Capitulo2 Ce1

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES
26

EL TRANSISTOR

RESUMEN

Es el dispositivo semiconductor, en estado slido ms ampliamente utilizado en electrnica. Es el
responsable directo del repunte tecnolgico que se experimento desde la segunda mitad del siglo
pasado. Su tcnica de fabricacin permiti la investigacin y desarrollo de la microelectrnica,
logrndose con ello muy pronto, la aparicin comercial de dispositivos con alto grado de integracin y
de reducidas dimensiones.

EL TBJ

Es un dispositivo de tipo activo, ampliamente utilizado en control electrnico, amplificacin, y en
prcticamente toda las aplicaciones de la electrnica. Son de naturaleza bipolar (e
-
y h
+
).

E B C
n p n
V
be
V
cb
+ -
+ -

El emisor y el colector son estructuras de un mismo tipo, pero que presentan caractersticas muy
diferentes(cantidad de portadores).

Funcionamiento:

La juntura base-emisor debe encontrarse polarizada en sentido directo; en cambio la juntura colector-base
debe polarizarce en forma inversa. Cuando se cumplen simultneamente ambas condiciones, se dice que
el TBJ se encuentra en zona activa (regin donde se manifiestan las propiedades de amplificacin).

27
observaciones:

- La I
E
, ser siempre mayor a la I
C

- Por medio de una pequea tensin directa en JE, se logran controlar grandes por el colector.
- I
B
es bastante pequea (orden de los A), en cambio, I
E
y I
C
son del orden de los mA.
- I
E
desfasa a I
C
en 180

Simbologa:
Colector Emisor
Base
Base
Emisor Colector
npn pnp

EL FET

Son dispositivos unipolares controlados por voltaje. La tensin entre compuerta y fuente hacen el
control.

En un FET canal N la corriente se debe a e
-
, en uno de canal P la corriente se debe a h
+
.

Ventajas

- Alta impedancia de entrada 10
7
- 10
12

- Ideal como etapa de entrada para todo amplificador.
- mejor a estabilidad a T que los TBJ.
- Niveles de ruido ms bajo.
- Tecnologa de fabricacin ms sencilla

Desventajas

- Respuesta en frecuencia no muy aceptable, debido a su alta capacidad de entrada.
- No poseen buena linealidad.
- Muy sensibles a descargas electrostticas.

TIPOS DE FET

Existen de dos tipos:

- Con Puerta aislada, denominados: MOSFET
- Con Puerta de unin, denominados: MESFET o bien, JFET

28
FET
Puerta Aislada Puerta de Unin
MOSFET MESFET JFET
Enriquecimiento Empobrecimiento
Canal N Canal P Canal N Canal P Canal N Canal P
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D
G
S
D

JFET

Ecuacin de Schottky

La caracterstica grfica, expresada de manera analtica, se conoce como ecuacin de Schottky.

2
|
|
.
|
\
|
p
gs
dss d
V
V
- 1 I = I

Donde
29
I
dss
Corriente de saturacin inversa.
V
P
Tensin de estrangulacin del canal.

Bastar conocer Idss y Vp para que la caracterstica quede determinada
( I
DSS
y Vp los provee el fabricante ) I
dss
= f( T ).

- Vp es negativa para un canal N
- Vp es positiva para un canal P

MOSFET Empobrecimiento (Canal N)

- Se utilizan en circuitos multietapas (amplificacin lineal)
- Utilizan la misma relacin de Schottky, su exactitud se pierde cuando Vgs es muy positiva.

- Cuando el canal es N, y V
gs
< 0, entonces esta saca electrones del canal empobrecindolo.
- Cuando V
gs
=V
p
entonces el canal se estrangula.

Cuando V
gs
>0, aumenta el tamao del canal, y aumenta I
d
.

MOSFET de Enriquecimiento (Canal N)

- En este dispositivo, no existe I
dss

- Se utilizan para fabricacin de circuitos integrados
- Requiere una V
gs
>0,
- Cuando el canal es N, V
T
es positiva y V
gs
>0
- Cuando el canal es P, V
T
es negativa y V
gs
<0

30
Para V
gs
>V
T
, ( )
2
T gs d
V - V K = I , donde K es una constante dependiente del mtodo de
fabricacin, su dimensin es: [
( )
( )
mA
V
2
]

CONFIGURACIONES CON EL TBJ

Dado que el transistor es un dispositivo de 3 terminales, existirn tres posibilidades diferentes para
referirse al comn (referencia comn de los potenciales) del circuito.

Emisor Comn
I
c
I
b
v
c e
v
be

Caractersticas grficas:

Base Comn
i
e

i
c
v
be
v
cb

31
Colector Comn

ie
I
b
v
ce
v
bc

AREAS O ZONAS DE TRABAJO PARA EL TRANSISTOR TBJ

Segn caractersticas de salida, se definen las siguientes regiones:

RELACIONES DE CORRIENTES EN LOS TBJ

Las relaciones de corriente se obtienen del modelo de EBERS - MOLL, lo cual nos permite escribir las
siguientes relaciones:

(2) C C I
(1) C C I

e e
e e
kT
qV
kT
qV
c
kT
qV
kT
qV
e
cb be
cb be
|
.
|
\
|
+ |
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+ |
.
|
\
|
=
1 1
1 1
22 21
12 11

es posible escribir:
32
|
.
|
\
|
= 1 1
11
12
11
e e
kT
qV
e
kT
qV
cb be
C
C
C
I

reemplazando en Ic, se logra:
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
+ + = 1
22
11
21 12
11
21
e
kT
qV
e c
cb
C
C
C C
I
C
C
I

Se define Corriente de Corte de Colector (Ico), a la I
C
cuando I
E
es nula; siendo V
cb
negativamente elevada.

