Metales y aleaciones Cermicos, vidrios y vitrocermicos Polmeros Semiconductores Materiales compuestos Biomateriales
Ejemplos de Aplicaciones
Propiedades
Metales y Aleaciones Herramientas, chasis
Aceros Aleados de automviles
Se endurece bastante con tratamiento trmico
Cermicos y vidrios Slice
Fibras pticas para
tecnologa de la informacin
ndice de refraccin, bajas prdidas pticas
Polmeros Polietileno
Empaque de alimentos
Se moldea con facilidad en lminas delgadas
Semiconductores Silicio
Transistores y circuitos integrados
Comportamiento elctrico nico
Materiales Compuestos Grafito-resina epxica
Componentes de aviones
Alta relacin de resistencia a peso
Estructural es Aceros, aleaciones de aluminio, concreto plstico reforzado
Aeroespaci ales Materiales compuestos C-C, silicio amorfo
CLASIFICAC IN DE LOS MATERIALE S FUNCIONAL ES
Inteligente s Aleaciones de Ni-Ti con memoria de forma
pticos SiO2, GaAs, vidrios
Magnticos Fe, Fe-Si, NiZn y ferritas entre otros
Biomdicos Hidroxiapatit a, aleaciones de titanio, aceros inoxidables
Electrnico s Si, GaAS, Ge, BaTiO3
Tecnologa de energa y ambiente UO2, Ni-Cd
ENLAZAMIENTO ATMICO
Enlace Enlace Enlace Enlace
metlico covalente inico de van der Waals
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Los elementos metlicos tienen
tomos ms electropositivos, los cuales ceden sus electrones de valencia para formar una nube de electrones que rodea los tomos Presentan mdulo de elasticidad relativamente ductilidad
tomos. Los enlaces covalentes son muy fuertes, por lo tanto materiales con este tipo de enlaces son muy duros, ej.: diamante Altamente direccionales Presentan ductilidad reducida.
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Se presenta ms de una clase de
tomos,
unos
pueden
donar
sus
electrones de valencia a otros para
completar su octeto. Los
slidos
con
frecuencia
son
resistentes debido a la fuerza de los
enlaces. Su conductividad elctrica es muy limitada (mov. Lento de iones) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning
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Origen de las fuerzas de van der waals
es de naturaleza de mecnica cuntica Molculas polares Es la fuerza de atraccin entre las molculas o tomos que tienen un momento permanente
dipolar
inducido
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Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre molculas polares en
forma permanente En el agua, los electrones del O2 se concentran alejados del hidrgeno
Papel importante en la determinacin de la microestructura y
propiedades de los materiales Orden de corto alcance (SRO): el arreglo especial de tomos existe en la vecindad inmediata. Distancia corta, generalmente uno o dos espaciamientos atmicos. Orden de Largo Alcance (LRO): es un arreglo regular repetitivo de tomos en un slido, el cual se extiende sobre una larga distancia
Gases Monoatmi cos No orden Ej: Ar Materiales Amorfos Solo orden de Corto Alcance Ej: Si amorfo, vidrios, plsticos Cristales lquidos Orden de Corto y de largo Alcance en pequeos volmenes
Materiales Cristalinos Orden de corto y largo alcance
Red: coleccin de puntos de red ordenados en un patrn peridico, de tal forma
que los alrededores de cada punto son idnticos. Puede ser uni, bi o 3D Base, motivo: grupo de tomos ubicados en una forma determinada. Estructura Cristalina: Red + Base Celda Unitaria: subdivisin de la red que conserva las caractersticas generales de la red.
Los parmetros de red describen la forma y el tamao de la celda
unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas y los ngulos entre estas.
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SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /3); FCC (ao = 4r/2)
Las direcciones de empaquetamiento compacto o direcciones compactas, son las direcciones en la cuales estn en contacto los tomos
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Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, o
sea la cantidad de vecinos ms cercanos a ese tomo en particular. Es una medida de que tan compacto y eficiente es el empaquetamiento de los tomos.
Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos suponiendo
que estos sean esferas duras que tocan a su vecino ms cercano.
(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )
Factor _ de _ empaquetamiento vol _ de _ la _ celda _ unitaria
La densidad terica del material se puede calcular con las
propiedades de su estructura cristalina.
