Universidad Nacional Experimental Politcnica de la Fuerza Armada UNEFA - Ncleo Maracay Departamento de Telecomunicaciones Asignatura: Electrnica III

Respuesta Frecuencial de los Amplificadores Electrnicos

Elaborado por Ing. Csar A. Gonzlez G.

Maracay, Septiembre 2005

Ing. Csar Gonzlez Electrnica III

RESPUESTA EN FRECUENCIA DE LOS AMPLIFICADORES ELECTRNICOS CONCEPTO DE DECIBELIO Los niveles de potencia y audio se relacionan en forma logartmica empleando una unidad conocida como el decibelio o dB, que se define como el mnimo cambio apreciable en la intensidad audible de dos sonidos. Para poder apreciar la diferencia entre dos sonidos es necesario que el ms fuerte supere al otro en una cantidad determinada de potencia expresada de la siguiente manera:

S 10 log
Donde:

I I0

S es la Sensacin Sonora o el menor cambio apreciable por el odo humano. I0 es la Intensidad Sonora de la seal de menor potencia (o sonido patrn). I es la Intensidad Sonora de la seal de mayor potencia (o sonido a medir).

Arbitrariamente se toma a I0 como el sonido ms dbil que puede escucharse aproximadamente 10-16 2 W/cm con un nivel de intensidad de 0dB. La intensidad mxima que el odo puede tolerar sin causar -14 2 dolor es de unos 10 W/cm que corresponde a un nivel de intensidad de unos 120dB. En comunicaciones el dB es una expresin logartmica que se utiliza para comparar dos niveles de potencia y se define como:

dB 10 log

P2 P1

Donde: P1 es la potencia de referencia y P2 es la potencia a medir con respecto a esa referencia. El nivel de referencia en aos anteriores era 6mW, actualmente el nivel aceptado es 1mW. A este nivel de potencia se le asocia tambin una cierta resistencia de referencia. En telefona la resistencia asociada es de 150 en el sistema europeo, en Amrica es de 600 que es la impedancia de un cable coaxial de audio. En comunicaciones de radio frecuencia la resistencia empleada es de 50 . En video se emplean 75 que son las impedancias caractersticas de las lneas de transmisin. La notacin en cualquiera de los casos anteriores es:

dBm 10 log

P2 600 ,50 , etc. 1mw

La ecuacin anterior tambin se puede tomar como ganancia de potencia donde:

G p dB 10 log

P2 P1

G p dB 10 log A p
2

En electrnica es muy frecuente manejar las ganancias en trminos de voltajes:

G p dB 10 log
O en trminos de corriente:

V22 / R2 V / R1
2 1

V 10 log 2 V1
2 I2 R2 2 I 1 R1

V R1 G p dB = 20 log 2 V1 R2

10 log

R1 R2

G p dB 10 log
Donde:

20 log

I2 I1

10 log

R2 R1

AV dB
y

20 log

V2 V1

se define como ganancia de voltaje o tensin

Ai dB

20 log

I2 I1

se define como ganancia de corriente

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De las ecuaciones anteriores se desprende que si R1=R2, la GpdB = AVdB = AidB; es decir, si las resistencias en que se disipan las potencias son iguales (impedancias acopladas), entonces las ganancias medidas en decibelios, tambin lo son. FRECUENCIAS DE CORTE Y ANCHO DE BANDA En un amplificador la ganancia disminuye por debajo y por encima de cierto rango de frecuencias, por efecto de las capacitancias parsitas de los componentes activos y por los capacitores de acoplamiento. Los puntos donde la potencia de salida disminuye a la mitad de su valor mximo, se llaman frecuencias de corte, en estos puntos la ganancia ha disminuido 3dB con respecto a la ganancia mxima. Por ejemplo si se tiene una potencia de entrada de 1W y una potencia de salida de 100W. Se tiene que:

G p dB 10 log

100 1

20dB

Si por alguna razn la potencia de salida se reduce a 50W. Entonces: GpdB=10 log 50=17dB. Es decir, la ganancia cae en -3dB. Matemticamente, si:

