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DIODOS SEMICONDUCTORES

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1. DIODO IDEAL. En Fig. 1 se ilustra a un diodo rectificador vertical, uno planar y su smbolo. Como se puede ver el diodo es un dispositivo de 2 puertos cuyas terminales (nodo y ctodo) estn conectadas a un material tipo P y a uno tipo N respectivamente.

(a) Fig. 1

(b)

(c)

Cuando el voltaje aplicado al diodo es no negativo (vD0) se dice que el diodo esta polarizado en directa o que el diodo esta encendido. Bajo estas condiciones se dice que el diodo conduce. Cuando el voltaje aplicado es negativo (vD <0) se dice que el diodo esta polarizado en inversa y que el diodo est apagado. Un procedimiento para analizar un circuito con diodos ideales es el siguiente: Paso 1: Primero supone que el diodo esta polarizado en directa y por lo tanto se puede reemplazar con un corto circuito. Como se indica en Fig. 2.

Fig. 2 Paso 2: Posteriormente se evala la corriente del diodo y se verifica que la corriente sea no negativa i.e. iD0 por lo tanto la suposicin es vlida. Paso 3 (nicamente aplica si la corriente calculada en el paso 2 es negativa): Si iD<0 entonces hay que reemplazar el diodo por un circuito abierto como se indica en Fig. 3 y obtener vD el cual debe tener un valor negativo.

Fig. 3

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Problema 1. (a) Demuestre que el diodo ideal D1 en Fig. 4 esta polarizado en inversa. (b) Suponga que el diodo ideal D2 esta polarizado en directa y demuestre que la corriente y diga bajo que condiciones es correcta la suposicin.

Fig. 4

2.

DIODO REAL.

Cuando el diodo es real la corriente que circula por el diodo se puede modelar como se indica en (1) Donde

(1)

es el voltaje trmico

vD es el voltaje aplicado Io es la corriente de saturacin T es la temperatura absoluta (K) K es la constante de Boltzman q es la carga del electrn es el factor de idealidad (1 para Ge y 2 para Si). Es importante mencionar que la grfica de iD vs vD se le conoce como la curva caracterstica del diodo y se puede obtener con (1) o mediante la medicin del diodo. En Fig. 5 se muestra la curva caracterstica de un diodo obtenida con el modelo y mediante mediciones. Lo primero que se puede decir de estas curvas es que el modelo se aproxima a la realidad moderadamente ya que para voltajes negativos mayores al voltaje de ruptura (vD<-VR) la corriente del modelo dista de la corriente real (esto indica que el modelo esta incompleto). Tambien se pude ver que para voltajes negativos pero mayores que el voltaje de ruptura la corriente del modelo es menor que la corriente medida IR debido a la presencia de la corriente de fuga IS.

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Fig.5 Obviamente la curva caracterstica del diodo va a depender del material con el que est fabricado. Por ejemplo en Fig. 6 se muestran las curvas caractersticas del un diodo de Silicio y uno de Germanio. Donde claramente el potencial para conduccin est entre 0.2 y 0.3 para Ge y 0.6 y 0.7 para Si.

Fig. 6

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3. ANLISIS GRAFICO PARA UN CIRCUITO CON DIODOS EN RGIMEN DE DC Y AC. Para analizar un circuito grficamente se requiere conocer la curva caracterstica del diodo ya sea de medicin o del modelo y encontrar mediante en anlisis del circuito (matemticamente) la corriente que circula por el diodo en funcin del voltaje aplicado. Posteriormente se superpone la curva caracterstica del diodo y la curva del anlisis del circuito. Esto se ilustra con la solucin de los siguientes problemas. Problema 2. Para el circuito en Fig. 7 (a) aplique KVL y obtenga la ecuacin de la corriente que circula por el diodo en funcin del voltaje vD. Luego suponga que la curva caracterstica del diodo es como se muestra en Fig. 7 (b), grafique la corriente obtenida en el (a) para el voltaje Vx y luego para el voltaje Vx/2.

(b) Fig. 7 Problema 3. Para el circuito en Fig. 8 aplique KVL y obtenga la ecuacin de la corriente que circula por el diodo en funcin del voltaje vD. Luego suponga que la curva caracterstica del diodo es como se muestra en Fig. 8 (b) y grafique sobre la misma grfica la recta de carga.