Si aplicamos tales condiciones tenemos:

I
c
c c c c
co
11
22 11 12 21

=

Reemplazando hacia arriba se logra obtener:

) e (1 I i
c
c
i
KT
V
q
CO e
11
21
c
cb
+ =

Factor :

Se define Ganancia esttica de corriente en base comn, a la razn:

e
c
di
di
=

Se observa:

11
21
C
C
=

Reemplazando, nos queda:

) e (1 I i i
kT
v
q
CO e c
cb
+ =

Adems:

( )
( )

1

, 0
|
.
|
\
|
+ + =
+ = = + +
e
kT
qV
co b c
b c e e b c
cb
I I I I
I I I decir es I I I

33

( ) ( )

I
I I
I I I
e
e
kT
qV
co
b c
kT
qV
co b c
cb
cb
|
.
|
\
|

+ |
.
|
\
|
=
|
.
|
\
|
+ =
1
1 1
1 1

Factor :

Se define Ganancia de corriente en emisor comn, al siguiente factor:

b
dI
c
dI
=

evaluando este factor, segn la ltima ecuacin, se obtiene:
=
1

por lo que podemos reescribir:

|
.
|
\
|

+ =
e
kT
qV
co
b c
cb
I
I I 1
1

pero:

- 1
1

+ 1
=

- 1
=
+ =
+
=
+
+
+
=
1
1
1
1 1
1
1
luego:
( ) |
.
|
\
|
+ + =
e
kT
qV
co b c
cb
I I I 1 1
En la prctica y bajo condiciones usuales de trabajo, ocurre:

34
( )
co c
kT
qV
I I
e
cb
1 + + I
0
b
=

Siendo esta ltima relacin la ms satisfactoria para describir el comportamiento de las corrientes en
todo transistor de juntura.

Apoyndonos en las relaciones analticas anteriores, podemos expresar i
e
, tal que:

) )( 1 (
0 b c e
I I i + + =

Finalmente debemos asegurar que en zona activa la corriente de corte de colector, es muy despreciable
respecto de I
b
, entonces:

b
I =
c
I

lo cual, es bastante cmodo y til de aplicar en la prctica de circuitos sobre la base del TBJ.

35
POLARIZACION Y ESTABILIDAD

Cuales son los valores ms adecuados de tensin y corriente para que nuestro transistor trabaje correctamente en zona
activa ?

Existe un punto nico, presente en las caractersticas de entrada y salida, denominado Punto Q o punto de trabajo.

CIRCUITOS DE POLARIZACIN YPUNTO DE TRABAJO:

El punto Q ser, el punto de operacin de nuestro circuito.

Para ubicarlo debemos tener en cuenta el comportamiento esttico del transistor, es decir, sin la
presencia de seales de entrada.

- Si conocemos el pto. Q, entonces podemos disear
- Si conocemos el Circuito, sus elementos, etc.; entonces puede determinar el punto Q.

Lgicamente el punto Q puede pertenecer a la regin de Corte, Saturacin o a la regin Activa.

DETERMINACIN DEL PUNTO Q

Circuito de Polarizacin fija

El TBJ:

I
B
I
C
V
CE
V
BE
N P N E C
B
+ -
- +
D
1
D
2
E C
B
+ _
+ -

Anlisis:

Malla de entrada. Malla de salida.

Recta de carga para malla de entrada: Recta de carga para malla de salida:

36
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
=
b
BB
BE
b
B
B b BE BB
R
V
V
R
I
I R V V
1
0

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
=
c
CC
CE
c
c
C c CE CC
R
V
V
R
I
I R V V
1
0

Seleccionando ya sea VCE,IC,Vbe o Iba en el punto Q, entonces puedo determinar lo restante.

La desventaja es que mientras mayor V
BB
entonces mayor I
ba
, luego el transistor se satura.

En el FET:
RD
IG RG
VDS VDD
VGS
VGG ID

La corriente I
G
=0 porque la unin compuerta-fuente se encuentra inversamente polarizada y adems, la
Z
in
del FET es muy elevada.

Malla de entrada:

V
GG
+R
G
I
G
+V
GS
=0
V
GS
=V
GG

Malla de salida:

D
DD
DS
D
D
R
V
V
R
1
- = I +
De la ecuacin de Schottky

2
1
|
|
.
|
\
|
=
p
gs
dss d
V
V
I I Del fabricante debemos conocer: V
p
y I
dss

37
por lo que podemos obtener la caracterstica de corriente como:

i
d
=f(v
gs
)

Circuitos de Autopolarizacin

En el TBJ:

I
C
I
B
V
BE
V
CE
I
B
I
C
V
CE
V
BE

Malla de entrada

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
=
=
b
CC
BE
b
B
B b BE CC
R
V
V
R
I
I R V V
1
0

BQ
b
CC
B
I
R
V
I =
|
|
.
|
\
|

Como estamos en zona activa, entonces:

|
|
.
|
\
|
= =
b
CC
CQ BQ
R
V
I I

luego:
|
|
.
|
\
|
=
=
b
c
b
CC c
CC CEQ
CQ c CC CEQ
R
R
R
V R
V V
I R V V

1 V =
CC

38

En el FET:

Un FET puede autopolarizarse, usando un resistor en la fuente, es decir:
RD
IG RG
VDS VDD
VGS
RS ID

Malla de entrada:
( )
GS D
S
GS
D D S GS G G
V f I
R
V
- = I I R V I R
=
= + + 0

Malla de salida:

V
DD
=V
DS
+(R
D
+R
S
)I
D

( )

1
S D
DD
DS
D S
D
R R
V
V
R R
I
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
Recta de Salida

De la recta de salida debemos obtener directamente V
DS
, pues conocemos I
DQ
y V
GSQ
, es decir:

V
DSQ
=V
DD
-(R
S
+R
D
)I
DQ

39
Circuito de Polarizacin Universal

En los dos circuitos anteriores R
b
deba soportar toda la corriente que circula por ella, incluso
mientras mayor es la polarizacin mayor ser, llegando posiblemente a salirse de la zona activa. Para
evitar tal situacin se propone el siguiente circuito.

