Documentos de Académico
Documentos de Profesional
Documentos de Cultura
Electronica de Potencia Aplicada
Electronica de Potencia Aplicada
Unidad I
1.-Semiconductores de potencia.
1.1. Diodos de potencia.
1.1.1 Caractersticas y parmetros.
1.1.2 Rectificadores monofsicos y polifsicos.
1.1.3 Aplicaciones industriales.
1.1.4 Alimentacin de motores de c.c.
1.2. Transistores de potencia.
1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).
1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS).
1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).
1.2.4 Caractersticas y parmetros.
1.3. Aplicaciones en mquinas elctricas.
1.4. Circuitos de control hbridos (Electrnicoselectromecnicos).
Que es un semiconductor?
Sb
+
Sb: antimonio
Si
Si
Si
Si
Sb
Si
Si
+
Si
Si
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
300K
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Electrones libres
Si
Al: aluminio
Si
Si
Si
Al
-
Si
Al
Si
Si
Si
A temperatura ambiente
todos los tomos de
impurezas se encuentran
ionizados
Si
Si
libres
Al
-
Al
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Al
-
Impurezas grupo V
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Sb
+
Al
-
Al
Al
-
Al
-
Al
-
300K
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
Zona de transicin
-
Semiconductor tipo P
+
+
+
+
Semiconductor tipo N
Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.
+
+
La zona de transicin
se hace ms grande.
Con polarizacin
inversa no hay
circulacin de
corriente.
+
+
DIODO SEMICONDUCTOR
+
+
+
+
Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente.
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de
corriente elctrica
Semiconductor
Diodos de potencia
Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo.
Parmetros en conduccin.
Modelos estticos de diodo.
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso.
Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (Pmx).
Potencia media disipada (PAV).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).
Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx).
Temperatura de almacenamiento (Tstg).
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc).
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).
Diodos de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los
circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones :
son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.
Caractersticas Estticas
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que
puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede
ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de
forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella
que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada
10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una
sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o
degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que
soporta el diodo en estado de bloqueo.
Caractersticas Estticas
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la
mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que
el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede
ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1
ms, a una determinada temperatura de la cpsula
(normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el
mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10
minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el
diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan
en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms
complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del
programa.
Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el
diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se
encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de stos
cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una
tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente
con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del
paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo
tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.
Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se
anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la
unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de
ta y tb.
Caractersticas Dinmicas
Caractersticas Dinmicas
Caractersticas Trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin
del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de
la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno
mnimo y otro mximo.
Caractersticas Trmicas
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En
caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por
otro medio (como mica aislante, etc).
Caractersticas fundamentales
Tensin de ruptura
DIODOS DE POTENCIA
Tensin de ruptura
Baja tensin
Media tensin
Alta tensin
15 V
100 V
500 V
30 V
150 V
600 V
45 V
200 V
800 V
55 V
400 V
1000 V
60 V
80 V
1200 V
Tensin de codo
i
Curva
caracterstica real
pendiente = 1/rd
DIODOS DE POTENCIA
0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal
VRuptura
VCodo
< 100 V
0,7 V
Potencia
200 1000 V
<2V
Alta tensin
10 20 kV
>8V
DIODOS DE POTENCIA
DIODOS DE POTENCIA
Forward Current
Caractersticas dinmicas
Indican capacidad de conmutacin del diodo
R
a
DIODOS DE POTENCIA
V1
b
V2
i
V1/R
i
+
Transicin de a a b
V
t
Comportamiento
dinmicamente ideal
V
-V2
Caractersticas dinmicas
Transicin de a a b
R
a
DIODOS DE POTENCIA
V1
b
V2
i
+
V1/R
trr
ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )
ts
-V2/R
-V2
t
tf (i= -0,1V2/R)
Transicin de b a a (encendido)
Caractersticas dinmicas
R
a
b
V2
V1
i
+
V
-
i
DIODOS DE POTENCIA
0,9V1/R
0,1V1/R
td
tr
tfr
DIODOS DE POTENCIA
Caractersticas dinmicas
Caractersticas Principales
DIODOS DE POTENCIA
Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin
Encapsulado
DIODOS DE POTENCIA
Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)
DIODOS DE POTENCIA
VRRM
IF
trr
> 1 s
Standard
100 V - 600 V
1 A 50 A
Fast
100 V - 1000 V
1 A 50 A
100 ns 500 ns
Ultra Fast
200 V - 800 V
1 A 50 A
20 ns 100 ns
Schottky
15 V - 150 V
1 A 150 A
< 2 ns
Aplicaciones:
DIODOS DE GAMA MEDIA:
Fuentes de alimentacin
Soldadores
DIODOS RPIDOS
DIODOS DE POTENCIA
Convertidores CD CA
DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes
DIODOS DE POTENCIA
Ejemplo
Se conectan dos diodos en serie, como se ve en la figura, para compartir un voltaje
total de cd en sentido inverso de 5KV. La corriente de fuga inversa de los diodos son
1 = 30 e 2 = 35. Determinar:
a).- Los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales a
1 = 2 = 100 .
b).- Determinar las resistencias de voltaje compartido 1 2 para que los voltajes en