Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

Amplificadores de
Pequea Seal con

BJTs y FETs
ELECTRNICA ANALGICA II
ANALGICA II
INTRODUCCIN
En un cuadripolo es necesario comparar Vs con Vi,

mediante la Funcin de Transferencia
Vo
Vo
Vo
1
1
1
Vi
Vi
Vi
Amplificador
Sistema de Proteccin
o separador de seales
Atenuador
La mxima transferencia de energa se da cuando:

Zi =Zo ->Acople de Impedancias
ANALGICA II
INTRODUCCIN
Se considera:
Al transistor trabajando en la zona lineal (Amplificador).
Aplicar una seal de AC (seal senoidal) en la entrada del circuito.
Que la seal senoidal de salida es mayor que la de entrada.
Por la ley de conservacin de energa Po = Pi
El factor que permite que Po > Pi en AC es la potencia en DC aplicada al
circuito transistorizado
ANALGICA II
INTRODUCCIN
Un diseo de amplificacin correcto requiere que los componentes de DC y
AC sean sensibles a los requerimientos y limitaciones de cada uno.
El teorema de superposicin es aplicable al anlisis y diseo de los
componentes de DC y AC de una red de BJT, lo que permite separar
el anlisis de las respuestas de DC y AC del sistema.
ANALGICA II
INTRODUCCIN
El anlisis de la polarizacin (DC) servir para:
garantizar que el transistor se encuentre polarizado en la zona activa
para fijar los valores de los elementos del circuito equivalente de pequea
seal.
Para el anlisis en rgimen dinmico se deber plantear el circuito
equivalente correspondiente a la frecuencia de la seal alterna.
sustituir el transistor por su circuito equivalente
se eliminarn las fuentes de componentes continuas
se sustituirn los condensadores por las impedancias que les correspondan.
ANALGICA II
Conceptos Bsicos de Amplificacin

El objeto de la amplificacin es aumentar la amplitud y potencia de una seal
dbil, pero conservando la informacin que lleva.
La amplificacin implica mantener una relacin lineal entre la entrada y
salida.
En este captulo se analizar una seal de entrada de pequea amplitud. Es
lo suficiente pequea para considerar como lineal la respuesta del
amplificador.
La alimentacin en DC es necesaria para suministrar potencia a la seal de
entrada
ANALGICA II
Conceptos Bsicos de Amplificacin

Vcc = Alimentacin de la red
Vs = Pequea seal en AC de entrada
Vo_s = Seal de salida amplificada
RL = Carga del sistema
Seal de salida ser la suma de la contribucin de alimentacin Vcc anulando
la seal de ingreso Vs, SUMADO la contribucin de Vs cuando se anula Vcc.
ANALGICA II
Comparacin del parmetro beta de AC, con el parmetro

beta de DC
Para un transistor tpico, una grfica de IC contra IB no es lineal
ANALGICA II
Acoplamientos Capacitivos
Los transistores se encuentran polarizados en su punto de trabajo dentro de la zona
lineal:
Zona activa en los BJT
Zona de Saturacin en los FET
En dichas zonas se puede garantizar el comportamiento lineal del amplificador.
Tensin en DC lleva a los transistores al punto de operacin para amplificacin
lineal (sin distorsin).
La seal en AC puede interferir en el comportamiento lineal, para evitarlo es
necesario acoplar la seal de entrada y salida con el amplificador
Los condensadores llamados de acoplo se encargan de dicho acoplamiento, debido
a que su impedancia depende de la frecuencia, en DC se comportan como circuito
abierto manteniendo las condiciones de operacin.
A partir de ciertas frecuencias se comportan como un cable permitiendo el paso
de la seal de ingreso Vs
ANALGICA II
Acoplamientos Capacitivos
Debido a que el sistema es lineal se
puede aplicar el Teorema de
superposicin.
Es decir se realiza por separado lo que
aporta la parte en continua de
alimentacin la parte alterna de la seal
de ingreso.
ANLISIS EN
DC
PRINCIPIO DE SUPERPOSICIN
ANLISIS EN AC
ANALGICA II
Inyeccin de CA sobre circuito de

polarizacin
La variacin resultante de la
corriente en la base produce
una variacin ms grande de la
corriente en el colector debido
a la ganancia de corriente del
transistor.
A medida que la corriente
senoidal en el colector se
incrementa, el voltaje en el
colector decrece.
La corriente en el colector vara
por encima y por debajo de su
valor de punto Q, ICQ, en fase
con la corriente en la base.
ANALGICA II
Inyeccin de CA sobre circuito de

polarizacin
El voltaje senoidal en el colector
con respecto al emisor vara por
encima y por debajo de su valor
de punto Q, VCEQ, desfasado
180 con respecto al voltaje en
la Base.
Un transistor siempre produce
una inversin de fase entre el
voltaje en la base y el voltaje en
el colector.
ANALGICA II
RECTAS DE CARGA Y MRGEN

DINMICO
Al insertar una seal de AC dentro de circuito, si el sistema es lineal, se
puede analizar por separado el sistema con DC y AC.
En amplificadores se busca verificar cul s la mxima amplificacin que
podemos obtener.
Si no existen parmetros extremos y el BJT se encuentra en la zona activa, se
considera como un sistema lineal, por tanto se puede aplicar el principio de
superposicin.
ANALGICA II

DINMICO
Considerando el siguiente circuito:
Anlisis en DC
Circuito de Entrada
IBQ
Vcc VBE
RB
ICQ gIBQ
ANALGICA II

DINMICO
Considerando el siguiente circuito:
Anlisis en DC
Circuito de Salida
Vcc VRC VCEQ

VCEQ Vcc RC gICQ
ICQ
Vcc VCEQ
RC
ANALGICA II
RECTA DE CARGA ESTTICA
ICQ
ANALGICA II
Vcc VCEQ
RC

DINMICO
Anlisis en AC
Debido a la frecuencia los condensadores de acoplo se comportan como

cables
La fuente de DC se cortocircuita obteniendo:
VCE t
IC t
RC P RL
RC PRL IC t VCE t
ANALGICA II

