo un lugar preferente para las altas potencias (mayores de 500 KW). 1.4 DIFERENTES VISIONES DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA 1.4.1 VISIN ACTUAL La industria de electrnica ha jugado un importante papel en el desarrollo industrial desde la II Guerra Mundial. Los sistemas electrnicos se utilizan en un amplio abanico de aplicaciones. Desde las telecomunicaciones y el procesamiento de informacin en medicina a los sistemas de transporte, en realidad tienen el potencial de impactar en cualquier rea de la industrial mundial y de la actividad social. En las puertas del siglo veintiuno, las tecnologas asociadas con la manipulacin y conservacin de las fuentes energticas son de vital importancia, para asegurar un estndar de vida confortable. La electrnica de potencia se refiere, generalmente, a la utilizacin eficaz de la energa elctrica. La industria de electrnica de potencia ofrece una importante oportunidad de integrar las tecnologas para la conservacin de la energa con el progreso de nuestro entorno, tanto en los procesos de fabricacin como en los de aplicacin de los productos electrnicos de potencia. La variacin de la velocidad en los motores elctricos puede ser lograda sin una prdida apreciable de eficiencia mediante la utilizacin de un inversor electrnico de potencia de frecuencia variable. Esta tecnologa es emergente actualmente ante la necesidad de proporcionar potencia y control a los motores en los futuros coches elctricos. Sistemas de control de velocidad variable son la razn del ahorro energtico y deben jugar un importante papel en la manipulacin en la demanda de energa, de

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diversos sistemas industriales. La llave que posibilita dicha tecnologa es la utilizacin del transistor bipolar de puerta aislada IGBT. Aunque el control de motores es una aplicacin importante, el impacto de la electrnica de potencia puede verse en el da a da de la sociedad. Algunas de las principales aplicaciones de la electrnica de potencia son: las fuentes de alimentacin, procesos electro-qumicos, control de calor y de iluminacin, conversin foto-voltaica, aplicaciones mdicas, etc. El crecimiento de la microelectrnica en las ltimas tres dcadas ha sido un fenmeno a destacar. Hoy en da, el mercado comercial para los circuitos integrados con una muy alta escala de integracin (VLSICs) es mayor de 1000 millones de dlares, y constituye ms del 80% del total de la venta de semiconductores. Las emergentes aplicaciones en comunicacin y en procesamiento de potencia van a revolucionar los medios de transporte, las comunicaciones, el procesamiento de la informacin, el acondicionamiento de potencia y las industrias de computacin. Para restringir la disipacin de potencia, estos chips debern trabajar con tensiones de alimentacin muy reducidas, en el rango de 1 V. La electrnica de potencia, debe jugar un importante papel en la consecucin de la prxima generacin de convertidores de muy baja potencia y muy alto rendimiento que acompaaran a las tecnologas emergentes de computacin, comunicaciones y procesamiento de la potencia. Ante la expectativa creada en la actualidad, dada la necesidad de avance tecnolgico, la electrnica de potencia junto con los rpidos sistemas de control proporciona una oportunidad de crear un sistema flexible que pueda responder al amplio espectro de aplicaciones en los sistemas de potencia. Los sistemas electrnicos de potencia pueden utilizarse para regular tensin, adecuar las exigencias de potencia para controlar cargas, alimentar motores, as como para muchas ms aplicaciones actuales y futuras. Para conseguir este objetivo, se necesitan desarrollos futuros en componentes de conmutacin, circuitos y sistemas de control. En la siguiente figura se muestran las principales tecnologas emergentes y sus aplicaciones.

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Figura 7 Tecnologas y aplicaciones en donde interviene la electrnica de potencia [1]

A continuacin se exponen algunos de los criterios ms relevantes de varios autores especializados en la disciplina de la Electrnica de Potencia. Ello permitir contrastar diferentes criterios que sobre esta materia se tiene en la actualidad con objeto de identificar ms el concepto de Electrnica de Potencia.

Muhammad H. Rashid en su libro Power Electronic Circuits, Devices and

Applications (Prentice Hall 1993) considera que la Electrnica de Potencia combina potencia, electrnica y control. El Control se ocupa de las caractersticas estticas y dinmicas de los sistemas en lazo cerrado. La Potencia se encarga de los sistemas de potencia mviles y estticos para la generacin, transmisin y distribucin de la potencia elctrica. Por ltimo la Electrnica trata con los componentes de estado slido y circuitos para el tratamiento de seales con el objetivo de obtener el control necesario. Por tanto Electrnica de Potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y conversin de la potencia elctrica.