G1 dB 10 log
Cuando P2 se reduce a la mitad se tiene:

P2 P1 10 log 2

G 2 dB 10 log

P2 / 2 P 10 log 2 P1 P1

Por lo tanto: G2dB = G1dB - 3dB. Ahora, para analizar lo que ocurre con la ganancia de voltaje bajo estas condiciones, se tiene que como

AV

Vo Vi

Vo ViAV y con P2 P2 2

V02 RL

P2

(ViAV ) 2 RL

Si conservando la tensin de entrada la potencia se reduce a la mitad se tiene:

(ViAV (1 / 2)) 2 RL

Si AV(1/2) es la ganancia de voltaje que se tiene cuando la potencia se reduce a la mitad, entonces:

P2 2 AV Vi 2

(ViAV ) 2 2RL

(ViAV (1 / 2)) 2 RL AV (1 / 2) AV 2

As, cuando la potencia de salida se reduce a la mitad la ganancia de voltaje cae 0.707 veces. Estos resultados se muestran grficamente en la figura siguiente:

ViAV (1 / 2)

Ancho de Banda BW = fH - fL fH

AVm es la ganancia mxima del amplificador a frecuencias medias, con f L y f H como las frecuencias de corte en baja (BF) y en alta (AF), respectivamente. El rango de frecuencia para el cual la ganancia se mantiene por encima del 70.7% de AVm se denomina ancho de banda o banda pasante del amplificador. )
2

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RESPUESTA FRECUENCIAL La disminucin de la ganancia de un amplificador obedece principalmente a los efectos que producen las variaciones frecuenciales sobre las reactancias capacitivas que conforman el circuito electrnico. A travs de las uniones semiconductoras de los transistores aparecen pequeas capacitancias parsitas, cuyas reactancias son muy altas (circuitos abiertos) a frecuencias bajas y medias, por lo que son despreciables para el anlisis circuital. Cuando las frecuencias son muy altas dichas capacitancias exhiben reactancias cada vez ms pequeas que tienden a cortocircuitar las uniones, haciendo que los transistores sean incapaces de amplificar como lo hacan a las menores frecuencias. A bajas frecuencias la ganancia se ve afectada por las altas reactancias de los condensadores que se colocan en los acoplamientos entre etapas y para el desvo a tierra de emisores (BJT) y fuentes (FET). Por esta razn, los criterios de seleccin de estos condensadores estn orientados a que sus reactancias sean despreciables (corto circuitos) para las frecuencias que estn por encima de fL. Los amplificadores usados en instrumentacin, capaces de manejar seales de corriente continua o de muy baja frecuencia, se disean sin acoplamientos capacitivos (con acoplamiento directo) con el fin de lograr una respuesta frecuencial plana a bajas frecuencias (f L = 0). RESPUESTA DE UN AMPLIFICADOR GENERAL

En la figura se muestra el modelo en AC de un amplificador general con una resistencia de entrada Ri y una de salida ro >>RL. Adems; se tiene un capacitor Cc de acoplamiento de entrada y otro Ci que concentra los efectos internos del transistor para altas frecuencias. El anlisis se realiza en dos fases: para bajas frecuencias y para altas frecuencias. ANLISIS PARA BAJAS FRECUENCIAS El capacitor Ci se considera un abierto y el circuito queda como se muestra en la figura siguiente:

Vo Vi

g mViRL , RiVs Ri RS 1 sC C

Vo

g m RiVsRL 1 Ri R S sC C Vo Vs

AVL Ri

g m Ri R L 1 RS sC C

g m Ri R L ( Ri RS ) 1 1 sC C ( Ri RS )

Con

AVL , ganancia de voltaje

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Como la ganancia a frecuencias medias est representado por:

g m Ri R L Ri R S
Entonces, se puede escribir que:

Ri R L hie ( Ri R S )

RL hie

Ri Ri RS

AVM

AVL

AVM 1 1 sC C ( Ri RS )