DINMICO
Anlisis en AC
Se puede obtener la contribucin instantnea total sumando la parte
de continua y alterna instantnea.
La inyeccin de seal de AC en el circuito
produce un desplazamiento del punto de
operacin Q.
Existir por tanto una variacin de VCE
IC t ic t ICQ
VCE t VCEp VCEQ

IC t
VCE t
RC P RL
RC P RL ic t ICQ VCEp VCEQ
RC P RL IC t VCE t
ANALGICA II
RECTAS DE CARGA Y MARGEN DINMICO

Usando las ecuaciones
anteriores se obtiene:
RC P RL ic t ICQ VCEp VCEQ
ic t ICQ
ic t
ic t
Recta de Carga en
Alterna
ANALGICA II
VCEp VCEQ
RC P RL
VCEp VCEQ
RC P RL
ICQ
VCEp VCEQ
ic t
RC PRL
VCEp VCEQ
RC P RL
ICQ
ICQ
RECTA DE CARGA EN ALTERNA

ic t
VCEP VCEQ
RC PRL
ICQ
Para VCEp=0:
icMAX
VCEQ
RC P RL
ICQ
Si ic=0:
VCEMAX VCEP RC P RL ICQ VCEQ
ANALGICA II
Modelo re del Transistor BJT

Para visualizar la operacin de un transistor en un circuito amplificador, a menudo
es til representarlo con un circuito modelo.
Un circuito modelo de transistor utiliza varios parmetros internos del transistor
para representar su operacin.
En primera instancia se tiene en la entrada que Vi = Vbe.
todas las caractersticas en la seccin de salida pueden ser reemplazadas por una
fuente controlada cuya magnitud es beta veces la corriente de base.
ANALGICA II

Reemplazando ahora el diodo por su resistencia equivalente en alterna que
es determinada por el nivel de la corriente que lo atraviesa (IE)
ANALGICA II
Los circuitos de entrada y salida estn

aislados y estn vinculados slo por la
fuente controlada
Si >>1
ANALGICA II

Para representar la impedancia de salida se analiza la pendiente de
curva de trabajo, que indica la cantidad resistiva entre IC y VCE.
Las posibles prdidas en la salida entonces sern
modeladas por ro
Se coloca en paralelo para representar las prdidas de
corriente
ANALGICA II
Cuanto ms cambie VCE por el

mismo cambio de IC, mayor ser la
resistencia de salida en esa regin.
ms horizontal es la curva y mayor
es la resistencia de salida.
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal

Emisor Comn
Se tienen capacitores de acoplo entre la fuente y el

amplificador y entre la carga y el amplificador.
La seal AC de entrada es aplicada a la base.
Si existe un capacitor en paralelo a la Resistencia de emisor

(capacitor de puenteo), pone efectivamente al emisor en
cortocircuito con tierra a la frecuencia de la seal de ingreso.
ANALGICA II

Emisor Comn
La salida amplificada est defasada 180 con respecto a la entrada.
A medida que el voltaje de la seal de entrada cambia, hace que cambie
la corriente de AC en la base y el resultado es un cambio de la corriente
en el colector a partir de su valor de punto Q.
Si se incrementa la corriente en la base, la corriente en el colector se
incrementa por encima de su valor de punto Q, lo que aumenta la cada
de voltaje a travs de RC.
El incremento del voltaje a travs de RC indica que el voltaje en el
colector se reduce a partir de su punto Q.
As que cualquier cambio en el voltaje de la seal de entrada produce un
cambio opuesto en el voltaje de la seal en el colector, lo cual
constituye una inversin de fase.
Lo anterior sucede para cualquier
configuracin
ANALGICA II

Emisor Comn
Anlisis en DC
Primero se deben determinar los valores de polarizacin de
DC.
Para ello se desarrolla un circuito equivalente en DC
eliminando los capacitores de acoplamiento y puenteo
porque aparecen como un circuito para anlisis en DC.
Eliminar capacitores de acoplamiento significa eliminar
tambin el resistor de carga y de la fuente de seal

configuracin
ANALGICA II

Emisor Comn
Anlisis en AC
Para analizar la operacin de un amplificador con seal de
AC, se desarrolla un circuito equivalente en AC de la siguiente
manera:
1. Los capacitores C1, C2 y CE son reemplazados por cortos
efectivos porque sus valores se seleccionan de modo que
XC sea despreciable a la frecuencia de la seal y se
pueda considerar que es de 0.
2. La fuente de cd es reemplazada por tierra.

configuracin
ANALGICA II

Emisor Comn
Anlisis en AC
La resistencia interna de una fuente de voltaje de CD es de
cerca de 0 porque mantiene un voltaje constante
independiente de la carga (dentro de los lmites) y no se puede
desarrollar voltaje de AC a travs de ella.
Por eso una fuente de CD se conoce como tierra de AC.
Considere que al amplificador no siempre le llega la seal de
la fuente AC por completo debido a que esta fuente presenta
una resistencia interna (Rs)
configuracin
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija
El valor de re se debe determinar con un anlisis de DC del sistema y, por lo

comn, la magnitud de ro se toma de la hoja de especificaciones o por las
caractersticas.
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija
Recuerde que la impedancia de salida

de cualquier sistema se define como la
impedancia Zo determinada cuando
Vi=0.
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija
El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un

desfasamiento de 180 entre las seales de entrada y salida
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija
El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un

desfasamiento de 180 entre las seales de entrada y salida
ANALGICA II

Emisor Comn
Partidor de
Tensin
No se considera RE debido a que est

puenteada por CE
ANALGICA II

Emisor Comn
Partidor de
Tensin
ANALGICA II

Emisor Comn
Polarizacin Fija RE sin puenteo (Aproximacin sin
considerar ro)
ANALGICA II