Ned Mohan, Tore M. Undeland y William P. Robbins en su libro Power

Electronics. Converters, Applications and Design (John Wiley & Sons, 1995) definen la tarea de la Electrnica de Potencia al procesamiento y control de la energa elctrica suministrando voltajes y corrientes en la manera ms ptima para ser utilizada por diferentes cargas. Con esta visin, se consigue dar cuenta de los diferentes procesos a los que puede verse sometida la energa elctrica en funcin de las exigencias de las diferentes cargas que necesiten de dicha energa para realizar un trabajo.

Joseph Vithayathil en su libro Power Electronics. Principles and

Applications, (McGraw-Hill 1995) define a la Electrnica de Potencia como la tecnologa que liga la potencia elctrica con la electrnica.

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Bimal K. Bose en la introduccin del texto Power Electronics and Variable

Frequency Drives (IEEEm Press 1996) menciona como la Electrnica de Potencia combina la conversin y el control de la potencia elctrica para diversas aplicaciones, tales como fuentes de alimentacin reguladas AC y DC, control de iluminacin y calefaccin, soldadura elctrica, procesos electroqumicos, calentamiento por induccin, control de mquinas DC y AC, etc. La evolucin en Electrnica de Potencia a travs de los aos, ha desembocado en el concepto actual de la disciplina Electrnica de Potencia como la sntesis de mltiples disciplinas tecnolgicas, tal como aparece en la siguiente figura.

Figura 8 Electrnica de Potencia como tecnologa interdisciplinar [1]

1.4.2

Visin Interdisciplinar Veamos a continuacin cual es la relacin de la Electrnica de Potencia con las principales reas que forman la Electrnica. Para ello se realizara esta visin interdisciplinar empezando por definir los distintos niveles estructurales que comprende la Electrnica. El estudio de la Electrnica pretende alcanzar, como objetivo final, los conocimientos necesarios para poder realizar e interpretar sistemas electrnicos. Estos ltimos debern realizar unas funciones especficas en un proceso determinado. Para alcanzar dicho objetivo, es decir, realizar e interpretar un sistema, la Electrnica se subdivide en niveles estructurales o bloques fundamentales que se sustentan cada uno de ellos sobre el anterior, dichos niveles se muestran en la siguiente figura.

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Figura 9 Niveles Estructurales de la Electrnica [1]

1.5 COMPONENTES BASE DE LA ELECTRNICA DE POTENCIA Desde que se desarrollo el primer tiristor de rectificador controlado de silicio (SCR), ha habido grandes adelantos en los dispositivos semiconductores de potencia. A partir de 1970, se desarrollaron varios dispositivos que quedaron disponibles en forma comercial. Estos se pueden dividir en cinco tipos principales: 1. 2. 3. 4. 5. Diodos de Potencia. Tiristores. Transistores Bipolares de Juntura de potencia (BJT). MOSFET de potencia. Transistores bipolares de compuerta aislada (IGBT) y transistores de induccin estticos (SIT).

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Los Tiristores se pueden subdividir en nueve categoras segn su construccin fsica y el comportamiento de activacin y desactivacin: a) b) c) d) e) f) g) h) i) Tiristor de control de fase (SCR). Tiristor de conmutacin rpida (SCR). Tiristor desactivado por compuerta (GTO). Tiristor de triodo bidireccional (TRIAC). Tiristor de conduccin inversa (RCT). Tiristor de induccin esttico (SITH). Rectificador controlado de silicio fotoactivo (LASCR). Tiristores controlados por FET (FET-CTH). Tiristores controlados por MOS (MCT).

Tabla 1 Especificaciones de dispositivos semiconductores de potencia [2]

Las especificaciones de los dispositivos semiconductores de potencia comercialmente disponibles aparecen en la tabla 1-1. En la tabla 1-2 se pueden apreciar las caractersticas v-i y los smbolos de los dispositivos semiconductores de potencia comnmente utilizados.

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Tabla 1 Caractersticas y smbolos de algunos dispositivos de potencia [2]

En la figura 10 y 11 se muestran las aplicaciones y los rangos de frecuencia de los dispositivos de potencia. Un sper dispositivo de potencia debera:

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Tener un voltaje activo igual a cero. Soportar un voltaje fuera de conduccin infinito. Manejar una corriente infinita. Activarse y desactivarse en un tiempo cero, lo que implica una velocidad de conmutacin infinita.

Figura 10 Aplicaciones de los dispositivos de potencia [2]

Voltaje

Corriente

Frecuencia

Figura 11 Comparativa de Dispositivos de potencia

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2.

