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Estructura de los materiales

2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

Ciencia e Ingeniera de materiales.

Metales y aleaciones
Cermicos, vidrios y vitrocermicos
Polmeros
Semiconductores
Materiales compuestos
Biomateriales

Ejemplos de
Aplicaciones

Propiedades

Metales y Aleaciones Herramientas, chasis


Aceros Aleados
de automviles

Se endurece bastante
con tratamiento
trmico

Cermicos y vidrios
Slice

Fibras pticas para


tecnologa de la
informacin

ndice de refraccin,
bajas prdidas pticas

Polmeros
Polietileno

Empaque de alimentos

Se moldea con
facilidad en lminas
delgadas

Semiconductores
Silicio

Transistores y circuitos
integrados

Comportamiento
elctrico nico

Materiales
Compuestos
Grafito-resina epxica

Componentes de
aviones

Alta relacin de
resistencia a peso

Estructural
es
Aceros,
aleaciones
de aluminio,
concreto
plstico
reforzado

Aeroespaci
ales
Materiales
compuestos
C-C, silicio
amorfo

CLASIFICAC
IN DE LOS
MATERIALE
S
FUNCIONAL
ES

Inteligente
s
Aleaciones
de Ni-Ti con
memoria de
forma

pticos
SiO2, GaAs,
vidrios

Magnticos
Fe,
Fe-Si,
NiZn
y
ferritas entre
otros

Biomdicos
Hidroxiapatit
a, aleaciones
de
titanio,
aceros
inoxidables

Electrnico
s
Si, GaAS, Ge,
BaTiO3

Tecnologa
de energa
y ambiente
UO2, Ni-Cd

ENLAZAMIENTO ATMICO

Enlace
Enlace
Enlace
Enlace

metlico
covalente
inico
de van der Waals

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Los elementos metlicos tienen


tomos ms electropositivos, los
cuales ceden sus electrones de
valencia para formar una nube
de electrones que rodea los
tomos
Presentan mdulo de elasticidad
relativamente
ductilidad

alto

buena

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Comparten
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valencia

electrones

entre

dos

de
ms

tomos.
Los enlaces covalentes son muy
fuertes, por lo tanto materiales
con este tipo de enlaces son
muy duros, ej.: diamante
Altamente direccionales
Presentan ductilidad reducida.

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Se presenta ms de una clase de


tomos,

unos

pueden

donar

sus

electrones de valencia a otros para


completar su octeto.
Los

slidos

con

frecuencia

son

resistentes debido a la fuerza de los


enlaces.
Su conductividad elctrica es muy
limitada (mov. Lento de iones)
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Origen de las fuerzas de van der waals


es de naturaleza de mecnica cuntica
Molculas polares
Es la fuerza de atraccin entre las
molculas o tomos que tienen un
momento
permanente

dipolar

inducido

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Fuerzas de Keesom, dadas por las interacciones entre molculas polares en


forma permanente
En el agua, los electrones del O2 se concentran alejados del hidrgeno

Papel importante en la determinacin de la microestructura y


propiedades de los materiales
Orden de corto alcance (SRO): el arreglo especial de tomos
existe en la vecindad inmediata. Distancia corta, generalmente
uno o dos espaciamientos atmicos.
Orden de Largo Alcance (LRO): es un arreglo regular repetitivo de
tomos en un slido, el cual se extiende sobre una larga distancia

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Gases
Monoatmi
cos
No orden
Ej: Ar
Materiales
Amorfos
Solo orden de
Corto Alcance
Ej: Si amorfo,
vidrios, plsticos
Cristales
lquidos
Orden de Corto y
de largo Alcance
en pequeos
volmenes

Materiales
Cristalinos
Orden de
corto y largo
alcance

Cristales
Sencillos
Ej: Si, GaAs

Policristalin
os
Ej: metales,
aleaciones

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Red: coleccin de puntos de red ordenados en un patrn peridico, de tal forma


que los alrededores de cada punto son idnticos. Puede ser uni, bi o 3D
Base, motivo: grupo de tomos ubicados en una forma determinada.
Estructura Cristalina: Red + Base
Celda Unitaria: subdivisin de la red que conserva las caractersticas generales
de la red.

