Transistor NPN BC 548 encapsulado TO-92

Rodrigo Ernesto Ulloa Gaete Estudiante Ingeniera Civil Elctrica. Universidad de Concepcin. rodrigoulloa@udec.cl
Abstract- En el presente escrito se presenta, desarrolla y soluciona, con el respaldo terico correspondiente, problemas con respecto al anlisis de Data Sheet para un Transistor NPN BC 548 encapsulado TO-92. Se definen cada una de sus caractersticas y se finaliza con la solucin de los problemas planteados, detallando paso a paso su construccin, y comprobando con un simulador computacional.

INTRODUCCIN Los transistores son dispositivos electrnicos semiconductores utilizados principalmente como amplificadores y como conmutadores. Estos se dividen en dos tipos: los BJT (Bipolar Junction Transistor) y los FET (Field Effect Transistor), que se diferencian en sus estructuras y los principios fsicos que controlan la relacin voltaje y corriente. Los BJT, figura 1, tienen terminales denominados emisor, colector y base, y se componen de tres materiales semiconductores alternados: dos tipo p y uno tipo n (pnp) o dos tipo n y uno tipo p (npn). El transistor BJT opera como un amplificador de corriente controlado por la corriente de base, con ganancia . El BJT tiene tres regiones de operacin que se clasifican segn su aplicacin. Los estados de saturacin y corte permiten utilizar el BJT como un conmutador en aplicaciones de electrnica de potencia o como interruptor de potencia en fuentes de poder conmutadas de baja frecuencia. La descripcin de estas regiones es la siguiente: Regin de Corte: Es cuando IB = 0, por lo tanto Ic = IE = 0. En este caso el voltaje VCE es igual al voltaje de alimentacin VCC. Regin de Saturacin: Es cuando IB es lo suficientemente grande como para provocar que VCE tienda a cero. En este caso IC es mxima. El otro estado permite utilizar el BJT como un amplificador y es el siguiente: Regin Activa: En esta zona el transistor opera como amplificador de seales alternas, verificndose la relacin de ganancia de corriente. Para transistores tipo BJT la amplificacin de seal es lineal, lo que quiere decir que existe una relacin directa entre salida y entrada. Esta relacin es la ganancia del transistor, que es un valor que vara dependiendo del modelo de transistor a ocupar. Por otra parte, los transistores FET, figura 2, tienen terminales denominados Gate (Compuerta), Drain (Drenaje) y Source (Fuente) y se puede componer de dos formas: una parte de un semiconductor tipo n y dos regiones con impurezas tipo p unidas (JFET canal n) o un canal de material

tipo p y las regiones con impurezas son de tipo n (JFET canal p). El JFET opera como un amplificador de corriente controlado por voltaje aplicado entre compuerta y fuente. Los JFET tienen 3 regiones de operacin, las cuales se resumen a continuacin. Regin de Ruptura: Cuando el voltaje entre Drain y Source (VDS) crece ms all del estrangulamiento, se llega a un punto donde VDS se vuelve tan grande que ocurre la ruptura de avalancha del transistor, que destruye el dispositivo por el incremento abrupto de la corriente ID Regin de Saturacin o Activa: La regin entre el voltaje de estrangulamiento y la ruptura de avalancha se denomina regin activa. Esta regin es til para aplicaciones de amplificacin lineal de seales. En esta regin ID se satura y su valor depende de VGS. Para transistores tipo FET la amplificacin de seal es no lineal y se ve claramente al graficar la ecuacin de Shockley, que caracteriza a los FET, en especial al JFET, aunque tambin al MOSFET tipo decremental. [1]

Fig.1. Representacin Transistor NPN.

Fig.2. Representacin Transistor FET.

OBJETIVOS Los objetivos perseguidos en este trabajo son el diseo de redes de polarizacin que permitan operar transistores en modo activo, en especial, un BJT, para ser utilizado como amplificador. Y adems, obtener los parmetros reales de operacin de stos de modo matemtico, a travs de la obtencin de las caractersticas del Data Sheet del Transistor para finalmente comprobar dichos resultados con software de apoyo.

DESARROLLO

Tabla 2 Parmetros de diseo.