(# atomos / celda)(masa _ atomica)
Densidad _ (vol _ celda _ unitaria )(# avogadro )
CALCULO DE LA DENSIDAD TERICA
DEL HIERRO BCC El parmetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.
(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)
Density (volume of unit cell)(Avogadro' s number) (2)(55.847) 3
7 . 882 g / cm (23.54 10 24 )(6.02 10 23 ) La densidad medida es 7.870 g/cm3. La pequea discrepancia entre las densidades obedece a los defectos presentes en el material.
ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA
HCP
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PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA CRISTALINA DE ALGUNOS METALES
TRANSFORMACIONES ALOTRPICAS O POLIMORFAS
Los materiales que pueden tener ms de una estructura
cristalina se llaman alotrpicos, polimorfos o polimrficos. El termino alotropa suele reservarse para este comportamiento en los elementos puros, mientras que polimorfismo se usa para los compuestos.
Para estudiar el comportamiento del hierro a altas temperatura se quiere
disear un instrumento (exactitud 1%) para detectar el cambio en volumen de un cubo de hierro de 1-cm3 cuando es calentado a travs de su transformacin polimrfica. T = 911C, Fe es BCC con un parmetro de red de 0.2863 nm. A 913C,el hierro es FCC, con un parmetro de red de 0.3591 nm. Determinar la exactitud requerida del instrumento de medicin
SOLUCION El volumen de una celda unitaria BCC del hierro antes de transformacin: 3
VBCC = a0= (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3
El volumen de la clda unitaria FCC de hierro:
3
VFCC = a0 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3
FCC (4 atomos celda). Se debe comparar con dos celdas BCC y obtenemos un volumen (2*(0.023467) = 0.046934 nm 3) con cada FCC. El porcentaje de cambio durante la transformacin:
(0.046307 - 0.046934) Cambio de volumen 100 1.34% 0.046934 El cubo de 1-cm3 se contrae 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 despus de la transformacin; por lo tanto para asegurar una exactitud de 1%, el instrumento debe detectar un cambio de: V = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3
PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA
DIRECCIONES EN LA CELDA UNITARIA Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento para determinarlos es el siguiente: Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en la direccin. Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas de las del punto cabeza. Reducir a mnimos enteros. Encerrar los nmeros entre corchetes [ ]. Si se produce un signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el nmero.
Determinar los ndices de Miller para las siguientes
direcciones:
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SOLUCIN Direccin A: 1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0. 2. 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0. 3. No hay que reducir a mnimos enteros. 4. [100] Direccin B: 1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0. 2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1. 3. No hay que reducir a mnimos enteros. 4. [111]
SOLUCIN Direccin C: Dos puntos son 0,0,1 y , 1,0. 0,0,1 ,1,1 = -,-1,1. 2(-,-1,1) = -1,-2,2.
CARACTERSTICAS DE LOS NDICES
DE MILLER PARA DIRECCIONES Una direccin y su negativa no son idnticas; [100] no es igual que [100]; representan la misma lnea, pero en direcciones opuestas. Una direccin y su mltiplo son idnticos; [100] es igual que [200]. Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus ndices particulares por la forma en que se definen las coordenadas. Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin [100] es una direccin coordenadas.
Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o
presentar como una familia. Se usan los parntesis < > para indicar este conjunto de direcciones.
Conjunto
de
tomos
en
una
direccin
determinada.
Determinan la direccin de deformacin de los
metales
Determinan materiales
el
crecimiento
de
los
ciertos
Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en
funcin de los parmetros de red. Si el plano pasa por el origen, hay que mover el origen del sistema de coordenadas.
Sacar los recprocos de las intersecciones
Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mnimos.
Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros
negativos se deben escribir con una raya sobre ellos
Determinacin de ndices de Miller de Planos
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SOLUCION Plano A 1. x = 1, y = 1, z = 1 2. 1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1 3. No hay fracciones para eliminar 4. (111) Plano B 1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z = 2. 1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0 3. Eliminando fracciones: 1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0 4. (210) Plano C 1. Se debe cambiar el origen, puesto que el plano pasa por 0, 0, 0. Entonces, se mueve un parmetro de red en direccin y, x = , y = -1, and z = 2. 1/x = 0, 1/y = -1, 1/z = 0 3. No hay fracciones para eliminar.