SISTEMAS CRISTALINOS
Cbico, Tetragonal, Hexagonal,
Ortorrmbico,

Rombodrico,

Monoclnico, Triclnico
Existen 14 arreglos cristalinos,
Redes de Bravais

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Los parmetros de red describen la forma y el tamao de la celda


unitaria, incluyen las dimensiones de las aristas y los ngulos
entre estas.

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SC (ao = 2r); BCC (ao = 4r /3); FCC (ao = 4r/2)


Las direcciones de empaquetamiento compacto o
direcciones compactas, son las direcciones en la cuales
estn en contacto los tomos

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Es la cantidad de tomos que tocan a determinado tomo, o


sea la cantidad de vecinos ms cercanos a ese tomo en
particular. Es una medida de que tan compacto y eficiente es
el empaquetamiento de los tomos.

Es la fraccin de espacio ocupada por los tomos suponiendo


que estos sean esferas duras que tocan a su vecino ms
cercano.

(# atomos / celda)(vol _ de _ atomos )


Factor _ de _ empaquetamiento
vol _ de _ la _ celda _ unitaria

La densidad terica del material se puede calcular con las


propiedades de su estructura cristalina.

(# atomos / celda)(masa _ atomica)


Densidad _
(vol _ celda _ unitaria )(# avogadro )

CALCULO DE LA DENSIDAD TERICA


DEL HIERRO BCC
El parmetro de red para el hierro BCC es 0.2866 nm.

(number of atoms/cell)(atomic mass of iron)


Density
(volume of unit cell)(Avogadro' s number)
(2)(55.847)
3

7
.
882
g
/
cm
(23.54 10 24 )(6.02 10 23 )
La densidad medida es 7.870 g/cm3. La pequea
discrepancia entre las densidades obedece a los
defectos presentes en el material.

ESTRUCTURA HEXAGONAL COMPACTA


HCP

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PROPIEDADES DE LA ESTRUCTURA
CRISTALINA DE ALGUNOS METALES

TRANSFORMACIONES ALOTRPICAS O
POLIMORFAS

Los materiales que pueden tener ms de una estructura


cristalina se llaman alotrpicos, polimorfos o polimrficos. El
termino alotropa suele reservarse para este comportamiento
en los elementos puros, mientras que polimorfismo se usa
para los compuestos.

Para estudiar el comportamiento del hierro a altas temperatura se quiere


disear un instrumento (exactitud 1%) para detectar el cambio en
volumen de un cubo de hierro de 1-cm3 cuando es calentado a travs de
su transformacin polimrfica. T = 911C, Fe es BCC con un parmetro
de red de 0.2863 nm. A 913C,el hierro es FCC, con un parmetro de
red de 0.3591 nm. Determinar la exactitud requerida del instrumento de
medicin

SOLUCION
El volumen de una celda unitaria BCC del hierro antes de
transformacin:
3

VBCC = a0= (0.2863 nm)3 = 0.023467 nm3

El volumen de la clda unitaria FCC de hierro:


3

VFCC = a0 = (0.3591 nm)3 = 0.046307 nm3


FCC (4 atomos celda). Se debe comparar con dos celdas BCC y
obtenemos un volumen (2*(0.023467) = 0.046934 nm 3) con cada
FCC.
El porcentaje de cambio durante la transformacin:

(0.046307 - 0.046934)
Cambio de volumen
100 1.34%
0.046934
El cubo de 1-cm3 se contrae 1 - 0.0134 = 0.9866 cm3 despus
de la transformacin; por lo tanto para asegurar una exactitud de 1%,
el instrumento debe detectar un cambio de:
V = (0.01)(0.0134) = 0.000134 cm3

PUNTOS EN LA CELDA UNITARIA

DIRECCIONES EN LA CELDA
UNITARIA
Los ndices de Miller de las direcciones son la notacin
abreviada para describir esas direcciones. El procedimiento
para determinarlos es el siguiente:
Determinar las coordenadas de dos puntos que estn en la
direccin.
Restar las coordenadas del punto cola de las coordenadas
de las del punto cabeza.
Reducir a mnimos enteros.
Encerrar los nmeros entre corchetes [ ]. Si se produce un
signo negativo, se representa con una barra o raya sobre el
nmero.

