Cario me toco del 162-167

Las pantallas interiores y exteriores de semiconduccin tienen un permitividad relativa de orden de

1000, debido a la cantidad grande de carbn contienen. Esto significa que la capacitancia de las
pantallas es mucho ms alta que eso del aislador y tender a actuar como un corto circuito al
calcular la admitancia de derivacin entre el centro y la cubierta. Un efecto similar se debe a la
conductividad hmica de las pantallas de semiconduccin, lo cual es requerido por la norma para
estar ms alto

1.0 E3 S/m .

Al mismo tiempo, la conductividad de las pantallas de

semiconduccin est muy ms bajo que del centro y los conductores de la cubierta, as es que las
pantallas de semiconduccin no contribuyen a la conduccin longitudinal de la corriente. Esto
implica que, al entrar en los datos geomtricos en una rutina de la CC, el usuario debera dejar al
aislador XPLE extindete hasta la superficie del conductor de fondo y el conductor de la cubierta, y
aumenta el permitividad relativo para dejar la capacitancia inalterada. Estos descuidos modelan que
la atenuacin posible dio lugar por las pantallas de semiconduccin. La atenuacin podra tener un
impacto fuerte sobre los transitorios de frecuencia muy alta. Esto se discute en el Ejemplo 3.3,
Seccin 3.8.1 (ver Figura 3.26).

3.7.2.3 Pantalla del Cable

Usando el conductor de la cubierta consiste en una pantalla del alambre, el mtodo ms prctico es
para reemplazar La pantalla con un conductor tubular haciendo un rea de seccin transversal igual
para el total enviarle un telegrama rea As. Con un radio interior de la funda de r2 , el r3 exterior del
radio viene bien.

3.8 Estudios de Casos

EJEMPLO 3.3
Los mtodos esquematizados arriba , a preparar datos de entrada , sern aplicados a un cable 66 kV
como se muestra. En grupo de seguidores del 3.22.The de la Figura a los datos estaba provistos por
el fabricante (ve Seccin 3.7 para notaciones) [35]:

El rea de seccin transversal de fondo:

C = 0.24 nF/m

A c=1000 mm2

162

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RDC=2.9 E5 /m

r 1=19.5 mm

El espesor de pantalla interior del aislador:

El espesor de aislador:

El espesor de pantalla exterior del aislador:

El rea de la pantalla del alambre:

0.8 mm

14 mm
0.4 mm

As=50 mm 2

Este ejemplo est dirigido a ilustrar cmo aplicar las recomendaciones previas a dar razn de
semitransmitir pantallas en las rutinas de la CC.Tambin viene a mostrar cmo dar razn de
variaciones e incertidumbres en fabricantes los datos. Finalmente, provee una comparacin entre las
medidas y las simulaciones de corrientes del inrush. La comparacin demuestra que es mejor
obtener datos de capacitancia a partir de un ejemplar y que una exactitud ms bajo es obtenida
abandonando la semiconduccin filtra.
a. Materialidad de datos
Las pantallas del aislador pueden estar representadas como cortos circuitos al calcular la admisin
de derivacin. Esto equivale a una capacitancia dos conchas cilndricas deducidas de Ecuacin
3.20 .En este

caso

a=(19.5+0.8) mm=20.3 mm , and

b=a+14=34.3 mm .Con

permeabilidad relativa de 2.3, para XLPE, este resulta una capacitancia de

cual es para una capacitancia de

0.244 nF /m . Lo

0.24 nF /m dado por el fabricante.

b. conversin de datos
centro
Del fabricante:

r 1=19.5 mm .

La resistividad se calcula por medio de la Ecuacin

3.47 : c=3.4643 E8 m.

Las pantallas de aislante y del aislador

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r 2=r 1+(0.8+ 14+0.4)=34.7 .

Para la ecuacion

3.49, r 1=2.486 .