Emisor Comn
considerar ro)
ANALGICA II

Emisor Comn
considerar ro)
Se deja al estudiante el anlisis de las ecuaciones con la presencia

de ro (ver libro gua)
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Puede polarizarse con polarizacin fija o por medio de un partidor de

tensin
La seal de entrada est acoplada capacitivamente a la base y la seal de

salida al emisor mientras el colector est conectado a tierra de AC (Vcc).
No hay inversin de fase y la amplitud de la salida es aproximadamente

igual a la de la entrada.
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Polarizacin
Fija
Debido a que ro es por lo general mucho ms

grande que RC se omite en el presente anlisis
(ro10RE)
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Polarizacin
Fija

(ro10RE)
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Polarizacin
Fija

(ro10RE)
Si
>>1
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Polarizacin
Fija

(ro10RE)
La impedancia de
salida se obtiene
apagando Vi
Si RE>>re
ANALGICA II

Emisor Seguidor
Polarizacin
Fija

(ro10RE)
Si RE>>re
ANALGICA II
Amplificador a Emisor Comn con Realimentacin del Colector
ANALGICA II

1. El voltaje en el nodo B es
Vi y en el nodo C es Vo, por
tanto
Vi
Ib
re
4. Como I b :I '
Io Ib
2.Sobre el nodo
B:
3. Sobre el nodo
5. Reemplazando enC:
las ecuaciones anteriores:
Vo I b Rc
Vi
Vo
Rc
re
ANALGICA II
Vi
Rc
Vo Rc
Vi
re
re
Rc
Vo
Av

Vi
re

Reemplazando Vo en la
ecuacin de I
Rc Vi Vi
Vo Vi
I'
RF RF
re RF RF
Vi Rc
I'
1
RF re
Sobre el nodo B:
Ii I ' Ib
Vi
Ii I '
re
Reemplazando:
Vi Rc
Vi
Ii
1
re
RF re
Vi Vi Rc
Ii
re RF re
ANALGICA II
1
1 Rc
Ii Vi
re RF re
Vi
1
Zi
Ii 1
1 Rc
re RF re

Si ajustamos Vi a cero como se requiere para definir Zo:
Zo Rc P RF
El signo negativo de Av indica un desfasamiento de 180 entre Vo y Vi.
ANALGICA II

Analice si a esta
configuracin se agrega RE.
Determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II

Analice si a esta
configuracin se agrega RE.
Determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II
Amplificador a Emisor Comn con Realimentacin de CD del Colector

Analice esta configuracin y determine Zi, Zo y Av
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Base Comn
La corriente del colector est relacionada con la del emisor por alfa
.
En general, las configuraciones en base comn tienen una impedancia de
entrada muy baja porque en esencia slo es re
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Base

Comn
26mV
re
IE
Como la corriente de salida se opone a la direccin definida de Io.

No hay desfasamiento entre los voltajes de entrada y salida.
La impedancia de salida ro del transistor no se incluye para la configuracin en
base comn, ya que por lo general est en el intervalo de los megaohms y
puede ser ignorada en paralelo con el resistor RC..
ANALGICA II

Comn
La configuracin en base comn se caracteriza por tener una
impedancia de entrada baja e impedancia de salida y una ganancia
de corriente menor que 1.
La ganancia de voltaje, sin embargo, puede
ser bastante
grande.
Impedancia
de Entrada
Zi
Impedancia de Salida
Zo
ANALGICA II

Comn
Ganancia de
Voltaje
Ganancia de
Corriente
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Ganancia de Corriente

Para cada configuracin de transistor, la ganancia de corriente se puede
determinar directamente a partir de la ganancia de voltaje, la carga definida
y la impedancia de entrada.
Para el anlisis considere al amplificador como un solo sistema
A las diversas configuraciones antes analizadas aplique:
AVL Es la ganancia de
voltaje del amplificador
ANALGICA II
Amplificador en Pequea Seal Circuito Completo

Se verifica el efecto de la aplicacin de una carga a la terminal de salida (RL) y la
utilizacin de una fuente con una resistencia interna (RS).
Por ejemplo para una configuracin de polarizacin fija:
La ganancia de voltaje con carga ser AVL
ANALGICA II

Para cualquier configuracin a Emisor comn, donde se considere la resistencia
interna de Vs, el voltaje de entrada al amplificador es Vi y a la Salida ahora se debe
considerar a RL para determinar a Vo.
ANALGICA II

Para encontrar Vi, considere el partidor de tensin entre Rs y Zi. Recuerde que Zi
puede cambiar segn la configuracin del amplificador debido a que es la
impedancia de entrada del amplificador.
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
Recuerde que AVS representa la ganancia de seal, es

decir representa la ganancia total del circuito y es
menor a la ganancia AVL
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
El desplazamiento de VCE, no puede
superar de un cierto margen, caso
contrario la seal de salida se
distorsiona.
Dicho margen se conoce como
margen dinmico.
El margen dinmico se puede definir
como:
VCEQ+VCE o VCEQ-VCEsat
Margen Dinmico definido por el punto
de trabajo en DC.
Deber comprobarse para cada diseo
ANALGICA II verificando Cul es el valor mximo de
MXIMA DINMICA
Por ejemplo considerando un
Amplificador de Emisor Comn
VCEp ic g RC PRL
VCEPMAX VCEQ VECP

VCEPMIN VCEQ VECP
VCEPP 2VECP
VCEPP
Vs
Avs
ANALGICA II
MXIMA DINMICA
Considerando que VMAX es el voltaje mximo
que VCE puede alcanzar sin distorsionarse
y es 10% menos que VCC.
Si:
VCEP VMAX
VCEPMAX VMAX
VCEP ' VMAX VCEQ
VCEPMIN VCEQ VCEP '
VCEPP 2VECP '
Vs
ANALGICA II
VCEPP
Avs
MXIMA DINMICA
Considerando que VMIN es el voltaje mximo
que VCE puede alcanzar sin distorsionarse
y es 10% de VCC.
Si:
VCEP VMIN
VCEPMIN VMIN
VCEP '' VMIN VCEQ
VCEPMAX VCEQ VCEP ''
VCEPP 2VECP ''
VCEPP
Vs
Avs
ANALGICA II
Modelo Hbrido Equivalente
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
Resumen de Parmetros h en AC
ANALGICA II
Relaciones de Parmetros h y r
Como las hojas de datos dan slo parmetros h en emisor comn, las
siguientes frmulas muestran cmo convertirlos en parmetros r.
Se utilizarn parmetros r porque son ms prcticos y es ms fcil aplicarlos.
1
ro
hoe
hie gre
ANALGICA II
Para
emisor
comn
Modelo Hbrido Emisor Comn Pol.

