SIMULACIN ELECTRNICA OBJETIVOS: Presentar al estudiante algunos de los conceptos bsicos asociados con la simulacin digital de diversos procesos

fsicos y de sistemas de la electrnica actual, mediante un mtodo terico-prctico. Se tocan conceptos diversos, en orden tal que se absorban primero los que suelen ser ms familiares al Ingeniero en Electrnica, se dejan para el final aqullos que, si bien son parte de un curriculum normal, son menos conocidos. La parte medular consiste en una serie de problemas concretos, que se analizan y se resuelven utilizando los mtodos de solucin ms populares: diferencias finitas, elemento finito, mtodo de Newton y mtodo Monte Carlo. Se empieza as con circuitos elctricos y electrnicos. Se pasa a continuacin al mtodo de Newton, de importancia en problemas no lineales, y se aplica en la prctica a un caso de optimizacin de parmetros. A continuacin se presentan problemas de transporte en semiconductores, unidimensionales primero y luego bidimensionales, aunque siempre con polarizacin inversa, para simplificar las soluciones. Por ltimo se aborda el mtodo de Monte Carlo, de importancia en fsica de semiconductores. Para ajustar los temas impartidos al tiempo asignado al curso, el material de los captulos "Tratamiento numrico de algunas ecuaciones de la electrnica" y "Bases matemticas" es ajustado segn las limitaciones de tiempo: de los mismos deben cubrirse como mnimo los conceptos requeridos en el captulo principal "Introduccin terico prctica a diversos mtodos numricos de inters en la electrnica. TEMA 1 INTRODUCCIN 1.1 El papel de los modelos en la Ciencia y la ingeniera 1.1.1 Modelos analgicos y modelos simblicos 1.1.2 Modelos deterministas y modelos estocsticos 1.1.3 Modelos de sistemas discretos 1.2 Simulacin en el campo de la electrnica: circuitos, procesos, dispositivos y fsica del estado slido TEMA 2 INTRODUCCIN TERICO-PRCTICA A DIVERSOS MTODOS NUMRICOS DE INTERS EN LA ELECTRNICA 2.1 Solucin numrica de las ecuaciones de circuitos electrnicos: el caso de un amplificador de un transistor 2.1.1 Leyes de Kirchhoff y ecuaciones de estado 2.1.2 Formulacin del problema para la solucin del amplificador propuesto 2.1.3 Solucin del problema numrico resultante 2.2 Mtodo de Newton y optimizacin: ajuste de los parmetros R,L y C a los datos experimentales de un circuito resonante 2.2.1 Linealizacin de sistemas de ecuaciones algebraicas no lineales: matriz Jacobiana 2.2.2 Solucin al sistema de ecuaciones resultante 2.2.3 Optimizacin

2.3 Diferencias finitas: solucin de las ecuaciones de transporte de carga elctrica en semiconductores, con polarizacin inversa 2.3.1 Problemas con condiciones iniciales dadas, y problemas con condiciones de frontera dadas 2.3.2 Discretizacin de ecuaciones diferenciales: reduccin a un sistema de ecuaciones algebraicas 2.3.3 Solucin del sistema de ecuaciones resultante 2.4 Elemento finito: solucin en dos dimensiones de las ecuaciones de transporte en semiconductores, con polarizacin inversa 2.4.1 Discretizacin en dos dimensiones 2.4.2 Derivacin de ecuaciones de un elemento discreto tpico 2.4.3 Formulacin de un sistema de ecuaciones a partir de las ecuaciones dadas para cada elemento 2.4.4 Funcionales 2.5 Mtodo de Monte Carlo: solucin en dos dimensiones de la ecuacin de Poisson 2.5.1 Generacin de nmeros al azar 2.5.2 Problemas de potencial (V2=0) 2.5.3 Recorridos al azar fijos y recorridos al azar flotantes TEMA 3 TRATAMIENTO NUMRICO DE ALGUNAS ECUACIONES DE LA ELECTRNICA 3.1 Simulacin de circuitos elctricos y electrnicos 3.2 Las ecuaciones de transporte de carga elctrica: aspectos relevantes de su solucin por los mtodos de diferencias finitas y elemento finito 3.2.1 Condiciones de frontera 3.2.2 Discretizacin 3.2.3 Interpolacin 3.2.4 Caractersticas de las matrices resultantes 3.2.5 Extraccin de los parmetros 3.3 Procesos de fabricacin de dispositivos 3.3.1 Condiciones de frontera mviles

3.4 Aspectos de la solucin de la ecuacin de transporte de Boltzmann mediante el mtodo de Monte Carlo 3.4.1 Simulacin de transporte de electrones y huecos 3.4.2 Obtencin del tensor de difusin 3.4.3 Transporte bajo fuertes campos elctricos TEMA 4 BASES MATEMTICAS 4.1 Elementos de lgebra lineal 4.1.1 Espacios vectoriales, matrices y sistemas lineales 4.1.2 Normas de vectores y de matrices 4.1.3 Solucin numrica de sistemas de ecuaciones lineales 4.1.4 Eliminacin de Gauss 4.1.5 Pivoteo y escalamiento en el mtodo de eliminacin gaussiana 4.2 Mtodo de Newton 4.2.1 Convergencia global, convergencia local 4.2.2 Mtodos amortiguados de solucin 4.3 Interpolacin y ajuste de curvas 4.3.1 Interpolacin mediante polinomios 4.3.2 Ajuste en curvas a datos experimentales: un problema de optimizacin BIBLIOGRAFA 1. Rosenbleth, A. And N. Winer, The role of models in science, philos, Sci. XII, No. 4, Oct. 1945, 316-321. 2. A. Vladimerescu, "Spice - The third decade" IEEE 1990 Bipolar Circuits and Technology Meeting. 3. J.G. Ronald, Goosens, R.W. Dutton, "Device CAD in the '90s: At the crossroads, IEEE Circuits and Devices, Jul. 1992. 4. M. Shur, "Physics of Semiconductor Devices" Pretice Hall, 1990 Biblioteca QC 611.5563, 1990, p. 112-123. 5. Cuthbert, T.R. Optimization using personal computers: with applications to electrical networks, Wiley 1987- I-O-471-85949-4.

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