DIODOS DE POTENCIA Los diodos semiconductores de potencia funcionan como interruptores, a fin de llevar a cabo varias funciones, como la de interruptores en los rectificadores, de marcha libre en los reguladores conmutados, inversin de carga de capacitores y transferencia de energa entre componentes, aislamiento de voltaje, retroalimentacin de la energa de la carga a la fuente de energa y recuperacin de la energa. Es el elemento semiconductor formado por una sola unin PN. La figura siguiente muestra el smbolo y la caracterstica esttica i-v de dicho componente.

Figura 12 Smbolo y caracterstica principal de los diodos [1]

Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control consiste en invertir la tensin nodo ctodo, no disponiendo de ningn terminal de control. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas. Dependiendo de las aplicaciones, existen varios tipos de diodos: Diodos Schottky: Se utilizan cuando se necesita una cada de tensin directa muy pequea (0.3 V tpicos) para circuitos con tensiones de salida pequeas. Tienen limitada su capacidad de bloquear tensin a 50 - 100 V. Diodos de Recuperacin rpida: Son adecuados en circuitos de frecuencia elevada en combinacin de conmutadores controlables, donde se necesitan tiempos de recuperacin pequeos. Para unos niveles de potencia de varios cientos de voltios y varios cientos de amperios, estos diodos poseen un trr de pocos microsegundos. Diodos de frecuencia de Lnea: La tensin en el estado de ON de estos diodos es la ms pequea posible, y como consecuencia tienen un trr grande, el cual es nicamente aceptable en aplicaciones de la frecuencia de lnea. Estos diodos son

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capaces de bloquear varios kilovoltios y conducir varios kiloamperios. Pudindose conectar en serie y/o paralelo para satisfacer cualquier rango de tensin o de corriente. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos: Recuperacin Inversa: El paso de conduccin a bloqueo no se efecta instantneamente. Pues cuando el diodo conduce una corriente directa I, la zona central de la unin est saturada de portadores mayoritarios, y aunque un circuito externo fuerce la anulacin de la corriente aplicndole una tensin inversa, cuando la corriente pasa por cero an existe una cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten la conduccin de una corriente inversa durante un tiempo de recuperacin inverso (trr), tal como se muestra en la figura 13. Los parmetros definidos en el proceso de corte dependen de la corriente directa, del dI/dt y de la tensin inversa aplicada. El tiempo de recuperacin de un diodo normal es del orden de 10 s, siendo el de los rpidos de 0.5 a 2 s. Recuperacin Directa: Es otro fenmeno de retardo de menor importancia que el anterior, cuando el diodo pasa de bloqueo a conduccin, y cuyo efecto se muestra en la figura 13. En el proceso de paso a conduccin la respuesta del diodo es inicialmente de bloqueo a la corriente. Siendo esta respuesta quien provoca una sobretensin Vfp, ocasionada por la modulacin de la conductividad del diodo durante la inyeccin de portadores minoritarios. As el diodo se asemeja a una resistencia donde su valor decrece con el tiempo. Esta resistencia equivalente est ligada a la concentracin de portadores minoritarios inyectados. Por tanto Vfp depende de la anchura y resistividad de la zona central del diodo.

Figura 13 Caracterstica de conmutacin de un diodo con carga resistiva [1]

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2.1

PRINCIPALES CARACTERSTICAS DE DIODO El diodo responde a la ecuacin:

A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos agrupar de la siguiente forma: 1. Caractersticas estticas: Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa). Parmetros en conduccin. Modelo esttico. 2. Caractersticas dinmicas: Tiempo de recuperacin inverso (trr). Influencia del trr en la conmutacin. Tiempo de recuperacin directo. 3. Potencias: Potencia mxima disipable. Potencia inversa de pico repetitivo. Potencia inversa de pico no repetitivo. 4. Caractersticas trmicas. 5. Proteccin contra sobre intensidades. 2.1.1 Caractersticas Estticas Parmetros en bloqueo Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada. Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola vez durante 10 ms cada 10 minutos o ms. Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.

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Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.

Figura 14 Principales parmetros del diodo [5]

Parmetros en conduccin

Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la

mxima intensidad de impulsos sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede ser

soportada cada 20 ms, con una duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).

Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el mximo

pico de intensidad aplicable, una vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms. cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el diodo

2.1.2

Caractersticas Dinmicas El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt,
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resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores. La figura siguiente muestra los tiempos de recuperacin.

Figura 15 Tiempo de recuperacin inverso del diodo [5]

ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la intensidad hasta llegar al pico negativo. tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de ste. trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la caracterstica de recuperacin inversa del diodo. di/dt: es el pico negativo de la intensidad. Irr: es el pico negativo de la intensidad.

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Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable: Se limita la frecuencia de funcionamiento. Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida. Factores de los que depende trr: A mayor IRRM menor trr. Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad almacenada, y por tanto mayor ser trr.

