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vo
, entonces
vi
Av
dB
vo
= 20 log Av = 20 log
v
i
Para los AO, la ganancia de tensin es alta para entradas cuya frecuencia flucta entre
c.c. y 10 KHz aproximadamente (esta frecuencia de corte vara de acuerdo al tipo de AO, para la
situacin de la fig.2.1, la alta ganancia se mantiene hasta los 100Hz), pero a partir de este punto, la
ganancia empieza a decaer a medida que aumenta la frecuencia.
Av [dB]
100
80
60
40
20
0
10 2
106
f [Hz ]
16
Q9
Q 10
Q
7
+
V+
vin
v
Q1
Cc
Q2
out
Q
8
Q
5
Q
3
Q
4
Q
6
RB
V EE
Etapa de Entrada
2 Etapa
Etapa de Salida
Finalmente la etapa de salida est conformada por Q7 y Q8, la que proporciona una alta
ganancia de corriente a una baja impedancia de salida.
Existen muchas variantes y mejoras al circuito mostrado, como lo es, modificar el par
diferencial y utilizar transistores JFET en la entrada, lo que permite el incremento de la resistencia
de entrada del AO, adems, la incorporacin de otras etapas de amplificacin interna,
trasladadores de nivel y circuitos de proteccin.
VCC
DD
RD2
RD1
RC2
RC1
Vo
v1
17
_
2
Vo
Q1
Q2
v
in
v2
+
I
(a)
(b)
Figura 2.3. Configuraciones del par de entrada diferencial muy simplificadas (a) MOS. (b) BJT.
Cada AO posee rasgos particulares, los que se encuentran especificados en los manuales
(DataBook) proporcionados por los fabricantes. Aqu, se entregan caractersticas de los AO para
determinadas condiciones de operacin, estos se indican en forma de tabla o en grficos.
Adems, el fabricante plantea aplicaciones tpicas para el dispositivo (data sheets).
2.3. ERRORES DE DESPLAZAMIENTO (OFFSET) DE TENSI N Y CORRIENTE
El AO ideal es un dispositivo perfectamente balanceado, es decir
vo=0, si v+=vEn cambio, el AO real tiene un desajuste, debido a que los transistores que lo componen
varan el uno del otro, especialmente los transistores del amplificador diferencial de entrada (Q1
y Q2), que no son exactamente pareados.
Esto implica que pueden producirse desajustes en los valores de de los transitores, lo
cual trae como consecuencia variaciones en los valores de las corrientes de entrada. Como los
flujos de corrientes son distintos en los terminales de entrada, tambin aparecen diferencias en las
tensiones base emisor de los transistores del par diferencial. Tambin una variacin en las
resistencias de colector (fig. 2.3), producir un desquelibrio.
El resultado final es un desajuste entre los colectores de los amplificador diferencial, lo
que se transforma en un voltaje vo de salida distinto de cero. El desbalance producido se conoce
como voltaje offset o voltaje de desplazamiento.
Para solucionar este problema, se requiere de la aplicacin de un voltaje de compensacin
entre los terminales de entrada, para balancear la salida del amplificador (es decir, hacer que el
voltaje de offset se anule).
A parte de los desajustes propios de construccin de los AO, existen otros tales como los
producidos por variaciones de temperatura y cambios en las tensiones de alimentacin. Para
medir y especificar la compensacin de los AO es necesario introducir los siguientes conceptos.
Tensin de desplazamiento (Offset) en la entrada (Vio)
Como en el AO real la salida es distinta de cero, si ambas entradas son iguales, existe una
pequea tensin de desplazamiento. Esta tensin desplazamiento en la entrada se puede definir
como la tensin de entrada necesaria para que la salida sea igual a cero, , llamada Vio. Tome en
cuenta que si este valor es distinto de cero, el AO amplificar cualquier desplazamiento en la
18
_ V
io
_ + _
V io
vo
A
+
+
Figura 2.4. Modelo del efecto de voltaje offset de entrada.