La pantalla del alambre

El radio exterior est calculado usando Ecuacin

3.50 :r 3=34.93 mm .

s=1.718 E8 m(cobre) .
c. imprecisin de datos del fabricante
Los estndares por cable aplicables (eg. IEC 840 , IEC 60502) limitan el espesor mnimo de cada
capa por cable (en relacin al espesor nominal) , pero no el mximo espesor. Por consiguiente, el
fabricante tiene libertad de usar capas ms grueso que el uno nominal; eg. Para dar razn de
disparidad en la fabricacin y los resultados decadentes. Esta situacin es predominante para el
aislador principal, la sobre-cubierta, y las pantallas de semiconduccin.
Despus de tomar las dimensiones de un ejemplar del cable 66 kV, fue encontrado que el aislador y,
en particular, las pantallas de semiconduccin estaban ms gruesas que lo que dijeron en las hojas
de datos

El espesor de pantalla interior del aislador :1.5 mm .

El espesor de aislador :14.7 mm .

El espesor de pantalla exterior del aislador :1.1 mm.

la distancia entre la pantalla exterior del material aislante y el centro de cada conductor dentro
la pantalla del alambre :1 mm.

Esto le da el siguiente modelo modificado

r 1=19.5 mm
r 2=37.8 mm

r 2=2.856( de la ecuacion 3.48).

d. Anlisis de sensibilidad
En las altas frecuencias, la velocidad asinttica de propagacin (perdidas) y surge impedancia son
dada como:

v =1/ L0 C(3.51)
Z c= L0 /C(3.52)
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Cario me toco del 162-167

Donde:

With

= 4 E-7.

Considera los siguientes tres casos, que se usan para comparar las caractersticas asintticas de
propagacin:

Caso 1: Las pantallas de semiconduccin estn descuidadas; La capacitancia e inductancia se

calculan usando Ecuaciones 3.20 y 3.53 con

a=r 1, b=r 2.

Caso 2: Las pantallas de semiconduccin son tomadas en consideracin ; la capacitancia y los

datos geomtricos son proporcionados por el fabricante
Caso 3: Las pantallas de semiconduccin son tomadas en consideracin ; la capacitancia es
proporcionada por el fabricante ; los datos geomtricos son deducidos de ejemplar por cable

La tabla 3.5 de datos de entrada de funciones para cada caso, y los valores deducidos para la
velocidad y la impedancia caracterstica, usando la inductancia calculada de Ecuacin 3.53.Es obvio
de estos resultados que las caractersticas de propagacin por cable son altamente sensibles para la
representacin de las capas de la cubierta de fondo.
e.Las pruebas de campo y la simulacin de dominio de tiempo
Una prueba de campo fue efectuada en un cable de 6.05 longitud km , ve Figura 3.23. Un conductor
de alma fue cargado a un voltaje de CD 5 kV y entonces puesto en cortocircuito para suelo. De ese
modo, un voltaje negativo de paso estaba dentro resultado se concentr en el final por cable.
Figura 3.24 muestras la corriente inicial medida del inrush saliendo al conductor elctrico de fondo
en p.u. del DC-VOLTAGE.La corriente inicial concuerda con la admitancia ante picos transitorios
del lazo fundamental de la cubierta por cable , lo cual es la inversa de la impedancia de arranque.

La corriente del inrush estaba simulada usando al as llamado modelo Lineal Universal (ULM).La
rutina de la CC fue aplicada para el tres casos diferente definidos arriba. Est visto as de usado la
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representacin por cable dentro del Case 3 da una respuesta calculada que est bastante de acuerdo
con la respuesta medida. Las dos otras representaciones tienen una discrepancia muy mayor. La
punta ocurriendo a eso de 50us resultados por largas pistas asociando las dos secciones por cable.
f.La modelizacin mejorada de pantallas de semiconduccin
Stone and Boggs [33] sugieren modelar la admisin entre el corazn y la funda por medio del
circuito mostrada en Figura 3.25.Dentro cul cada pantalla de semiconduccin es modelada por una
conductancia dentro paralelamente con un condensador. Con valores componentes obtenidos de
medidas, un buen arreglo entre la atenuacin medida y la atenuacin calculada puede ser obtenido
en el alcance de 1125 MHz. El efecto de atenuacin de las pantallas de semiconduccin fue fuerte.

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FIGURA 3.24
Ejemplo 3.3: Measured and simulated inrush current. (From Gustavsen, B., IEEE PES Winter
Meeting, January 28February 1, 2001. With permission.)