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que

transcurre entre el instante en que la tensin nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF. Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de potencia apreciables. La siguiente figura muestra este concepto:

Figura 16 Tiempo de recuperacin directa del diodo [5]

2.1.3

Disipacin de Potencia Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta potencia de trabajo.

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Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia disipada por el elemento para una intensidad conocida. Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la intensidad media). Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo en estado de bloqueo. Potencia inversa de pico no repetitiva (PRSM): Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico. 2.1.4 Caractersticas Trmicas Temperatura de la unin (Tjmx): Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro mximo. Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura. Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula: Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable. Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd): Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc.).

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3.

TIRISTORES Un tiristor es uno de los tipos ms importantes de los dispositivos semiconductores de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrnicos de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Dentro de la denominacin general de tiristores se consideran todos aquellos componentes semiconductores con dos estados estables cuyo funcionamiento se basa en la realimentacin regenerativa de una estructura PNPN. Existen varios tipos, de los cuales el ms empleado es el rectificador controlado de silicio (SRC), aplicndole el nombre genrico de tiristor. Dispone de dos terminales principales, nodo y ctodo, y uno auxiliar de disparo o puerta. En la figura 17 se muestra el smbolo y la caracterstica i-v esttica de dicho componente. La corriente principal circula del nodo al ctodo. En su estado de OFF, puede bloquear una tensin directa y no conducir corriente. As, si no hay seal aplicada a la puerta, permanecer en bloqueo independientemente del signo de la tensin Vak. El tiristor debe ser disparado a ON aplicando un pulso de corriente positiva en el terminal de puerta, durante un pequeo instante, posibilitando que pase al estado de bloqueo directo. La cada de tensin directa en el estado de ON es de pocos voltios (1-3 V).

Figura 17 Smbolo y caracterstica principal de los tiristores [1]

Una vez empieza a conducir, es fijado al estado de ON, aunque la corriente de puerta desaparezca, no pudiendo ser cortado por pulso de puerta. Solo cuando la

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corriente del nodo tiende a ser negativa, o inferior a un valor umbral, por la influencia del circuito de potencia, se cortar el tiristor. Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de puerta al aplicar un voltaje positivo entre G y K activar al tiristor. Conforme aumenta la Igate, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal como se muestra en la figura 18. En rgimen esttico, dependiendo de la tensin aplicada entre nodo y ctodo podemos distinguir tres regiones de funcionamiento: Vak < 0 zona de bloqueo inverso. Dicha condicin corresponde al estado de no conduccin en inversa, comportndose como un diodo. Vak > 0 sin disparo, zona de bloqueo directo. El tiristor se comporta como un circuito abierto hasta alcanzar la tensin de ruptura directa. Vak > 0 con disparo, zona de conduccin. Se comportar como un cortocircuito, s una vez ha ocurrido el disparo, por el SCR circula una corriente superior a la corriente de enclavamiento. Una vez en conduccin, se mantendr si el valor de la corriente nodo ctodo es superior a la corriente de mantenimiento.

Figura 18 Caracterstica i-v de un tiristor en funcin de la Corriente de puerta [1]

Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede llevar a cabo mediante una de las siguientes formas: Trmica: Si la temperatura de un tiristor es alta habr un aumento en el nmero de pares electrn-hueco, lo que aumentar las corrientes de fuga. Este tipo de activacin puede causar una fuga trmica que por lo general se evita.

Luz: Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor, aumentaran los

pares electrn-hueco pudindose activar el tiristor. La activacin de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de silicio.

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Alto Voltaje: Si el voltaje directo nodo a ctodo es mayor que el voltaje de

ruptura directo VBO, fluir una corriente de fuga suficiente para iniciar una activacin regenerativa. Este tipo de activacin puede resultar destructiva por lo que se debe evitar.

dv/dt: Si la velocidad de elevacin del voltaje nodo-ctodo es alta, la corriente

de carga de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede daar el tiristor por lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican el dv/dt mximo permisible de los tiristores.

Corriente de Compuerta: Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin

de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del ctodo activar al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo, tal y como aparece en la figura 18. En rgimen transitorio cabe destacar dos fenmenos: Transitorio a conduccin: La evolucin temporal de las seales se muestra en la figura 19, donde se observa que desde el momento en que se aplica el impulso de puerta hasta que la intensidad del nodo empieza a subir, transcurre un tiempo denominado de retardo a la excitacin (td(on)). Despus la intensidad sube hasta su valor final en un tiempo tr. Durante el td(on), el tiristor permanece en el estado de bloqueo. Sin embargo la corriente de puerta est inyectando portadores mayoritarios en la unin p cercana al terminal de puerta hasta que aumenta la concentracin, momento en que empieza a fluir la corriente de nodo. Llegando a la corriente Io despus del intervalo tr.