Determinar los ndices de Miller para las siguientes


direcciones:

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SOLUCIN
Direccin A:
1. Dos puntos son 1,0,0 y 0,0,0.
2. 1,0,0 0,0,0 = 1,0,0.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [100]
Direccin B:
1. Dos puntos son 1,1,1 y 0,0,0.
2. 1,1,1 0,0,0 = 1,1,1.
3. No hay que reducir a mnimos enteros.
4. [111]

SOLUCIN
Direccin C:
Dos puntos son 0,0,1 y , 1,0.
0,0,1 ,1,1 = -,-1,1.
2(-,-1,1) = -1,-2,2.

CARACTERSTICAS DE LOS NDICES


DE MILLER PARA DIRECCIONES
Una direccin y su negativa no son idnticas; [100] no es
igual que [100]; representan la misma lnea, pero en
direcciones opuestas.
Una direccin y su mltiplo son idnticos; [100] es igual que
[200].
Ciertos grupos de direcciones son equivalentes; tienen sus
ndices particulares por la forma en que se definen las
coordenadas. Por ejemplo, en un sistema cbico, una direccin
[100] es una direccin
coordenadas.

[010] si redefinimos el sistema de

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Los grupos de direcciones equivalentes se pueden indicar o


presentar como una familia. Se usan los parntesis < >
para indicar este conjunto de direcciones.

Conjunto

de

tomos

en

una

direccin

determinada.

Determinan la direccin de deformacin de los


metales

Determinan
materiales

el

crecimiento

de

los

ciertos

Identificar los puntos en donde el plano cruza los ejes x, y y z en


funcin de los parmetros de red. Si el plano pasa por el origen,
hay que mover el origen del sistema de coordenadas.

Sacar los recprocos de las intersecciones

Simplificar fracciones, pero NO reducir a enteros mnimos.

Encerrar entre ( ) los nmeros que resulten. Los nmeros


negativos se deben escribir con una raya sobre ellos

Determinacin de ndices de Miller de Planos

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SOLUCION
Plano A
1. x = 1, y = 1, z = 1
2. 1/x = 1, 1/y = 1,1 /z = 1
3. No hay fracciones para eliminar
4. (111)
Plano B
1. El plano no intercepta el eje z x = 1, y = 2, and z =
2. 1/x = 1, 1/y =1/2, 1/z = 0
3. Eliminando fracciones:
1/x = 2, 1/y = 1, 1/z = 0
4. (210)
Plano C
1. Se debe cambiar el origen, puesto que el plano pasa por 0, 0, 0. Entonces,
se mueve un parmetro de red en direccin y, x = , y = -1, and z =
2. 1/x = 0, 1/y = -1, 1/z = 0
3. No hay fracciones para eliminar.

4. (0 1 0)

Los planos y sus negativos son idnticos (caso


contrario con las direcciones). Por lo tanto
(010) (0 1 0)

Los planos y sus mltiplos no son idnticos (caso


contrario con las direcciones)(densidad planar)

En cada celda unitaria, los planos de una


forma
(o familia) representan grupos de
planos equivalentes que tienen sus ndices
particulares

En los sistemas cbicos, una direccin que


tiene los mismos ndices que un plano es
perpendicular al plano

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Densidad planar (010)

atomos por plano atomos por cara 1 atomo por cara

area del plano


area de la cara
(0.334) 2

8.96 atomos/nm 2 8.96 1014 atomos/cm 2

area de atomos por cara (1 atomo) (r 2 )


Fraccin de Emp. (010)

area por cara


(a 0) 2

r 2

0.79
2
( 2r )

Como en la cara (020) no hay tomos, su densidad


planar y su factor de empaquetamiento es cero; de
esta forma queda demostrado que un plano y su
mltiplo no son iguales.

(a) direccin

[1 2 1] (b) el plano [ 2 10] en una celda cbica

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Debido a la simetra exclusiva del sistema hexagonal se ha


desarrollado un conjunto especial de ndices Miller Bravais
para las celdas unitarias hexagonales; usando cuatro ejes de
coordenadas en lugar de tres.