Fija.
Este modelo con el anlisis del modelo re tiene muchas semejanzas que
indican que el anlisis ser muy parecido y que los resultados de uno se
pueden relacionar directamente con el otro.
ANALGICA II

Fija.
Ahora considerando las relaciones entre modelos antes planteadas:
ANALGICA II

Fija.
Ahora considerando las relaciones entre modelos antes planteadas:
(CONTINUACIN)
ANALIZAR DEMS CONFIGURACIONES PARA EL

MODELO HBRIDO
ANALGICA II
ANALGICA II
ZL = RL
ANALGICA II
Condiciones para Diseo
No puede imponerse valores de los dispositivos, es decir, resistencias y/o

condensadores
En funcin de las caractersticas de los transistores disponibles en el

mercado, deber considerar:
HFE
Ro
AVL Ganancia de Voltaje con respecto a la carga sin considerar Vs y Rs
Vcc
IC en el punto de operacin para DC
Deber calcular en DC RB considerando el punto de trabajo
Determinar Ib
Determinar caractersticas en CA re, RC, Zb, Zi, Zo, AVTotal,,Condensadores

y finalmente la Mxima Dinmica. Determine finalmente el modelo
hbrido equivalente.
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
Considere las ganancias de voltaje de cada etapa en condiciones de carga.
Av1 est determinada por la impedancia de entrada de Av2
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
TRANSISTOR DARLINGTON
IB2 = IB1+ IC
IC2 = IB2 * 2
IC2 = (IB1+ IC)* 2
IC2 = (IB1+ IB1* 1)* 2
IC2 = IB1(1+ 1)* 2
IC2 / IB1= (1+ 1)* 2
IC2 / IB1 1* 2
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
ANALGICA II
SISTEMAS EN CASCADA
ANALGICA II
Anlisis a pequea seal para FET

Los amplificadores con transistores de efecto de
campo proporcionan una ganancia de voltaje
excelente con la caracterstica adicional de una alta
impedancia de entrada. Adems son considerados
como configuraciones de bajo consumo de potencia
con un adecuado rango de frecuencia y un tamao y
peso mnimos.
Todos los dispositivos JFET como los MOSFET de tipo
decremental pueden emplearse para disear
amplificadores que cuenten con ganancias similares
de voltaje sin embargo el circuito MOSFET
decremental tiene una impedancia de entrada
mucho mayor que la de una configuracin JFET
ANALGICA II
Gracias a las caractersticas de impedancia de entrada alta de los FETs el

modelo equivalente de AC para de alguna forma ms simple que el
utilizado por los BJTs. mientras que el BJT cuenta con factor de
amplificacin (beta), el FET cuenta con un factor de transconductancia
gm.
El FET puede emplearse como un amplificador lineal o como un dispositivo
digital en circuitos lgicos. De hecho el MOSFET incremental es muy
popular en los circuitos digitales, especialmente en los circuitos CMOS que
requieren un consumo de potencia muy bajo. Los dispositivos FET tambin
se utilizan ampliamente en aplicaciones de alta frecuencia y en
aplicaciones de circuitos de interfaz para computadoras.
La AV en los FETs con frecuencia menor que la obtenida para un BJT, pero
la Zi es mucho mayor que los del BJT, en cambio la Z 0 de salida son
equivalente para ambos. La Ai ser una cantidad indeterminada debido a
ANALGICA II
Modelo de pequea seal para el FET

Recuerde que en DC, el voltaje de compuerta-fuente contra el nivel de la corriente de
drenaje mediante la ecuacin de SHOCKLEY.
VGS
I D I DSS 1
VP
El cambio en la corriente del drenador que se ocasiona por el cambio en el voltaje compuertafuente puede determinarse mediante el uso del factor de transconductancia gm de la
siguiente forma:
I D gmV
gm=transconducta
ncia
ANALGICA II
DETERMINACION GRAFICA DE gm
ID(mA)
Curva obtenida
mediante
V
I D I DSS 1 GS
V p
IDSS
Pendiente en
el
punto Q
Pto Q=(-2.5 ;
3)
Q
ID
4
2
VGS
Vp
I D
gm
VGS
VG
S
ANALGICA II
I D 1.8
gm
VGS
1
gm 1.8ms
DEFINICION MATEMATICA DE gm
I D
dI D
d
gm
|PtoQ
VGS
dVGS dVGS
VGS
gm 2 I DSS 1
VP
I DSS
gm 2
VP
VGS
1
VP
VGS
I DSS 1
VP
2 I DSS

d
dVGS
1

VP
Donde |Vp| denota solo la magnitud parar asegurar un valor

positivo de gm
Cuando VGS=0
gm alcanza su valor maximo gm0,
entonces:
gm
2 I DSS
0
2 I DSS
1
gm0
VP
VP
VP
ANALGICA II
V
1 GS
VP
Por lo
tanto
VGS
gm gm0 1
V
P
En las hojas de especificaciones proporcionan gm como Y fs donde

Y
parmetro de admitancia.
f
parmetro de transferencia directa (forward)
s
revela que la terminal de la fuente es la referencia del modelo
gm YFS
Para el JFET varia desde 1000 hasta 5000s o de 15 ms