I
C
I
B
V
BE
V
CE
I
C
V
BE
V
CE

I
B
I
C
V
CE
V
BE

2 1 th
2 1
2
// R = R ; R
R R
R
V V
cc th
|
|
.
|
\
|
+
=

Malla de entrada:

0 = +
B th BE E E th
I R V I R V

dado que:
( )
I = I
I + I - = I
B C
C B E

entonces:
( )
( ) | | 0 1
0
= + +
=
BE B th E th
BE B th B C E th
V I R R - = V
V I R I + I R - V

de donde:
40
( ) | |
( )

R R
V - V
= I
V I R R - = V
E th
BEQ th
BQ
BEQ BQ th E th
1
0 1
+ +
= + +

Adems:
( )
|
|
.
|
\
|
+
=
E
BEQ th
R 1 +
V - V

th
CQ
R
I

Malla de salida:

( )
( ) | | 0 1
0
0
= + +
= +
= + +
CE B C E CC
CE C C C B E CC
E E CC C C CE
V I R R V
V I R I I R V
I R V I R V

reemplazando I
BQ
, obtenemos:

( ) | |
( )
(
+ +

+ +
E th
BEQ th
C E cc CEQ
R R
V V
R R - V = V
1
1

Observacin:

Si R
th
es pequeo, entonces el punto Q es independiente del transistor (), ya que:

( )
( )
( )
BEQ th
E
E C
CC CEQ
E
E C
CC CEQ
V V
R
R R
V V

R
R R
V V
|
|
.
|
\
| +

>>
+
+ +

1
1
1

es decir:
th
E
C
CC CEQ
V
R
R
V V
|
|
.
|
\
|
+ 1

En los FET:

Como elemento activo, se usar el MOSFET de empobrecimiento canal N.
41
RD
IG RTH
VDS VDD
VGS
VTH RS ID

El equivalente de Thevenin es:

Malla de entrada:

V
TH
=V
GS
+R
S
I
D

S
GG
gs
S
D
R
v
v
R
I + =
1

|
.
|
\
|
+
=
2 1
2
R R
R
V V
DD TH

Malla de salida:

V
DSQ
=V
DD
-(R
S
+R
D
)I
D

Con la relacin de Shottkley la recta de entrada, obtenemos el punto Q, es decir:

42
ANLISIS DE ESTABILIDAD Y COMPENSACIN

Inestabilidad del Punto de Trabajo

La idea general es mantener el punto Q fijo. Ya sea por sustitucin del elemento activo o
por modificacin en las condiciones ambientales. Debido a lo anterior, el punto Q es crtico,
principalmente en los TBJ, por: Variaciones de la corriente de corte de colector y la T. En los FET,
no s realizar este anlisis, debido a las notables caractersticas de estabilidad que exhiben.

Refirindonos entonces al TBJ:

Al aumentar la T, las variaciones de la corriente I
co
y aumentan, en cambio las variaciones de B
e

disminuyen. Adems, se puede comprobar que:

=

>
1
I - I
=

) (

'

B C
CO
B
C
B
C
I
I
I
I
I
s I
R T Si

Por lo tanto: IC0 >

Factores de estabilidad

Para medir la variabilidad del punto de reposo se definen los siguientes factores:

i
S : Factor de estabilidad de la corriente (respecto de I
co
)
v
S : Factor de estabilidad del voltaje ( respecto de B
e
)
S
: Factor de estabilidad de

El anlisis se basa en representar la I
c
en el punto Q como una funcin de las variables , y V I
be co

Analticamente:

= =
= =
= =
CQ CQ
BE
CQ
BE
CQ
V
CO
CQ
CO
CQ
I
I
d
dI
S
V
I
dV
dI
S
I
I
dI
dI
S

La variacin total de la I
c
en torno a Q estar dada por:
43

factores otros + ... +
0

+ + = S V S I S I
BE V C I CQ

Un circuito ser estable cuando su factor de estabilidad sea menores, por lo cual, el punto de trabajo no
debera sufrir variaciones.

Tcnicas de Compensacin ante Variaciones de T

Sea el siguiente circuito, analizaremos la variacin de la I
c
bajo la influencia de la T ambiente.

+V
CC
R
C
R
1

D
R
2
R
E

Condicin: Que R
1
>>R
2

R
C
R
1

D V
CC
V
CC
R
2
R
E
V

Se debe obtener un equivalente Thevenin visto desde el terminal base, tal que:

E Th
BE Th
BQ
R R
V V
I
) 1 ( + +

=

2 1
1 2
R R
R V R V
V
cc
Th
+
+

44
) (
) 1 (
1
dT
dV
dT
dV
R R T d
I d
BE
E Th
CQ
+ +

Es decir, deben ubicarse un diodo y un transistor que cumplan lo mas fielmente dicha situacin, por
ejemplo:

Transistor Diodo
V
be
V
-10 0 10 20 30 2 8 12 20 28

45
EL TRANSISTOR COMO AMPLIFICADOR

Supongamos lo siguiente:
+V
CC
R
C

V
BE
V
BB

V
BE
V
CE
V
CEQ
V
BEQ
t t
I
B
I
C
I
BQ
I
CQ
t t

Supongamos que le introducimos una excitacin alterna al circuito de base:
+V
CC
R
C

V
BE
V
BB
V
i
(t)

Donde V
i
(t) es una seal variante en el tiempo y de naturaleza alterna (AC).

Observar que V
BE
resultara variable.

