Diodos Emisores

de Luz

Son dispositivos de unin pn que funcionan

en polarizacin directa.
Sus modos de operacin dependen de las
propiedades pticas y elctricas del material.

Material.

Longitud de onda.

Aplicaciones.

InGaAs, InP

1300 1550 [nm]

Sistemas de
comunicacin de
fibra ptica.

GaAs, AlGaAs

780 900 [nm]

Enlace de datos,
controles remotos.

Estructura bsica de los

LED`s
En los utilizados en sistemas de comunicacin

de fibra ptica, se utilizan heterouniones pn

(heteroestructuras dobles).
Para LED`s que emiten en rojo o amarillo, se
usan homouniones (heterouniones).
En la siguiente figura se muestra la
estructura bsica de varios tipos de LED`s.

Pueden dividirse en 2 grupos:

Emisin en superficie: emiten la luz en

direccin perpendicular al plano de la union.

Emisin en el borde: la luz es emitida en
direccin paralela al plano de la unin pn.

Caractersticas del
Dispositivo.
Caractersticas bsicas.

La luz que sale del LED es originada por la

emisin espontanea en la capa activa.

Cuando una cierta densidad de electrones es
inyectada en la capa activa, la misma
densidad de huecos es inyectada para
mantener la carga neutra.

Las densidades de electrones y huecos en la

capa activa bajo inyeccin se puede expresar

como:

Los electrones y huecos en la capa activa se

re combinan radiativamente, as que las

densidades cambian con el tiempo.

La capa activa de los leds normales se

encuentran sin dopaje, o ligeramente dopados

para aumentar la potencia de salida, debido a
la recombinacion Auger, absorcin
intrabandas y la recombinacin no radiativa.

La potencia de la luz emitida es proporcional

a la corriente de inyeccin en el intervalo de

baja corriente.
La potencia de luz emitida en la capa activa
es dada por el producto del nmero de
fotones emitidos y la energa de los fotones.

Transiciones radiativas en LED`s.

El tiempo de vida de los
portadores minoritarioas en
la capa activa esta
determinada por los
procesos de recombinacin

La recombinacin radiativa (emisin de un fotn) implica una

transicin vertical en el diagrama E(k). Estas transiciones se
producen gap directo y gap indirecto.
Recombinacin en gap indirecto entre la banda de conduccin y
determinados niveles permitidos en la banda prohibida,
denominados centros de recombinacin luminiscentes generados
por determinadas impurezas.

Tambin existen en los

semiconductores unos
centros especiales llamados
centros isoelectrnicos.
Producidos por algunas
impurezas como por ejemplo
el N

GaAsP de un pico en 565 nm luz ROJA, cuando se dopa con N

Realizando una transicin directa se obtiene un pico en 649 nm luz NARANJA
o 509 nm luz AMARILLA

Caractersticas de salida Corriente

Luz
La potencia de salida de luz de un led no es

igual a su potencia emitida de la capa activa.

Eficiencia de conversin (normalmente de

menos de 5%).

Eficiencia cuntica externa.

nmero de fotones de salida/ nmero de electrones de entrada

Relacin entre la eficiencia de conversin y la

eficiencia cuntica externa.

La eficiencia es influenciada por la absorcin del sustrato,

reflexin y la interferencia que hay entre la superficie del
semiconductor y el aire

Prdidas de los fotones

emitidos:
i. los fotones emitidos
pueden ser reabsorbidos
por el semiconductor
generando pares electrnhueco
ii. una determinada fraccin
de los fotones ser
reflejada en la interfase
semiconductor-aire (no
emergen del
semiconductor)
iii. algunos fotones incidirn
sobre la superficie con
ngulos superiores al
ngulo
crticoque
sufriendo por
El total de las reflexiones esta dado por un angulo
critico
tanto un
de
determina la reflexin interna total y esta en fucin
deproceso
los indices
reflexin interna total.
de refraccin de las interfaces
20% al 30% del total de la luz es reflejada a la superficie.

Caracteristicas de corriente-voltaje
La corriente de polarizacin directa, en general
consta de tres componentes:
i) Corriente de difusin de los electrones
inyectados a travs de la unin a la zona p
ii) Corriente de difusin de los huecos inyectados

a travs de la unin a la zona n

iii) Corriente de recombinacin en la zona de

agotamiento de anchura W debida a la presencia

de impurezas o defectos

Donde:

Jn y Jp son las densidades de corriente

de difusin de electrones y de huecos,

Dn y Dp son las constantes de difusin

de electrones y huecos en las regiones
pyn
np y pn son las concentraciones de
electrones y huecos en las zonas
neutras
p y n alejadas de la unin
V es la tensin aplicada
W la anchura de la zona de
agotamiento,
el tiempo de recombinacin en la
zona de agotamiento el cual depende

El LED se disea de forma que los fotones se

emiten desde la zona (p) y no de la zona (n),

ya que en este ltimo caso tendran una alta
posibilidad de ser absorbidos antes de
emerger
En consecuencia es preferible que la

inyeccin de electrones en la zona p sea

mucho mayor que la de huecos en la zona n,
de forma que la corriente pase a estar
dominada por los electrones (es decir Jn>>Jp).

Otras
Caractersticas.

Caractersticas de Temperatura.
La dependencia de la temperatura de las

caractersticas del dispositivo es muy

importante, desde el punto de vista de las
aplicaciones.
Estos dispositivos (polarizacin directa) son
muy sensibles a la temperatura de la capa
activa.

Ejemplo de calentamiento de Joule.

Bajo operacin pulsada, la potencia de salida

aumenta linealmente en proporcin a la

corriente inyectada, debido a que el
calentamiento es despreciable, si el ancho del
pulso es de menos de unos microsegundos.

Espectro de emisin.

La energa de un fotn emitido por un LED no es simplemente igual a

la anchura de la banda prohibida Eg ya que los electrones en la
banda de conduccin y los huecos en la de valencia estn
distribuidos segn su energa

El espectro de salida, o
representacin de la intensidad
relativa en funcin de la
longitud de onda, de un LED
depende no solamente del
material semiconductor sino
tambin de la estructura de la
unin p-n, incluyendo los
niveles de dopado.
La energa del fotn para el pico de
emisin es prxima a Eg+kBT ya que
sta corresponde a transiciones de
mximo a mximo en las
distribuciones de energa de
electrones y huecos. La anchura vara
de forma tpica entre 2,5kBT y
3kBT, como se muestra en (d).

En la siguiente figura se observan las caractersticas tpicas de un LED

rojo (655nm) donde se observa esta menor asimetra y que la anchura
del espectro es de alrededor de 24nm a temperatura ambiente, lo cual
corresponde a una anchura de alrededor de 2,7kBT en la distribucin
energtica de los fotones emitidos.

Caractersticas de
modulacin
El requerimiento bsico para la modulacin es que la

potencia de salida corresponda a la seal de la

corriente de modulacin.
La seal de la corriente es tranferida a la potencia de

salida de la luz. La intensidad de la luz es modulada

deacuerdo a la seal de la corriente.
La respuesta gradualmente diminuye conforme la

frecuencia de modulacin aumenta debido a los

factores extrnsecos e intrnsecos que limitan la
respuesta de la frecuencia.

Factor intrnseco: tiempo de vida de los

portadores inyectados.
Factror extrnseco: la capacitancia de la unin

pn.
El ancho de banda de modulacin es usado

generalmente como una medida de respuesta

de la frecuencia.