Grafica de gm en funcin de
VGS
VGS
gm(s)
gm0
gm gm0 1
VP
Si VGS=0
gm=gm0
Si VGS=VP
Vp
VGS(V)
ANALGICA II
gm=O
VGS
Debido a que el factor
1
V
P
0, la magnitud
es < 1 para cualquier V gs
Vgs
V p el
de gm disminuir a medida que Vgs se aproxime a Vp y que
cociente
se
incremente en magnitud.
IMPACTO DE ID
SOBRE gm
Ec. de
SHOCKLEY:
VGS
I D I DSS 1
VP
VGS
V
ID
1 GS
1
I DSS
VP
VP
Entonces
gm gm0
ANALGICA II
ID
I DSS
ID
I DSS
Se puede graficar gm(s) en funcin de ID(mA) con los

siguientes datos:
a) Si ID = IDSS
b) Si ID = IDSS/2
b) Si ID = IDSS/4
gm gm0
I DSS
gm gm0
I DSS
gm gm0
I DSS
2 gm 0.707 gm
0
I DSS
gm gm0
I DSS
4 gm 0.5 gm
0
I DSS
ANALGICA II
Ejemplo :
Con IDSS=8mA y Vp=-4V. Graficar
gm Vs.2 IIDSS
2 * 82
D
gm0
4mS
VP
4
Con IDSS=4;
gm=2.83ms
Con IDSS=2;
gm(ms)
gm=2ms
gm0
=
ID(mA
)
ANALGICA II
IMPEDANCIA DE ENTRADA Zi DEL FET

En forma de
Z i
ecuacin:
Para un JFET se tom un valor tpico de 109
(1000M), mientras que a los MOSFETs se tom un
valor tpico de 1012 a 1015
IMPEDANCIA DE SALIDA Z0
DEL
Es de FET
magnitud similar a la del BJT.
En las hojas de especificaciones se representa como
YS.
ID(mA)
En forma de ecuacin:
1
Z 0 rd
yS
Vds
rd
I d
Q
Vds
Pto.Q
Con VGS
constante
ANALGICA II
ID
VGS=
0V
VGS=1V
VGS=2V
VGS=3V
Vds
CIRCUITO EQUIVALENTE DE AC PARA EL FET

D
rd
gm VGS
CIRCUITO DE POLARIZACIN PARA EL JFET

POLARIZACIN
FIJA
VDD
RD
Vi Ci
RG
Zi
VG
Datos:
VDD=20v
RD=2k
RG=1M
VG=2V
IDSS=10
mA
VP=-8V
ANALGICA II
Asumiendo que el Pto

Q:
Vgs 2V
Pto.
I DQ 5.625mA Q
YS 40 s
Del anlisis
DC
gm0
2 I DSS 2 *10
2.5mS
VP
8
VGS
2
gm gm0 1
1.88mS
2.5 1
VP
8
rd
1
1
25k
yS 40 S
Anlisis AC
Vi
Zi
Z i RG 1
D V
+
0
RG
RD
Z
0
ANALGICA II
Z 0 rd // RD
Si rd 10RD
Z0=RD
2510(2) 1
Z0 =2k Z0
=25k//2k= 1.85k
V0
AV V0 gmVgs rd // RD
Vi
Como Vgs =
Vi
V0 gmVi rd // RD
AV
V0
gm rd // RD
Vi
AV 1.88mS 1.85k
Reemplazando
valores
AV gmRD 1.88 2 AV 3.76 AV 3.48
ANALGICA II
Autopolarizaci
n
Vi
Zi
RG
D
V +
RD
Z
0
Z i RG
Z 0 rd // RD ; si rd 10RDZ 0 rd // RD
AV gm rd // RD GAV gmRD
ANALGICA II
Vi
Z i RG
V0
Z0
Vi V 0V
+
gm VGS
Zi
RG
ID
S
RS
RD Z
0
I0
V
0
Vi
S
Con Vi =0VVRG=0V
(cortocircuito)
gmVgs I D I ;Vgs gmVgs RD
Vgs I D I RS
Por lo tanto en 1:
gmVgs=I
D+I
I I gm
I0 I
D
RS
I D I 0 gmI D RS gmI 0 RS
I 0 1 gmRS I D 1 gmRS
I0 I D
ANALGICA II
ID
gm VGS
RG
RS
RD
I0
V0
Z0
V0 I D RD
I0
V
0
Y como ID=I0
V0 I 0 RD
V0
Z 0 RD
I0
Sin considerar
rd
Considerando el efecto de rd
G
Vi
I +
Zi
RG
RS
ID
- RD
Vr d
I0
S
rd
gmVgs Vr d V0 0 Vr d Vgs V0
I 0 gmVgs
I 0 gmVgs
Vgs V0
rd
Vgs
rd
I0
V0
I0
rd
ANALGICA II
Z
0
I0+I
D
I D I 0 gmVgs I I
V
0
V0
Z0
Vi
Vi 0V
I D RD
I0
1
I R
I 0 Vgs gm D D I D
rd
rd
1
I 0 gm
rd
1
I 0 gm
rd
1
I 0 gm
rd
I D RD
ID
I 0 I D RS
rd
I D RD
ID
I 0 RS I D RS
rd
1
I D RD
I
R
gm
I
R
ID
0 S
D S
rd
rd
I R
I R
I R
I 0 gm I 0 RS 0 D gm I D RS D S D D I D
rd
rd
rd
I 0 RD
I D RS I D RD
I 0 gm I 0 RS
gm I D RS
ID
rd
rd
rd
RS
RS RD
I 0 1 gmRS I D gmRS
1
rd
rd
rd
ANALGICA II
RS RD
I D gmRS
1
rd
rd
I0
RS
1 gmRS r
d
R
R
RS
I D RD gmRS S D 1
1 gmRS
rd
rd
V0
rd
Z0
Z0
RD
R
R
Vi
RS RD
1 gmRS S D
I D gmRS
1
rd
rd
rd
rd
RS
1 gmRS r
d
Si rd 10RD,
entonces R
1 gmRS
rd
RD
rd
ANALGICA II
Z 0 RD
Para ganancia de
voltaje
V0
AV
Vi
V0 I D RD
VRS I D RS
Vi Vgs VRS 0 Vgs Vi VRS Vi I D RS Vgs

