Universidad Nacional de Mar del Plata

CALIDAD DE LA ENERGA

PERTURBACIONES E INTERFERENCIAS ELECTROMAGNTICAS

1.SOBRETENSIONES DEBIDAS A DESCARGAS ATMOSFRICAS La cada de rayos sobre redes areas, en particular las redes de baja tensin que no cuentan con hilo de guardia, constituyen un peligro para las personas e instalaciones. Las corrientes de rayo se caracterizan por tener un frente de onda elevado con un decrecimiento ms lento. Estas altas sobreintensidades, muy variables y difciles de medir, son descargadas por equipamiento de proteccin especficos (descargadores de corrientes de rayo) que limitan corrientes con frentes de onda del tipo 10/350, entendiendo como tal, que tarda 10 mseg en alcanzar su pico, y 350 mseg en alcanzar el 50 % del valor pico. Admiten corrientes de choque del orden de los 75 [kA]. Estos descargadores se instalan en la red area, o bien a la entrada del edificio a proteger para cada fase de alimentacin. Si bien el descargador de la corriente de rayo limita el frente de onda, se generar una sobretensin en la fase afectada que debe ser eliminada por los descargadores de sobretensiones que se deben instalar en el tablero general del edificio. Definiciones Tensin de impulso, tensin de choque o impulso de tensin: es la onda de tensin transitoria aplicada a un material, caracterizada por un rpido crecimiento, seguido por un decrecimiento lento y no oscilatorio. Coordinacin de la aislamiento: es la seleccin de la rigidez dielctrica de los materiales y equipos en funcin de las sobretensiones que pueden aparecer en el sistema o red para la cual esta destinado el material o equipo, teniendo en cuenta el ambiente de servicio y las caractersticas de los sistemas de proteccin. 2.CATEGORAS DE LA RESISTENCIA AL IMPULSO, O CATEGORAS DE SOBRETENSIN

CATEGORA I: TENSIONES DE IMPULSO MENORES A 1,5 [KV] Estn destinados a ser conectados en instalaciones fijas, contando con proteccin exterior a los equipos. Dentro de este grupo encontramos: Circuitos electrnicos sensibles. Puestos de trabajo informticos. Electrodomsticos de programacin electrnica.

CATEGORA II: TENSIONES DE IMPULSO MAYOR O IGUAL A 2,5 [KV]. Tambin estn destinados a ser conectados en instalaciones fijas, contando con proteccin exterior a los equipos, proporcionando un grado normal de disponibilidad (confiabilidad). Dentro de este grupo encontramos: Electrodomsticos de programacin mecnica. Herramientas porttiles.

CATEGORA III: TENSIONES DE IMPULSO MAYOR O IGUAL A 4 [KV]. Como las dos anteriores estn destinados a ser conectados en instalaciones fijas, contando con proteccin exterior a los equipos, proporcionando un alto grado de disponibilidad (confiabilidad). Se conectan en el tablero general o inmediatamente aguas abajo del mismo. Dentro de este grupo encontramos: Tableros de distribucin. Aparatos de maniobra y proteccin. Cables y cajas de conexin. Motores elctricos.

CATEGORA IV: TENSIONES DE IMPULSO MAYOR O IGUAL A 6 [KV]. Se emplean en el origen de la instalacin elctrica del inmueble, aguas arriba del tablero general. Deben soportar una tensin de impulso elevada, proporcionando alta confiabilidad. Dentro de este grupo encontramos: Medidores de energa. Interruptores principales. Dispositivos de telemedicin.

3. ZONAS DE PROTECCIN Y EQUIPAMIENTO DE PROTECCIN Habiendo identificado previamente los niveles de sobretensin que pueden presentarse en un determinado edificio, y de la tensin de impulso admitida por nuestro equipamiento, es necesario definir distintas zonas de proteccin en funcin de la posibilidad de descargas atmosfricas (directas o no), y solicitaciones de maniobra y proteccin.