A. ANLISIS DEL DATA SHEET DE UN TRANSISTOR. La primera actividad consiste en el anlisis de un Data Sheet, para un Transistor NPN BC 548 encapsulado TO 92, del cual se determinan las condiciones para una temperatura de 25C, a menos que se indique lo contrario. Luego se resumen en la siguiente tabla los valores ms caractersticos.

Parmetros IC q VCE q

Valor Punto Q 2 .00 5.00

Unidad mA V

Alimentacin y Carga VCC 12.0 0.55 0.20 110 V V V VBE min VCE (sat) DC min

Tabla 1 Parmetros Transistor NPN BC 548 encapsulado TO 92.

Parmetros VCE VCE(sat)

VCB VBE VBE(sat) IC

Valor VMX : 30.0 V(BR)CEO : 30.0 Para: (*) Ic : 10mA, IB: 0.5mA : 0.09 Ic : 100mA, IB: 5.0mA : 0.2 Ic : 10mA, IB: ** : 0.3 VMX.: 30.0 V(BR)CBO : 30.0 VMX.: 6.0 V(BR)EBO : 6.0 VBEsat min : 0.55 VBEsat max : 0.70 IC.: 100.0 ICES max. : 15.0 ICES typ. : 0.2 VMX.: 625 5 VMX: 1.5 0.012 DCmin : 110 DCmax : 800 AC min : 125 ACmax : 900

Unidad VDC V V V V VDC V VDC V V V mADC nA nA mW/C W/C

Y se comprueba adems que se trata de circuitos que estarn dentro de los lmites de operacin al determinar el nivel mximo de disipacin: = = 10

1.

CONFIGURACIN EMISOR COMN, CON POLARIZACIN FIJA.

A continuacin, se proceden a determinar los valores de las resistencias para posteriormente de determinar la Recta de Carga del circuito de polarizacin fija, junto a su punto de operacin ideal. 1 Paso. Se analiza el circuito de polarizacin fija, mostrado en la figura 3.

PD DC AC

* Corresponde a los valores tpicos del VCE (SAT) ** IB es evaluada para IC=11mA y Vce = 1.0v.

Para el clculo de los valores que determinan la red de polarizacin se necesita el del transistor. Al buscar el dicho valor se obtienen valores dentro de un amplio rango dado por el Data Sheet. Sin embargo se podra prestar atencin a las curvas presentes en estos ltimos, donde es posible estimar los , el cual sera utilizado en el desarrollo del trabajo. Por supuesto que se espera un comportamiento del transistor fiel a sus curvas caractersticas y a los datos tabulados que, aunque son estticos, entregan los rangos de valores vlidos.[3] En el siguiente desarrollo, slo se toman en cuenta valores obtenidos y resumidos en la Tabla 1.

Fig. 3. Configuracin Emisor Comn, con polarizacin fija.

En el cual, se plantean dos LVK y la relacin correspondiente a la ganancia de corriente, para modelar completamente el circuito. 1. = 0

B. DISEO AMPLIFICADOR. Para el desarrollo de las configuraciones dadas, se consideraron los parmetros, mostrados en la siguiente tabla.

2. = 0 3. =

2 Paso. Se desarrollan las ecuaciones planteadas y se obtiene: Rc = Vcc VCEq ICq 12v 5v = 3.50 k 2.0 mA 2.0 mA = 18.18 A 110 Vcc VBEmin IB

RC = IB =

condicin de excursin mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que asegurar el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las diferentes restricciones de diseo [3]. 2.
CONFIGURACIN EMISOR COMN, CON ESTABILIZACIN DEL EMISOR.

RB = RB =

11.45 V = 629.81 k 18.18A

3 Paso. Se plantea la Recta de Carga del circuito, pero primero se calcula del Punto de operacin Q ideal, que se determina a partir de la ecuacin 2. La cual, se infiere que: = = 12 , = 0 = = 3.428 , = 0

Luego, el punto de operacin ideal es: = =

12 2

= 6
Fig. 5. Configuracin Emisor Comn, Estabilizado en Emisor.