4. (0 1 0)
Los planos y sus negativos son idnticos (caso
contrario con las direcciones). Por lo tanto (010) (0 1 0)
Los planos y sus mltiplos no son idnticos (caso
contrario con las direcciones)(densidad planar)
En cada celda unitaria, los planos de una
forma (o familia) representan grupos de planos equivalentes que tienen sus ndices particulares
En los sistemas cbicos, una direccin que
tiene los mismos ndices que un plano es perpendicular al plano
Debido a la simetra exclusiva del sistema hexagonal se ha
desarrollado un conjunto especial de ndices Miller Bravais para las celdas unitarias hexagonales; usando cuatro ejes de coordenadas en lugar de tres.
Se pueden relacionar entre si
los dos sistemas de tres y cuatro coordenadas, mediante las
siguientes
formulas,
donde h,k,l, hacen referencia
a
un
sistema
de
tres
coordenadas; y h,k,i,l, a uno
de cuatro:
1 h (2h'k ' ) 3 1 k (2k 'h' ) 3 1 i (h' k ' ) 3 l l'
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Plane A 1. a1 = a2 = a3 = , c = 1 2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar 4. (0001) Plane B 1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1 2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1 3. No hay fracciones que simplificar (1121) 4. Direccin C 1. Los dos puntos son 0, 0, 1 and 1, 0, 0. 2. 0, 0, 1, - 1, 0, 0 = -1, 0, 1 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [101] _ _[2113]
Direccin D 1. Los dos puntos son 0, 1, 0 and 1, 0, 0. 2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0 3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir 4. [110] _ _[1100]
siempre en la direccin de empaquetamiento compacto.
El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayora
de los planos compactos
El deslizamiento se produce primero sobre el
sistema de deslizamiento que tiene el mayor esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de deslizamiento
Un material es anisotrpico si sus propiedades dependen de la
direccin cristalogrfica en la cual se mide la propiedad. Por ejemplo el modulo de elasticidad del Al es 75.9 GPa, en las direcciones <111>, pero solo de 63.4 GPa en las direcciones <100>. Si las propiedades son idnticas en todas las direcciones, el material es cristalograficamente isotrpico, un ejemplo de este tipo de material son los cristales cbicos, como el granate.
En las estructuras cristalinas hay espacios o huecos entre los
tomos normales en los cuales se pueden ubicar tomos mas pequeos, a esos lugares se les llama sitios intersticiales.
cristalinas que aseguren su neutralidad elctrica y que permitan el empaquetamiento eficiente de iones de diferentes tamaos. Los aniones forman tetraedros u octaedros y permiten a los cationes entrar en los sitios intersticiales adecuados y viceversa.
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En esta estructura el sitio
intersticial cbico esta lleno con el anin. La relacin de radios es 0.92, por lo tanto tiene un numero de coordinacin de ocho; la estructura posee por lo tanto dos iones uno de Cs+ y uno de Cl-. Esta estructura es posible cuando ambos tienen la misma valencia.
La relacin de radios en este caso es de 0.536, por lo tanto para cumplir con el equilibrio de cargas y la relacin de radios, cada anin y catin debe tener un nmero de coordinacin de seis, la estructura que cubre estas condiciones es la FCC, con los tomos de Na+ ubicados en los sitios octadricos.
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DIFRACCIN DE RAYOS X Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda especifica del mismo orden de magnitud de las distancias interatmicas del material llega a este Ley de Bragg:
sen 2d hkl
INTERACCIONES DESTRUCTIVA Y CONSTRUCTIVA ENTRE LOS RAYOS X Y EL MATERIAL CRISTALINO
empaquetamiento del Nquel FCC en los planos (100), (110) y (111) ao = 3.5167. Cul de esos planos, si es que lo hay, es compacto?
atomos _ por _ plano
Densidad _ planar rea _ del _ plano rea _ de _ atomos _ por _ plano Fraccin _ de _ empaquetamiento rea _ del _ plano
SOLUCIN
IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS
ATMICOS E INICOS El arreglo de tomos o de iones en los materiales diseados tiene imperfecciones o defectos. Frecuentemente estos defectos tienen una gran influencia sobre las propiedades de los materiales. Los defectos pueden ser (dislocaciones) o superficiales
puntuales,
lineales
Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos
o inicos
Estos defectos pueden ser utilizados para mejorar
propiedades (dopantes) por ejemplo P y B mejoran las propiedades elctricas del Si puro
Defectos puntuales: (a) vacancia, (b) tomo intersticial, (c) sustitucional con tomo pequeo, (d) sustitucional con tomo grande, (e) defecto de Frenkel , (f) Defecto de Schottky.