(a)

(a) Fig.8

(b)

Problema 4. Considere el circuito en Fig. 9 (a) donde la fuente es una seal cuadrada de amplitud 2V como se indica en Fig. 9 (b) y la curva caracterstica del diodo es como se muestra en Fig. 9 (c). Entonces grafique la recta de carga en diferentes instantes de tiempo y obtenga la corriente en el diodo en funcin del tiempo.

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(a)

(b)

(c)

(d) Fig. 9 4. ANLISIS DE DIODOS CON MODELOS EN TRAMOS LINEALES. Para este anlisis la curva del diodo se aproxima con segmentos de lnea recta como se muestra en Fig. 10. En estas graficas se puede ver que el diodo no lineal se puede modelar en segmentos mediante diodos ideales, fuentes y resistencias. Para el anlisis del circuito es necesario remplazar el diodo por su circuito equivalente mas conveniente y entonces resolver el circuito de manera convencional.

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(a)

(b) Fig. 10

Problema 5. Suponga que la curva caracterstica de un diodo se puede aproximar en tramos lineales como se indica en Fig. 11 (a) y que su circuito equivalente es como se indica en Fig. 11 (b). Entonces demuestre que RF es el inverso de la pendiente de la recta y VF es igual al negatvi de la razn de la ordenada al origen dividida por la pendiente.

(a) Fig. 11

(b)

Problema 6. Para el circuito en Fig. 12 sustituya el diodo por su equivalente en tramos lineales dado en Fig. 11 (b) y demuestre: (a) que la corriente en el diodo es .

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Fig. 12

5. RECTA DE CARGA DE DC, RECTAS DE CARGA DINMICAS Y ANLISIS DE PEQUEA SEAL Para explicar las rectas de carga consideremos un ejemplo basado en el circuito de Fig.13 (a) cuyo diodo tiene una curva caracterstica como se muestra en Fig. 13 (b). Note que en el circuito esta presente una fuente de dc y una fuente de ac de forma senoidal; esto da origen a que la corriente total instantnea iD sea la suma de la corriente instantnea de ac mas la componente de dc que en este caso es representada como IDQ y que tambin se conoce como la corriente en el punto de operacin. Como VTh y vTh estn en serie entonces es claro que el voltaje aplicado es VTh+vTh por lo tanto el voltaje aplicado es una senoidal desplazada en el eje y como se muestra en Fig. 14. En Fig. 14 se muestra que la recta de carga de dc corresponde a la lnea para el instante t=0 y tambin se muestran las rectas de carga para otros instantes de tiempo (rectas dinmicas). El punto de operacin es el punto donde se intersectan la curva caracterstica del diodo y la recta de carga de dc; al par (iDQ,vDQ) se le llama punto de operacin y se obtiene en rgimen de dc. Es importante mencionar que como la amplitud de la seal de entrada es muy pequea (rgimen de pequea seal) entonces las rectas de carga se concentran entre los puntos a y b de la figura de manera que la lnea que los une es una lnea recta que se sobrepone a la curva caracterstica del diodo. Esto indica que el diodo se puede ver como una resistencia dinmica. Tambin se puede decir que debido a que la regin de operacin es lineal entonces la salida es una replica escalada de la entrada tal como se indica en Fig. 14. Usted puede hacer rpido un ejercicio para una senoidal con mucha mayor amplitud y notar que la seal de salida no es una replica de la seal de entrada (existe distorsin).

(a)

(b)

Nombre:________________________________________ Fig. 13

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Fig. 14

De lo anterior vamos a establecer lo siguiente: Si la curva que une a a y b es una lnea recta (esto se cumple cuando la seal de entrada tiene amplitud pequea) entonces el voltaje y la corriente pueden ser considerados como la suma de una seal de dc y una seal de ac no distorsionada. Adems la razn del voltaje de ac (denotado como vd) y corriente de ac (denotada por id) es una constante cuyo valor es llamado resistencia dinmica del diodo rd por lo tanto el diodo puede ser sustituido como se muestra en Fig. 15 donde la resistencia del diodo se calcula con la siguiente ecuacin: | | | |

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Fig. 15 6. CIRCUITOS LIMITADORES

Problema 7: En Fig. 16 (a) se muestra un circuito limitador el cual consiste de un diodo y una resistencia. En Fig.16 (b) se ha reemplazado el diodo por su circuito equivalente en tramos lineales (el cual consiste de un diodo ideal en serie con una fuente). Obtenga la funcin de transferencia (curva voltaje de salida vs voltaje de entrada).

(a) Fig. 16

(b)

Fig.17