3.428 2

= 1.71

Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:

1 Paso. Para la construccin del diseo del circuito Estabilizado en emisor, se comienza, al igual que en el circuito anterior, planteando dos LVK, la relacin correspondiente a la ganancia de corriente y las suposiciones para este tipo de configuracin: 4. = 0 5. = 0 6. 7. = = = 4

Fig. 4. Recta de Carga del circuito de polarizacin fija.

8. 9.

Donde: QIDEAL: (6.00v , 1.71 mA) QDADO: ( 5.00v, 2.00 mA) A partir del grfico, se infiere que el transistor est operando en la mitad superior de la recta de carga, o sea est ms prximo al estado de saturacin si llega a la corriente mxima, por lo tanto, como solucin se propone variar el del circuito para cual el punto de operacin alcance la

2 Paso. Se desarrollan las ecuaciones planteadas y se obtiene: 12 = = =3V

4 4

3 3 = = = 1.5 2.0

Q dado, se obtendrn las mismas rectas de carga. Esto debido que se consideraron los mismos parmetros de operacin para ambos circuitos.

12 5 (2.0 1.5) = 2.0 2.0 110 = 2.0

C. DISEO AMPLIFICADOR 2. 1. CONFIGURACIN COLECTOR COMN.

= = =

2.0 = 18.18 110 8.45 = 464.79 18.18

Se desea disear un amplificador en configuracin colector comn, la cual se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, como la mostrada en la figura 7.

3 Paso. Se plantea la Recta de Carga del circuito, junto a su Punto de operacin Q ideal, que se determina a partir de la ecuacin 5. La cual, se infiere que: = = 12 , = 0 = = 3.428 , = 0
+

Luego, el punto de operacin: = =

12 2 3.428 2

= 6 = 1.71

Fig. 7. Configuracin Colector Comn.

Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:

1 Paso. Para la modelacin del diseo del circuito Colector Comn, se comienza, simplificando el actual circuito de la figura 7, el cual se reduce a un equivalente de Thevenin entre el nodo 1 y 2, con la suposicin que , es prcticamente despreciable, por lo tanto, se trata a R1 y R2 como resistencias en serie, ya que la corriente que pasa por la resistencia 2 ser similar a la corriente que pase por la resistencia 1. Por lo tanto, se construye un circuito como el mostrado en la figura 8. El cual, se modela planteando dos LVK, la relacin correspondiente a la ganancia de corriente y las suposiciones para este tipo de configuracin, adems se considera el criterio de la Estabilidad Trmica, en la ecuacin 14, para luego, a travs de las ecuaciones 16 y 17, volver al circuito original. 10. = 0 12. = 0 13. = 14. = 0.1

Fig. 6. Recta de Carga del circuito estabilizado en Emisor.

Donde: QIDEAL: (6.00v , 1.71 mA) QDADO: ( 5.00v, 2.00 mA) A partir del grfico, se infiere que independiente de la configuracin de emisor comn que se realice, para un punto

15.

16. 2 = 17.

Luego, el punto de operacin: = =

12 2 3.428 2

1 = 1

= 6 = 1.71

Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:

Fig. 9. Recta de Carga del circuito de colector comn.

Fig. 8. Configuracin Colector Comn, reducido.

Donde: QIDEAL: (6.00v , 1.71 mA) QDADO: ( 5.00v, 2.00 mA) En el grfico se obtiene lo esperado, y queda demostrado que, independiente de la configuracin que se realice, ya sea emisor comn, base comn o colector comn, para un punto Q dado, se obtendrn las mismas rectas de carga. Esto debido a que se consideran los mismos parmetros para todos los circuitos. D. SIMULACIN DE LOS DISEOS DE AMPLIFICACIN. Cabe mencionar, que para todas las configuraciones se utiliz el software PSIM, para simulaciones. Adems que el anlisis y diseo de los amplificadores se realiz slo para la respuesta DC del circuito y tomando en cuenta los lmites de operacin planteados en el Data Sheet. Sin embargo, no se consider la respuesta AC del circuito, por lo tanto se espera que los resultados obtenidos sean lneas rectas en cada grfica simulada. 1.
CONFIGURACIN DE EMISOR COMN, CON POLARIZACIN FIJA.

