ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

Dispositivos Electrnicos

Resumen El diodo es el ms sencillo de los dispositivos semiconductores pero cumple funciones muy especficas e importantes como las de un interruptor. El diodo ideal es un dispositivo de dos terminales que conducir corriente en la direccin que define la flecha en el smbolo y actuara como circuito abierto en cualquier intento por establecer corriente direccin opuesta. Es un circuito cerrado para la regin de conduccin cuando se considera la regin de potencial positivo caso contrario es un circuito abierto en la regin de no conduccin. Un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad sobre algn punto entre los extremos de un aislante y un conductor. Un trmino inverso a la conductividad esta la resistencia al flujo de la carga. En unidades mtricas la resistividad se mide en ohmios-centmetros. Una unin de tomos fortalecida por el comportamiento de electrones se denomina unin covalente.

Los materiales intrnsecos son aquellos semiconductores que han sido cuidadosamente refinados para reducir las impurezas a un nivel muy bajo, esencialmente tan puro como se puede obtener a travs de la tecnologa moderna. Un incremento en la temperatura de un semiconductor puede generar un incremento sustancial en el nmero de electrones libres en el material. Se dice que los materiales semiconductores como el Ge y el Si, que muestran una reduccin en resistencia con el incremento en la temperatura, tienen un coeficiente de temperatura negativo. A mayor distancia entre el electrn y su ncleo, mayor es el estado de energa, y cualquier electrn que haya dejado a su tomo, tiene un estado de energa mayor que cualquier electrn en la estructura atmica. Existen tres bandas de energas como la de conduccin, de valencia y la prohibida cada una con diferentes caractersticas segn la presencia de electrones y huecos. Si aadimos impurezas a semiconductores intrnsecos ocurrirn estados de energa en las bandas prohibidas.

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Un material semiconductor que haya sido sujetado al proceso de dopado se denomina extrnseco. Tipo n se crea por poner elementos de 5 electrones de valencia. A las impurezas difundidas con cinco electrones de valencia se les llama tomos donores. Tipo p mediante el dopado con tomos de impureza con tres electrones de valencia. A las impurezas difundidas con 3 electrones de valencia se les conoce como tomos aceptores. En un material tipo n al electrn se le llama portador mayoritario y el hueco es el portador minoritario. Mientras en un material tipo p el hueco es el portador mayoritario y el electrn es el portador minoritario. En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de la carga en cualquier direccin para un diodo semiconductor es cero. A la corriente que existe bajo las condiciones de polarizacin inversa se le llaman corriente de saturacin inversa, y se representa mediante Ig. Un diodo semiconductor tiene polarizacin directa cuando se ha establecido la asociacin tipo p y positivo y tipo n y negativo. El mximo potencial de polarizacin inversa que puede ser aplicado antes de entrar a la regin zener se conoce como voltaje pico inverso o PRV. La corriente de saturacin inversa Ig ser casi igual al doble en magnitud por cada 10C de incremento en la temperatura. La derivada de una funcin en un punto es igual a la pendiente de la lnea tangente dibujada en dicho punto. Un circuito equivalente es una combinacin de elementos que se eligen en forma adecuada para representar, lo mejor posible, las caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema en una regin de operacin particular. En la regin de polarizacin inversa se tiene la capacitancia de la regin de transicin o de agotamiento, mientras que en la regin de polarizacin directa se tiene la capacitancia de difusin o de almacenamiento. Al proceso de emisin de luz mediante la aplicacin de una fuente de energa elctrica se le llama electroluminiscencia. Aporte personal El ms sencillo, el diodo con punto de contacto de germanio, se cre en los primeros das de la radio. En los diodos de germanio (o de silicio) modernos, el cable y una minscula placa de cristal van montados dentro de un pequeo tubo de vidrio y conectados a dos cables que se sueldan a los extremos del tubo. La flecha del diodo recuerda que la corriente convencional circula con facilidad del lado p al lado n. Si se trabaja con el flujo de electrones, hay que tener en cuenta que estos fluyen en direccin opuesta a la de la flecha del diodo.

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El nivel energtico de cada uno de estos electrones puede estar situado en la "banda de valencia" o en la "banda de conduccin" del cristal. Un electrn que ocupe un nivel dentro de la banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente por l mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin, el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo formar parte de una corriente elctrica. Entre la banda de valencia y la de conduccin existe una "banda prohibida", cuyos niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Segn la magnitud de esta banda, los cristales pueden clasificarse en aislantes, conductores y semiconductores. Los progresos subsiguientes en la tecnologa de semiconductores, atribuible en parte a la intensidad de las investigaciones asociadas con la iniciativa de exploracin del espacio, llev al desarrollo, en la dcada de 1970, del circuito integrado. Estos dispositivos pueden contener centenares de miles de transistores en un pequeo trozo de material.

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