Vio
Propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin
2-10 [mV]
1-2 [mV]
10-100 [V]
IB =
I B+ + I B
2
IB
IB+
Figura 2.5. Modelacin de la corriente de polarizacin.
vo
AO
IB
Propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin
2 A
1 pA
3-6 nA
19
I io = I B + I B
4
4
4
I B
T o
Vio
T o
Iio
T o
Av = Ao
-3 dB
-20 dB/dec
Frecuencia a ganancia
unidad
Ganancia unidad
Av = 0
fc
ft
f [Hz ]
(Escala logaritmica)
20
La curva indicada en el fig. 2.6 es la respuesta en frecuencia del AO en lazo abierto, cuya
ganancia mxima esta indicada por Ao. Si el AO es realimentado, por ejemplo en una
configuracin inversora o no inversora, la ganancia disminuye, sin embargo, la frecuencia de
corte aumenta.
A veces el fabricante no especifica dicha frecuencia, sino que lo hace a travs de otros
parmetros, los cuales se definen a continuacin.
Producto Ganancia - Ancho de Banda (GBP)
Es el producto de la ganancia en lazo abierto disponible y el ancho de banda a una
frecuencia especfica. En gran parte de los AO (compensados internamente en frecuencia) cuya
respuesta en frecuencia cae con una pendiente de 20 dB/dec, el GBP se considera constante. Este
parmetro est ligado con el concepto de frecuencia a ganancia unidad (ft) y en algunos casos son
la misma cosa.
GBP = Av BW
AO
GBP
LM 741
LF 351
LF 356
1 MHz
4 MHz
10 MHz
BW =
tr
AO
tr
BW
LM 741
0.3s
1.16 MHz
El tr est dado para ganancia unitaria, luego el ancho de banda calculado as recibe el
nombre de producto ganancia ancho de banda (GBP) o frecuencia ganancia unitaria (ft)
21
SR =
V
t
AO
SR [V/s]
LM 741
LF 351
0.3
13
dV
dt
= 2f p , luego f p =
max
SR
, donde V es la amplitud mxima
2V
de salida.
El ancho de banda de potencia se define tambin como la habilidad para entregar el
mximo de voltaje de salida con incremento de frecuencia.
22
donde:
Ad
Acm
:
:
Ad
,
Acm
F A I(dB)
GHA JK
d
cm
ganancia diferencial
ganancia en modo comn.
AO
CMRR [dB]
Propsito general
Entrada JFET
Instrumentacin
70
100
120
AO
Propsito general (Entrada Bipolar)
Entrada JFET
Precisin (OP-07)
rin
1-2 [M ]
1012 [ ]
33 [M ]
AO
23
ro
75
60
14 (RL>10K )
13 (RL>10K )
Vcc [volts]
18
22
24
Tipo Especificacin
Militar
Industrial
Comercial
Rango de Temperatura
-55 C a +125 C
-25 C a + 85 C
0 C a + 70 C
25
Influencia de IB
Consideremos el amplificador inversor de la fig. 2.6 sin seal de entrada, la corriente IBfluye desde la entrada inversora hacia la salida a travs de la resistencia de realimentacin Rf,
planteando la ecuacin en el nudo v- tenemos
vo v
= I B
Rf
Como v-=0, el voltaje de salida generado es vos= IB- Rf.
Rf
R
a
_
IB
_
vo
+
_
IB
Recuerde que la corriente IB- es modelada como una fuente de corriente conectada entre el
terminal inversor y tierra, de igual forma IB+. Considere que en la entrada no existe ninguna
seal.
En mtodo ms comn para corregir este offset producido en la salida, es colocar una
resistencia (R1) en el terminal no inversor. El valor de esta resistencia es igual al valor de la
resistencia equivalente total conectada al terminal inversor.
Suponiendo que IB=IB-=IB+, el voltaje desarrollado por la resistencia R1, es igual pero
opuesto al desarrollado por la combinacin de las resistencias Ra-Rf, finalmente estos voltajes se
cancelan.
Rf
Rf
Ra
Ra
_
+
vo
+
R1
R1
(a)
IB-
vo
IB+
(b)
Figura 2.8. (a) Configuracin para eliminar el efecto de IB. (b) Circuito considerando el efecto de IB.
