Amplificador de Potencia

1. Introducción
Los amplificadores de potencia tradicionales emplean dispositivos activos (BJT o
MOSFET). Estos se clasifican atendiendo a la fracción del periodo de la señal en
que los dispositivos permanecen en conducción. Si la entrada es una función
sinusoidal, su argumento se incrementa 360° a cada periodo de señal. La fracción
del periodo en que los dispositivos conducen se mide por el semiangulo de
conducción, _, que esta comprendido entre 0° y 180°.
Se definen tres clases:
Clase A ⇒ θ=¿ 180° (Conducen Siempre).
Clase B ⇒ θ=¿90° (Conducen Medio Periodo).
Clase C ⇒ θ=¿90° (Conducen Menos de Medio Periodo).
Cuanto menor es θ mayor es la eficiencia pero menor es la linealidad.
Existe otro tipo de amplificador de potencia donde los dispositivos funcionan en
conmutación. Actúan como interruptores que pasan alternativamente de corte a
conducción.
La eficiencia es teóricamente del 100% puesto que un interruptor ideal no consume
potencia en ninguno de los dos estados: en Corte i=0 y en Conducción v=0. En la
práctica la eficiencia se reduce porque hay pérdidas de potencia durante el
transitorio de conmutación. Por eso se han ideado diferentes esquemas que
minimizan estas pérdidas.
Estos amplificadores reciben distintos nombres Clase D;E; F…..

1.1 Clase A
En este tipo de amplificador el elemento activo está siempre en zona activa si es un
BJT, o en saturación si se trata de un MOSFET. De todos es el que produce menos
distorsión, pero también el que tiene menor rendimiento.
De las configuraciones básicas se elige la Emisor Común (Fuente Común si es con
MOSFET) porque tiene mayor ganancia en potencia.
 Figura 1.1.1: Amplificador clase A con BJT y Circuito Equivalente en Pequeña Señal.

En RF los valores de RL están normalizados para una aplicación determinada, los más
frecuentes son 50, 75 y 300Ω, aunque en frecuencias altas se usa generalmente 50 Ω.
Cuando se trata de amplificar señaales de RF de banda estrecha se suele poner en paralelo
con RL un circuito LC Sintonizado, pero en el clase A no es imprescindible.
En reposo la tensión sobre la inductancia L es nula, por lo que V CEQ =VCC . Pero la
inductancia mantiene una corriente constante I CQ, es decir que para C.A. se comporta como
un circuito abierto.

Figura1.1.2: Tensiones de Entrada y Salida en el Amplificador Clase A.

La amplitud máxima deV O, que se puede lograr es V CC y para eso es necesario que:

V 2
I CQ × R L =V CC. La potencia entregada a la carga es: PO = 1 O .
2 RL
Y el consumo de potencia es: PCC =V CC × I CQ.
El rendimiento máximo se obtiene cuando V O =V CCy I CQ × R L =V CC, entonces:
PO 1
η= = =50 %
PCC 2
Si en lugar de la inductancia empleamos una RC para polarizar el transistor, el rendimiento
máximo es sólo del 25 %.
Notar que el consumo de potencia es independiente del nivel de señal. Cuando no hay señal
el rendimiento es nulo y además toda la potencia consumida se disipa en el transistor. En la
práctica el rendimiento suele estar alrededor del 15 %.

Clase B
En el ampli_cador clase B los elementos activos estan en zona activa si es un BJT, o
en saturacion si se trata de un MOSFET, la mitad del tiempo en cada ciclo de la se~nal.
Es posible utilizar el mismo esquema del clase A, pero ahora con VBB _ 0;7, de forma
que el BJT solo conduce cuando vi > 0. En este caso es imprescindible poner en paralelo
con RL un circuito LC Sintonizado que elimina todos los arm_onicos y deja pasar a la
carga _unicamente la componente fundamental.
Ampli

Especificaciones
Armar un amplificador de potencia de gran eficiencia que cumpla con las siguientes
especificaciones:

A. Δ f = A elección .
B. V CC =12V .
C. R L=50 Ω.
D. P L=2 W .
E. Pin = Salida del modulador de FM en VHF.

Cálculo de la Ganancia Total del Amplificador

Suponiendo a la entrada una señal de 1mW:
PL 2 W
G= = =2000.
P¿ 1mW
En dB:

G dB =10 log 10 ( PP )=10 log ( 2000) =33 dB .

L

¿
10

Con este dato se eligen la cantidad de etapas necesarias para lograr esta ganancia requerida
por el amplificador. En este caso utilizaremos 3 etapas.

Desarrollo

Dado a que la ganancia máxima es de 33dB y como en cada red de adaptación caen 0.5 dB
la ganancia máxima de nuestro amplificador será de 35dB.
Además, para obtener la potencia requerida en la carga, es necesario utilizar un
MFR237 que genere el doble de potencia. Esto se debe a que en alta frecuencia debemos
guiarnos por el teorema de la máxima transferencia de energía, según el cual la mitad de la
potencia entregada por el transistor podrá llegar a la carga, como máximo.
De esta manera, si requerimos de 2 W en la carga, el transistor deberá ser capaz de entregar
4 W.
Debido a que no logramos conseguir el transistor en cuestión, se utilizará un 2N3866, cuyas
características son las siguientes: