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En realidad nos interesa saber cual es la potencia mxima que puede disipar el dispositivo: por lo
tanto despejamos el valor de la potencia disipada.
Pd = (Tj - Ta) / Rja = (Tj - Ta) / (Rjc + Rcd + Rda) [2]
Esta frmula nos indica que la potencia que puede disipar un dispositivo electrnico es funcin
directa de la temperatura mxima adoptada para la juntura (150C como mximo) y de la
mxima temperatura ambiente e inversa de la resistencia trmica desde la juntura al ambiente
(recordando que la resistencia juntura ambiente est fijada por las tres resistencias indicadas
anteriormente).
En la figura 2 se muestra el llamado grafico de reduccin de potencia que como ya se ha
mencionado lo suministra el fabricante, adems de las caractersticas trmicas.
Fig.2 Curva de reduccin de potencia
Fig.2 Curva de reduccin de potencia
Este grafico nos indica que si utilizamos un disipador infinito y la temperatura ambiente es de
25C la potencia que se puede disipar en este dispositivo en particular es de 115C. A medida
que el disipador va tornndose mas pequeo comienza a sobrecalentarse con respecto a la
temperatura ambiente. Por ejemplo si con un determinado tamao de disipador la temperatura
del mismo llega a 100C entonces solo se pueden disipar 55W.
Y que importancia tiene esto, por ejemplo para el tcnico o el diseador de un amplificador de
potencia de audio? Que simulando el amplificador y midiendo la potencia desarrollada en el/los
transistor/es de salida y la temperatura del disipador del dispositivo real, puede determinar si
este es apropiado o si debe agrandarlo. Y esto tiene una importancia vital en el costo del
amplificador porque el aluminio tiene un precio elevado.
Las caractersticas de un disipador no solo dependen de su tamao:
* Un determinado perfil de estruccin puede generar bajas resistencias trmicas disipador
ambiente sin utilizar mucho aluminio. La resistencia trmica es en realidad funcin de la
superficie del disipador y no de la masa de aluminio. Y la forma afecta enormemente a la relacin
entre la masa y la superficie exterior. De all que los disipadores tengan aletas.
* Pero no es el nico factor a tener en cuenta ya que un disipador disipa no solo por
conveccin. Tambin existe la radiacin trmica (ya que el calor puede considerarse como una
onda electromagntica infrarroja) y el color de la superficie afecta la radiacin. De all que los
disipadores siempre son de aluminio anodizado negro.
Cundo se debe usar disipador?
Utilizando la formula [2] se puede conocer cual es la potencia mxima TJ que puede disipar
nuestro dispositivo sin disipador. Cuando la potencia que va disipar el dispositivo es igual o
mayor a sta, entonces es preciso utilizar un disipador. Por supuesto todo depende de la
temperatura ambiente mxima que se puede esperar en la zona donde esta instalado el
transistor.
Para entender el problema lo mejor es dar un ejemplo. Empezaremos por buscar algunos datos
en la hoja de caractersticas o especificacin del semiconductor. Por ejemplo:
* La temperatura mxima de la unin que, depende del dispositivo Tj mxima, Pero recuerde
que conviene trabajar con un margen de seguridad importante para alargar la vida del
dispositivo, un margen de seguridad adecuado puede ser del 50%.
* La resistencia trmica entre la unin y el aire ambiente Rjc, que tambin depende del
dispositivo.
* La resistencia trmica entre la cpsula y el disipador Rcd. Recordando que si se usa aislador
de mica o plstico se debe incrementar en un 20% aun usando grasa siliconada.
La incgnita del problema es hallar el coeficiente trmico entre el disipador y el aire Rda. Si el
dispositivo de nuestro ejemplo debe disipar 25W, los datos que hemos obtenido son:
* Pd = 25W
* TJ = 100 C
* TA = 25 C
* RJC = 1,52 c/w
* RCD = 0,12c/w
Usaremos la formula [2] de la cual se despeja Rda :
Rda = [(Tj-Ta)/Pd] -Rjc -Rcd
Aplicado a nuestro dispositivo el resultado es:
Rth = 1,36 C/W
A continuacin solo basta con buscar en catlogos de fabricantes de disipadores algn disipador
que tenga una resistencia trmica con el valor que acabamos de calcular. No se debe elegir
nunca un disipador que tenga una resistencia trmica mayor, ya que esto implicara aumentar
gravemente la temperatura de trabajo de la juntura, con consecuencias perjudiciales. Segn todo
lo aprendido hasta ahora la simple medicin de la temperatura del disipador en el caso real es
suficiente para calcular la temperatura de juntura.
En el siguiente ejemplo, conociendo Rja, podemos calcular la temperatura aproximada que
alcanzar la unin del componente Tj ; despejaremos Tj en la formula [1] de la siguiente forma:
Tj = (Pd x Rja)+ Ta
De aqu deducimos que cuanto mayor sea la Tj resultante del calculo con ms seguridad debe
ponerse un disipador mas grande o con mejor geometra. Por tanto, deberemos calcular el
disipador que ayude a evacuar el excedente de calor.
La especificacin proporcionara Rjc, tambin proporciona la Pd o potencia mxima disipable por
el dispositivo, normalmente a 25C. La Rja resistencia unin ambiente se puede calcular como:
Rja = Rjc + Rca
En definitiva, lo que se pretende hallar es la Rda resistencia del disipador ambiente (en las hojas
de datos se suele indicar como Rth). El resto de los parmetros se conoce por el tipo de
dispositivo y el clculo de la potencia que deber disipar dicho componente; o mas
modernamente una simulacin del circuito. As, despejando en la Ley de Ohm trmica, el valor
de Rda tendremos que:
Rda = Tj-Ta/Pda - (Rjc + Rcd)
El valor de Rcd suele estar entre 0,5 y 1,0 C/W, considerando que la cpsula est unida al
disipador con una capa de silicona trmica y no con mica aislante, lo que aumentara la
resistencia alrededor de 2 C/W.