Figura 19 Curvas caractersticas del proceso de puesta a conduccin [1]

Transitorio a corte: Si el circuito externo fuerza una reduccin muy brusca de la intensidad del nodo e intenta la conduccin en sentido inverso, los portadores de las uniones no pueden reajustarse, por tanto hay un tiempo de retraso por almacenamiento donde se comporta como un cortocircuito conduciendo en

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sentido contrario al estar polarizado positivamente, produciendo un pico de corriente Irrm, tal como se muestra en la figura 20. Las restantes cargas se recombinan por difusin. Cuando ha disminuido la concentracin, la puerta recupera su capacidad de gobierno, pudiendo aplicar tensin directa sin riesgo de cebado. A este tiempo se le denomina tiempo de recuperacin de puerta tgr. La duracin del proceso de corte es Toff = tq = trr + tgr, y suele ser del orden de 5 s para los tiristores rpidos y 50 s para los de red.

Figura 20 Curvas caractersticas del proceso de corte del tiristor [1]

De esta forma tq es el menor tiempo que debe transcurrir entre que se invierte la intensidad por el nodo y el instante en que aplicamos tensin nodo-ctodo positiva sin que entre en conduccin. El tiempo tq depende de varios factores: Aumenta con la Temperatura. Disminuye con la tensin inversa aplicada. Aumenta con la intensidad directa del estado de conduccin.

Dependiendo de la aplicacin, existen diversos tipos. Adems de parmetros de tensin y capacidad de corriente, el tiempo de turn-off (tq), la cada directa de tensin, el di/dt en el turn-on y el dv/dt en el turn-off son caractersticas determinantes ante la eleccin de uno u otro tipo.

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3.1

TIRISTORES DE CONTROL DE FASE O DE CONMUTACIN RPIDA (SCR) El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll General Electric en 1958 y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura 21 se muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR. Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un diodo directo-oblicuo comn. Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un mximo de 3,000 A. Un SCR. 1. Se activa cuando el voltaje VD que lo alimenta excede VBO. 2. Tiene un voltaje de ruptura VBO, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente IG, presente en el SCR. 3. Se desactiva cuando la corriente ID que fluye por l cae por debajo de IH. 4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo inverso.

3.2

TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO) Funcionamiento muy similar al SCR pero incorporando la capacidad de bloquearse de forma controlada mediante una seal de corriente negativa por puerta. Mayor rapidez frente a los SCR, soportando tensiones y corrientes cercanas a las soportadas por los SCRs. Su principal

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inconveniente es su baja ganancia de corriente durante el apagado, lo cual obliga a manejar corrientes elevadas en la puerta, complicando el circuito de disparo.

Figura 21 Smbolo y caractersticas i-v de los tiristores controlados a corte [1]

La tpica forma de onda de la corriente de compuerta de un tiristor GTO de alta potencia se muestra a continuacin. Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn. Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30 s de duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la corriente que pasa por el aparato. 3.3 TIRISTOR DE TRIODO BIDIRECCIONAL (TRIAC) Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC (triode AC conductor) se ilustra en la figura siguiente y su caracterstica corriente-voltaje en la figura contigua. El voltaje de ruptura en un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente cae por debajo de IH.

Figura 22 Estructura y smbolo del TRIAC

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Tiene unas fugas en bloqueo y una cada de tensin en conduccin prcticamente igual a las de un tiristor y el hecho de que entre en conduccin, si se supera la tensin de ruptura en cualquier sentido, lo hace inmune a destruccin por sobretensin. Se puede considerar a un TRIAC como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo, con una conexin de compuerta comn, como se muestra en la figura siguiente Dado que el TRIAC es un dispositivo bidireccional, no es posible identificar sus terminales como nodo y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, se activar al aplicar una seal negativa a la compuerta, entre la compuerta y la terminal MT1.

Figura 23 Circuito equivalente de un TRIAC [2]

No es necesario que estn presentes ambas polaridades en las seales de la compuerta y un TRIAC puede ser activado con una sola seal positiva o negativa de compuerta. En la prctica, la sensibilidad vara de un cuadrante a otro, el TRIAC normalmente se opera en el cuadrante I (voltaje y corriente de compuerta positivos) o en el cuadrante III (voltaje y corriente de compuerta negativos). 3.4 TIRISTOR DE CONDUCCIN INVERSA (RCT) En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR, con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1 2 V por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30 V debido al voltaje inducido en la inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

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Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la figura siguiente.

Figura 24 Tiristor de conduccin Inversa [2]

Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo directo vara de 400 a 2000 V y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo inverso es tpicamente 30 a 40 V. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos. 3.5 TIRISTOR DE INDUCCIN ESTTICO (SITH) Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de voltaje y corriente ms altas. Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas. 3.6 RECTIFICADOR CONTROLADO DE SILICIO FOTOACTIVO (LASCR) Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocado con luz. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas

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prcticas (por ejemplo, LED y para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente (por ejemplo, transmisin de C.D. de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos (VAR)). Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 KV a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100 mW. El di/dt tpico es 250 A/s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000 V/s. 3.7 TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH) Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3 V, se genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.

Figura 25 Tiristor controlado por FET [2]

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia. 3.8 TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT) El MCT tiene muchas de las propiedades del GTO, incluyendo su baja cada de tensin en su estado de ON para corrientes relativamente grandes, junto a su caracterstica de latch (el MCT permanece a ON incluso si la seal de puerta desaparece). El MCT es un dispositivo controlado por tensin, y dispone de dos ventajas principales respecto al GTO: Circuito de disparo ms simple al no necesitar corrientes negativas grandes para el turn-off y mayor velocidad en las conmutaciones. Adems dispone de una cada de tensin en ON menor que el IGBT.

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Figura 26 Smbolo y caracterstica v-i de los transistores MCT [1]

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura 26 (b) y el smbolo correspondiente en la (c). La estructura NPNP se puede representar por un transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.

Figura 27 Diagrama esquemtico de circuito equivalente correspondiente a los MCT [2]

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere, de un pulso continuo de compuerta
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sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de evitar ambigedad en el estado. Un MCT tiene: 1. Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin 2. Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4 s, y un tiempo de desactivado rpido, tpicamente 1.25 s, para un MCT de 300 A, 500 V. 3. Bajas perdidas de conmutacin. 4. Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso. 5. Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua a fin de evitar ambigedad de estado. 3.9 CIRCUITOS DE DISPARO DEL TIRISTOR 3.9.1 TRANSISTOR MONOUNIN El transistor monounin (UJT) se utiliza generalmente para generar seales de disparo en los SCR. En la figura 3-12 se muestra un circuito bsico de disparo UJT. Un UJT tiene tres terminales, conocidas como emisor E, base1 B1 y base2 B2. Entre B1 y B2 la monounin tiene las caractersticas de una resistencia ordinaria (la resistencia entre bases RBB teniendo valores en el rango de 4.7 y 9.1 K). Cuando se aplica el voltaje de alimentacin Vs en cd, se carga el capacitor C a travs de la resistencia R, dado que el circuito emisor del UJT est en estado abierto. La constante de tiempo del circuito de carga es T1=RC. Cuando el voltaje del emisor VE, el mismo que el voltaje del capacitor llega a un valor pico Vp, se activa el UJT y el capacitor se descarga a travs de R B1 a una velocidad determinada por la constante de tiempo T2=RB1C. T2 es mucho menor que T1. Cuando el voltaje del emisor VE se reduce al punto del valle Vv, el emisor deja de conducir, se desactiva el UJT y se repite el ciclo de carga. El voltaje de disparo VB1 debe disearse lo suficientemente grande como para activar el SCR. El periodo de oscilacin, T, es totalmente independiente del voltaje de alimentacin Vs y est dado por: T = 1/f = RC ln 1/1-

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Figura 28 Circuito bsico de disparo de un UJT [2]

3.9.2

Transistor Monounin Programable El transistor monounin programable (PUT) es un pequeo tiristor que aparece en la figura 28. Un PUT se puede utilizar como un oscilador de relajacin, tal y como se muestra en la figura 29. El voltaje de compuerta VG se mantiene desde la alimentacin mediante el divisor resistivo del voltaje R1 y R2, y determina el voltaje de punto de pico Vp. En el caso del UJT, Vp est fijo para un dispositivo por el voltaje de alimentacin de cd, pero en un PUT puede variar al modificar al modificar el valor del divisor resistivo R1 y R2. Si el voltaje del nodo VA es menor que el voltaje de compuerta VG, le dispositivo se conservar en su estado inactivo, pero si el voltaje de nodo excede al de compuerta en una cada de voltaje de diodo VD, se alcanzar el punto de pico y el dispositivo se activar. La corriente de pico Ip y la corriente del punto de valle Iv dependen de la impedancia equivalente en la compuerta RG = R1R2/ (R1+R2) y del voltaje de alimentacin en cd Vs. En general Rk est limitado a un valor por debajo de 100 Ohms. R y C controlan la frecuencia junto con R1 y R2. El periodo de oscilacin T est dado en forma aproximada por: T = 1/f = RC lnVs/Vs-Vp = RC ln (1+R2/R1)

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Figura 29 Circuito de Disparo para un PUT [2]

4.