Se pueden relacionar entre si


los dos sistemas de tres y
cuatro coordenadas, mediante
las

siguientes

formulas,

donde h,k,l, hacen referencia


a

un

sistema

de

tres

coordenadas; y h,k,i,l, a uno


de cuatro:

1
h (2h'k ' )
3
1
k (2k 'h' )
3
1
i (h' k ' )
3
l l'

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Plane A
1. a1 = a2 = a3 = , c = 1
2. 1/a1 = 1/a2 = 1/a3 = 0, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
4. (0001)
Plane B
1. a1 = 1, a2 = 1, a3 = -1/2, c = 1
2. 1/a1 = 1, 1/a2 = 1, 1/a3 = -2, 1/c = 1
3. No hay fracciones que simplificar
(1121)
4.
Direccin C
1. Los dos puntos son 0, 0, 1 and 1, 0, 0.
2. 0, 0, 1, - 1, 0, 0 = -1, 0, 1
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [101] _ _[2113]

Direccin D
1. Los dos puntos son 0, 1, 0 and 1, 0, 0.
2. 0, 1, 0, -1, 0, 0 = -1, 1, 0
3. No hay fracciones que eliminar ni enteros que reducir
4. [110] _ _[1100]

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Las direcciones de deslizamiento se presentan


siempre en la direccin de empaquetamiento
compacto.

El deslizamiento ocurre usualmente sobre la mayora


de los planos compactos

El deslizamiento se produce primero sobre el


sistema de deslizamiento que tiene el mayor
esfuerzo de corte a lo largo de su direccin de
deslizamiento

Un material es anisotrpico si sus propiedades dependen de la


direccin cristalogrfica en la cual se mide la propiedad. Por
ejemplo el modulo de elasticidad del Al es 75.9 GPa, en las
direcciones <111>, pero solo de 63.4 GPa en las direcciones
<100>.
Si las propiedades son idnticas en todas las direcciones, el
material es cristalograficamente isotrpico, un ejemplo de este
tipo de material son los cristales cbicos, como el granate.

En las estructuras cristalinas hay espacios o huecos entre los


tomos normales en los cuales se pueden ubicar tomos mas
pequeos, a esos lugares se les llama sitios intersticiales.

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Sitios
Octadricos

Sitios
Tetradricos

FCC

BCC

12

Los materiales inicos deben tener estructuras


cristalinas que aseguren su neutralidad elctrica
y que permitan el empaquetamiento eficiente de
iones de diferentes tamaos.
Los aniones forman tetraedros u octaedros y
permiten a los cationes entrar en los sitios
intersticiales adecuados y viceversa.

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En esta estructura el sitio


intersticial cbico esta
lleno con el anin.
La
relacin de radios es
0.92, por lo tanto tiene
un
numero
de
coordinacin de ocho; la
estructura posee por lo
tanto dos iones uno de
Cs+ y uno de Cl-. Esta
estructura
es
posible
cuando ambos tienen la
misma valencia.

La relacin de radios en
este caso es de 0.536,
por lo tanto para cumplir
con el equilibrio de cargas
y la relacin de radios,
cada anin y catin debe
tener un nmero de
coordinacin de seis, la
estructura
que
cubre
estas condiciones es la
FCC, con los tomos de
Na+ ubicados en los sitios
octadricos.

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DIFRACCIN DE RAYOS X
Cuando un haz de rayos X de una longitud de onda
especifica del mismo orden de magnitud de las
distancias interatmicas del material llega a este
Ley de Bragg:

sen
2d hkl

INTERACCIONES DESTRUCTIVA Y
CONSTRUCTIVA ENTRE LOS RAYOS X Y EL
MATERIAL CRISTALINO

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Determinar la densidad planar y la fraccin de


empaquetamiento del Nquel FCC en los planos (100),
(110) y (111) ao = 3.5167. Cul de esos planos, si es
que lo hay, es compacto?

atomos _ por _ plano


Densidad _ planar
rea _ del _ plano
rea _ de _ atomos _ por _ plano
Fraccin _ de _ empaquetamiento
rea _ del _ plano

SOLUCIN

IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS


ATMICOS E INICOS
El arreglo de tomos o de iones en los materiales
diseados tiene imperfecciones o defectos.
Frecuentemente estos defectos tienen una gran
influencia sobre las propiedades de los materiales.
Los defectos pueden ser
(dislocaciones) o superficiales

puntuales,

lineales

Son interrupciones localizadas en arreglos atmicos


o inicos

Estos defectos pueden ser utilizados para mejorar


propiedades (dopantes) por ejemplo P y B mejoran
las propiedades elctricas del Si puro

Un defecto puntual implica en general uno o dos


tomos o iones.