Si las variaciones de entrada son tales que V
be
aumenta, entonces I
ba
tambin aumenta, por lo tanto, I
c

tambin aumenta, igualmente la tensin R
c
I
c
aumenta, pero: V
ce
disminuye.
46

Si la variacin de entrada hace disminuir el V
BE
, entonces ocurrir lo contrario. Las variaciones
(de las grficas) anteriores pueden asumirse como:
V
i
(t) V
CE
V
CE
t
t
V
BE
I
C
V
BEQ
I
CQ
t t

Se puede apreciar que c/u de las variables posee una componente continua y otra alterna.

Recta de Carga Alterna

Dada la existencia de diferentes componentes de seal (continua y alterna), se hace necesario definir el
circuito de carga ante variaciones de seal alterna. El elemento idneo para actuar como separador de
tales variaciones, resulta ser el condensador electrolitico.

Sea la siguiente configuracin de circuito:
+V
CC
R
C
C
c
R
L
V
BE

La misin del condensador es transmitir la seal amplificada, a la carga. Para tal efecto deber ocurrir
que su reactancia a la frecuencia de seal, resulte ser pequea respecto de la carga R
L
. Por lo anterior se
les denomina Condensadores de Paso. Adems, el condensador deber bloquear en todo momento a las
componentes de corriente continua (CC), debido a que en este caso su reactancia +

=
C
c
X
0 w Si
wC
Xc
1

47
De lo anterior se deduce que las componentes alternas y continuas circularan por distintos elementos
del circuito, observar la red de salida de nuestro amplificador:

En CC En AC
+V
CC

R
C
R
C
C
R
L

Determinacin de la recta de carga:

En CC:

V
CC
=V
CEQ
+R
CC
I
CQ

En AC:

Dada las variaciones en torno al punto Q; y si consideramos las variaciones de amplitud tanto de i
c

como de v
ce
, entonces:
I
c
V
ce
R
ac
V
0

c C L
c ac CE
i R R
i R - = v
=

//

) I - (i -R = V - v
CQ c ac CEQ ce

CEQ CQ c ac ce
V ) I - (i -R = v + Recta de carga alterna

Fijemos los extremos:

) I - (i R = V
: mxima es i 0 = v Sea - i.
CQ cmx ac CEQ
c ce
:

CEQ CQ ac cemx c
V I R = v 0 = I - ii. +

Observe la grfica:
48
i
c
Recta a.c
i
cmax
Recta c.c
I
CQ
Q
V
CEQ
V
cemax
V
CC
v
ce

Observacin:

Para garantizar una amplificacin lineal y de mxima excursin simtrica, debe cumplirse que:

V
CEQ
=R
ac
I
CQ

Volviendo a la recta continua, tenemos: V
CC
=V
CEQ
+R
CC
I
CQ

Fusionando ambas ecuaciones anteriores, logramos:

cc ac
CC
CQ
R + R
V
= I

La que resulta ser muy til para analizar circuitos con mxima excursin simtrica de salida.

Condensador en Emisor:

Al existir una resistencia en el terminal de emisor, no podramos decir que dicha configuracin es en
emisor comn (note el caso de la red de polarizacin universal y otras configuraciones).

Para permitir que el emisor sea un punto del potencial nulo, se incluye un condensador electrolitico C
e
,
el cual, presenta una reactancia baja frente al valor de la resistencia vista en emisor, es decir, C
e
debe ser
tal que la resistencia vista desde el emisor sea nula (corto circuito), y debe ser facilitado a la frecuencia
de seal.

En general, en tanto: C
e
y C
c
deben ser tales que:

- En AC se comportan como corto circuito.
- En CC se comportan como circuito abierto.

49
ANLISIS Y MODELOS PARA PEQUEA SEAL

Al amplificar pequeas seales, las variaciones (tensiones y corrientes involucradas) fluctuaran dentro de
un reducido rango en torno al punto Q. Con ello, nos aseguramos de trabajar en zona lineal (no
distorsionando las salidas).

Pequea Seal

Desde el punto de vista de los terminales el transistor equivale a una red bipuerta.

Transistor
V
i
Vo
I
i
Io

Toda red bipuerta se puede caracterizar por un conjunto de parmetros. Estos dependen del tipo de
variable independiente que seleccionemos, entonces:

Variable independiente Variable dependiente Parmetros
I
i
,I
o
V
i
,V
o

Z ( )
V
i
,V
o
I
i
,I
o

Y ( 1/ )
I
i
,V
o
V
i
,I
o

H ( , 1/ )
V
i
,I
o
I
i
,V
o
G
V
o
,I
o
V
i
,I
i
ABCD

Parmetros Z:

22 21
12 11
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
O
i
O
i
I
I
Z Z
Z Z
V
V

Los parmetros ( elementos de la matriz ), se miden individualmente realizando corto circuito o circuito
abierto a los terminales de la puerta de inters.

O i O
O i i
I Z I Z V
I Z I Z V
22 21
12 11
+ =
+ =

50

O
O
O
22
f
i
O
21
r
O
i
12
i
i
i
11
Z : salida de Impedancia
I
V
Z
Z : directa n transmisi de Impedancia
I
V
Z
Z : inversa n transmisi de Impedancia
I
V
Z
Z : entrada de Impedancia
I
V
Z
0 =
i
I
a =
o
I
o =
i
I
a =
o
I
=
=
=
=

resulta:
I
i
Z
i

Z
0
I
0
V
i
Z
r
I
0
Z
f
I
i
v
0

Parmetros H:

Se definen:

O O i f O
O r i i i
V h I h I
V h I h V
+ =
+ =

salida de Impedancia
h
1
salida de Impedancia
h
1

salida de Admitancia
V
I
h
directa corriente de Ganancia
I
I
h
inversa tensin de Ganancia
V
V
= h
entrada de Impedancia
I
V
h
0 0
O
O
O
i
O
f
O
i
r
i
i
i
0 =
i
I
0 =
o
V
o =
i
I
0 =
o
V

