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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Estructura cristalina de un semiconductor. Electrones y huecos.
n n

Estructura de enlaces covalentes Cristal tetradrico con un tomo en cada vrtice

Hueco

T= 0K

T> 0K

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Semiconductores intrnsecos: estructura cristalina de un solo tipo de tomos
n n

Caracterstica: n = p = ni Par electrn-hueco

w Generacin (agitacin trmica) w Recombinacin (centros de recombinacin)

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

SEMICONDUCTORES
Procesos Procesos de de generacin generacin y y recombinacin. recombinacin.
Vida Vida media media de de los los portadores portadores n n Naturaleza Naturaleza de de los los centros centros de de recombinacin recombinacin n n Efectos Efectos de de los los centros centros de de recombinacin recombinacin
n n

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SEMICONDUCTORES
Mecanismo de contribucin del hueco a la conduccin.
n

Los electrones de valencia ligados saltan, con relativa facilidad, al hueco dejado por otro electrn al pasar a su estado libre

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Aplicacin de un campo elctrico a un semiconductor intrnseco

n

Densidad de corriente Conductividad

J = E

= qni ( n + p )

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SEMICONDUCTORES
Ejercicio 1 . Una muestra de germanio intrnseco de 1 cm de longitud y 2 x 2 mm de seccin cuadrada, es atravesada por una corriente de 6 mA cuando se aplica una diferencia de tensin entre sus extremos de 1 V. La movilidad de los electrones es de 3.800 cm2 /V.s y de los huecos 1.800 cm2/V.s. Calcular: a) b) la densidad electrnica Las velocidades de desplazamiento o de arrastre de los portadores.

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Distribucin en energa de los electrones libres en un semiconductor
n

Funcin de distribucin de energa o densidad de electrones por unidad de energa

E = f ( E) N ( E)
n

Densidad de estados cunticos por unidad de energa

N ( E ) = ( E EC )
n

1 2

Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac n Probabilidad de que un estado cuntico de energa E est ocupado por un electrn, tambin especifica la fraccin de todos los estados de energa E ocupados en condiciones de equilibrio trmico Banda de
conduccin

f (E ) =

1 1+ e
E EF kT

EC EV

Banda de valencia

Banda prohibida

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Densidad electrnica en la banda de conduccin. n Representa el nmero de electrones libres por unidad de volumen con energas comprendidas entre el nivel de energa ms bajo de la banda de conduccin EC y la energa ms alta (+ ). n Expresin:

n = E dE
EC

n = NC e

EC EF kT

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Distribucin en energa de los huecos en un semiconductor
n

Funcin de distribucin de energa o densidad de huecos por unidad de energa

P = (1 f (E )) N (E )
n

Densidad de estados cunticos por unidad de energa

N ( E ) = ( EV E)
n

1 2

Funcin de probabilidad de Fermi-Dirac

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Funcin de probabilidad para los huecos n Probabilidad de que un estado cuntico de energa E en la banda de valencia est vaco, tambin especifica la fraccin de todos los estados de energa E vacos en condiciones de equilibrio trmico

1 f (E ) =

E EF kT E EF kT

1+ e

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FUNDAMENTOS DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS SEMICONDUCTORES

CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Densidad de huecos en la banda de valencia. n Representa el nmero de huecos por unidad de volumen con energas comprendidas entre la energa ms baja (-) y el nivel de energa ms alto de la banda de valencia EV n Expresin:
p = P dE
EV

p = NV e

E F EV kT

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CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES
Nivel de Fermi en un semiconductor intrnseco n Expresin:
Banda de conduccin

E + EV kT N EF = C Ln C 2 2 NV
Banda prohibida

EC EF EV

Banda de valencia

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SEMICONDUCTORES
Ejercicio 2 . Clculo de la distancia de la energa de Fermi al centro de la banda prohibida.

DATOS
mn /mp Temperatura (K)

INCOGNITAS
2,00 Distancia (eV) 500 Posicin respecto a la mitad de la B.P. -2,24E-02 de bajo

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Concentracin Concentracin intrnseca intrnseca en en los los semiconductores semiconductores
n n

Dependencia Dependencia con con la la temperatura temperatura

ni2 = AoT e

EGO 3 kT