VACANCIAS Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio normal de la estructura cristalina. Todos los elementos cristalinos presenta este tipo de defecto.
Q n n exp
RT
nv = cantidad de vacancias por cm3
n = cantidad de tomos por cm3 Qv = energa necesaria para producir un mol de vacancias, cal /mol o joule /mol R = cte de los gases T = temperatura en Kelvin
SUSTITUCIONAL Se presenta cuando un tomo o in es sustituido con un tipo distinto de tomo o ion.
Los tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red;
pudiendo ser de mayor tamao que los originales, reduciendo los espacios interatmicos vecinos, o pueden ser de menor tamao presentndose mayores distancias interatmicas
INTERSTICIAL Se presenta cuando un tomo idntico a los puntos normales de red est en una posicin intersticial. Este defecto se presenta en estructuras cristalinas con bajo factor de empaquetamiento
FRENKEL O par de Frenkel se presenta un par vacancia-intersticial, formada cuando un ion salta de un punto normal de red a uno intersticial y deja atrs una vacancia.
SCHOTTKY Exclusivo de materiales inicos. Se presenta un par vacancial, manteniendo la neutralidad elctrica.
DISLOCACIONES Son imperfecciones lineales de un cristal, las cuales aparecen durante la solidificacin del material o cuando este se deforma permanentemente En todos los materiales, incluyendo cermicos y polmeros, hay dislocaciones. Los metales las poseen en un orden de 10 6 a 109 Las dislocaciones son tiles para explicar la deformacin y endurecimiento de los materiales metlicos. Se mueven en planos y direcciones de deslizamiento Las dislocaciones se pueden clasificar (helicoidal), de borde (escaln) y mixta
en:
de
tornillo
DISLOCACIN DE TORNILLO
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Sigue un plano cristalogrfico durante una revolucin respecto al
eje de torcimiento del cristal , recorriendo distancias interatmicas iguales en cada direccin, y termina en una distancia atmica debajo del punto de partida
El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida
es el vector de Burgers b y este es paralelo a la dislocacin de tornillo
DISLOCACIN DE BORDE Este tipo de dislocacin se puede observar como: imaginar un cristal perfecto, el cual se abre y en el punto de corte se llena con un plano adicional de tomos. Su orilla inferior representa este tipo de dislocacin.
El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto
de partida es el vector de Burgers b y este es perpendicular a la dislocacin
DISLOCACION MVIL
CRISTAL
SISTEMA DE DESLIZAMIE NTO
Vector de Burgers
Plano de Deslizamie nto
FCC
[110] (111)
a/2[110]
(111)
FCC
[111] (110)
a/2[111]
(110)
FCC
[111] (211)
a/2[111]
(211)
FCC
[111] (321)
a/2[111]
(321)
HCP
(0001)
a/3
HCP
a/3
HCP
a/3
(0001)
DISLOCACIN MIXTA Este tipo de dislocacin tiene componentes de borde y de tornillo, con una regin de transicin entre ellas.
El vector de Burgers se mantiene igual para todas las porciones
de la dislocacin mixta.
Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin
del vector de Burgers a un cristal que contenga una dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los enlaces atmicos
El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva
una distancia atmica hacia el lado.
El desplazamiento de una dislocacin es anlogo al
de una oruga, pero en los metales, estas se desplazan a la velocidad del sonido.
Es el proceso por el cual se mueve una dislocacin y hace
que se deforme un material metlico
La direccin a lo largo de la cual se presenta el
deslizamiento se conoce como direccin de deslizamiento.
