Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Polarizacion BJT Problemas Resueltos
Polarizacion BJT Problemas Resueltos
PLAN D
PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)
Sumario:
1. Introduccin.
2. Solucin de problemas.
3. Conclusiones.
Bibliografa:
1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 186-188 y 192-196.
Objetivos:
Que los estudiantes ejerciten el clculo del punto de operacin y la potencia disipada empleando
diferentes mtodos de solucin, y la obtencin de la lnea de carga esttica del BJT.
Profundizar en el principio de operacin del regulador de voltaje serie y realizar los clculos de
sus principales variables.
Problemas:
1. En el circuito mostrado en la figura 1, calcule:
a) El punto de operacin del transistor. Represente el
punto de operacin y la lnea de carga esttica en la
caracterstica de salida.
b) La potencia que se disipa en el colector del
transistor en reposo y la potencia que entrega la
batera VCC.
c) El valor mximo de RC con el cual el transistor
permanece trabajando en la regin activa.
Datos: F = hFE = 150; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;
VCE sat = 0,1 V e ICO = 0.
Fig. 1: Problema 1.
Respuesta:
a) El punto de operacin del transistor bipolar se caracteriza por la IBQ, ICQ y el VCEQ. Este es un
circuito autopolarizado. Para calcular el punto de operacin se abre el circuito como se muestra y se
sustituye por una fuente referida a tierra en serie con una resistencia equivalente aplicando el Teorema
de Thevenin.
R2
50
VTH = VCC
= 12
= 3,53 V
R1 + R 2
120 + 50
R R
120 50
= 35, 29 k
R TH = R B = R1 R 2 = 1 2 =
R1 + R 2 120 + 50
EL VOLTAJE DE THEVENIN SIEMPRE EST REFERIDO A TIERRA
El transistor bipolar puede trabajar en activa, saturacin o corte. Se supondr que el transistor est
operando en la zona de activa:
Aplicando LKV en I (malla en a base del transistor):
VTH + I B R B + VBE + I E R E = 0 (1)
0
pero IE = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO
I E = (1 + F ) I B (2)
luego
VTH + I B R B + VBE + (1 + F ) I B R E = 0
Despejando la corriente de IB:
IB =
VTH VBE
R B + (1 + F ) R E
3,53 0,7
35,29 + (1 + 150 ) 1,5
De donde: I BQ = 0, 010 mA = 10 A
VCEQ = VCC ICQ ( R C + R E ) = 12 1,5 ( 5 + 1,5 ) = 2, 25 V > VCE sat = 0,1 V Activa
Para representar el punto de operacin y la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida del BJT,
a partir de la LKV obtenida en la malla II, despejamos la IC en funcin del VCE:
VCC + IC R C + VCE + I E R E = 0
Como F = 150 >> 1 I E IC , de donde:
y al despejar IC nos queda que:
VCC + VCE + IC ( R C + R E ) = 0
IC =
VCE
RC + RE
VCC
RC + RE
Si IC = 0 VCE = VCC
VCC
Si VCE = 0 IC =
RC + RE
VCC + I1 R1 + VBE + IC R E = 0
y al despejar I1 nos queda que:
V VBE IC R E 12 0,7 1,5 1,5
I1 = CC
=
= 75 A
R1
120
Luego:
c) A partir de la lnea de carga esttica representada en la caracterstica de salida, se puede observar que
si se aumenta el resistor RC disminuye el VCE corrindose el punto de operacin hacia la zona de
saturacin sin variar el valor de ICQ. El valor mximo de RC (RCmax) se calcula cuando el transistor
alcanza el lmite de la regin de saturacin, al hacerse VCE = VCEsat.
De la malla de salida nos queda que:
VCC + IC R C max + VCE sat + ICQ R E = 0
Fig. 2: Problema 2.