Cabe notar que VBB corresponde al VTH, y que RB corresponde al RTH, entre la tensin de alimentacin y las resistencias R1 y R2, del circuito completo presentado en la figura 8. 2 Paso. Se desarrollan las ecuaciones planteadas y se obtiene: = 12 5 = = 3.5 2.0

2.0 110 = 2.0 = = 18.18 110 = 0.1 3.5 110 = 38.5 = + + = 0.7 + 0.55 + 7 = 8.25V 462 = = 56.0 8.25 38.5 1 = = 8.25 = 123.2 2 =
1

Simulando con los parmetros obtenidos anteriormente, el circuito mostrado en la figura 9, se obtienen las grficas mostradas a continuacin.

12

3 Paso. Se plantea la Recta de Carga del circuito, junto a su Punto de operacin Q ideal, que se determina a partir de la ecuacin 2. La cual, se infiere que: = = 12 , = 0 = = 3.428 , = 0

Tabla 4 Parmetros del circuito de polarizacin fija obtenidos.

Parmetros IB IC VBE VCE

Valor 18.18 2.000 0.550 5.000

Unidad mA V V

Fig. 10. Circuito de polarizacin fija, simulado en Psim.

Obteniendo los resultados mostrados en las figuras 11 y 12.

Se aprecia que los valores simulados son bastante parecidos a los obtenidos matemticamente. Por lo tanto, se esperara que el punto de operacin sea similar al calculado anteriormente diferencindose en la mxima excursin de seal, ya que cambiara levemente el punto en el cual comienza a ocurrir la distorsin y adems cambiar la recta de carga, ya que se mantiene constante la seal de IC , y disminuye el VCE.

2.

CONFIGURACIN DE EMISOR COMN, CON ESTABILIZACIN DEL EMISOR.

Simulando con los parmetros obtenidos anteriormente, el circuito mostrado en la figura 13, se obtienen las grficas mostradas a continuacin.

Fig. 11. Respuesta de corriente, Circuito de polarizacin fija, simulado en Psim.

Fig. 12. Respuesta de tensin, Circuito de polarizacin fija, simulado en Psim.

Cuyos resultados se resumen a continuacin:

Tabla 3 Parmetros del circuito de polarizacin fija simulados.

Fig. 13. Circuito de estabilizacin del emisor, simulado en Psim.

Obteniendo los resultados mostrados en las figuras 14 y 15.

Parmetros IB IC VBE VCE

Valor 18.18 2.000 0.550 4.997

Unidad mA V V
Fig. 14. Respuesta de corriente, Circuito Estabilizado al emisor, simulado en Psim.

Comparando con los resultados obtenidos anteriormente.

Fig. 15. Respuesta de tensin, Circuito estabilizado en emisor, simulado en Psim.

Cuyos resultados se resumen a continuacin:

Fig. 16. Circuito de Colector Comn reducido, simulado en Psim. Tabla 5 Parmetros del circuito de Estabilizado en emisor, simulados.

Obteniendo los resultados mostrados en las figuras 17 y 18.

Parmetros IB IC IE VBE VCE

Valor 18.14 1.996 2.013 0.550 4.987

Unidad mA mA V V
Fig. 17. Respuesta de corriente, Circuito colector comn reducido, simulado en Psim.

Comparando con los resultados obtenidos matemticamente.

Tabla 6 Parmetros del circuito de Estabilizado en emisor, obtenidos.

Parmetros IB IC IE VBE VCE

Valor 18.18 2.000 2.000 0.550 5.000

Unidad mA mA V V
Fig. 18. Respuesta de tensin, Circuito colector comn reducido, simulado en Psim.

Se aprecia que algunos valores simulados son similares a los obtenidos matemticamente con algunas variaciones debidas a la suposicin de que IC = IE, pero respecto a la configuracin de polarizacin fija, se obtiene un punto de operacin ms cercano al ideal, al disminuir la corriente de colector y mantenerse el VCE, relativamente constante. Ya que al contener un resistor en el emisor, se mejora el nivel de estabilidad respecto al de la configuracin de polarizacin fija, en anlisis DC. [1]

En la tabla 7, se resumen los parmetros encontrados, tanto para las corrientes como las tensiones. A continuacin se simula el circuito original, sin el equivalente de Thevenin.

3.