En el deslizamiento, la dislocacin de borde recorre el
plano formado por el vector de Burgers (direccin de deslizamiento) y ella misma, recibiendo el nombre de plano de deslizamiento
La combinacin de la direccin de deslizamiento y el
plano de deslizamiento forman el conjunto sistema de deslizamiento
En una dislocacin de tornillo, la dislocacin se
mueve perpendicularmente al vector de Burgers, aunque el cristal se deforma en direccin paralela a este vector.
Como el vector de Burgers de una de tornillo es
paralelo a la lnea de dislocacin, no se define un plano de deslizamiento
Durante un deslizamiento se necesita del esfuerzo
de Peirls-Nabarro para mover la dislocacin desde un lugar de equilibrio hasta el siguiente:
= esfuerzo cortante par mover
la dislocacin d = distancia interplanar, entre planos de deslizamiento adyacentes b = magnitud del vector de Burgers c y k = constantes del material
Al aplicarse un esfuerzo cortante: a)Los tomos se desplazan y hacen que la dislocacin se mueva un vector b b)El movimiento continuo de la dislocacin crea un escaln final c)El cristal queda deformado
Determinar la longitud del vector de
Burgers, de una dislocacin del MgO Parmetro de red: 0.396 nm b es el vector de Burgers y tiene la direccin [110], debe ser perpendicular a los planos {110} La lontidud de b entre planos (110) adyacentes es:
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El cobre tiene una estructura FCC. Parmetro de red 0.36151 nm
Direcciones de empaquetamiento son las del vector de Burgers <110>
La distancia de repeticin a lo largo de las direcciones
<110> es la mitad de la diagonal de la cara, porque los puntos estn en los vrtices y en los centros de las caras Diagonal de la cara = a02 = (2)(036151) = 0.51125 nm La longitud del vector de Burgers, o la distancia de repeticin, es: b = (0.51125nm) = 0.25563 nm
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Fr=F cos
r = cos cos
r = Fr / A =
donde:
esfuerzo cortante en la direccin de
deslizamiento
= F / A0 =
esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro
Se desea producir una barra de monocristal de aluminio puro, el cual tiene un
esfuerzo cortante crtico resuelto de 148psi. Desearamos que la barra est orientada de tal modo que cuando e le aplique un esfuerzo axial de 500 psi, se deforme por deslizamiento a 45 respecto a su eje y acte sobre un sensor que detecte la sobrecarga. Disee la barra y un mtodo para poder producirla. SOLUCIN: Las dislocaciones comienzan a moverse cuando el cortante resuelto es igual al cortante crtico, 148 psi. r = cos cos ; 148 psi = (500 psi) cos cos
Como se desea deslizamiento en un ngulo de 45 respecto al eje de la barra,
= 45o
Son los lmites o los planos que separan un material en regiones; cada regin tiene la misma estructura cristalina, pero de distinta orientacin. SUPERFICIE DEL MATERIAL Lmites de grano: es la superficie que separa dos o mas granos individuales. En estas zonas los tomos no tienen las distancias correctas. En ciertas posiciones pueden estar generando fuerzas de compresin y en otras de tensin. Grano: porcin de material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi idntico. Pero la orientacin de los tomos o estructura cristalina es diferente en cada grano vecino.
El tamao de grano indica la cantidad de granos que se distribuyen en una
pulgada cuadrada. Determina las propiedades mecnicas de los materiales.
N 2
n 1
aumento N X 100
Se determina con 100X de aumento
Un No de grano grande, indica muchos granos, o un tamao de partcula, y se correlaciona con mayores resistencias en los metales
FALLAS DE APILAMIENTO Estas fallas, son un error en la secuencia de apilamiento, especialmente en los planos con empaquetamiento compacto LMITES DE MACLA Es un plano a travs del cual hay una desorientacin especial de imagen especular de la estructura cristalina Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo del lmite de macla, hace que los tomos se desplacen de su posicin.
![Resumen_Resolución_2476_del_2013[1]](https://imgv2-2-f.scribdassets.com/img/document/323910692/149x198/5be24ae036/1473807903?v=1)
![Actividad de puntos evaluables - Escenario 2_2 PRIMER BLOQUE-CIENCIAS BASICAS_FLUIDOS Y TERMODINAMICA-[GRUPO B01]](https://imgv2-1-f.scribdassets.com/img/document/503047635/149x198/5acca3a050/1618501763?v=1)
