Prctica 1: MODULADOR BALANCEADO

1.1 Introduccin
El montaje se corresponde con los mostrados en las Figuras 26 y 27 de las hojas
de caractersticas del MC1496.

El corazn del integrado es un amplificador diferencial que funciona en los

cuatro cuadrantes y que recibe el nombre de clula de Gilbert (ver Figura 23). Al tener
accesibles los terminales, se puede hacer funcionar el circuito en modo lineal o en
saturacin (como conmutador)

1.2 Montaje prctico

1. Analizaremos el circuito como modulador de doble banda lateral (DSB).
a) Conectar a la entrada de portadora una seal de fc = 500 kHz con una
amplitud de 60 mV (rms) ( Vrms = 2V p , para seales sinusoidales).
En la entrada de seal moduladora se conectar el generador de
funciones con una salida senoidal de fs = 30 kHz. Variar la amplitud
de la seal moduladora desde 100mV (rms) hasta 600 mV (rms).

60 mV

Simultneamente, observar la salida con el osciloscopio en modo

FFT (analizador de espectros). Anotar los niveles de la portadora
(suprimir la portadora lo mximo que se pueda girando el
potencimetro de 50 k) en cada una de las tensiones de la seal
moduladora. Anotar igualmente los niveles de las bandas laterales. La
diferencia entre el nivel de la portadora y el de las bandas laterales
proporciona el nivel de supresin de portadora. Contrastar el
resultado con la curva proporcionada por el fabricante1.
b) Manteniendo el nivel de seal moduladora en 300 mV (rms), variar el
nivel de la seal de portadora entre 10 y 300 mV (rms). Anotar de
nuevo el nivel de supresin de portadora para cada tensin. Repetir la
medida para una frecuencia fc =10 MHz en vez de los 500 kHz.
Explicar las diferencias existentes entre este caso y el anterior. Los
resultados deberan ser similares a los mostrados en la Figura 222.

Para "calibrar" la medida de potencia con el osciloscopio, introducir una sinusoide de 1 Vrms y
compobar su nivel de potencia relativa medida por el osciloscopio (cursores) en modo FFT.
2
Debido a la limitada resolucin del osciloscopio en modo FFT, es difcil medir supresiones de portadora
de ms de 40 dB.

c) En las medidas anteriores habr observado la presencia de productos

de intermodulacin en la salida, sobre todo cuando los niveles de las
seales moduladora y portadora son suficientemente elevados. Para
una frecuencia fc =10 MHz y una moduladora de fs = 30 kHz mida los
niveles absolutos (en mV (rms)) y relativos (en dB respecto del nivel
de las bandas laterales en las frecuencias fcfs) de las componentes en
(fc2fs), (fc3fs), 2fc, 3fc de acuerdo con la Figura

2. Los esquemas de las Figuras 26 o 27 estn diseados para eliminar (en la medida de
lo posible) la portadora. Por ello, si quisiramos utilizarlos como moduladores de
AM, el nivel de insercin de portadora sera insuficiente. Por ello se plantea
modificar el circuito de la Figura 27 de forma que las dos resistencias de 10 k que
estn conectadas a los terminales 1 y 4 del integrado se cambien por otras dos de
valor 750 . El modulador de AM se muestra en la siguiente Figura.

Generar una seal de 955 kHz de 300 mV (rms) modulada con un tono de 20 kHz y
m=50 %. Observar en el osciloscopio la seal resultante y anotar la forma de la
3

misma. Con el osciloscopio en modo FFT (analizador de espectro), obtener la

representacin en frecuencia de la salida. Comprobar cul es el margen de
amplitudes de la seal moduladora y portadora para los que el circuito se comporta
de forma lineal.
3. Ahora se utilizar el circuito de la Figura 26 (o 27) como demodulador.
Generar una seal de 955 kHz de 300 mV (rms) modulada con un tono de 20
kHz y m=50 % y con otro generador de funciones una portadora de 500 kHz y
60 mV (rms). Observar en el osciloscopio la seal resultante y anotar la
frecuencia de la misma. Con el osciloscopio en modo FFT (analizador de
espectro), obtener las distintas componentes a las frecuencias espreas e
identificar a qu producto se debe cada componente. Elaborar una tabla con las
distintas frecuencias y su nivel de potencia.