IMPERFECCIONES EN LOS ARREGLOS ATÓMICOS

Imperfecciones en los Arreglos Atómicos

  Defectos puntuales Son interrupciones localizadas en arreglos atómicos y iónicos

que, si no fuera por ellos, sería en perfectos en una estructura cristalina. se
pueden introducir por el movimiento de los átomos o los iones al aumentar la
energía por calentamiento, durante el procesamiento del material por introducción
de impurezas o dopado.
  Impurezas Son elementos o compuestos presentes en las materias primas o en
el procesamiento.
  Dopantes Son elementos o compuestos que se agregan en forma deliberada y
en concentraciones conocidas, en lugares específicas de la microestructura
buscando un efecto benéfico sobre las propiedades y el procesamiento.
En general el efecto de las impurezas en las propiedades de los materiales es
nocivo meintras que el de los dopantes es útil.
  Defectos extendidos Defectos en los que toman parte varios átomos o iones y
que, por consiguiente se presentan en un volumen finito del material cristalino.
  Vacancias Se produce cuando falta un átomo o un ión en su sitio normal de la
estructura cristalina. Esto aumenta el desorden normal o entropía del material, lo
cual aumenta la estabilidad termodinámica de un material cristalino. Todos los
materiales cristalinos tienen un defecto de vacancia. Se introducen a los metales y
aleaciones durante la solidificación, a temperaturas elevadas o como consecuencia
de daños por radiación. Las vacancias desempeñan un papel importante en la
determinación de la rapidez con que se pueden mover los átomos o los iones en
un metal sólido.
A la temperatura ambiente (298K), la concentración de vacancias es pequeña,
pero aumenta en forma exponencial al aumentar la temperatura con el siguiente
comportamiento:
nv=exp(-Qv/RT)
Donde:
 nv es la cantidad de vacancias por cm^3;
 n es la cantidad de átomos por cm^3;
 Qv es la energía necesaria para producir un mol de vancancias, en cal/mol o en
joule/mol;
 R es la constante de los gases: 1,987 cal/(mol-K) u 8.31joules/(mol-K)
 T es la temperatura, en grados K.
  Defectos intersticiales Se forma cuando se inserta un átomo o ión adicional en
la estructura cristalina en una posición normalmente desocupada.
  Defecto sustitucional o Defecto puntual intersticial Se crea cuando un
átomo idéntico a los puntos normales de red están en psición intersticial. Es
probable encontrar este defecto en estructuras cristalinas con bajo factor de
empaquetamiento.
  Defecto de Frenkel o Par de Frenkel es un par vacancia - intersticialidad que
se forma cuando un ión salta de un punto normal de red a un sitio intersticial y
deja atrás una vacancia. Este defecto se presenta tanto en materiales iónicos como
covalentes. 
  Defecto de Schottky Es exclusivo de los materiales iónicos, y suele encontrarse
en muchos materiales cerámicos. En este defecto, las vacancias se presentan en
un material con enlaces iónicos; donde debe faltar un número estequimétrico de
aniones y cationes en cristal si se quiere conservar en el la neautralidad eléctrica.