TRANSISTORES El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. Existen tres tipos de transistores de potencia:

Bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT.

Parmetros Impedancia de entrada Ganancia en corriente Resistencia ON (saturacin) Resistencia OFF (corte) Voltaje aplicable MOS Bipolar

Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios) Alta (107) Media / alta Alta Alto (1000 V) Media (10-100) Baja Alta Alto (1200 V) Media (150C)

Mxima temperatura de operacin Alta (200C) Frecuencia de trabajo Coste

Alta (100-500 KHz) Baja (10-80 KHz) Alto Medio

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El IGBT ofrece a los usuarios las ventajas de entrada MOS, ms la capacidad de carga en corriente de los transistores bipolares:

Trabaja con tensin. Tiempos de conmutacin bajos. Disipacin mucho mayor (como los bipolares).

Nos interesa que el transistor se parezca, lo ms posible, a un elemento ideal:

Pequeas fugas. Alta potencia. Bajos tiempos de respuesta (ton, toff), para conseguir una alta frecuencia de funcionamiento. Alta concentracin de intensidad por unidad de superficie del semiconductor. Que el efecto avalancha se produzca a un valor elevado (VCE mxima elevada). Que no se produzcan puntos calientes (grandes di/dt).

Una limitacin importante de todos los dispositivos de potencia y concretamente de los transistores bipolares, es que el paso de bloqueo a conduccin y viceversa no se hace instantneamente, sino que siempre hay un retardo (ton, toff). Las causas fundamentales de estos retardos son las capacidades asociadas a las uniones colector - base y base - emisor y los tiempos de difusin y recombinacin de los portadores. La diferencia entre un transistor bipolar y un transistor unipolar o FET es el modo de actuacin sobre el terminal de control. En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, mientras que en el FET el control se hace mediante la aplicacin de una tensin entre puerta y fuente. Esta diferencia viene determinada por la estructura interna de ambos dispositivos, que son substancialmente distintas. Es una caracterstica comn, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control (base o puerta) es siempre ms pequea que la potencia manejada en los otros dos terminales. En resumen, destacamos tres cosas fundamentales: 4.1 En un transistor bipolar IB controla la magnitud de IC. En un FET, la tensin VGS controla la corriente ID. En ambos casos, con una potencia pequea puede controlarse otra bastante mayor. TRANSISTORES DE UNIN BIPOLAR (BJT) La figura 30 muestra el smbolo y caracterstica esttica de un transistor bipolar NPN. Tal como se muestra en su caracterstica i-v, una corriente de base suficientemente grande IB >IC/hfe (dep. de la I colector) llevar al

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componente a la plena conduccin. En el estado de conduccin la tensin Vce (sat) est normalmente entre 1-2 V.

Figura 30 Smbolo y caracterstica v-i de los BJT [1]

En un transistor bipolar existen tres regiones de operacin: de corte, activa y de saturacin. En la regin de corte el transistor est desactivado o la corriente de base no es suficiente para activarlo teniendo ambas uniones polarizacin inversa. En la regin activa, el transistor acta como un amplificador, donde la corriente del colector queda amplificada mediante la ganancia y el voltaje Vce disminuye con la corriente de base: la unin CB tiene polarizacin inversa y la BE directa. En la regin de saturacin el transistor acta como interruptor teniendo una corriente de base lo suficientemente grande para disminuir la Vce: ambas uniones estn polarizadas directamente. La caracterstica de transferencia se muestra en la siguiente figura:

Figura 31 Caractersticas de transferencia de un transistor bipolar [1]

Manejan menores voltajes y corrientes que el SCR, pero son ms rpidos. Fciles de controlar por el terminal de base, aunque el circuito de control consume ms energa que el de los SCR. Su principal ventaja es la baja cada de tensin en saturacin. Como inconvenientes destacaremos su poca ganancia con v/i grandes, el tiempo de almacenamiento y el fenmeno de avalancha secundaria.

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4.2

TRANSISTORES SEMICONDUCTORES DE METAL DE OXIDO DE EFECTO DE CAMPO (MOSFET) El control del MOSFET se realiza por tensin, teniendo que soportar solamente un pico de corriente para cargar y descargar la capacidad de puerta. Como ventajas destacan su alta impedancia de entrada, velocidad de conmutacin, ausencia de ruptura secundaria, buena estabilidad trmica y facilidad de paralelizarlos. En la siguiente figura se muestra el smbolo, caracterstica esttica v-i y caracterstica ideal de un MOSFET de canal N.