V0 VRS
I'
rd
V0 VRS
I D gmVgs I ' gmVgs
rd
ANALGICA II
Sustituyendo
tenemos
I D gmVi I D RS
I D RD I D RS
I D mgVi gmI D RS I D
rd
RD
R
ID S
rd
rd
RD RS
I D 1 gmRS
gmVi
rd
rd
ID
gmVi
R RS
1 gmRS D
rd
V0 I D RD
gmVi RD
R RS
1 gmRS D
rd
V0
gmRD
R RS
Vi
1 gmRS D
rd
ANALGICA II
; Si rd
10(RD+RS)
AV
gmRD
1 gmRS
3) Divisor de
voltaje
V
RD
R1
Z
0
Vi
R2
Zi
RS
Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
i
r 10 RD Z 0 RD
Si d
ANALGICA II
RS
Con desvo
Vi
V
+0
R1
R2
Zi
RD
Z
0
Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD V 0V
; Si
ANALGICA II
rd 10 RD Z 0 RD
V0
AV
Vi
Vi Vgs V0 gmVgs rd // RD
gmVgs rd // RD
AV
Vgs
AV gmVgs rd // RD
Si
rd 10 RD AV gmRD
ANALGICA II
Sin Desvo
Vi
+V
0
Zi
R1
R2
RD
RS
Z
0
Z i R1 // R2
El circuito es de forma similar al anterior con
el efecto de
RS
1 gmRS
rd
Z0
RD
RS RD
1 gmRS
rd
rd
ANALGICA II
rd
Si
rd 10 RD ; entonces
RS
RD
1 gmRS
rd
rd
Z 0 RD
gmRD
AV
RS RD
1 gmRS
rd
Si
rd 10 RD RS
ANALGICA II
;
entonces
gmRD
AV
1 gmRS
Fuente Seguidor (Drenaje

Comn)
ANALGICA II
Z i RG
Vi
G
+ Vg
+V
0
Z0 al hacer
Vi=0V se
obtiene el
siguiente
circuito.
Zi
+V
I0
gmV
gs
rd
RS
Z
0
S
+
Vg
RG
RS
Z
0
ANALGICA II
V0 Vgs
LCK en el nodo
S
I 0 gmVgs I rd I RS
V0 V0
I 0 gmVgs
rd
RS
1 1
I 0 V0
gmVgs;Vgs V0
rd RS
1 1
I 0 V0
gm
rd RS
V
Z0 0
I0
V 0
1
1 1
1
1 1
V 0
gm
1
rd RS
rd RS
gm
1
Z 0 rd // RS //
gm
;Si rd
10RS
ANALGICA II
La cual tiene el formato

que la resistencia total de
3 resistencias en paralelo
1
Z 0 RS //
gm
V0
AV
Vi
V0 gmVgs rd // RS
Vgs Vi V0
V0 gmVi V0 rd // RS gmVi rd // RS gmV0 rd // RS

V0 1 gm rd // RS gmVi rd // RS
V0
gm rd // RS
AV
Vi 1 gm rd // RS
Si no hay rd rd
10RS
ANALGICA II
gmRS
AV
1 gmRS
Compuerta
Comn
Impedancia de
entrada Zi
V
Z
I
Vgs Vi V
I gmVgs Ird
I Ird gmVgs
ANALGICA II
V I RD
I
gmVgs
rd
V I RD
I
gm V
rd
rd
RD
I 1
gm
V
rd
rd
RD
1 r
rd RD
V
d
Zi
Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d
ANALGICA II
RD
1 r
rd RD
V
d
Zi
Zi
I
1 gmrd
1
gm r
d
1
Z i
gm
Si rd 10RS
V0
Z0
I0
Impedancia de
salida
Si rd
10RS
Z 0 RD
ANALGICA II
1
Z i RS //
gm
Z 0 RD // rd
Vi 0V
GANANCIA DE
VOLTAJE
AV
- -
Vi
+
Zi
RS
V0
Vi
r
d
gm
VGS
G
Vi Vgs
+ +
V0
D
R
D
Z
0
Vrd V0 Vi
I rd
I rd gmVgs I D 0
V0 Vi
Vi V0
gmV
gmVi
sg
r
r
d
d
I D
Vi V0
VR
VR
gmVi RD i D gmVi 0 D
rd
rd
rd
V0
V0 I D RD
RD
RD
V0 1
gmRD
Vi
r
r
d
R
gmRD D
V
rd
AV 0
Si rd 10RD Av=gmRD
RD
Vi
1
rd ANALGICA II
V0 Vi
rd
MODELO AC PARA MOSFETs DEL TIPO DECREMENTAL

El hecho e que la ecuacin de Schockley sea tambin aplicable a los MOSFETs de
tipo decremental da por resultado una misma ecuacin para gm. De hecho el
modelo equivalente de Ac para los MOSFETs decremental es EXACTAMENTE el
mismo que el utilizado para los FETs.
La nica diferencia que presentan los MOSFETs decremental es que V GS que
puede ser positivo para los dispositivos de canal n y negativo para los de canal
p. El resultado de esto es que gm puede ser mayor que gm 0.
El rango de rd es muy similar al que se encuentra para los JFETs
G
+
gm VGS
- S
ANALGICA II
Configuracin DIVISOR DE VOLTAJE