CONFIGURACIN DE COLECTOR COMN.

Simulando con los parmetros obtenidos anteriormente los circuitos mostrados en las figuras 16 y 17, se obtienen las grficas mostradas a continuacin de las cuales se hace una comparacin.

Fig. 19. Circuito de Colector Comn, simulado en Psim.

Obteniendo los resultados mostrados en las figuras 20 y 21.

Tabla 9 Parmetros del circuito de colector comn obtenidos.

Parmetros IB IE VBE VCE VBB

Fig. 20. Respuesta de corriente, Circuito colector comn, simulado en Psim.

Valor 18.18 2.000 0.550 5.000 8.249

Unidad mA V V V

Todos estos datos son determinados, a partir, de un = 110, como el mnimo especificado en el Data Sheet. Luego, no se aprecia una clara variacin en los parmetros del circuito de colector comn reducido, pero s en los del colector comn no reducido, esto debido a las suposiciones que se realizaron, en especial, sobre la corriente de base comentada anteriormente.

E. DETERMINACIN A VARIACIONES DE .
Fig. 21. Respuesta de tensin, Circuito colector comn, simulado en Psim.

En la tabla 8, se resumen los parmetros encontrados.

Tabla 7 Parmetros del colector comn reducido, simulados.

Para los circuitos analizados en las figuras 3, 5 y 8. Si estos se pretenden disear a gran escala, se determinar la variacin de la corriente del colector a un = 55 y = 220. Con los datos de resistencias obtenidos anteriormente.

Parmetros IB IE VBE VCE VBB

Valor 18.03 2.002 0.550 4.994 8.249

Unidad mA V V V

1. CONFIGURACIN EMISOR COMN, CON POLARIZACIN FIJA. A continuacin, se proceden a determinar los valores de los puntos de operacin mximo y mnimo, para este tipo de circuito, con las ecuaciones 1, 2 y 3. 18. IB = VCC VBE = 18.18 A RB

Tabla 8 Parmetros del colector comn, simulados.

19. Icq min = 55 18.18 A = 0.999 mA 20. Icq max = 220 18.18 A = 3.999 mA

Parmetros IR1 IR2 IC IE IB VBE VCE VBB

Valor 61.3292 79.3636 1.9855 2.0016 18.035 0.550 4.99436 7.5564

Unidad V V V

Por lo que implica que: Vceq min = 8.504 V Vceq max = 1.997 V

Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:

Comparando con los resultados obtenidos matemticamente.

24. Icq max = 220 14.380 A = 3.1694 mA Por lo que implica que: Vceq
min

= 7.9726 V

Vceq max = 0.9071 V Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:
Fig. 22. Recta de Carga del circuito de polarizacin fija.

Donde: QIDEAL: (6.00v , 1.71 mA) QMAX: ( -2.00v, 3.99 mA) QMIN: ( 8.50v, 0.99 mA) A partir del grfico se aprecia que no es un buen circuito estabilizador, al obtener un valor negativo del VCE, lo cual significa que el transistor est en zona de saturacin y con un aumento considerable de IC. Por lo tanto, queda demostrado que se debe tener mucho cuidado al momento de variar la relacin de ganancia de corriente, como se observa en la figura 23, del cual se podra haber estimado la ganancia a utilizar, para el punto Q dado.

Fig. 24. Recta de Carga del circuito estabilizado al emisor.

Donde: QIDEAL: (6.00 v , 1.71 mA) QMAX: ( 0.9071 v, 3.1694 mA) QMIN: ( 7.9726 v, 1.1507 mA) A partir del grfico se infiere que se logra la estabilizacin al momento de agregar una resistencia en el emisor, respecto de la configuracin de polarizacin fija, ya que reduce el nivel de saturacin, utilizando el mismo resistor del colector. Sin embargo, la variacin grande de , an sigue influenciando de gran medida en el punto de operacin.

3. CONFIGURACIN COLECTOR COMN. A continuacin, se proceden a determinar los valores de los puntos de operacin mximo y mnimo, para este tipo de circuito, con las ecuaciones 4, 5 y 6.
Fig. 23.Curva de Ganancia, Data Sheet.

