Estudio y caracterizacin de clulas solares fotovoltaicas

Esta prctica consta de tres partes: en la primera analizaremos varias clulas fotovoltaicas (monocristalina y policristalina), obteniendo su curva I-V tanto en oscuridad como en iluminacin. En la segunda trabajaremos con un panel fotovoltaico comercial, del que obtendremos sus parmetros de trabajo. En la tercera analizaremos la eficiencia cuntica de una clula. Objetivos

Estudio y caracterizacin de clulas fotovoltaicas mediante un modelo elctrico terico que contrastaremos con los resultados obtenidos experimentalmente.

Comparacin entre los diferentes tipos de clulas y las diferentes temperaturas a las que se trabaja. Anlisis de un panel fotovoltaico comercial. Medida de la eficiencia cuntica de una clula de silicio monocristalina.

Equipo y material a utilizar

Clulas solares de Si de varios tipos: Clula monocristalina., clula policristalina. Fuente de alimentacin regulable Resistencias variables de distintos valores (10, 50, 100, 500). Ampermetro. Voltmetro. Fuente de luz halgena de 150W. Panel solar comercial. Cables de conexin. Monocromador. Lmpara de tungsteno.

Conocimientos previos necesarios El actual consumo energtico mundial y el deterioro medioambiental hacen necesaria la bsqueda de energas alternativas inagotables y limpias. La energa solar fotovoltaica es una fuente de energa limpia e inagotable. Los resultados del estudio de las caractersticas de paneles solares nos permitirn plantear una mejora encaminada a la obtencin de un mayor rendimiento energtico. Para abordar el estudio de la prctica se debern tener los siguientes conocimientos: Conceptos:

Semiconductor Bandas de energa (conduccin y valencia) Gap de energa Dopaje Silicio tipo P, silicio tipo N Efecto fotoelctrico Comportamiento elctrico de una unin P-N. Movilidad de electrones y huecos Regin de carga espacial Procesos de recombinacin

Una clula solar es un sistema semiconductor que absorbe luz (energa solar) y la convierte de forma directa en energa elctrica. Esta generacin de energa, de manera general, parte del efecto fotoelctrico sobre el gap de energa de un semiconductor. En todo slido cristalino existen dos bandas de energas llamadas banda de conduccin y banda de valencia, debido a los electrones compartidos de los tomos de la red. Estas pueden estar solapadas en el caso de los conductores, muy separadas en el caso de los aislantes o con una pequea separacin como es el caso de los semiconductores. La separacin entre ambas es conocida como gap de energa.

En las clulas solares ms habituales se aprovecha este pequeo gap de energa de los semiconductores para excitar electrones mediante efecto fotoelctrico desde la banda de valencia a la de conduccin. Este efecto es necesario hacerlo en un lugar donde pueda producirse adems la separacin de las cargas fotogeneradas. El lugar habitual ser la unin p-n de un cristal. Cuando un cristal de tipo p (con exceso de carga positiva o huecos) y otro de tipo n (exceso de carga negativa) se unen, se genera una regin llamada de carga espacial en la cual aparece un campo elctrico producido por la reordenacin de las cargas. En definitiva, cuando un fotn incide sobre la regin de carga espacial de la unin p-n de un cristal se produce por efecto elctrico un par electrn-hueco que son separados por el campo elctrico existente en dicha regin a ambos lados de la unin. Si unos conductores elctricos a travs de una resistencia conectan ambos lados de la unin, se producir una corriente elctrica debido a la tendencia de la recombinacin del par e-h. En la resistencia usada obtenemos la energa generada en este proceso.

Un modelo elctrico terico que represente este dispositivo, sera el mostrado por la figura adjunta. En l, la unin P-N se representa por un diodo, cuyo comportamiento elctrico es conocido, y por una fuente de corriente dispuesta en paralelo que representa la corriente fotogenerada.

Aplicando las leyes de kirchoff al circuito obtenemos la expresin que nos describe su funcionamiento:

I IL ID

I I L I O (e

qV AkT

1)

Este modelo bsico, resulta insuficientemente para representar la clula. En ella existen unas corrientes de fuga de comportamiento lineal, que atraviesan la unin. Adems, existe una cada de potencial proporcional a la intensidad que circula debida a la resistencia de los contactos y cables de conexin. Es por ello que debe mejorarse el modelo anterior aadindole una resistencia en paralelo que denominaremos Rserie para representar esas corrientes de fuga. En serie con todo el circuito tambin dispondremos de una resistencia que denominaremos Rshe que representara la resistencia de los contactos. Con todo esto el modelo queda como puede verse en la figura.

En este caso, la aplicacin de las leyes de Kirchoff nos lleva a las expresiones siguientes:

I I L I D I Sh

I I L I O (e

q (V IRS ) AkT

1)

V IRS RSh

Descripcin de la prctica

La prctica se compone esencialmente de tres partes. El estudio y caracterizacin de clulas solares, el estudio de una instalacin de aprovechamiento fotovoltaico y la medida de la eficiencia cuntica. Para la caracterizacin, se tomaran medidas de intensidad frente a voltaje para cada clula en dos situaciones distintas, en oscuridad y bajo iluminacin... Estas medidas se repetirn a diversas temperaturas (por ejemplo 25C, 40C, 55C) con el fin de ver la variacin de lo parmetros caractersticos con la misma. Estas series de datos de I-V (unas 6 por clula) sern sometidos a anlisis matemtico mediante algn programa informtico (por ejemplo origin) de manera que se ajusten las curvas tericas a las experimentales. De dicho ajuste obtendremos el valor correspondiente de cada parmetro de caracterizacin

Estudio y caracterizacin de clulas Toma de medidas en oscuridad El trabajo en oscuridad tiene como objeto calcular los parmetros, Io, A, RS, RSH, que definen las caractersticas de una clula, segn el modelo terico. Para tomar las medidas montamos el siguiente circuito:

La resistencia variable es utilizada en este primer caso como divisor de tensin. Los valores de voltaje recomendados para cada clula estn comprendidos aproximadamente entre -0,5V y 0,6V por clula. De la representacin grfica de I frente a V, se obtiene una curva que debe corresponderse con el comportamiento elctrico del modelo terico descrito por la ecuacin anteriormente vista. De la aproximacin de estos puntos obtendremos los parmetros de la clula.