Datos:
IDSS=6mA
VP=-3V
YOS=10S
Del anlisis
DC:
18
V
gm0
1.8
K
110
M
Zi
2 I DSS
4mS
VP
3
Z
10M
150
VBSQ=0.3
5V
IDQ=7.6m
2 * 6A
VBSQ
gm gm0 1
P
0.35
gm 4mS 1
4.47 mS
1
1
rd
100k
yOS 10S
ANALGICA II
Anlisis
AC:
D
V0
Vi
Zi
110
M
10M
4.47*10-3
Vgs
-
100
K
1.8
K
Z i 110 // 10
Z i 9.17
Z 0 100k // 1.8k
Z 0 1.77 k 1.8k RD Z 0
AV gmRD
AV 4.47 mS 1.8k
AV 8.05
ANALGICA II
Porque
rd 10RD
100k 10(1.8k)
MOSFET`S DE TIPO
INCREMENTAL
CANAL
P
G
gm VGS
CANAL
N
gm fs
I k Vgs Vgsth
Del anlisis D
DC:
gm
I D
Com gm
Vgs
o:
d
2
k Vgs Vgs th 2k Vgs Vgs th 1 0
dVgs
ANALGICA II
1
; rd
yos
gm 2k Vgs Q Vgs th
1) Configuracin de
Retroalimentacin en Drenaje
VDD
Impedancia de
entrada:
RD
Vi
V0
Vi
Ii
Zi
+
G
Zi
I i gmVi
Ii
F
C1
Vi
Ii
C2
RF
Zi
gm VGS
S
R Z
D
V0
; Vgs Vi
I i gmVgs
rd // RD
V0
V0 rd // RD I i gmVi
rd // RD
ANALGICA II
Vi V0 Vi rd // RD I i gmVi
Ii
RF
RF
I i RF Vi rd // RD I i rd // RD gmVi
I i RF rd // RD Vi 1 gm rd // RD
RF rd // RD
Zi
1 gm rd // RD
Por lo general RF >>

rd//RD
Si rd >> 10RD
Zi
ANALGICA II
Zi
RF
1 gmRD
RF
1 gm rd // RD
Impedancia de
Salida
V0
Z0
I 0 V 0V
Vgs 0V gmVgs 0 A
R
F
Vi=Vp=
0V
rd
R
D
Como: RF >>
rd//RD
Z
0
Z 0 rd // RD
Z 0 RD
Y si
rd>>10RD
ANALGICA II
Z 0 RF // rd // RD
Ganancia de
Voltaje
V0
AV
?
Vi
I i gmVgs
V0
rd // RD
Vgs Vi
Ii
Vi V0
RF
Vi V0
V0
gmVi
RF
rd // RD
Vi V0
V0
1
1
gmVi
Vi
gm V0
RF RF
rd // RD
R
r
//
R
R
D
F
F
d
ANALGICA II
1
gm
V
RF
AV 0
1
1
Vi
rd // RD RF
Como: gm >>
1/RF
AV
gm
1 1 1
rd
RF
RD
AV gm RF // rd // RD
Por lo general RF >> rd//RD

rd >> 10RD
AV gmRD
ANALGICA II
2) Configuracin de Divisor
de Voltaje
R1
V0
C1
Vi
Z
0
Zi
RS
Z i R1 // R2
Z 0 rd // RD ; sird
Z 0 RD
Zi
R2
>>10
ANALGICA II
+
gm
VGS
rd
S
CS
AV
V0
gm( rd // RD ) ; sird
Vi
>>10
AV gmRD
R
D
Z
0
DISEO DE REDES DE AMPLIFICADOR FET

Disee la red de polarizacin fija para que tenga
ganancia AC de 10. Es decir
determine el valor de R D
VDD=30
V
IDSS=10
mA
Vp=-4V
yOS=20
S
0.1
V
i
Debido a
que:
R
D
Vgs 0V gm gm0
2 I DSS 2 *10
gm0
5mS
4
Vp
AV gm0 RD // rd
10
RD // rd
5mS
RD // rd 2k
10
M
50k RD
2k
50k RD
ANALGICA II
50kRD 100k 2kRD

48kRD 100k
rd
1
1
yos 20S
rd 50k
RD 2.08k
VDSQ VDD I DRD 30 10mA 2k

Z i 10
Z 0 rd // RD 2k // 50k
Z 0 1.92k RD 2k
ANALGICA II
EJERCICIOS
LOS SIGUIENTES EJERCICIOS
SON
AMPLIFICADORES
EN
MULTIETAPA
LOS
CUALES
TIENEN LOS TRES TIPOS DE
TRANSISTORES
VISTO
EN
CLASE
ANALGICA II
EJEMPLO
20
V
Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=4V
Q2: IDSS=4mA ; Vp=5V
Q3: =50 ; VBC=0.7V
8.6M
Vi
Q 1 ID
Zi
150k
Q 2 ID
Calcule:
a) Puntos de Operacin,
b) Expresin literal para AV, Zi, Z0
c) Evale del literal b
ANALGICA II
RE
1k
Z0
Anlisis DC:
Se obtiene:Q3: IBQ=92.4A
Q1: Vgs1=1.44V
Q2: Vgs2=0V
Q1
Anlisis AC:
G
Vi
R1
8.6M
gm Vgs1
ZMi
S
R3
150k
ZM0
1
ANALGICA II
+ IBQ
VB
-
AV
Q1
hie
hfe
E
RE
1k
AV
V0
2I
gm DSS
Vp
Vgs
p
10mA
1.44
gm1 2
1
3.2mv
4
4
4mA
0
gm2 2
1
1.6mv
5
5
hie
26mV
26mV
0.279k
I BQ
92.4 A
En Q2: Vgs2=0 ; Vs2=0