26
v v
0 v
+ o
= I B
Ra
Rf
0 v+
= I B+
R1
Despejando v+ y reemplazandolo en la primera ecuacin, para luego despejar vO, no
olvide que v+=v-.
1
vo
1
= I B + v +
Ra R f
Rf
1
vo
1
= I B I B+ R1 +
Ra R f
Rf
Rf
R f + Ra
vo = R f I B I B+ R1
R + 1
= R f I B I B R1
R
R f + Ra
vos = I B R f R1
Ra
Note que si R1 = Ra R f =
Ra R f
Ra + R f
vos = 0
Como IB- es distinto de IB+, existe Iio=IB+ - IB-, el Offset debido a esto se expresa como
v os = I io R f
Influencia de Vio
Una tercera fuente permanente de Offset, es debido a Vio, el que puede ser representado
por una batera en el terminal no inversor (o inversor).
Rf
Ra
v io
Rf
Ra
_
+
(a)
vo
_
Vio
+
vo
(b)
27
vo =
Rf
vi + R f I B +
1 + R
Vio
Ri
a
Rf
Note que la expresin de la salida para vo del amplificador inversor, a parte de la seal de
entrada, contiene las componentes de offset.
@ TAREA 2.1
Considerar la fuente de offset en el terminar inversor y calcular la salida. Qu diferencia
existe con el resultado obtenido en el apartado anterior?
v
io
Amp. Op.
vo
v
i
v
io
Amp. Op.
v
x
vo
v
x
Fuente contnua variable
(a)
v
i
Amp. Op.
vo
vx
Red
+v
cc
(b)
v
cc
(c)
El problema radica ahora en que tipo de fuente se debe utilizar. Primero, debe ser una
fuente continua. Por otro lado, debe tener la posibilidad de excursin tanto positiva como
negativa. Dicha fuente debe ser variable, pues, no siempre el offset es conocido (fig 2.10b).
El hecho de que sea variable y continua impone ciertos requerimientos de diseo, de
acuerdo a esto se podra considerar una fuente variable externa, pero lo incomodo de la situacin
sugiere el uso de las mismas fuentes de alimentacin de AO, es decir Vcc (fig.2.10c).
28
Ra
vi
_
vo
+
v
cc
vx
Red
Fuente de voltaje continuo
+Vcc
Ra
vi
50K
vo
200K
50K
_V
cc
200
100
vi
R1
100
vo
R2
_V
cc
(a)
(b)
R2
+15v
100K
R3
1M
R2
R1
-15v
vi
va
1K
R1
10K
10K
vo
vo
vb
R1
R2
10K
10K
10
4.7K
+15v
10K
-15v
(c)
(d)
Figura 2.12. Circuitos de correccin de offset para configuracin: (a) Inversora. (b) No inversora. (c)
Seguidor de emisor.(d) Amplificador diferencial.
29
Observe que cada malla adicional solamente introduce un fuente de tensin continua, la
cual puede ser negativa o positiva, esta fuente es utilizada para eliminar el offset a Vio. Si quiere
determinar cuanto offset es capaz de eliminar slo basta insertar la fuente que lo produce, como lo
indica la fig.2.4, hacer la seal vi=0 y encontrar la salida.
$
EJEMPLO 2.1
Para el circuito de la figura 2.12a, determinar el efecto neto de la fuente introducida para
eliminar el offset producido por Vio.
Resolucin
Haciendo la fuente vi=0, note adems que la nica misin del potencimetro de 50K es
mantener un fuente variable, cuando el potencimetro esta en un extremo, tenemos +Vcc y
cuando est en el otro -Vcc
Rf
vi =0
Ra
_
v+
+V
_ cc
200K
vo
+
100
Calculando la tensin en v+
v + = Vcc
100
5x10 3 (Vcc )
100
200K
R f
3
v o
{5x10 (Vcc )}
R + 1
a
Si ahora consideramos la fuente Vio, en el terminal inversor o no inversor, de acuerdo a la
fig. 2.4. o fig. 2.12, el efecto de dicha fuente es
Rf
v os =
1 + R Vio
a
@ TAREA 2.2
30
Determinar una expresin para el voltaje de salida en funcin de las diferentes entradas
para los circuitos mostrados en la fig. 2.12b, 2.12c y 2.12d.