Figura 32 Smbolo y caractersticas v-i de los transistores MOSFET [1]

4.3

TRANSISTORES DE INDUCCIN ESTTICA (SIT) Un SIT es un dispositivo de ata potencia y alta frecuencia. Es una versin en estado slido de un tubo de trodo al vaco. Su seccin transversal y su smbolo aparecen en la figura 33. Se trata de un dispositivo de estructura vertical con multicanales cortos. Por ello, no est sujeto a limitaciones de rea siendo adecuado para operaciones de alta potencia y en alta velocidad. Los electrodos de la compuerta estn enterrados dentro de las capas n-epsi del drenaje y de la fuente Un SIT es idntico a un JFET, excepto por la construccin vertical y la compuerta enterrada, lo que origina una resistencia mas baja de canal, y, por lo tanto, una cada ms pequea. Un SIT tiene una longitud corta de canal, una baja resistencia en serie de compuerta, una baja capacitancia compuerta-fuente y una resistencia trmica pequea. Tiene bajo ruido, baja distorsin y alta capacidad de potencia en audio frecuencia. Los tiempos de activacin y desactivacin son pequeos, tpicamente 0.25 s.

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Figura 33 Seccin transversal y smbolo del SIT [2]

La cada en estado activo es alta, tpicamente de 90 V para un dispositivo de 180 A, y de 18 V para uno de 18 A. Un SIT es un dispositivo normalmente activo, desactivado por un voltaje negativo en la compuerta. La caracterstica de normalmente activo y la alta cada en ese estado limita sus aplicaciones en conversin de potencia en general. La especificacin de corriente de un SIT puede llagar hasta 300 A, 1200 V, siendo la velocidad de conmutacin tan alta como 100 kHz. Es muy adecuado para aplicaciones de alta potencia y alta frecuencia (por ejemplo amplificadores de audio, de UHF y de microondas). 4.4 TRANSISTORES BIPOLARES DE COMPUERTA AISLADA (IGBT) En la siguiente figura se muestra el smbolo y al caracterstica v-i de funcionamiento de un IGBT:

Figura 34 Smbolo y caracterstica v-i de los transistores IGBT [1]

El IGBT combina las ventajas de los MOSFETs y de los BJTs, aprovechando la facilidad del disparo del MOSFET al controlarlo por tensin y el tipo de

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conduccin del bipolar, con capacidad de conducir elevadas corrientes con poca cada de tensin. El IGBT tiene una alta impedancia de entrada, como el MOSFET, y bajas prdidas de conduccin en estado activo como el Bipolar. Pero no presenta ningn problema de ruptura secundaria como los BJT. El IGBT es inherentemente ms rpido que el BJT. Sin embargo, la velocidad de conmutacin del IGBT es inferior a la de los MOSFETs. A continuacin se presenta una grfica, donde se compara la cada directa de tensin respecto a la corriente entre un MOSFET y un IGBT de similares caractersticas:

Figura 35 Comparacin de la cada de tensin directa de un MOSFET y un IGBT [1]

Se destaca que los componentes de la tabla anterior son de niveles de V/I comparables, sin embargo el transistor Bipolar necesita 1.2 veces ms rea de Silicio que el IGBT, y el MOSFET necesita 2.2 veces ms rea de Si que el IGBT para conseguir los mismos niveles de V/I, lo cual incide en el coste del semiconductor. Para corrientes elevadas y temperaturas altas, el IGBT ofrece una baja cada de tensin directa con unos tiempos de conmutacin similares al Bipolar sin complicaciones en el circuito de disparo.

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5.

REFERENCIAS

[1] Universidad de Valencia, Ingeniera Tcnica de Telecomunicaciones (Sistemas Electrnicos). Introduccin a la Electrnica de Potencia. Cdigo: 13111. [2] Rashid, M. Electrnica de Potencia, circuitos, Dispositivos y Aplicaciones, Cap. 1, Prentice Hall Inc, 1993. ISBN 0-13-678996. [3] Boylestad, R., Nashelsky, L. Electrnica: Teora de Circuitos, Prentice Hall Hispanoamericana, S.A. ISBN 968-880-805-9. [4] Savant, C.J., Roden, M., Carpenter, G. Diseo Electrnico: Circuitos y Sistemas, Addison Wesley Iberoamericana. ISBN 968-444-222-X. [5] http://voltio.ujaen.es/te/enlinea/esp/index.htm. Elementos Bsicos en Electrnica de Potencia, Departamento de Electrnica de la Universidad de Jan. [6] Ruiz Robredo, G. Electrnica Bsica para Ingenieros. ISBN 84-607-1933, depsito legal: SA-138-2001.

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