=
=
=

resulta:
I
i
h
i
i
0
V
i
h
r
V
0
h
f
I
i
1/h
0
V
0

Parmetros Y:

51
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
0 22 21
12 11
0
v
v
Y Y
Y Y
I
I
i i

0 22 21
0 12 11
0
v Y v Y
v Y v Y
I
I
i
i i
+
+
=
|
|
.
|
\
|

salida de ancia dmit A
Y
1
entrada de Admitancia
Y
1

Y salida de Admitancia
V
I
Y
Y directa ctancia Transcondu
V
I
Y
Y inversa ctancia Transcondu
V
I
= Y
Y entrada de Admitancia
V
I
Y
0
i
0
O
O
22
f
i
0
21
r
O
i
12
i
i
i
11
0 =
i
V
0 =
o
V
o =
i
V
0 =
o
V
= =
= =
=
= =

Resultando la red:
I
i
i
0
V
i
1/Y
i
Y
12
V
0
Y
21
V
i
1/Y
0
V
0

Tipos de Configuraciones Amplificadoras en los Transistores

Debido a que el TBJ es un dispositivo controlado por corriente, resulta altamente conveniente utilizar
los parmetros h (permite describir con ms detalle sus cualidades dinmicas). En cambio, en los FET y
debido a que el control es por tensin, utilizaremos los parmetros Y.

Amplificador en Emisor Comn

I
b
I
c
v
be
v
ce

Aplicando los parmetros h, tenemos:
52
I
b
h
ie
i
c
V
be
h
re
v
ce
h
fe
I
b
1/h
0e
v
ce

Donde: i
b

Cte
ce
V 0
ce
V
b
be
b
be
ie
I
V
I
V
h
= =

= =
m=1/h
ie

Equivale a la resistencia dinmica del Diodo J
E

v
be

BQ
ie
I
mV 26
= h Vlido solamente para T ambiente. Por lo general h
ie
esta comprendida en el orden de
los K.

Cte
b
I
ce
V
be
V
0
b
I
ce
V
be
V
re
h
=
=
=
=
Valor de pequea magnitud.

Cte
ce
V
b
I
c
I
0
ce
V
b
I
c
I
fe
h

=
=
=
= Equivalente dinmico de .

oe
h
1

ce
V
c
I
0
b
I
ce
V
c
I
oe
h

=
=
=
Es la pendiente de la curva caracterstica de salida.

Luego, nuestro modelo equivalente para pequea seal, ser:

I
b
h
ie
i
c
V
be
h
fe
I
b
v
ce

Notar la simplicidad del conjunto.

53
Aplicacin
Para el siguiente circuito, determinar la ganancia de tensin (A
V
), la ganancia de corriente(A
I
), y las
impedancias de entrada y de salida (Z
in
, Z
out
).

+V
CC
R
1
R
C
C
c

R
L
V
0
V
i
(t) V
BE
R
2
R
E
C
E

El equivalente en AC ser:
V
be
R
L
//R
c
v
0
v
i
(t) R
1
//R
2

Insertar modelo hbrido, es decir:
I
i
I
b
h
ie
i
c
V
i
R
1
//R
2
h
fe
I
b
R
L
//R
C
V
0

( )

ie
i
b
L C b fe o
h
V
I pero,
//R R I h - = V
=

( )
L c
ie
fe
i
o
R R
h
h
V
V
Av // = =
para la corriente:

R R
R
h
V
h
I h
R + R
R
- = I
c L
c
ie
i
fe
b fe
L c
c
O
|
|
.
|
\
|
+
=
|
|
.
|
\
|

54
( )
| |
|
|
.
|
\
|
+
(
(
=
|
|
.
|
\
|
+
=
=
L c
c
ie
2 1 ie
b fe
i
O
i ie
L c
c
fe O
fe
i
i
R R
R
h
R R h
I h
I
I
I h R R
R R
R
h I
h R R
I
V
2 1
2 1

|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
+
=
L c
c
ie
fe i
R R
R
R R h
R R
h A
2 1
2 1

Si hay ganancia de corriente y tensin entonces hay ganancia de potencia

I
i
I
b
h
ie
V
i
R
1
//R
2
Z
in

1
i
i
I
V
Z =
2 1
// // R R h Z
ie in
=

c out
R Z =
R
C
R
L
Z
o ut
Z
Total

Amplificador en Fuente Comn:
i
d
i
g
v
ds
v
gs

Aplicando los parmetros h, tenemos:
i
g
i
d
v
gs
1/Y
i
Y
r
v
ds
Y
f
v
gs
1/Y
0
v
ds

- Evaluacin de los parmetros:

Como ig=0, entonces:
55

Y
11
=0
Y
12
=0
| |
0
21
ctte v
gs
d
v
gs
d
ds ds
v
i
v
i
Y
= =

= =
la cual equivale a la pendiente de la curva i
d
=f(v
gs
), y se denomina transconductancia directa del FET: g
m
. Su
rango tpico de valores va de 0.1 - 10 [mA/S]

Notar que g
m
no permanece constante es una entidad puntual. Su valor lo podemos determinar
directamente de la ley de Shottkley, segn:

gs
d
m
v
i
g
=
Entonces:
|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|

|
|
.
|
\
|
=
|
|
.
|
\
|
=
p
gs
p
dss
p p
gs
dss
gs
d
p
gs
dss d
V
V
V
I
gm
V V
V
I
V
I
V
V
I I
1
2
: decir es ,
1
1 2

1
2

0 = Vgs m mo
g = g
1
|
|
.
|
\
|
=
p
gs
mo m
V
V
g g

cte Vgs
ds
d
Vgs
ds
d
V
I
V
I
Y
= =
= =
0 22

corresponde a la pendiente de la curva de caracterstica de salida. Su valor reciproco corresponde a la
resistencia dinmica de dicha curva caracterstica. En sntesis:

=
d
d
r
r
Y
1
22

Finalmente, el modelo queda:

56
V
gs
g
m
v
gs
r
d
v
ds

El parmetro r
d
resulta ser siempre de una resistencia elevada, tpicamente: 500[K], por lo cual, el
modelo simplificado resulta ser:
V
gs
g
m
v
gs
v
ds

Aplicacin:

Determinar la ganancia de tensin:
+V
DD
RD
R
1
C
C
v
ds
R
L
V
0
v
gs
V
i
R
2

En AC, tenemos:
I
i
+
V
i
R
1
//R
2
v
gs
g
m
v
gs
R
D
R
L
V
0
- I
0

L D i m o
i gs L D gs m o
R // R V g V
V V , //R R V g V
=
= =

L D m
o
R // R g
Vi
V
Av = =

Verificar el efecto de r
d
, para dicho circuito:
V
i
V
gs
g
m
V
gs
R
L
r
d
//R
V
o R
1
\\R
2

i m L D d
gs m L D d o
V g ) R // R // r (
V g ) R // R // r ( V
=
=

57
) // // (
L D d m
i
o
v
R R r g
V
V
A = =

Amplificador en Base Comn

El siguiente circuito esta conectado en base comn:
C
C R
C
+V
CC
V
0
R
E
R
L
V
i
R
1
R
2
C

En AC, tendremos:
R
E
R
C
R
L
V
0
V
i

Ahora, si utilizamos los parmetros h, para interconexin en base comn, se tendr:

I
e
h
ib
i
c
V
eb
h
rb
v
cb
h
fb
I
e
1/h
0b
v
cb

Primeramente tendremos que caracterizar c/u de los parmetros de esta nueva interconexin. Lo cual,
por experiencia, puede resultar altamente confuso debido a la gran cantidad de configuraciones posible.
Para evitarlo utilizaremos como denominador comn en los TBJ a la configuracin EC, y en los FET,
ser la configuracin fuente comn.

Nuestro TBJ en EC, desde el punto de vista de sus terminales, ser:
I
b
I
c h
ie
h
fe
I
b

Ahora bien, aplicando esta metodologa, el circuito amplificador en base comn, ser:
58
h
fe
i
b
R
E
h
ie
R
C
R
L
V
0
V
i

i
b
i
0

( )

ie
i
b
L c b fe O
h
V
I pero,
R R I -h = V
=

( )
L c
ie
fe
i
O
R R
h
h
V
V
Av = =

( )
( )
( )
( )
i
b
b
O
i
e
fe e fe
b i
b fe
e
b ie
i
b fe
e
i
i
b fe 1 i
b fe
L c
c
O
I
I
I
I
A
R
h 1 R h
I I
I h 1
R
I h
I
I h 1
R
V
I
I h 1 i I
I h
R + R
R
= I
=
(
+ +
=
+
=
+ =
+ =

|
|
.
|
\
|

( )
|
|
.
|
\
|
+ +
|
|
.
|
\
|
+
=
fe e ie
e
L c
c
fe i
h R h
R
R R
R
h A
1

Amplificador en Gate Comn
C
C R
D
+V
DD
V
0
R
S
R
L
V
i
R
1
R
2
C
G
S D

En AC:
59
RS RD RL V0
Vi
G
S D

insertando el modelo y correspondiente:
g
m
v
gs
i
i
R
S
v
gs
R
D
R
L
V
0
V
i
+
i
0

Determinar A
V
, Z
in
, Z
out

D L gs m
R R v g v //
0
=
i gs
v v =
D L m
R R g Av // =

D out
R Z =

:
in
Z
S
i
gs m i
R
v
v g i = +
S
i
i m i
R
v
v g i =
S
m
i
i
R
g
v
i 1
=

S
m
in
R
g
Z //
1
=

Amplificador en Colector Comn

60

+V
CC
R
1
R
C
C
c

C
V
i
(t) V
BE
R
2
R
E
V
0
R
L

Sin el resistor R
C
, la configuracin recibe el nombre de seguidor de emisor.

En AC:
i
i
v
i
(t) R1//R2
RE RL V
0
i
o

Insertando el modelo hbrido h queda:

h
fe
i
b
i
b
h
ie
V
0
v
i
(t) R1//R2 R
E
R
L
i
o

Para evaluar la configuracin determinaremos A
v
, A
i
, Z
in
y Z
out
.

A
v
:

b fe E L
i h R R v ) 1 ( //
0
+ =
Para determinar i
b
, conviene obtener un R equivalente tal como se aprecia en la figura:
h
fe
i
b
i
b
h
ie
V
0
v
i
(t) R1//R2 R
E
R
L

Usamos una tensin y corriente de prueba que nos permita determinar la R equivalente, tal que:
61
P
P
eq
I
V
R =
h
fe
i
b
I
P
V
P
R
E
R
L

L
P
3 2
E
P
1
3 2 1
R
V
= i i; hfe i ;
R
V
i
i i i i
= =
+ + =

entonces:
( ) ( )
L E
P
eq
L
E
L
P
E
P
R R hfe 1
I
V
R
R
1
R
1
E hfe + 1 i
R
V
i hfe
R
V
i
+ =
|
|
.
|
\
|
+ =
+ =
i
b
h
ie
v
i
(t) R1//R2 (1+h
fe
)R
E
//R
L

finalmente, i
b
es:

( )
L E fe ie
i
b
R R h h
V
I
+ +
=
1

tambin sirve:
( )
( ) ( )( )
L E fe ie 2 1
2 1
b
R R h 1 h R R
R R
I
+ + +
=
i
i

Reemplazando la expresin para V
o
tenemos:

( )( )
( )
L E fe ie
fe L E
i
o
v
R R h h
h R R
V
V
A
) 1 (
1
+ +
+
= =

Determinacin de A
i
:

( )
L E
E
R R
R
+
+ =
b fe o
I h 1 I

usando i
i
, segn i
b
, nos da:
62

( )
( ) ( )( )
L E fe 2 1 ie
2 1
i
o
i
R R h 1 R R h
R R
) 1 (
i
i
A
+ + + +
+ = =
L E
E
fe
R R
R
h

Determinacin de Z
in
:
h
ie
v
i
(t) R1//R2 (1+h
fe
)R
E
//R
L
Z
i n

Simplemente observando tal circuito, se deduce que:

( ) ( )( ) | |
L E in
R R hfe hie R R Z + + = 1 2 1

Determinacin de Z
out
:

h
fe
i
i h
ie
V
0
R1//R2 R
E
R
L
Z
o ut

h
fe
i
i h
ie
I
P
R1//R2 R
E
V
P
Z
o ut

3 2 1 P
i i i I + + =
ie
P
3
ie
fe
3 fe 2
E
P
1
h
V
i ;
h
h
i -h = i ;
R
V
i = = =

h
V
h
V h
R
V
I
ie
P
ie
P fe
E
P
P
+ + =

( )
ie
fe
E P
P
ie
fe
P
E
P
P
h
h 1
R
1
V
I
h
h 1
V
R
V
= I
+
+ =
|
|
.
|
\
| +
+

63

Por lo tanto:

( )
ie
fe
E out
h
h 1
R Z
+
=

Amplificador Drenador Comn

+V
DD
C
C
C
V
i
R
G
R
S
V
0
G
S
D

En AC:
V
i
R
G
R
S
V
0
G
S
D

Insertando el modelo Y, tenemos:
+
V
gs
g
m
v
gs
r
d
V
i
R
G
-
V
0
R
S

ordenando:
+V
gs
-
g
m
v
gs
r
d
R
S
V
0
V
i
R
G

( )
o gs i
gs m d s o
V V V
V g r R V
+ =
=

reemplazando en la anterior, nos queda:

64
( ) ( )
( )
i m d s m d s
o i m d s o
V g r R g r R V
V V g r R V
= + =
=
1
0

tal que:
m d s
m d s
v
i
o
g r R
g r R
A
V
V
+
= =
1

Notar que si r
d
, entonces:

S
m
s
m s
m s
R
g
R
g R
g R
Av
rd
+
=
+
=

1
1

Determinacin de Z
in
:

Fcilmente, se deduce que:

g in
R Z =

Determinacin de Z
out
:
- g
m
v
gs
r
d
R
S
V
0
V
gs
+
Z
out

habr que determinar un R equivalente, tal que:
I
P
- g
m
v
gs
r
d
//R
S
V
gs
V
P
+

rd Rs
V
I V g I
I I I
P
gs m
P
= =
+ =
2 1
2 1

|
|
.
|
\
|
=
d s
m P
d s
P
P m P
r R
1
+ g V =
r R
V
+ V g = I

P gs
V V

m
s out P
P
g
1
1
+
// R
1
=
Z
1
=
V
I
d
r

m
d
g
r
1
// // R = Z
s out

65
Notar que:

m
s out
g
R Z
d
r
1
// =

Amplificador en Fet de Refuerzo

Sea la siguiente red:
V
i
R
g
R
S
R
L
R
S
V
ds
V
o
V
gs
+V
DD
1
2

La Autopolarizacin se efecta por medio de una parte de R
S
=R
S1
+R
S2
, sta accin permite reflejar una
mayor impedancia de entrada, permitiendo por lo tanto, aprovechar mejor las caractersticas de alta
impedancia que exhibe todo FET y sin utilizar un valor elevado para R
g
.

En A.C.
R
g
R
s
R
s
R V
o
V
i
V
gs
g
m
V
gs
1
2
i
i
1

( )
gs m L s o
V g R R V =

( )
( ) 0
0
2 2
2
1
=
|
|
.
|
\
|
+
+
= + + +
L s
L
gs s s g i
s g i
R R
R
gmV R i R + R = V
i i R i R V

( )
i R
s
2
2 1
1 s gs i
1 s 1 s gs i
i R + V + V -
0 i + i R + i R + V + V -
+
=

66
i R
R R
R
V g
s
s L
L
gs m s
2
R + V = V
gs i
+
|
|
.
|
\
|
+

igualando ambas ecuaciones:

( )
( )
( )
gs gs m L s gs m
s L
L s
g
gs m
s L
L s
g L s gs m gs
s L
L
gs m s g
s L
L
gs m s gs
s L
L
gs m s s g s
s L
L
gs m s gs
V V g R R V g
R R
R R
i R
V g
R R
R R
i R R R V g V
R R
R
V g R i R
R R
R
V g R V
R R
R
V g R i R R i R
R R
R
V g R V
+ +
+
=
+
+ = +
|
|
.
|
\
|
+
+ +
|
|
.
|
\
|
+
+
|
|
.
|
\
|
+
+ + = +
|
|
.
|
\
|
+
+
2
2
2
2 2 2

Se obtiene:

|
|
.
|
\
|
+
+
=
m s L
L s
L s
g
gs m
g R R
R R
R R
R
V g
i
1
2

luego:

( )
( )
( )
( )
(
(
(
(
+
+ +
+
+
=
+
(
(
(
(
(
+
+
|
|
.
|
\
|
+
=
=
m
s L
s L
L s
L s
s in g
L s
s L
m
s L
s L
m
g
in
i
in
g
R R
R R
gm
R R
R R
R Z R
Rs
R R
R R
g
R R
R R
g
R
Z
i
V
Z
1
2
2
2
1
//
//
1

67
TRANSISTORES DE POTENCIA

En todo amplificador multietapa transistorizado, las ultimas etapas son de potencia. Dichos transistores
deben tener una mayor capacidad para las corrientes es decir, no sern transistores para pequea seal.
Por lo anterior, existir una mayor variacin respecto del punto Q ( sobre todo I
cq
), lo que implica:

1. Mayor variacin para h
ie
:

En pequea seal hie, puede presentarse en torno a:
I
mV
bq
26

Ahora:

v
i
v
= hie
1 2
be
b
be 1 2
Ib ib
v
be
ctte v
ce
=

2. Mayor variacin para el factor :

la prctica en potencia es trabajar con el menor valor posible dentro del rango de operacin.