Resolvamos el siguiente ejercicio para fijar conceptos: considerando un dispositivo con cpsula
TO-3, que disipe 30W en una temperatura ambiente mxima de 35 C. Cual sera la resistencia
Rth que debe tener su disipador.
La especificacin como la mostrada arriba, nos dice que la Rjc es de 1,52 C/W, con una Tc
mxima de 200 C que por seguridad reduciremos a 150 C y una Rcd directa con grasa
siliconada en 1 C/W. Por lo tanto ya podemos hacer el clculo pedido.
Rda = (150-35)/30 - (1,52 + 1) = 1,3 C/W [C/W] = [C]/[W] - [C/W] - [C/W]
Ahora podemos calcular la cada de temperatura Tjc (unin carcaza), la Tcd cpsula disipador, la
Tc cpsula y el Td disipador.
La diferencia de temperatura Tjc juntura carcaza:
Tj - Ta = Pd x Rjc = 30 W x 1,52 C/W = 45,6 C
La temperatura Tcd cpsula disipador, por deduccin ser:
Tc - Td = Pd x Rcd = 30 W x 1 C/W = 30 C
La temperatura Tc de la carcaza del dispositivo:
Tc = Tj - 45 C = 105 C
Y la temperatura Td del disipador:
Td = Tc - 30 C = 105 C - 30 C = 75 C
Disipadores trmicos comerciales
En el mercado se presentan diferentes tipo de disipadores o radiadores comerciales en los que
el fabricante nos indica el valor de la Rda resistencia disipador ambiente (Rth en las
especificaciones), algunos para grandes potencias de 0,5 C/W. Uno de los fabricantes de
disipadores mas grandes se llama Burr Brown y resume los diferentes tipos en su nota de
aplicacin: sboa021.pdf que puede bajarse con un buscador como el Google. De este lugar se
extrajo la tabla de la figura 3.
Fig.3 Tabla de resistencias trmicas
Fig.3 Tabla de resistencias trmicas
En la tabla tenemos un ejemplo para una capsula TO-3 montada de dos modos diferentes (1)
para usos de alta potencia y (2) para usos de baja potencia. El valor para RJC de 0.8C/W es
para el disipador OPA512 que funciona en condiciones de seal de corriente alterna. Para
condiciones de seal de corriente continua, RJC es de 1.4C/W.
El circuito trmico, permite estimar con clculos simples la temperatura de juntura. La subida de
temperaturas a travs de cada interfaz es igual a la potencia total disipada en los varios
Peltier utiliz el efecto inverso descubierto por un fsico Alemn llamado Seebek: Tome dos
alambres de distintos metales, de por ejemplo 1 metro de largo. Realice una soldadura de punto
en cada punta del par. Ponga una de las puntas en una mezcla de agua y hielo para garantizar
una temperatura de 0C. Coloque la otra punta en una pava de agua hirviendo (para garantizar
una temperatura de 100 C). Cuando las soldaduras tomen la temperatura del medio en que
estn sumergidas, por los alambres circulara una corriente proporcional a la diferencia de
temperatura. Este efecto se utiliza en electrnica en las llamadas termocuplas que conectadas a
un tester lo transforman en un termmetro.
Ahora saque los alambres de las fuentes de fro y de calor y haga circular una corriente elctrica
por el par. Una de las soldaduras se calentar y la otra se enfriar creando lo que se llama una
bomba de calor. En la figura 4 se puede observar una celda comercial.
Fig.4 Celda Peltier
Fig.4 Celda Peltier
Poco despus, el francs Jean Charles Peltier descubri en 1834 el fenmeno que puede
denominarse inverso. Al pasar una corriente a travs de un circuito de dos metales soldados, una
de las soldaduras se enfra mientras la otra se calienta, actuando el sistema como una bomba
de calor.
Medicin de la temperatura de juntura
Suponga que tiene que medir la temperatura del chip de un transistor de potencia de un
amplificador de simetra complementaria. No hay una forma directa de hacerlo porque el chip no
es accesible. Pero si hay una indirecta.
Una barrera de silicio tiene unos 600 mV a una temperatura de 20 C. Pero esa barrera no es
fija; vara a razn de -2,5 mV/C aproximadamente. Si Ud. conmuta el circuito de base de y
emisor de un transistor con dos llaves de modo de conectarlo en la disposicin normal o de
conectarlo a un tester de aguja como para medir una barrera, podr medir la barrera en fro y
luego en caliente y de la diferencia obtener la temperatura del cristal aplicando el coeficiente de
-2,5 mV/C.
Fig.5 Circuito del amplificador modificado para medir sobrecalentamiento
Fig.5 Circuito del amplificador modificado para medir sobrecalentamiento
Si analiza el circuito ver que es el mismo de siempre pero con el agregado de una llave
inversora de dos vas que desconecta el transistor a medir y lo conecta como para medir la
tensin de barrera o como est originalmente en el circuito.
1. La idea es medir la tensin de barrera en fro (llaves hacia arriba).
2. Luego llevar las llaves hacia abajo y llevar el amplificador a mxima potencia, dejarlo un par
de horas funcionando con un tono de 1KHz de entrada al limite del recorte y volver a mover la
llave para medir la tensin de barrera.
Es decir que tenemos dos valores de tensin de barrera (tmelos en mV) el correspondiente a
temperatura ambiente y el correspondiente a transistor a mxima potencia de salida. Haciendo la
diferencia de ambos valores y dividiendo por 2,5 obtenemos la sobreelevacin de temperatura
entre el cristal del transistor y la temperatura ambiente en C.