@ TAREA 2.3
Para el ejemplo 2.1, considere el offset debido a las corrientes IB+ e IB- y evalue el offset en
la salida para diferentes valores de corriente de polarizacin (revise los manuales para obtener los
ordenes de magnitud de la corriente de polarizacin).
R1
+Vcc
25K
2_
6
741
3 +
5
10K
1
-Vcc
(a)
vo
2 _1
3 +
A*
vo
*LF355/LF356
(b)
31
V+
v
v+
+
-
A*
+
4
3
6
vo
v+
V-
2 _
3 +
V+
+
-
4
1
A*
vo
v+
11
2 _8
3
A*
+
+
-
1
vo
_
+
vo
Latch-up
La salida del AO permanece fija en un determinado nivel de tensin continua despus de
haber retirado la seal de entrada responsable. Si un AO entra en Latch-up es muy posible que
quede daado permanentemente. Esto se produce a menudo en etapas de seguidor de emisor.
Para evitar que esta situacin se produzca se plantea esta configuracin la que permite
limitar la seal de entrada a la indicada por el diodo zener.
32
R
_
vi
vo
+
R
10K
+15v
D1
D3
D4
10K
D2
-15v
D1 y D2 son diodos de bajas prdidas y D3 y D4 pueden ser diodos zener de 10-12 volts.
220
vo
Debido a la construccin interna, los CIs debe operar siempre con la polaridad de las
tensiones de alimentacin especificada. Si alguna de las tensiones se invierte, aunque slo sea un
momento, fluir una corriente destructiva a travs de los diodos de aislamiento del CI, que estn
polarizados normalmente en inversa. Debe tenerlo en cuenta para cualquier integrado. Pueden ser
utilizadas las configuraciones de la fig. 2.18.
V+
V+
1N4001
+
C1
+
1N4001
1N4001
7
A
V-
33
C2
V-
Vz
V-
34
17
18
5 6
8
1
(a)
(b)
(c)
El
encapsulado de doble lnea (DIP) de 8 pines (terminales) puede ser cermico o plstico. Cuando
se miran desde ariba una muesca o punto identifica el terminal 1.
Figura 2.19. (a) Encapsulado Metlico. (b) Encapsulado DIP (8 terminales).(c) Encapsulado PLCC.
Descripcin
Small outline integrated Circuit
Plastic Lead Chip Carriers
Leadless Ceramics Chip Carriers
SOIC
PLCC
LCCC
@ TAREA 2.5.
Investigar el significado de las abreviaciones indicadas en la tabla 2.13.
Offset Null
1
_
Entrada
Inversora
+V
7
6
Salida
2
+
3
Offset Null
Offset Null
Entrada
Inversora
Entrada
No Inversora
5
Entrada
No Inversora
35
-V
8
7
NC
+V
Salida
Offset Null
-V
(a)
(b)
Figura 2.20. (a) Encapsulado metlico de 8 terminales. (b) Encapsulado mini DIP de 8 pines.
Cdigos De Identificacin
Cada tipo de AO tiene un cdigo de identificacin de letra y nmero, el que permite sabe
quien lo fabrica, que tipo de amplificador es, de que calidad es y que tipo de encapsulado tiene.
No todos los fabricantes utilizan el mismo cdigo, pero la mayora utiliza un cdigo que
consta de cuatro partes escritas en el siguiente orden:
Prefijo de letras
Sufijo de letras
FABRICANTE
AD
CA
LM
MC
NE/SE
OP
LT
SG
TL
UA(A)
Analog Device
RCA
National Semiconductor
Motorola
Signetics
Precision Monolithics
Linear Technology
Silicon General
Texas Instrument
Fairchaild
Nmero del Circuito: Se compone de tres a siete nmeros y letras que identifican el tipo
de AO y su intervalo de temperatura.
36
Cdigo
C
I
M
Intervalo de Temperatura
Comercial
Industrial
Militar
Sufijo de Letras. indica el tipo de encapsulado que contiene al AO, puede ser de una o dos letras.
Cdigo
Descripcin
J
N, P
EJEMPLO 2.2.
A 741CP
OP037CP
LF351D