Respuesta:
Suponiendo que el transistor est trabajando en la zona de activa:
Aplicando LKC en el nodo B:
I1 + I 2 + I B = 0
despejando I1: I1 = I 2 + I B (1)
pero al ser I E = I B + IC
0
donde IC = F I B + ( F + 1) ICO
luego I E = I B + IC = I B + F I B
y al despejar IB nos queda que:
IB =
IE
F + 1
2
= 0, 039 mA
50 + 1
V + I R
0,7 + 2 0,1
I 2 = BE E E =
= 0, 032 mA=32 A
R2
28
VCC + I R C + I1 R1 + I 2 R 2 = 0 (3)
Pero nos hace falta el valor de la corriente que circula por RC. la cual se puede calcular aplicando una
LKC en el nodo: I + I1 + IC = 0
despejando I1 nos queda que: I = I1 + IC (4)
pero
IC = I E I B = 2 0, 039 = 1,96 mA
Fig. 3: Problema 3.
a) El regulador de voltaje paralelo ya estudiado es el circuito de este tipo ms sencillo; presenta como
deficiencia la de ser baja la corriente y la potencia que puede entregar en su salida, limitado por la
capacidad del Zener empleado.
El regulador de voltaje serie con diodo Zener mostrado a
continuacin mejora esta deficiencia, pues el transistor
que est conectado en serie con la carga RL es el
encargado de entregar la corriente de salida IL.
Si se abre la carga se hace IL = 0, pero la corriente por el Zener no crece bruscamente como ocurre con
el regulador paralelo. Esto se debe a que el transistor opera en la regin activa, por lo que su IB = IL/F.
Como F >> 1, an para caso peor en que se est entregando la mxima corriente a la carga, la IB ser
relativamente baja. Desde el punto de vista del diseo, esto provoca que la disipacin de potencia
mxima en el Zener sea baja y no sea una limitante como lo es para el caso del regulador paralelo.
El principio de operacin de este regulador serie se basa en la utilizacin de un Zener como referencia
interna, con un voltaje VZ que es independiente de las variaciones de VNR y de IL. Si se analizan estas
dos variaciones en forma independiente, para el caso en que RL sea constante y se vara VNR: se
observa de las expresiones anteriores, que ICQ e IBQ se mantienen casi constantes, pero al crecer VNR
aumentan IRS e IZ. La lnea de carga se desplaza hacia la derecha con la misma pendiente, por lo que
VCEQ crece y contrarresta la posible variacin de VNR manteniendo a VO casi constante. En el caso en
que VNR se mantenga constante y se vare a RL: si RL decrece, ICQ e IBQ aumentan pero IZ disminuye.
En la caracterstica de salida del transistor, la lnea de carga incrementa su pendiente pero mantiene el
intercepto en VNR que no cambia. El valor de VCEQ se mantiene casi constante pues VO apenas vara.
b) Suponiendo que el diodo tener est en ruptura, VZO = 5,7 V y la IZ debe ser mayor que IZK. Como
RZ = 0 y suponiendo que el transistor est en activa, al aplicar unas LKV en I (la base del transistor) se
obtiene que:
VZO + VBE + I E R E = 0
despejando la corriente IE:
V VBE 5,7 0,7
I E = ZO
=
= 100 mA
RE
0,05
pero I E = IB + IC y al ser F >> 1
IC I E
ICQ = 100 mA
luego
0
IC = F I B + ( F + 1) ICO
I BQ =
ICQ
F
100
= 1 mA
100
I Z = I1 I B (1)
V VZO 10 5,7
=
= 8, 6 mA
I1 = CC
RS
0,5
d)
e) Si VCC = VNR = 12V 1V, el valor mximo de RS para que el Zener se mantenga dentro de la regin
de regulacin se calcula para la peor condicin que es cuando VNR = Vmin inst = 11 V, IZ min inst = IZK y
I
la corriente de la carga es mxima (en este caso E ).
F
V
VZO
11 5,7
R S max = min inst
=
= 1, 767 k (RZ = 0)
IE
100
2
+
I ZK +
100
F
R/ R S max = 1, 767 k
4. En el circuito de la figura 4, calcule el punto de
operacin y la potencia disipada en colector del
transistor en reposo.
Datos: F = hFE = 100; VBE = 0,7V; VCEsat = 0,1V
y ICO = 0.
Fig. 4: Problema 4.