La suma de Ri y Rs constituye la resistencia de Thevenin en bornes del capacitor Cc y como s=j, entonces el inverso del producto Cc (Ri + Rs) es una frecuencia angular que se denota por L y es la frecuencia angular de corte para bajas frecuencias. Con esto:

AVL 1

AVM
L

AVL 1

AVM
L

AVM s s L

AVM s
L 1

s
L

En la ecuacin anterior se tiene una funcin de transferencia con un cero y un polo; por lo tanto, para la magnitud y la fase se tiene:

| AVL | 1

| AVM | fL f
2

arctg

fL f

Obtenindose el siguiente diagrama frecuencial o diagrama de Bode:

Para analizar el comportamiento a bajas frecuencias slo se consider la existencia de un capacitor de acoplamiento de entrada, cuya situacin circuital con respecto al amplificador es la que se muestra a la derecha.

Amplificador
Ri

Amplificador

Sin embargo, si existiera un capacitor de acoplamiento de salida, su situacin circuital con respecto el amplificador sera la que se muestra a la izquierda, produciendo otro cero y otro polo de baja frecuencia. Si se identifica como fL1 a la frecuencia de corte producida por el capacitor de acoplamiento de entrada Cc y como fL2 a la que produce CS, entonces estas quedaran definidas por las siguientes expresiones:
4

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Una debida a CC dada por:

Otra debida a CS dada por:

f L1

1 2 C C ( Ri

RS )

f L2

1 2 C S ( R0

RL )

Si una de estas dos frecuencias est por lo menos, una dcada por encima de la otra, la mayor de las dos es la frecuencia de corte del amplificador, de lo contrario hay que calcularla en forma analtica. EJEMPLO: AMPLIFICADOR INVERSOR BJT Adems de los capacitores de acoplamiento para la fuente y la carga, en este montaje se desva a tierra el terminal emisor a travs del capacitor CE, para que RE no afecte el valor de la ganancia. Este otro capacitor produce un nuevo cero y un nuevo polo de baja frecuencia, influyendo en la frecuencia de corte del amplificador. Cuando hay mltiples polos lo ms indicado es usar el mtodo del polo dominante, que consiste en hacer que uno de los polos sea por lo menos, una dcada ms grande que los dems, para que ste domine la respuesta frecuencial. Entonces el circuito se proyecta de modo que el condensador de desvo sea el que determine la frecuencia de corte. Es decir, se realiza el anlisis para el capacitor CE, considerando a los capacitores de acoplamiento como cortos circuitos. El circuito en AC y su modelo hbrido se muestran a continuacin:

Haciendo RB=RB1//RB2 y con RL=RC//RL se sabe que la ganancia de voltaje a frecuencia a medias es:

AVM

' RL

hie

R B // hie ( R B // hie ) R S

' RL R B hie

hie ( R B

hie )

R B hie R B hie

RS

R B hie

' RL RB R S R B R S hie

La impedancia resultante de la resistencia RE y la reactancia del condensador CE es:

ZE

R E //

1 sC E

RE sC E R E
' g m ib r R L ,

1 sC E (

RE 1 sC E R E

Adems,

Vo

' g m v RL

Vi ib r ib Vo Vi (r r (

( Vi

1)ib Z E 1) Z E )

ib (r y Vo

1) Z E )

' g m r ViRL r ( 1) Z E

' g m r RL ( 1) Z E

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Entonces la ganancia total incluyendo RS es:

AVL AVL

' g m r RL Zi * ( 1) Z E Z i R S

r ( RS RB r

' g m r RL R B //(r ( 1) Z E ) * ( 1) Z E R S R B //(r ( 1) Z E )

' g m r RL RB

(RB r
Con (+1) = gm r y r

RS RB

RS r ) 1

R B )( 1) Z E RS RB RS r

hie la ganancia se puede expresar en trminos de AVM , como sigue:

AVL

AVM reemplazan doa el valor de Z E se tieneque: Reemplazando ZE por su valor, se tiene ( RS R B )( 1)Z E 1 r ( R B R S ) RS R B AVM ( R S R B )( 1) R E 1 (r ( R B R S ) R S R B )(1 sC E R E ) AVM (1 sC E R E ) ( RS R B )( 1) R E 1 sC E R E r ( R B R S ) RS R B

AVL

AVL 1 ( r

AVM (1 sC E R E ) 1) R E R S // R B sC E R E RE ( 1) 1 r R S // R B ( r

AVM (1 sC E R E ) 1) R E R S // R B sC E R E 1 r R S // R B 1 R S // R B RE 1 r

Con

RE r

R S // R B 1 R S // R B RE 1

R E //

R S // R B 1

RE //

RS // RB 1

* RE

Entonces

AVL 1 r

AVM (1 sC E R E ) ( 1) R E * 1 sC E R E R S // R B

AVL 1 r

AVM ( 1) R E R S // R B

1 sC E R E
* 1 sC E R E

Ya puede verse una funcin de transferencia con un cero y un polo, cuyas constantes de tiempo son CERE y CERE*, respectivamente. Estas producen dos frecuencias 1 = (CERE)-1 y 2 = (CERE*)-1. Como RE > RE* se tiene que: 1 < 2 y por lo tanto f 1 < f 2. Es decir, el cero ocurre antes que el polo, exhibiendo la siguiente respuesta frecuencial en amplitud:

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Para determinar el efecto de C1 se emplea el circuito equivalente con CE abierto:

Rs

C1

AVM Zi

hie

' RL ( 1) R E

R B (hie ( R B hie (
1 C1 ( Z i

1) R E ) 1) R E

As, el polo que produce C1 queda ubicado en:

W LL

RS )

El efecto de C2 puede determinarse analizando el circuito de salida con CE abierto, as se ve que RC y RL son las resistencias que quedan en bornes de C2, por lo que el polo correspondiente queda ubicado en:

1 C 2 ( RC

RL )

Finalmente, se tienen ubicados los tres polos que determinan la respuesta del amplificador en bajas frecuencias:

f L1

1 2 C1 ( RS

Zi )

f L2

1 2 C 2 ( RC

RL )

f L3

1 * 2 C E RE

Cuando se analiza un amplificador, se tiene que si una de estas tres frecuencias est por lo menos, una dcada por encima de la otra, la mayor de las tres es la frecuencia de corte del amplificador, de lo contrario hay que calcularla en forma analtica. Ahora, cuando se est diseando el circuito, se desea que el polo producido por CE domine la respuesta frecuencial, haciendo que fL3 sea mucho ms grande que fL1 y fL2. Esto se hace para que el valor y el tamao del condensador CE sean mnimos, ya que este el que tiene la resistencia ms pequea (RE*). Adems, con este criterio los condensadores C1 y C2 resultan tambin menores que CE. ANLISIS PARA ALTAS FRECUENCIAS Haciendo referencia al amplificador general que se us en el anlisis para bajas frecuencias, pero ahora considerando al capacitor Cc como un corto circuito, se tiene el siguiente esquema circuital:

Circuito usado en el anlisis para altas frecuencias Del cual se deduce que:

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Zi

Ri //

1 sC i

Ri sC i Ri 1 sC i

Ri 1 sC i Ri RiVS RS ) (1 sC i Ri ) Ri 1 sC i Ri RS Ri RiVS , RS sC i Ri RS

Vi

Z iVs Z i RS g mViRL Ri AVH

RiVS (1 sC i Ri )(Z i

Vo Vo Vo Vs

g m Ri RLVS RS sC i Ri RS g m Ri R L ( Ri RS ) 1 AVM 1 sC i ( Ri // RS )

sC i Ri RS Ri RS El trmino Ci(Ri//Rs) es la constante de tiempo del polo de alta frecuencia y su inverso corresponde a la frecuencia angular H; es decir:
Con esto:

wH

1 C i ( Ri // RS )

AVH

AVM jw 1 wH AVM 1 f fH 1 1

AVM jf 1 fH
2

Las frecuencias por encima de f H son atenuadas y por debajo de f H son transmitidas. El diagrama de Bode correspondiente se muestra en la figura siguiente:

AVH

arctg

f fH

Normalizando : AVH AVM

2

f fH

AVH AVM

dB

A 20 log VH AVM

10 log 1

f fH

MODELO DEL TRANSISTOR A ALTAS FRECUENCIAS En el circuito de la figura siguiente se muestra el modelo de Giacoletto, un circuito equivalente que incluye los efectos capacitivos de las uniones semiconductoras para un transistor a altas frecuencias

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Donde: B: rbb: rbe:

es el terminal de la base y B representa la unin interna de la base. es la resistencia de dispersin de la base, sus valores tpicos estn entre 10 y 100 , tendiendo a disminuir cuando aumenta la frecuencia y por el Efecto Early. resistencia de la unin base-emisor y viene dada por la corriente de polarizacin: rbe = r = VT IEQ Una expresin ms exacta para hie = rbb + rbe

rbc: ro: Cbc: Cbe:

sus valores tpicos van desde unos cientos hasta algunos miles de ohmios. es una resistencia de realimentacin entre la entrada y la salida (r ), sus valores estn por el orden de los megaohmios y su efecto generalmente se desprecia. -1 es la resistencia de salida (hoe ) debida al efecto Early, sus valores tpicos van desde las decenas hasta las centenas de kiloohmios y en la prctica su efecto es despreciable. es la capacitancia de transicin de la unin base-colector, su valor oscila de 1 a 5pF. Tambin se conoce como C o Cob por ser la capacitancia de salida en base comn. es la capacitancia de difusin del emisor y es proporcional a la corriente de emisor: Cbe = C = IEQ 2 fT VT = 2 fT r fT es la frecuencia a la cual la ganancia de corriente en corto circuito es igual a 0dB.

Giacoletto demostr que los componentes de este modelo se mantienen constantes, siempre que la frecuencia est al menos, una dcada por debajo del triple de la frecuencia de transicin. (f << 3 fT). INFLUENCIA DE LA ALTA FRECUENCIA SOBRE EL DEL TRANSISTOR Se comienza el anlisis a partir del modelo del transistor, pero sin circuito externo con el fin de estudiar la influencia de la frecuencia sobre el parmetro del transistor:

A medida que la frecuencia aumenta las reactancias de los capacitores disminuyen hasta hacerse comparables con las resistencias que intervienen en el circuito, de tal manera que las ganancias se ven afectadas. Como el parmetro representa la mxima ganancia de corriente de un transistor BJT, se debe medir la corriente mxima de salida (iomx), con respecto a la corriente de entrada (is). Para ello se hace un cortocircuito dinmico entre el colector y el emisor de la figura anterior.

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i0 iS

esto es con v CC
VCE constante

Como VCC i v 1 sC gmv v r v r (s) v (s) (gm i v 1 sC i

0 v sC

i0 iS

gmv i iS

v sC v r

v (gm v sC i

sC ),

iS i0 iS

v sC

v sC v (gm 1 r s (C

v sC )

1 r

s (C (gm

C ) sC )r C )

C )

1 sr (C

sC )r C )

1 sr (C

En general se puede afirmar que gm >> C , por eso:

( s)

gmr 1 sr (C
0

C )

Adems, si se define 0 = gm r , como el valor de en bajas frecuencias, entonces:

( s)

1 sr (C
1 r (C

C )

Esta funcin de transferencia tiene un polo con frecuencia:

w
As pues,

C )

(s) 1 ( w) 1 ( w)

s w
0

Entonces el diagrama de Bode correspondiente se presenta a continuacin:

jw w
0 2 0 2

w w

f f

La frecuencia a la cual la curva corta al eje es la frecuencia de transicin f T, dada por:

dB

20 log (w)

0
10

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Es decir:

( jw)

1 1

0 2

wT w

De acuerdo a este resultado f T = 0 f, esta frecuencia es conocida tambin como el producto de la ganancia por el ancho de banda. Esta f T aparece en los manuales como el lmite mximo de frecuencia para un transistor. Aunque esto en realidad es una aproximacin, ya que como se ver ms adelante el efecto Miller disminuye an ms este lmite. Los valores de f T estn en el rango de las centenas de MHz a las decenas de GHz.
2

1 1 fT f fT f

0 2

fT f
2 2 0

fT f

La ecuacin dada por f T suministra informacin valiosa, ya que si se quiere obtener mayor ancho de banda de un transistor hay que sacrificar o viceversa, tambin ayuda a determinar qu transistor utilizar en un momento dado; por ejemplo si se tienen dos transistores con igual f T tendr mayor ancho de banda el que tenga menor .

El producto ganancia ancho de banda tambin se puede escribir como:

fT

2 r (C
gm 2 C

C )

gm wT 2 (C C )

gm C C

En general se verifica que C >> C , por lo tanto:

fT

Como gm es un parmetro que depende de la polarizacin f T tambin depende de la polarizacin.

Debido a que el valor de f T es tan elevado a veces es difcil medirlo de manera experimental, sin embargo esta medicin se puede efectuar con una buena aproximacin a frecuencias menores. Para ello se procede de la siguiente manera: Se mide (s1) y as se obtiene f T. Con f T se puede medir C que no figura en los manuales pero se deduce de las frmulas anteriores como:

( s1 ) 1 ( s1 )
0

0 2

con f1

f es decir

f1 f
0

f1 f

gm 2 fT

f1 f

f1

fT f1

fT

( s1 ) f1

En los manuales tambin se puede encontrar el parmetro f que sera la frecuencia de corte en base comn. Conociendo f es posible determinar a f de la siguiente forma:

Con

0 0

( s)
0 0

1 ( s)

S 0 S 0 S

y como ( s )

s 1 w f 1
S

(1
0

)1
S

s w
0

s w 1
0

Si w
Entonces:

w 1
0

s 1 f w
0
0

f (1
f
0

) 1

f f

Como f T fT
0

f (1
0

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EJEMPLO: AMPLIFICADOR INVERSOR BJT EN ALTAS FRECUENCIAS Ahora el trabajo consiste en analizar el circuito completo con el modelo del transistor para altas frecuencias. En las figuras siguientes se muestran los circuitos correspondientes.

Los capacitores externos se tratan como cortos circuitos. Como una primera aproximacin se aplica el Teorema de Miller al condensador C entre los puntos A y B. La impedancia de Miller de entrada para el condensador C viene dada por:

1 sC 1 AV
y la impedancia de Miller de salida:

1 sC (1 AV )

1 sC 1 1 AV

1 sC (1 1 ) AV
C (1 1 ) AV 1 g m ( RC // RL )

De las anteriores impedancias se deducen dos capacitancias de Miller:

CM 1

C (1 AV ) y C M 2

CM1 se calcula con CM2 abierto. AV es la ganancia de voltaje para frecuencias medias entre los puntos A y B; es decir: AV = -gm (RL//RC).

CM1

C (1 g m ( RC // RL )) y C M 2

C (1

Con estos resultados el circuito queda como se presenta a continuacin:

Ci

El efecto Miller se manifiesta como un incremento de la capacitancia de entrada Ci = C + CM1, lo cual disminuye la frecuencia de transicin del transistor f T. En el circuito se tienen dos constantes de tiempo independientes, una asociada con la capacitancia de entrada Ci y otra con la capacitancia de salida C . Cada una produce un polo de alta frecuencia dado por:
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f H1

1 2 C i (r //(r
' bb

R B // RS ))

fH2

1 2 C ( RC // R L )