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

Las zonas de proteccin contra rayos se clasifican, de acuerdo a su riesgo electromagntico, es decir que tras la zona en que se pueden producir descargas directas del rayo, se definen zonas contra descarga de rayos dentro del edificio con riesgo decreciente. De acuerdo a ello, en la instalacin elctrica, se debern instalar protecciones contra rayo y sobretensiones que estn de acuerdo a la tensin de impulso soportada por el equipamiento. Toda red o instalacin elctrica est protegida cuando en dicha red, debido a los medios de proteccin empleados, pueden esperarse sobretensiones transitorias inferiores a las tensiones de impulso toleradas por los materiales y equipos. Existen en el mercado, numerosas firmas que distribuyen descargadores de corriente de rayo y descargadores de sobretensiones, para los cuatro niveles de sobretensin mencionados. 4. INFLUENCIAS ELECTROMAGNTICAS SOBRE EQUIPOS, MATERIALES E INSTALACIONES Los fenmenos elctricos descriptos hasta ahora (rayos, cortocircuitos y maniobras) pueden provocar adems de las sobretensiones mencionadas, interferencias electromagnticas. Estos efectos se agravan cuando: Existen grandes lazos metlicos. Distintos sistemas de cables o de conductores elctricos son instalados en recorridos distintos dentro del edificio (por ejemplo conductores de alimentacin por un recorrido y de seales y comunicacin por otro).

El valor de la tensin inducida depende del gradiente de la corriente perturbadora (di/dt), y de la magnitud del lazo. Es de destacar que los cables de alimentacin elctrica que tengan cargas altamente variables son efectivos emisores de interferencias. Como fuentes de interferencia electromagntica tenemos:

Maniobra de cargas inductivas. Motores elctricos. Iluminacin fluorescente. Equipos de soldar. Rectificadores. Transformadores. Convertidores de frecuencia. Barras de potencia.

5. PROTECCIN DE EQUIPOS CONTRA INTERFERENCIAS ELECTROMAGNTICAS MEDIANTE ELEMENTOS NO LINEALES Proteccin con TVS Para proteger los artefactos alimentados por la instalacin elctrica en el interior de las construcciones domiciliarias se sola utilizar varistores de xido de zinc en una base de bismuto, conocidos comercialmente como MOV (Metal Oxide Varistor). Estos dispositivos actan limitando la magnitud de las sobretensiones de corta duracin que puedan ingresar por la lnea de suministro elctrico, evitando que la misma supere un valor mximo de seguridad. Sin embargo, presentan varias desventajas: a) sufren degradacin en funcin del nmero de impulsos recibidos, b) presentan alta capacidad parsita y c) al fallar quedan en circuito abierto dejando al equipo desprotegido, sin dar aviso de ello. Hoy en da
Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

resulta ms adecuado reemplazar los MOVs por los diodos TVS de silicio semiconductor, que no se degradan con el uso y al fallar quedan en corto, aunque estn restringidos a aplicaciones de hasta 220 VCA y potencia intermedia a baja. Criterios de diseo El proceso de seleccin del TVS ms adecuado comprende 4 pasos, aunque algunos fabricantes agregan un quinto paso: 1) Hallar la especificacin de tensin necesaria para el TVS en rgimen permanente, es decir, en condiciones de funcionamiento norma; 2) calcular el pico de corriente transitorio a travs del TVS; 3) determinar la disipacin de potencia necesaria para dicho dispositivo; 4) verificar si la tensin de limitacin del TVS es la adecuada para su misin. 5) Eventualmente, determinar la energa impulsiva absorbida por el mismo. 5.1 Tensin en rgimen permanente Vwm Stand-off Los fabricantes especifican la mxima tensin en rgimen permanente que puede soportar un TVS sin daarse, tanto para corriente alterna sinusoidal como para corriente continua, teniendo en cuenta una posible excursin hacia arriba de hasta un 10 % en la tensin de alimentacin. Para formas de onda no-sinusoidales se suele aumentar la Vwm especificada en un factor 2, que tiene en cuenta la menor solicitacin aplicada. Para ilustrar de qu manera se informan estos valores en las hojas de especificaciones, la Figura 9 muestra parte de un manual de TVS de silicio semiconductor de la firma Microsemi:

Figura 9 Hoja de caractersticas elctricas parcial de algunos TVS modelo 30 KP de Microsemi.

Para una tensin alterna de lnea de 220 volts eficaces, el valor pico es: Vpico = 220 x 2 volts = 311,127 volts. Si incrementamos este nmero para tener un margen de seguridad del 10 %, hallamos que el supresor seleccionado deber tener una Vwm mayor o igual a: Vwm 311,127 * 1,1 volts = 342,24 volts. Hacemos entonces una seleccin preliminar del modelo 30KP350A de Microsemi, que posee una Vwm = 350 volts, y continuamos verificando los pasos siguientes del diseo. 5.2 Mxima corriente pulsante pico Ipp

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

A menudo se conoce la forma de onda de la tensin interferente, o bien puede estimrsela a partir de datos estadsticos. Para perturbaciones de corta duracin, puede emplearse el pulso equivalente normalizado de 0.5 s-100kHz, cuya forma y valores caractersticos estn definidos en la norma ANSI/IEEE C62.41, prrafo 9.4.1. Su aspecto es el siguiente:

Figura 10 Onda de tensin transitoria Ring-Wave 0.5 s-100 kHz.

Las caractersticas de la fuente que origina la perturbacin transitoria, estn dadas por la norma antes mencionada y sus valores dependen de la categora de la ubicacin que recibe la sobre tensin, como se detalla en la Tabla 2:
Categora de la ubicacin A1 A2 A3 B1 B2 B3 Exposicin del sistema Baja Media Alta Baja Media Alta Tensin (volts) 2.000 4.000 6.000 2.000 4.000 6.000 Corriente (amperes) 70 130 200 170 330 500 Impedancia (ohms) 30 30 30 12 12 12

Tabla 2 Caracterizacin de la fuente de perturbacin segn la norma ANSI/IEEE C62.41.

La forma de onda de sobre tensin considerada es ms frecuente en el interior de una edificacin, siendo el peor caso la ubicacin de Categora B3 del IEEE, que contempla segn la Tabla 2 una tensin pico de 6000 volts, con una corriente pico de 500 amperes. La siguiente ilustracin ejemplifica las categoras segn esta norma:

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

Figura 11 Categoras de localizacin segn la norma IEEE C62.41-1991.

Resulta aparente en principio que el dispositivo pre-seleccionado al comienzo, 30KP350A, no soportar la mxima corriente pico que contempla la norma, ya que su especificacin es de slo 53 amperes. Sin embargo, debe tenerse en consideracin que este valor est dado para una forma de onda combinada, con 10 s de tiempo de crecimiento y 1000 s de cada exponencial hasta llegar al 50% del pico mximo. A fin de adecuar sus especificaciones a formas de onda diferentes, la firma Microsemi presenta en la Nota de Aplicacin N 104, una manera de recalcular la corriente transitoria mxima en funcin de la duracin estimada ms probable del impulso de potencia aplicado al dispositivo de proteccin. Para ello se utiliza el siguiente grfico:

Figura 12 Relacin entre Potencia Pulsante Pico Ppp y ancho del pulso TP.

La frmula para la conversin es: Ip = (Pp / Ppp) x Ipp, donde Ppp es la especificacin de potencia Pulsante Pico dada por el fabricante para una onda combinada de 10/1000 s, Pp es la potencia que el dispositivo podra manejar para la duracin real del impulso transitorio, potencia cuyo valor se obtiene del grfico de la Figura 12 -, Ipp es la corriente pulsante pico