Respuesta:
VCC + ( R C + R B ) I B + IC R C + VBE + I E R E = 0
Al ser I E = I B + IC e IC = F I B + ( F + 1) ICO
luego
I E = I B + IC = ( F + 1) I B
VCC + ( R C + R B ) I B + F I B R C + VBE + ( F + 1) IB R E = 0
VCC + R B + ( F + 1) ( R C + R E ) I B + VBE = 0
VCC VBE
12 0,7
Despejando la IB: I BQ =
=
= 27,35 A
R B + ( F + 1) ( R C + R E ) 100 + (101) ( 3 + 0,1)
ICQ = F I BQ = 100 0, 2735 = 2, 735 mA
Aplicando LKV en la malla II calcularemos el VCEQ:
Fig. 5: Problema 5.
Respuesta:
Suponiendo el transistor en activa y aplicando LKV en
la malla I calcularemos la IBQ:
IC = F I B + ( F + 1) ICO
pero
(2)
VECQ = VCC ICQ + I BQ R = 15 ( 2,87 + 0,01436 ) 3 = 6,34 V > 0,1 V Q est en Activa
R/ PC = 18, 21 mW
6. En los circuitos de la figura 6a) y 6b), calcule el punto de operacin y la potencia disipada en
colector del transistor en reposo.
Datos: F = hFE = 260; VBE = 0,6 V; VCE sat = 0,1 V y ICO = 0.
Fig. 6: Problema 6.
Respuesta del circuito de la figura 6 a):
En alterna los condensadores se tienen en cuenta para el anlisis dinmico, cuando se hace el anlisis
esttico (directa) para calcular el punto de operacin, estos se abren. Suponiendo el transistor en activa:
10
VTH = VR VEE
2
R2
R1 + R 2
VR = ( VCC + VEE )
VEE = 14
R2
R1 + R 2
36
7 = 4, 67 V
180 + 36
, luego
I E = (1 + F ) I B (2)
11
y R / PC = 10 mW
F =
1 + F
100
= 0,99
1 + 100
I
I
1
1
IE = C =
= 1, 01 mA 1 mA e I B = C =
= 0, 01 mA ( ICO = 0 )
F 0,99
F 100
2do Paso: Clculo de VE, RE y la disipacin de potencia de RE:
V
V
9
3
VE = CC = = 3 V R E = E =
= 2,97 k 3 k
3
3
I E 1,01
2
PR = I E2 R E = (1, 01) 3 = 3, 06 mW
E
V
9
VCE = CC = = 3 V
3
3
3 3
IC R C = VCC VCE VE = 9 3 3 = 3 V R C =
= = 3 k
IC 1
2
PR = IC2 R C = (1) 3 = 3 mW
C
5to Paso: Clculo de RTH y VTH:
R TH =
(1 + F ) R E = (1 + 100 ) 3 = 30,3 k
10
12
10
PR
R TH VCC
30,3 9
= 68,175 k
4
VTH
( V VTH )
= CC
(9 4)
=
R1
68,175
= 0,37 mW
R TH VCC
VCC VTH
PR =
2
VTH 2
R2
30,3 9
= 54,54 k
94
(9)
54,54
= 1,49 mW
r =
F VT
ICQ
100 25,8
= 25,8 k ,
1
gm =
ICQ
VT
V
1
100
= 100 k
= 38, 76 mS , rO = A =
ICQ
1
25,8
13
y PC = 2, 28 mW
Activa
b) R E = 2,97 k y R B = 463 k
10. En el regulador de voltaje serie de la figura 10:
a) El valor mximo de RS para que el diodo zener regule
adecuadamente si IZK = 5 mA y RE = 5 k.
b) Las resistencias RC y RE para fijar una corriente de
colector de IC = 1 mA y VCE = 5 V.
Datos: Q: F = hFE = 100; VBE = 0,7 V; VBE sat = 0,8 V;
VCE sat = 0,2 V; ICO = 0.
DZ: VZO = 8,7V; IZK = 5 mA y RZ = 0.
Fig. 10: Problema 10.
Respuesta:
a) R B max = 2, 253 k
b) R E = 2,921 k y R C = 7 k
11. En el circuito de la figura 11 se muestra dos
transistores trabajando en la regin de activa con
F1 = hFE1 = 100 y F2 = hFE2 = 50. Determine el punto
de operacin de cada transistor.
Datos: VBE1 = VBE2 = 0,7 V; VBEsat1 = VBEsat2 = 0,8 V;
VCEsat1 = VCEsat2 = 0,2 V; ICO1 = ICO2 = 0.
14
2
2
2
Respuesta:
15