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Defectos puntuales: (a) vacancia, (b) tomo intersticial, (c) sustitucional con tomo
pequeo, (d) sustitucional con tomo grande, (e) defecto de Frenkel , (f) Defecto de
Schottky.

VACANCIAS
Se produce cuando falta un tomo o in en su sitio
normal de la estructura cristalina.
Todos los elementos cristalinos presenta este tipo de
defecto.

Q
n n exp

RT

nv = cantidad de vacancias por cm3


n = cantidad de tomos por cm3
Qv = energa necesaria para producir un mol de
vacancias, cal /mol o joule /mol
R = cte de los gases
T = temperatura en Kelvin

SUSTITUCIONAL
Se presenta cuando un tomo o in es sustituido con un tipo distinto
de tomo o ion.

Los tomos o iones sustitucionales ocupan el sitio normal en la red;


pudiendo ser de mayor tamao que los originales, reduciendo los
espacios interatmicos vecinos, o pueden ser de menor tamao
presentndose mayores distancias interatmicas

INTERSTICIAL
Se presenta cuando un tomo idntico a los
puntos normales de red est en una posicin
intersticial.
Este defecto se presenta en estructuras
cristalinas con bajo factor de empaquetamiento

FRENKEL
O par de Frenkel se presenta un par
vacancia-intersticial, formada cuando un
ion salta de un punto normal de red a uno
intersticial y deja atrs una vacancia.

SCHOTTKY
Exclusivo de materiales inicos. Se
presenta un par vacancial, manteniendo
la neutralidad elctrica.

DISLOCACIONES
Son imperfecciones lineales de un cristal, las cuales aparecen
durante la solidificacin del material o cuando este se deforma
permanentemente
En todos los materiales, incluyendo cermicos y polmeros, hay
dislocaciones. Los metales las poseen en un orden de 10 6 a 109
Las dislocaciones son tiles para explicar la deformacin y
endurecimiento de los materiales metlicos. Se mueven en
planos y direcciones de deslizamiento
Las dislocaciones se pueden clasificar
(helicoidal), de borde (escaln) y mixta

en:

de

tornillo

DISLOCACIN DE TORNILLO

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Sigue un plano cristalogrfico durante una revolucin respecto al


eje de torcimiento del cristal , recorriendo distancias
interatmicas iguales en cada direccin, y termina en una
distancia atmica debajo del punto de partida

El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto de partida


es el vector de Burgers b y este es paralelo a la dislocacin de tornillo

DISLOCACIN DE BORDE
Este tipo de dislocacin se puede observar como: imaginar un
cristal perfecto, el cual se abre y en el punto de corte se llena
con un plano adicional de tomos. Su orilla inferior representa
este tipo de dislocacin.

El vector necesario para terminar el circuito y regresar al punto


de partida es el vector de Burgers b y este es perpendicular a la
dislocacin

DISLOCACION MVIL

CRISTAL

SISTEMA DE
DESLIZAMIE
NTO

Vector de
Burgers

Plano de
Deslizamie
nto

FCC

[110] (111)

a/2[110]

(111)

FCC

[111] (110)

a/2[111]

(110)

FCC

[111] (211)

a/2[111]

(211)

FCC

[111] (321)

a/2[111]

(321)

HCP

(0001)

a/3

HCP

a/3

HCP

a/3

(0001)

DISLOCACIN MIXTA
Este tipo de dislocacin tiene componentes de borde y de
tornillo, con una regin de transicin entre ellas.

El vector de Burgers se mantiene igual para todas las porciones


de la dislocacin mixta.

Cuando se aplica una fuerza cortante en la direccin


del vector de Burgers a un cristal que contenga una
dislocacin, sta se puede mover, rompiendo los
enlaces atmicos

El desplazamiento hace que la dislocacin se mueva


una distancia atmica hacia el lado.

El desplazamiento de una dislocacin es anlogo al


de una oruga, pero en los metales, estas se
desplazan a la velocidad del sonido.

Es el proceso por el cual se mueve una dislocacin y hace


que se deforme un material metlico

La direccin a lo largo de la cual se presenta el


deslizamiento se conoce como direccin de deslizamiento.