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

especificada para la onda combinada e Ip la corriente pulsante pico para la forma de onda realmente aplicada. En nuestro caso, para hacer la correccin de Ip debemos primero adoptar un valor para el ancho del pulso de potencia Tp. Siguiendo la recomendacin de la nota de Aplicacin 120 de Microsemi, adoptamos el ancho del primer semiciclo de la sinusoide amortiguada de la figura 10 como Tp, ya que se cumple la condicin que los sucesivos picos del transitorio caen por debajo del 50 % del pico inicial antes del octavo perodo de la oscilacin, es decir: Tp = 2,5 seg. Para esta duracin del impulso transitorio, el grfico de la Figura 12 nos da Pp = 430 Kw, obtenindose entonces Pp/Ppp = 430 kW/30 kW = 14,33 Esto significa 14,33 veces la corriente especificada, lo que implica una Ip = 53 x 14,33 amperes = 759,66 amperes, superior a los 500 amperes exigidos, por lo que el supresor seleccionado resulta adecuado, - por el momento -, para la aplicacin elegida. Asumamos por ltimo que esta manipulacin de las especificaciones podra dejar muy poco margen de seguridad, en caso de que la forma de onda real de la perturbacin fuese diferente de la descripta en la Figura 10. Bajo ese supuesto, un diseo ms conservador podra aconsejar la adopcin de un Tp del doble de lo calculado, es decir, Tp = 5 s. Pero an en esa eventualidad, el valor de Ip que se obtiene del grfico de la Figura 12 es de: (330 kW/30 kW) x 53 amperes = 583 amperes, valor que sigue superando los 500 amperes que fija la Tabla 2. 5.3 Mxima potencia pico disipada Pp Como se vio en el punto anterior, el valor de Pp para el TVS seleccionado es de 330 kW en el peor caso, valor que puede estar sujeto a degradacin segn la temperatura ambiente a la que deba operar. Microsemi no suministra curvas de degradacin para este modelo en particular, informando nicamente que los valores especificados son vlidos para una Tamb = 25 C. Pese a ello, la Nota de Aplicacin 114 especifica en general una degradacin lineal de los valores de Ppp e Ipp en funcin del incremento de la temperatura ambiente, hasta llegar a cero a 175 C, como se aprecia en la figura 13:

Figura 13 Degradacin de la Potencia Pulsante Pico Ppp y del pico de Corriente Ipp a Tamb 40 C.

Por ejemplo, para una Tamb = 40 C se garantiza en el peor caso (curva B del grfico de la Figura 13) un 90 % de los valores especificados a 25 C. Calculamos a continuacin la
Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

degradacin en Ppp, que a su vez nos da una Ip de 0,90 x 583 amperes = 524,7 amperes, todava suficiente para la aplicacin elegida. 5.4 Mxima tensin de Clamping Vc La tensin de limitacin Clamping que presenta el TVS seleccionado es de 564 volts, correspondiente a una forma de onda del impulso transitorio de 10 s/1000 s, para una Ipp especificada de 53 amperes. Si bien hallamos en el punto 7.2 que la Ip real para la forma de onda 0.5s/100 kHz era de 583 amperes, esto no significa que la Vc vaya a incrementarse ms all de los 564 volts especificados, debido a la menor duracin del impulso, que contiene igual cantidad de energa que la forma de onda en que se bas el fabricante. Si en cambio, manteniendo la forma de onda de referencia del fabricante se redujera el pico mximo de corriente, el valor de Vc se vera disminuido por aplicacin de la frmula sugerida en la Nota de Aplicacin 108: VC = (IP/IPP)(VC mx V(BR) mx) + V(BR) mx Por lo tanto, no se requiere una verificacin de Vc en las condiciones dadas. Un aspecto de crucial importancia en la efectividad de estos dispositivos es la longitud final de sus conductores una vez instalados, ya que esto afecta la Vc realmente obtenida:
Vc (VLet Through) = VClamp + IT * R|| Path + L|| Path * dIT/dt Donde: VClamp es la tensin nominal de clamping Vc del dispositivo; IT es la corriente pico del impulso transitorio; R|| Path es la resistencia total de los conductores usados en la instalacin; L|| Path es la inductancia de los conductores usados; dIT/dt es el tiempo de crecimiento de la forma de onda del impulso transitorio.