3. El parmetro h
oe
ya no se puede despreciar,
1
1
hoe
k

CLASES DE OPERACIN

Los transistores de potencia se clasifican d acuerdo con la parte del ciclo de seal senoidal de entrada y
durante el cual circula corriente por la carga.

Clase A:

El transistor trabaja los 360, estar en zona activa. Los circuitos para este tipo de amplificador sern los
mismos que utilizamos en pequea seal con las diferencias obvias, que habr seales grandes y
potencias elevadas ( mayor de 1 Watt ).

Clase AB:

La corriente circula durante ms de medio ciclo, sin llegar al ciclo completo.

68

Clase B:

La corriente circula durante un semiciclo

Generalmente para una mayor eficiencia se utilizan 2 amplificadores trabajando en clase B, uno para
cada ciclo (positivo y negativo).

Clase C:

La corriente circula durante menos de medio ciclo.

POTENCIA Y EFICIENCIA

Se define eficiencia o rendimiento al factor:

DC
P
rms
o
I
rms
o
V
DC
P
Po

DC
P

AC
P
= = =

Clculo de Potencia y Eficiencia

Amplificadores de Potencia, Clase A:
69

En clase A el valor mximo de rendimiento se obtiene para mss. En tal caso:

cq
I
cc
V
peak
o
I
peak
V
I V P
I
I
V
V
cq cc DC
o
o
peak
RMS
peak
RMS
1
2
2
2
=
=
=
=

%
V
V
I I
cq
I
cc
V
cq
I
CC
V
CC
peak
cq o
peak
25
2
4
1
1
2
2
=
=
=
=
=

Lo cual representa el valor mximo de eficiencia para la clase A.

Observacin:

S, Vceq
Vcc
disminuye
2

Amplificadores de Potencia Clase B:

Considerando dos transistores, uno trabajando para cada ciclo (positivo y negativo):
70
+V
CC1
+
V
i
V
0
-V
CC2

i
max
V
CC
Distorciones

Las distorsiones ocurrirn, debido a que V
CC1
V
CC2

2 2
2
0
cc
V
mx
c
I
peak
V
peak
I
o
P
mx
c
I
cc
V
) total (
DC
P
mx
c
I
DC
I
cq
I pues ,
DC
I
cc
V
DC
P
= =
=
=
=

luego:
71
%) (
mx
c
I
cc
2V
2
cc
V
mx
c
I
=
78
4
=

Es decir clase B con doble circuito, es mucho mejor. Equivale a un clase A, pero con un rendimiento
superior al 75%.

Sobre la Disipacin en un Transistor de Potencia:

El factor que limita la disipacin de potencia en todo transistor, es la T de la juntura colector. De
sobrepasar la T critica ( 170-250 ) el transistor se destruye.

Con el fin de aumentar la potencia mxima disipada, se dispone de un mecanismo tipo aleta, lo cual,
permita conducir el calor en dicho mecanismo, la idea es irradiar lo ms rpidamente el calor disipado
a una superficie lo ms grande posible.

Los transistores para potencias muy elevadas, presentan el colector directamente conectado al chasis,
por lo tanto, el escape del calor es ms rpido an y fcil de conducir.

Eficiencia Mejorada en Clase A:

Una forma de mejorar la respuesta de eficiencia a un circuito amplificador en clase A, consiste en
utilizar un acoplamiento inductivo en el colector.

Sea el siguiente circuito:
+V
CC
R
1
L
C
c

R
L
V
0
V
i
(t) V
BE
R
2
R
E
C
E

Con L y R=0
el circuito es tal que:

- En AC el inductor es circuito abierto.
- En CC, el inductor es corto circuito.

En continua:
72
R
th

V
BE
V
CC
V
th
R
E

Por ser transistor de potencia I
c
es grande y I
ba
por lo menos 50 veces menor, luego tambin es posible
aproximar : I
E -I
C

c
I
E
R
ce
V
E
I
E
R
ceq
V
cc
V
+ =
=

E
R
cc
V
ce
V
E
R
c
I +
|
|
.
|
\
|
=
1
; Recta de salida

Notar que debemos lograr una alta I
c
, es decir, deber ocurrir que R
E
sea pequeo, logrndose con
ello:
CC ce
V V
ic
Vcc vce

En AC:
V
ce
R
L
i
L

( )
cq
I
c
I
L
R
ceq
V
ce
V
c
I
L
R
ce
V
L
I
L
R
ce
V
=
=
=

Para mss de salida:

73
Ic R - 2V = v
) I - (I -R = V - v
: do reemplazan
I R = V decir, es
I i 0 = v : si
L ceq ce
cq c L ceq ce
cq L ceq
cq c ce
2 =

L
ceq
ce
L
c
R
V
v
R
I
2
1
+ =
pero:

V
ceq V
CC

L
cc
ce
L
c
R
V
v
R
I
2 1
+ = ; Recta de Carga Alterna

Graficando:
iC
2Vcc/RL
Vcc/RL Q
VceqVcc 2Vcc vCE

El rendimiento ser:

%
cq
I
cc
V
cq
I
cc
V
cq
I
cc
V
p
I
p
V
50
2
1
2
2
=
=
=
=

Capitulo2 Ce1

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Capitulo2 Ce1

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

CAPITULO II ANALISIS Y DISEO DE CIRCUITOS CON TRANSISTORES

También podría gustarte