Si una de estas dos frecuencias es por lo menos, una dcada ms pequea que la otra, la ms pequea es la que determina la frecuencia de corte del amplificador en alta frecuencia. Generalmente f H2 >> f H1, de all se desprende que:

fH

2 C

1 ' C (1 g m ( RC // RL )) r //(rbb

RB // RS )

Si el amplificador no tiene el capacitor de desvo de emisor, entonces RE provoca una fuerte disminucin de la ganancia de voltaje y un aumento de la frecuencia de corte f H, esto conduce a un amplificador con mayor ancho de banda pero con menor ganancia. EJEMPLO El transistor de la figura siguiente tiene parmetros: gm=4.72mA/V, r =21.1K , rbb=100 , C =50pF, C =5pF, y para el circuito: RC=39K , RB1=47K , RB2=68K , RS=20K , RE=1K , RL=50K , C1=C2=2 F y CE=10 F. Calcular la respuesta en frecuencia y el producto ganancia ancho de banda.

Se procede a calcular: hie = r + rbb = 21.1K +100 = 21.2K . Luego: =gm r =4.72mA/V*21.1K =100 y RB=RB1//RB2=47K //68K =27.79K . Ahora se plantea el modelo de bajas frecuencias del amplificador:

Y su equivalente de Thevenin:

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Para hallar la ganancia en medias frecuencias se tiene:

Vs * R B RS R B Vs Vo AVM AVM
Zi
La impedancia de salida es:

((RS // RB ) hie )i B RB ) ,

((RS // R B ) hie )i B * ( RS RB i B * ( RC // RL ) Vo Vs

i B * ( RC // R L ) R B ((RS // R B ) hie )i B * ( RS RB )

38.31
(hie // RB ) 21 .2 K // 27 .79 K 12 .03 K

Para la Impedancia de entrada se hace:

Z0
Por lo tanto:

RC

39 K

f L1 f L2

1 2 C1 ( Z i 1 2 C 2 (Z 0

RS ) RL )

1 2 * 2 F (12.03K

20 K )

2.48 Hz 0.894 Hz
,

1 2 * 2 F (39 K 50 K )

f LE
* RE

1 * 2 C E RE ((RS // RB ) hie ) // RE 1 1 2 *10 F * 245.3 ((20K // 27.79K ) 21.2 K ) // 1K 100 1 245.3

f LE

64.88Hz

Como fLE es ms de una dcada mayor que f L1 y fL2, entonces f LE se toma como la frecuencia de corte en bajas frecuencias, dado que CE produce un polo dominante de baja frecuencia. Ahora se procede a realizar el equivalente en altas frecuencias del amplificador:

En la figura: RL=RC//RL=21.91K . Ahora si se define Amiller = (V2/V1) se puede encontrar la capacitancia de Miller CM, de la siguiente manera:

V1

y V2 V2 V1

Vo

g m v ( RC // R L ) 4.72 ms (39 K // 50 K ) 522 .1 pF

14

Amiller CM

g m ( RC // R L )

103 .4

(1 Amiller )C

(1 103 .4)5 pF

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Por lo que las frecuencias altas seran:

f H1 fH2

1 ' 2 C RL 2 (C

1 2 * 5 pF * 21.91K

1.45MHZ, 36.9 KHZ

1 ' C M ) ((RS // RB ) rbb ) // r

Como f H2 es ms de una dcada menor que f H1, entonces f H2 se toma como la frecuencia de corte en altas frecuencias, dado que C + CM produce un polo dominante de alta frecuencia, tal como se haba anticipado. Por lo tanto el diagrama de amplitud queda como muestra la figura siguiente:

En el diagrama se puede observar que la ganancia en frecuencias medias (AVM) es de 31.78dB y por tanto a los -3dB, o sea a 28.78dB se encuentra el ancho de banda (BW) el cual es f H2 - f LE = 36.9KHz64.88Hz=36.835KHz. Por ltimo para hallar el producto ganancia ancho de banda, se aplica la ecuacin correspondiente:

fT

gm 2 r (C C )

4.72ms 2 * 21.1K (50 pF 5 pF )

647.3Hz

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