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Celta Pentier
Celta Pentier
Resumen
El descubrimiento de los fenmenos termoelctricos hace dos siglos, y la bsqueda de
nuevas alternativas de generacin de energa, ha permitido un avance continuo en la
tecnologa termoelctrica en los ltimos aos. Desde 1834 es conocido el efecto Peltier;
no obstante, su aplicacin prctica necesit del desarrollo de los materiales
semiconductores. El efecto Peltier se caracteriza por la aparicin de una diferencia de
temperaturas entre las dos caras de un semiconductor cuando por l circula una corriente.
Por lo general dichas celdas estn fabricadas con Bismuto para la cara del semiconductor
tipo P y Telurio para la cara tipo N. En ste trabajo se realiza la caracterizacin en voltaje,
corriente y temperaturas de una celda Peltier cuyos parmetros son los siguientes: tensin
mxima de 6V, corriente mxima de 2.5 A, los cuales provocan una diferencia de
temperaturas T=35C entre la cara caliente y la cara fra de la celda. Para ello, se emple
el sistema de adquisicin de datos USB-1208FS del fabricante Measurement Computing y
sensores de temperatura de circuito integrado. Los resultados experimentales fueron
obtenidos utilizando instrumentacin virtual implementada con el software Labview de
National Instruments.
Palabras clave: Efecto Peltier, Temperatura, Semiconductores, Celda Peltier.
Introduccin
El efecto Peltier se caracteriza por la aparicin de una diferencia de temperaturas entre
las dos caras de un semiconductor cuando por l circula una corriente. Una celda Peltier
est conformada por dos materiales semiconductores uno tipo P y otro tipo N en un
arreglo como el mostrado en la Figura 1, producindose internamente el as llamado
efecto termoelctrico de Peltier [1], [2].
Figura 1. Diagrama que muestra la estructura interna de una celda Peltier, donde se observan los elementos
semiconductores dispuestos elctricamente en serie y trmicamente en paralelo.
2
Internamente la celda Peltier posee elementos semiconductores altamente impurificados y
dispuestos elctricamente en serie mediante conductores de cobre [1], [2]. Para aislar los
conductores de cobre del disipador se agrega entre ellos una placa de cermica que
funciona como aislante, figura 2.
Figura 2. Corte transversal de la celda Peltier donde se muestran los elementos semiconductores y las
aletas disipadoras.
Metodologa
Este trabajo est relacionado con la caracterizacin de una celda Peltier. Dicha
caracterizacin consiste en describir el comportamiento de la corriente a travs de la celda
contra la diferencia de temperaturas (T) para 6 niveles de voltaje de polarizacin
distintos.
Resultados y Discusin
La plataforma experimental utilizada para realizar la caracterizacin de la celda Peltier es
mostrada en la figura 4. Como puede apreciarse en dicha figura, la plataforma consta de
los siguientes elementos: un mdulo Peltier el cual consiste de una celda Peltier, aislantes
trmicos y disipadores para las caras fra y caliente; una fuente de alimentacin de
corriente directa variable; sensores de temperatura LM35DZ del fabricante National
Semiconductor; dos multmetros MUL-500 del fabricante Steren con capacidad de
comunicacin serial, empleados para medir el voltaje y la corriente en el mdulo [5]. La
adquisicin de datos se llev a cabo a una temperatura ambiente de 25 C y mediante un
sistema DAQ, USB-1208FS del fabricante Measurement Computing [6]. Los datos
adquiridos fueron registrados en pantalla y en archivo utilizando un instrumento virtual,
figuras 5 y 6. Implementado con el software Labview 6.1 de National Instruments en una
computadora personal [7]. Los parmetros adquiridos son: voltaje del mdulo, corriente
del mdulo, temperatura de la cara fra, temperatura de la cara caliente y el tiempo. El
voltaje de polarizacin mximo del mdulo Peltier empleado es de 6 VCD, con una
corriente nominal mxima de 3 A y con una diferencia de temperaturas mxima de 40 C.
6
polarizacin fue incrementado desde 1V hasta 6 V en incrementos de 1V. Los resultados
obtenidos para el comportamiento de las temperaturas de las caras fra y caliente del
mdulo Peltier contra el tiempo se muestran en la figura 7. Puede verse de dicha figura
que conforme transcurre el tiempo se logra una temperatura mas alta en la cara caliente y
consiguientemente una temperatura mas baja en la cara fra para un voltaje de
polarizacin ms alto. De igual manera puede apreciarse que, para el caso de un voltaje
de polarizacin de 6V, una vez iniciado el proceso, la temperatura mnima en la cara fra
es de 16C y despus de transcurridos los primeros 12 minutos. se produce un
incremento gradual de la temperatura de 3 C en 27 minutos.
60
6V
5V
Tcaliente[C]
50
4V
40
3V
2V
30
1V
20
0
500
1000
26
1500
2000
tiempo [s]
2500
3000
Tfria[C]
24
1V
22
2V
20
3V
4V
5V
18
6V
16
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
tiempo [s]
Figura 7. Comportamiento de temperaturas tanto en la cara fra como cara caliente de la celda Peltier con
respecto del tiempo.
35
6V
5V
30
T(Tcaliente-Tfria) [C]
25
4V
20
3V
15
2V
10
1V
5
0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
tiempo [s]
3,5
Corriente, [A]
3,0
2,5
6V
2,0
5V
4V
1,5
3V
1,0
2V
0,5
1V
0,0
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
tiempo, [s]
Figura 9. Corriente a travs de la celda contra el tiempo para diferentes valores de voltaje de alimentacin.
8
Conclusiones
2,6
2,4
2,2
(V / I),[]
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
2,0
1,8
1,6
1,4
0
400
800
1200
1600
2000
2400
tiempo, [s]
2800
9
Bibliografa
[1] M. Kurtz, Temperature Control. Huntington, New York: Robert E. Krieger Publishing
Company, 1975, pp. 168 186.
[2] D. M. Rowe, Thermoelectrics Handbook: macro to nano. Boca Ratn, Florida: CRC
Press, 2006, pp. 1-1 1-7.
[3] S. Kasap, Thermoelectric Effect in Materials: Thermocouples, Departament of
electrical engineering, University of Saskatchewan, Canada. Nov. 2001. [Online].
Disponible:http://electronicmaterials.usask.ca/Samples/Thermoelectric-Seebeck.pdf
[4] G. Patterson, M. Sobral, Efecto Peltier, Departamento de Fsica FCEyN, Universidad
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Dic.
2007.
[Online].
Disponible:
http://www.df.uba.ar/users/dgrosz/material%20adicional/celda%20Peltier%20Patterso
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[5] W. Blancarte, Instrumentacin para el control de procesos industriales:Efecto Peltier,
ITESO, Guadalajara, Mxico, Sept. 2001. [Online]. Disponible: http://
www.desi.iteso.mx/elec/instru/peltier.doc
[6] Users Guide, USB-based Analog and Digital I/O Module USB-1208FS, Measurement
Computing Corporation. Jul. 2007.
[7] B. Mihura, LabVIEW for data acquisition. Upper Saddle River, New Jersey. Prentice Hall
PTR, 2001, pp. 285 355.