Para simplificar la obtencin de los parmetros, en la regin de la grfica obtenida para voltajes bajos (aprox. de -0,5V hasta -0,3V) puede considerarse despreciable la parte exponencial que describe el comportamiento del diodo. Igualmente puede considerarse despreciable el trmino IRS/RSH, quedando finalmente la siguiente ecuacin:

I IO

1 V RSH

Esta ecuacin tiene la forma de una recta, y de la aproximacin por mnimos cuadrados de los puntos tomados, pueden obtenerse los valores de Io (corte con el eje Y) y RSH (inversa de la pendiente de la recta).

Una vez calculados estos valores y tomando ya todos los puntos de la grfica, resultar mas sencillo hallar A y RS utilizando para ello un ajuste no lineal de la ecuacin completa.

Toma de medidas bajo iluminacin El trabajo en iluminacin permitir valorar el funcionamiento de la clula bajo estas condiciones, una vez ya conocidos los parmetros caractersticos calculados en oscuridad, y teniendo IL como nica variable. Para ello, se realiza el montaje de la figura y se ilumina la clula con la lmpara halgena suministrada a la vez que se toman medidas de intensidad frente a voltaje variando la resistencia variable. Para evitar el calentamiento de la clula debido a la lmpara, esta se conectara brevemente durante la recogida de cada pareja de datos, dejando que repose entre medida y medida

En esta ocasin, la resistencia variable es utilizada como resistencia de carga. Debe elegirse de forma adecuada dicha resistencia con cada clula para que nos abarque de manara mas o menos uniforme el rango de medida. La curva obtenida en iluminacin deber coincidir con la obtenida en oscuridad, pero desplazada verticalmente hacia abajo una cierta cantidad que ser IL. Del ajuste de esta nueva curva, se podrn obtener los parmetros de trabajo propios de cada clula: ISC: corriente de cortocircuito. VOC: voltaje a circuito abierto. IMX: intensidad a mxima potencia. VMX: voltaje a mxima potencia. PMX: potencia mxima extrable. FF: factor de forma.

Tambin se podr estudiar la diferencia de los rendimientos luminosos entre las clulas, al haber sido iluminadas todas con la misma fuente, comparando la potencia producida por unidad de superficie en cada una de ellas. Panel fotovoltaico comercial En este apartado se realizar un estudio prctico de obtencin de energa. Para ello utilizaremos el panel bajo iluminacin solar. Con un resistmetro y dos multmetros obtendremos la curva I-V del panel, y con esto sus parmetros de trabajo Anlisis de la respuesta espectral

Uno de los objetivos ms relevantes en el campo de la energa fotovoltaica es encontrar los materiales con los cuales se pueda obtener el mayor rendimiento de la energa proveniente del sol. Para ello vamos a estudiar la respuesta que obtengo para las diferentes longitudes de onda que llegan de una fuente lumnica. Vamos a utilizar una lmpara de tungsteno y un monocromador. Disponemos de una clula de silicio cuya respuesta viene dada por el fabricante. Colocamos la clula fotovoltaica a la salida del monocromador. Queremos calcular el nmero de fotones incidentes. Para ello necesitamos la potencia por unidad de rea.

La potencia obtenida a la salida del monocromador la podemos relacionar con el nmero de fotones incidentes, nf:

Teniendo en cuenta que la eficiencia cuntica es el nmero de electrones que circulan por el circuito dividido por el n de fotones incidentes:

donde

Estudio previo Qu diferencia hay entre una clula monocristalina, una policristalina y una amorfa? Cmo se consigue una clula solar? Qu es el gap de energa? Por qu se escoge el silicio para la fabricacin de clulas fotovoltaicas? Qu es el rendimiento de una clula? Qu tipo de clula es la que mejor rendimiento ofrece? Por qu? Qu es la regin de carga espacial? Qu es la eficiencia cuntica?

Informe El informe de esta prctica debe constar de: Representacin de la curva I-V en oscuridad de las clulas monocristalina y policristalina para 3 temperaturas diferentes. Ajuste con origin de la curva experimental para obtener los parmetros Io, A, RS, RSH Representacin de la curvas I-V y P-V en iluminacin de las clulas monocristalina y policristalina a 3 temperaturas diferentes. Ajuste con origin de las curvas experimentales para obtener los parmetros Isc, Voc, Imax, Vmax, FF. Curvas I-V y P-V del panel fotovoltaico comercial. Obtencin de los parmetros de trabajo del panel. Representacin del n de electrones por fotn para cada . Representacin de la potencia espectral del conjunto lmparamonocromador. Representacin del n fotones incidentes para cada . Representacin de Jcc , n electrones y eficiencia cuntica para cada .

Bibliografa

Magster Marcela P. Barrera, Simulacin y caracterizacin de celdas solares multijuntura y de silicio cristalino para aplicaciones espaciales, Repblica Argentina, 2009

Jenny Nelson, The Physics of Solar Cells, Imperial College Press, 2006. Charles E. Bacus, Solar Cells, IEEE Press, 1976.