2. CONFIGURACIN EMISOR COMN, ESTABILIZADO EN EMISOR. A continuacin, se proceden a determinar los valores de los puntos de operacin mximo y mnimo, para este tipo de circuito. 21. IB min = 22. IB max = VCC VBE = 20.863 A R B R B VCC VBE = 14.380 A R B R B

25. Icq min =

7.7 V = 1.83 mA 38.5 3.5 k + k 55 7.7 V = 2.09 mA 38.5 3.5 k + k 220

26. Icq max =

Por lo que implica que: Vceq

min

= 5.595 V

Vceq max = 4.668 V Finalmente, se compara con el punto de operacin dado, obteniendo la siguiente grfica:

23. Icq min = 55 20.863 A = 1.1507 mA

Fig. 25. Recta de Carga del circuito de configuracin colector comn.

Donde: QIDEAL: (6.00 v , 1.71 mA) QMAX: ( 4.668 v, 2.09 mA) QMIN: ( 5.595 v, 1.83 mA)

A partir del grfico, se observa claramente que ste circuito corresponde al ms estable de los analizados anteriormente, ya que al hacer variar la ganancia de corriente al doble y al mnimo, el punto de operacin se mantiene en un margen muy pequeo en comparacin a los otros, apreciado en la figura 25. Ya que cualquier circuito de polarizacin debe disearse para establecer la operacin del dispositivo en cualquiera de los puntos que estn dentro de la regin activa, o sea que estn dentro de los mrgenes de la recta de carga y sobretodo ms prximos al punto Q ideal, para tener menor distorsin en la salida. Aunque el BJT puede estar en polarizacin para operar fuera de los lmites mximos como se observ en la figura 22, pero el resultado de tal operacin podra ser un importante recorte con la vida del dispositivo semiconductor. F.
CONCLUSIONES.

impedancia de entrada, necesitndose luego otra etapa para la amplificacin de la seal propiamente tal.[4] Cuando se habla de la mxima excursin de seal, es acerca del punto en el cual comienza la distorsin. Esto es debido a que si la excursin de salida es demasiado grande, el transistor abandona la regin de operacin lineal y luego se apreciara que la seal sale distorsionada. Otro factor importante a considerar, aunque no fue necesario para este trabajo, ya que slo se consideraron las operaciones en DC. Es la temperatura, ya que afecta en gran medida a la ganancia de corriente del circuito en cualquier transistor y la corriente de fuga del transistor . Por ltimo, cabe mencionar, que en el anlisis por recta de carga, considerado para cada circuito, representa una mejor manera para la comprensin de estos dispositivos, al observar claramente las variaciones de y los niveles de corte, saturacin y de regin activa, que definen ste tipo de transistores.

G. REFERENCIAS.
[1]Transistores de Unin Bipolar- Prof. Eduardo Espinosa, Sebastin Godoy. [2] Punto de trabajo de un transistor bipolar- U. Nacional - ao 2003. [3] ttp://www.unicrom.com/Tut_recta_carga_estatica_transistor_bipolar.asp [4]Amplificadores con Transistores de efecto de Campo Alberto Guillermo Lozano Romero- ao 2009.

Independiente del utilizado, se ha podido polarizar un BJT para su funcionamiento en zona activa, para las distintas configuraciones de emisor comn y colector comn. Obteniendo como resultado que el circuito de colector comn a cualquier variaciones de , corresponde al ms estable, y no as el de emisor comn estabilizado al emisor, como se suele pensar, ya que sta configuracin, al agregarle una resistencia en emisor, slo corresponde a un nivel de mayor estabilizacin, pero respecto al de configuracin de polarizacin fija. Pero como el parmetro , es sensible a la temperatura, sera mejor hacer un circuito que fuera menos dependiente de l, ya que a veces no est bien definido. Por esto que el circuito de colector comn al ser menos dependiente de , que los de emisor comn, presentan caractersticas ms estables. Por otra parte, dadas las ganancias , ya comentadas, se puede indicar que ste tipo de transistor (BJT) corresponde a un amplificador de corriente. Ya que al hacer variar el , se aprecia el comportamiento particular de cada circuito, al observar cmo vara el punto de operacin. Adems sta relacin de corriente puede ser utilizada para aumentar la

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