Esto hace que varios fabricantes hayan desarrollado sistemas de proteccin para uso industrial que incorporan MOVs o TVSs, ya preparados para instalarse directamente en los tableros de la instalacin elctrica existente, con montaje por riel DIN. Ilustramos a continuacin algunos de estos productos, extrados de un catlogo del fabricante TRANSTECTOR de Idaho, EEUU.

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

5.5 Mxima energa impulsiva absorbida por el TVS Otros fabricantes (p. ej. Harris, que manufactura MOVs) suelen recomendar una verificacin de este valor. Para ello suministran curvas para diferentes formas de onda de la corriente generada por la perturbacin. La presentacin de altos valores de energa absorbida en las hojas de datos de un TVS sugiere que, a mayores valores, mejor calidad del producto. Esto no es necesariamente as, como lo refleja la norma ANSI/IEEE C62.41-1991, Seccin 7 -, cuando especifica claramente que: El parmetro significativo no es la energa contenida en el transitorio en s, sino la energa que debe ser absorbida por el dispositivo de proteccin. Para un dispositivo no lineal, la energa no puede calcularse como la tensin pico al cuadrado multiplicada por la duracin del impulso transitorio. El concepto de dar un valor de medida de la energa puede conducir a indicar arbitrariamente una energa transitoria, asumiendo un valor para la impedancia y obteniendo resultados en joules. Los componentes no lineales poseen en realidad una capacidad de manejo de energa variable, influida por las caractersticas particulares del evento transitorio en particular. Especificar una

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna

dada capacidad de manejo de energa en joules podra inducir a error al usuario desprevenido, en caso de que el fabricante no indicara las condiciones de contorno bajo las cuales es vlida tal especificacin. Parmetros mucho ms adecuados para emplear en el clculo de un dispositivo de proteccin son, como hemos visto anteriormente en 7.3 y 7.5, la mxima corriente pico y la tensin de limitacin clamping. 6. PROTECCIN DE EDIFICACIONES CONTRA DESCARGAS ELECTROMAGNTICAS Si bien existen mltiples medidas a adoptar, debe tenerse presente que el objetivo principal es lograr una efectiva y baja resistencia de puesta a tierra con varios electrodos, una jaula de Faraday que rodee el edificio y vincular tambin con la menor impedancia posible al nivel de referencia de tierra todo mueble metlico, tierra de equipos y pantallas de proteccin de cables. Las medidas que se recomiendan tomar son las siguientes: Todas las envolturas metlicas de proteccin de cables, ya sea de potencia, comunicaciones o seales deben conectarse a una barra equipotencial, la que se vincula al sistema de tierra. Todas las estructuras metlicas del hormign deben conectarse elctricamente en el momento de llenado del encofrado. La estructura metlica debe conectarse a la lnea de bajada de pararrayos a la altura de la terraza y a nivel suelo del edificio. Los cables de energa y comunicaciones deben tenderse por separado y en caso de cruce, el mismo debe hacerse en forma perpendicular. Los cables de energa y seal deben estar lo mas separados posibles de los conductores de bajada del sistema de proteccin contra descargas atmosfricas. Todas las conexiones equipotenciales deben hacerse con baja impedancia, para lo cual deben ser lo mas cortas posible, o mediante cable trenzado con relacin ancho espesor aproximadamente igual a cinco. Si la magnitud de la instalacin admite una barra desnuda equipotencial larga, debe en lo posible efectuarse un anillo cerrado.

Cuando se trate de ms de un edificio en el predio, con tomas de tierra independientes y que posean intercambio entre edificios de datos electrnicos o informacin, deben tomarse medidas adicionales para evitar acoplamiento entre los electrodos de tierra, produciendo un incremento no controlado de tensin de los equipos, existiendo el riesgo de sobretensiones importantes en el caso de cada de rayo en uno de los edificios. En ese caso particular deben vincularse los sistemas de tierra de ambos edificios, a nivel terraza y suelo.

Ing. G. Bacino; Ing .R. Ferreyra; Ing. C. Dimenna