FIGURA 3.25
Ejemplo 3.3: Improved model of insulation screens. (From Stone, G.C. and Boggs, S.A., Proceedings of the
Conference on Electrical Insulation and Dielectric Phenomena, National Academy of Sciences, Washington,
DC, pp. 275280, October 1982. With permission.)

Weeks y Min Diao [34] dan una investigacin que sigue un sistema de los efectos de semitransmitir
pantallas sobre las caractersticas de propagacin.

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La conductividad y permitividad de las pantallas de semiconduccin dependen muchsimo en la
cantidad de carbono agregado, La estructura del carbono, y el tipo de polmero bajo. Las
concentraciones muy altas de carbono son usadas (ej. 35%).IEC 840 recomienda una resistividad
debajo de

1000 m para mientras interior pantalla y debajo de

500 m para pantalla

exterior. El permitivitdad relativo es muy alto , tpicamente de la orden de 1000. El permitividad y

conductividad pueden presentar una dependencia fuerte de frecuencia.
Para investigar la atenuacin posible efecta de las pantallas del aislador del cable considerado en
este ejemplo, Una representacin as como en Figura 3.25 estaba empleada asumiendo frecuencia
capacitancias y conductancias independientes. Los valores componentes se calcularon como sigue:

Donde:

a Es el radio exterior de pantalla interior de semiconducci n

b Es el radiointerior de pantalla exterior de semiconducci n

r Es el permitividad relativa de semitransmitir pantallas

Es la conductividad de semitransmitir pantallas
la figura 3.26 muestra funciones de la atenuacin por km , para algunas combinaciones de

y r . Las curvas definen para cul el valor culminante un voltaje sinusoidal de 1 p.u. El valor
culminante viene a menos sobre una distancia de 1 km.( La seal se descompone exponencialmente
como funcin de longitud) El modelo predice una contribucin significativa de las pantallas de
semiconduccin para un valor bajo de ambas el permeabilidades relativas(10, 100) y una
conductividad(0.001).con una alta permeabilidad de (1000), La capacitancia tiende al cortocircuito
fuera de la conductancia , Y ningn incremento apreciable de la atenuacin se ve. El valor mnimo
para una permeabilidad (10) es probablemente poco realista.
Ejemplo 3.4
Considrale las tres 145 kV sistema del cable SC mostrado en Figura 3.27. El diseo por cable usa
un aislador de cobre en el centro y XLPE, El radio de fondo y grosores del aislador siendo estos
mostrados dentro Tabla 3.6. Las capas semiconductores son tomadas en consideracin usando
Ecuacin 3.49.
Usando la ULM [5], El voltaje causado por una excitacin de voltaje de paso se calcula en el fin
receptor de un cable 5 km , ver Figura 3.28. Todas las cubiertas son tratadas continuamente puesto
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en tierra. Este ejemplo tiene el propsito de mostrar el efecto de resistencias de la cubierta y de
prdidas del aislador sobre la respuesta transitoria de cables. Tambin muestra los efectos de las
pantallas de semiconduccin sobre la velocidad de ondas transitorias
1. sensibilidad para la resistencia de la cubierta
El

voltaje

resultante

de

paso

se

calcula

1 mm Pb ; 2 mm Pb ; 3 mm Pb; 0.215 mm Cu

para

las

siguientes

(Que

represente

una

cubiertas
pantalla

por

cable:

del

cable

50 mm 2 ).
Los voltajes receptores son mostrados en Figura 3.29 , asumiendo 1 mm Semicapas de conduccin.
Puede ser visto tan reductor el espesor de la cubierta de indicacin de 2 mm para 1 pistas mm para
un incremento fuerte en la atenuacin, Considerando una reduccin de 3 mm para 2 mm tiene
efecto pequeo. Esto puede ser comprendido como la componente de frecuencia dominante del
transitorio cerca 10 kHz.

FIGURA 3.26
Ejemplo 3.3: Effect of semiconducting screens on attenuation. (From Gustavsen, B., IEEE PES Winter
Meeting,January 28February 1, 2001. With permission.)

En esta frecuencia, la profundidad de penetracin en la indicacin es 2.6 mm, Segn la Ecuacin

3.43. As, Aumentando el grosor de la cubierta de indicacin fuera de 2.6 mm No conducir a un
cambio significativo en la respuesta

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