Vgs2=0 ; gmVgs=0
AV 1
VB
1
Vi
Z M 0 R2
Z M 0 2
ANALGICA II
Abierto
EJEMPLO
+Vc
c
R1
R4
2k
8M
B
Vi
R2
2M
Zi
V0
Z0
150
M
AV 1
Q
3
R3
ANALGICA II
1 Vg1=
R5
1k
0
1 V =
Vgs1
s1=0
0
Datos:
Q1: IDSS=10mA ; Vp=-4V
Q2: k=0.3mA/V2 ; VTH=1V ;
Vgsq=8V
Q3: =50 ; VBC=0.7V ;
Ibq=10A
V
V0
2
AV 1
01
Vi
V02
Vi
; Zi ; Z0
B
Vi
R1
8M
R2
2M
G2
D2
S2
A
gmVgs2
b3
R3
150M Vgs1
gmVgs1
Ib3
hie
hfeIb3
e3
V0
R5 1k
hie
V0
C3
R4
2k
Z0
26mV 26mV
2.6k
I bq
10 A
Vgs
I DSS
gm1 gm0 1
gm
0
V
Vp
p
10mA
0
gm1 2
1
5mv
4
4
ANALGICA II
gm2 2k Vgs VT
gm2 2 0.3 8 1 4.2mv
Ii
Vi
I1
R1
8M
I2
+
R2 Vgs2
2M -
LCK
V01 V01 VA
Vi VA Vi
b3
A
I3
AV 1
gmVgs2
+
R3
150M
VA
-
nodo A
I 2 gm2Vgs 2 I 3 I b 3
Vi VA
V
VA
gm2 Vi VA A
R2
R3 hie h fe 1 R5
Vi
R2
VA
1
gm2Vi gm2VA VA
R2
R
hie
1
R
3
fe
5
RRb3
1
1
Vi
gm2 VA
gm
R
R
RR
R
3
b3
2
2
ANALGICA II
Ib3
hie
C3
hfeIb3
V0
R
2k
4
e3
R5 1k
V0
2
1
gm2
VA
R2
1
1
1
Vi
gm2
R3 RRb 3 R2
Evaluando
VA
0.994
Vi
1
gm2
h fe R4
R2
AV1
1
1
1
RRb3
gm2
R3 R2
RRb3
Evaluando
AV1 1.853 0.994
AV1 1.853
ANALGICA II
V 0 1 h fe I b3 R4
VA I b3 RRb3
V01
VA
h fe I b3 R4
I b3 RRb3
Evaluando
V01
VA
1.853
h fe R4
RRb3
1
gm2
h fe 1 R5
R2
AV2
1
1
1
RRb3
gm
R3 R2 RRb3
Evaluando
AV2 0.951 0.994
AV2 0.945
ANALGICA II
V 0 2 I e3 R 5 h fe 1 I b3 R5
VA I b3 RRb3
V02
VA
fe
1 I b3 R5
I b3 RRb3
Evaluando
V02
VA
0.951
fe
1 R5
RRb3
Zi
Impedancia de
Entrada:
LCK
Vi
Zi
nodo B
I i I1 I 2
Ii
Vi Vi VA
R1
R2
Vi Vi VA Vi Vi V A Vi
Ii

R
2
R1 R2 R2 R1 R2
Vi
Ii
Vi Vi Vi AVA
R1 R2
R2
1
1 AVA
I i Vi
R1 R2 R2
Vi
1

AVA
1
1
Ii
R1 R2
R2
ANALGICA II
1
1
8M
2M
0.994
2M
Z i 7.8125
Impedancia de
Salida:
V'
Z0 0
Z0 '
Z0
V 0 CA
I cc
V01
V0CA
AV 1
V0CA 1.853Vi
Vi
VA
VA 0.994Vi
0.994Vi
; I b3
hie R5 h fe 1 hie R5 h fe 1
I cc h fe I 'b3
Z0
1.853Vi
0.994Vi
h fe
RRb3
Evaluando
1.853
h fe
0.994
RRb3
Z 0 1.999k
ANALGICA II

Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

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Amplificadores de Pequeña Señal Con BJTs y FETs

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Amplificadores de

Pequea Seal con

En un cuadripolo es necesario comparar Vs con Vi,

La mxima transferencia de energa se da cuando:

Conceptos Bsicos de Amplificacin

Conceptos Bsicos de Amplificacin

Comparacin del parmetro beta de AC, con el parmetro

Inyeccin de CA sobre circuito de

Inyeccin de CA sobre circuito de

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

Vcc VRC VCEQ

RECTA DE CARGA ESTTICA

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

Debido a la frecuencia los condensadores de acoplo se comportan como

RECTAS DE CARGA Y MRGEN

VCE t VCEp VCEQ

RC P RL ic t ICQ VCEp VCEQ

RECTAS DE CARGA Y MARGEN DINMICO

RECTA DE CARGA EN ALTERNA

VCEMAX VCEP RC P RL ICQ VCEQ

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Los circuitos de entrada y salida estn

Modelo re del Transistor BJT

Modelo re del Transistor BJT

Cuanto ms cambie VCE por el

Amplificador en Pequea Seal

Se tienen capacitores de acoplo entre la fuente y el

La seal AC de entrada es aplicada a la base.

Si existe un capacitor en paralelo a la Resistencia de emisor

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

Lo anterior sucede para cualquier

Amplificador en Pequea Seal

Lo anterior sucede para cualquier

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

El valor de re se debe determinar con un anlisis de DC del sistema y, por lo

Amplificador en Pequea Seal

Recuerde que la impedancia de salida

Amplificador en Pequea Seal

El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un

Amplificador en Pequea Seal

El signo negativo de Av en la ecuacin resultante revela que ocurre un

Amplificador en Pequea Seal

No se considera RE debido a que est

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

Amplificador en Pequea Seal

Se deja al estudiante el anlisis de las ecuaciones con la presencia

Amplificador en Pequea Seal

Puede polarizarse con polarizacin fija o por medio de un partidor de

La seal de entrada est acoplada capacitivamente a la base y la seal de

No hay inversin de fase y la amplitud de la salida es aproximadamente

Amplificador en Pequea Seal

Debido a que ro es por lo general mucho ms

Amplificador en Pequea Seal

Debido a que ro es por lo general mucho ms