En el deslizamiento, la dislocacin de borde recorre el


plano formado por el vector de Burgers (direccin de
deslizamiento) y ella misma, recibiendo el nombre de
plano de deslizamiento

La combinacin de la direccin de deslizamiento y el


plano de deslizamiento forman el conjunto sistema de
deslizamiento

En una dislocacin de tornillo, la dislocacin se


mueve perpendicularmente al vector de Burgers,
aunque el cristal se deforma en direccin paralela a
este vector.

Como el vector de Burgers de una de tornillo es


paralelo a la lnea de dislocacin, no se define un
plano de deslizamiento

Durante un deslizamiento se necesita del esfuerzo


de
Peirls-Nabarro para mover la
dislocacin desde un lugar de equilibrio hasta el
siguiente:

= esfuerzo cortante par mover


la dislocacin
d = distancia interplanar, entre
planos
de
deslizamiento
adyacentes
b = magnitud del vector de
Burgers
c y k = constantes del material

Al aplicarse un esfuerzo
cortante:
a)Los tomos se desplazan
y hacen que la dislocacin
se mueva un vector b
b)El movimiento continuo de
la dislocacin crea un
escaln final
c)El cristal queda deformado

Determinar la longitud del vector de


Burgers, de una dislocacin del MgO
Parmetro de red: 0.396 nm
b es el vector de Burgers y tiene la
direccin
[110],
debe
ser
perpendicular a los planos {110}
La lontidud de b entre planos
(110) adyacentes es:

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El cobre tiene una estructura FCC. Parmetro de red 0.36151 nm


Direcciones de empaquetamiento son las del vector de Burgers <110>

La distancia de repeticin a lo largo de las direcciones


<110> es la mitad de la diagonal de la cara, porque los
puntos estn en los vrtices y en los centros de las caras
Diagonal de la cara = a02 = (2)(036151) = 0.51125 nm
La longitud del vector de Burgers, o la distancia de
repeticin, es:
b = (0.51125nm) = 0.25563 nm

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Fr=F cos

r = cos cos

r = Fr / A =

donde:

esfuerzo cortante en la direccin de

deslizamiento

= F / A0 =

esfuerzo unidireccional aplicado al cilindro

Se desea producir una barra de monocristal de aluminio puro, el cual tiene un


esfuerzo cortante crtico resuelto de 148psi. Desearamos que la barra est
orientada de tal modo que cuando e le aplique un esfuerzo axial de 500 psi, se
deforme por deslizamiento a 45 respecto a su eje y acte sobre un sensor que
detecte la sobrecarga. Disee la barra y un mtodo para poder producirla.
SOLUCIN:
Las dislocaciones comienzan a moverse cuando el cortante resuelto es igual al
cortante crtico, 148 psi.
r = cos cos ;
148 psi = (500 psi) cos cos

Como se desea deslizamiento en un ngulo de 45 respecto al eje de la barra,


= 45o

Son los lmites o los planos que separan un material en regiones; cada regin
tiene la misma estructura cristalina, pero de distinta orientacin.
SUPERFICIE DEL MATERIAL
Lmites de grano: es la superficie que separa dos o mas granos individuales. En
estas zonas los tomos no tienen las distancias correctas. En ciertas posiciones
pueden estar generando fuerzas de compresin y en otras de tensin.
Grano: porcin de material dentro de la cual el arreglo de los tomos es casi
idntico. Pero la orientacin de los tomos o estructura cristalina es diferente en
cada grano vecino.

El tamao de grano indica la cantidad de granos que se distribuyen en una


pulgada cuadrada. Determina las propiedades mecnicas de los materiales.

N 2

n 1

aumento
N
X
100

Se determina con 100X de aumento


Un No de grano grande, indica muchos granos, o un tamao de partcula, y se
correlaciona con mayores resistencias en los metales

FALLAS DE APILAMIENTO
Estas fallas, son un error en la secuencia de apilamiento, especialmente en los
planos con empaquetamiento compacto
LMITES DE MACLA
Es un plano a travs del cual hay una desorientacin especial de imagen
especular de la estructura cristalina
Las maclas pueden producirse cuando una fuerza cortante, que acta a lo largo
del lmite de macla, hace que los tomos se desplacen de su posicin.

(c) 2003 Brooks/Cole Publishing / Thomson Learning

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Micrografa de maclas dentro de un grano de latn (250X)