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3 Capitulo3
3 Capitulo3
Diseo de amplificadores
3.1. Introduccin
En este captulo, haremos un breve repaso sobre la teora existente en el diseo
de amplificadores de microondas. De esta forma, el captulo consta de dos secciones
principales. La primera de estas secciones se centrar en los principios del diseo de
amplificadores de microondas en pequea seal, haciendo especial nfasis en las
consideraciones de estabilidad y ganancia, que son las que nos ocuparn en un
captulo posterior. Y en la segunda de estas secciones nos embarcaremos en el diseo
de los amplificadores de potencia de microondas, enfocndonos en dos casos
concretos, el de un amplificador Clase A y el de un amplificador Clase B.
Una vez presentado el captulo, comenzamos con la primera de las secciones
mencionadas, el diseo terico de amplificadores de microondas en pequea seal, o
en sentido clsico.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
P
PL
P
, GP = L , GA = AVN
PAVS
PIN
PAVS
(3.1)
1 s
1 IN s
1
1 IN
1 s
S 21
S 21
1 L
1 S11 s
S 21
1 S 22 L
1 S 22
2
2
1 s
1 S11 s
S 21
1 L
1 OUT
(3.2)
(3.3)
2
L
1
1 OUT
(3.4)
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Diseo de amplificadores
S12 S 21 L
1 S22 L
OUT = S22 +
(3.5)
S12 S21 s
1 S11 s
(3.6)
Las redes de adaptacin pasivas producen valores de s y L tales que |s| < 1 y
|L| < 1. Es decir, que las partes resistivas asociadas a Zs y ZL son positivas. Sin
embargo, de (3.5) y (3.6) tenemos que es posible que para ciertos valores de los
parmetros S (donde |s| < 1 y |L| < 1), se cumpla |IN| > 1 o |OUT| > 1. Cuando esto
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
se produce, los puertos de entrada o de salida del transistor presentan una resistencia
negativa y pueden ocurrir oscilaciones. Obviamente, sta es una situacin que
debemos evitar en el diseo de un amplificador.
A partir de aqu analizaremos ciertas consideraciones de diseo, en las que en
principio supondremos el caso de un transistor unilateral, esto es, que |S12| = 0, o que
es despreciable en cualquier caso. En caso de no suponer un transistor unilateral, se
citar expresamente.
3.2.2. Consideraciones de estabilidad
La estabilidad de un amplificador (su oposicin a oscilar) es una consideracin
muy importante a la hora del diseo, y puede estar determinada por los parmetros S,
las redes de adaptacin, y las terminaciones. Dicho sea esto, es importante mencionar
que la estabilidad depende de la frecuencia, as que un amplificador puede ser estable
a ciertas frecuencias y hacerse inestable a otras frecuencias, manteniendo las mismas
impedancias de generador y carga. En una red de dos puertos, las oscilaciones son
posibles cuando cualquiera de los dos puertos, el de entrada o el de salida, presenta
una resistencia negativa. Esto ocurre cuando |IN| > 1 o |OUT| > 1, lo que en el caso de
un transistor unilateral ocurre cuando |S11| > 1 o |S22| > 1. En el primer caso el
transistor presentara una resistencia negativa a la entrada, y en el segundo caso el
transistor presentara una resistencia negativa a la salida.
De una red de dos puertos, como la de la figura 3.3, se puede decir que es
incondicionalmente estable a una frecuencia dada si las partes reales de ZIN y ZOUT son
positivas para todas las impedancias de fuente y de carga. En caso contrario, se dice
que la red de dos puertos es condicionalmente inestable, es decir, que algunas
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
En trminos de los coeficientes de reflexin, las condiciones para que una red
sea incondicionalmente estable a una frecuencia dada, son las siguientes:
s <1
(3.7)
L <1
(3.8)
IN = S11 +
S12 S 21 L
<1
1 S22 L
OUT = S22 +
(3.9)
S12 S 21 s
<1
1 S11 s
(3.10)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
S12 S 21
2
(3.11)
S22
( S22 S11 )
2
S22
(3.12)
mientras que el crculo de estabilidad a la entrada (que son en este caso los valores
de s para |OUT|=1) viene dado por un radio y un centro de:
rs =
Cs =
S12 S 21
2
S11
(3.13)
( S11 S 22
)
2
S11
(3.14)
Captulo 3
Diseo de amplificadores
ocurre |IN| > 1 o |OUT| > 1. Por este motivo es por el que se denominan crculos de
estabilidad.
Lo siguiente que tenemos que hacer es determinar cul es la regin estable, la
que est dentro o la que est fuera del crculo de estabilidad. Para ello es preciso
hacer las siguientes consideraciones:
Suponiendo que slo se estudia la entrada, si se toma ZL = Z0, entonces estamos
en el punto L = 0, y con (3.5) tenemos que |IN| = |S11|. Esto supone que si
tenemos |IN| < 1, entonces |S11| < 1, en el punto L = 0 (centro de la carta de
Smith). Por tanto, hemos demostrado que el centro de la carta de Smith sera
un punto estable (Figura 3.4(a)).
En cambio, si tenemos |IN| > 1, entonces |S11| > 1, en el punto L = 0 (centro
de la carta de Smith). Por tanto, el centro de la carta de Smith sera un punto
estable (Figura 3.4(b)).
Fig. 3.4. Carta de Smith ilustrando el plano L con las regiones estables como zonas rayadas [3.1].
a) Centro de la carta de Smith estable. b) Centro de la carta de Smith inestable.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Fig. 3.4. Carta de Smith ilustrando el plano s con las regiones estables como zonas rayadas [3.1].
a) Centro de la carta de Smith estable. b) Centro de la carta de Smith inestable.
K=
1 S11 S22 +
2 S12 S 21
>1
(3.15a)
<1
(3.15b)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
1 s
2
2
1 L
S 21
2
2
1 S11 s {
1 S22 L
G
14243 o 14243
Gs
(3.16)
GL
Vemos que el primer factor depende del parmetro S11 del transistor y del
coeficiente de reflexin de la fuente. Como stos dependen de la red de adaptacin de
la entrada, el primer factor Gs representa la ganancia/prdida de potencia por
desajuste de impedancias a la entrada. El segundo factor depende del parmetro S12
del transistor. Por tanto, el segundo factor Go representa la ganancia en potencia del
transistor. Por ltimo, el tercer factor depende del parmetro S22 del transistor y del
coeficiente de reflexin de la carga. Como estos dependen de la red de adaptacin de
la salida, el tercer factor GL representa la ganancia/prdida de potencia por desajuste
de impedancias a la salida. De esta manera, podemos representar el amplificador
como un sistema formado por tres bloques de ganancia distintos, como mostramos en
la figura 3.5.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
1
2
S 21
2
1 S11 {
1 S22
G
1
424
3 o 1
424
3
(3.17)
Gs ,max
GL ,max
1 i
1 Sii i
(3.18)
estando basado el diseo para una ganancia especfica en (3.18). Dos casos han de ser
considerados en el anlisis de (3.18), el caso de incondicionalmente estable, donde se
tiene que |Sii| < 1, y el segundo caso, el condicionalmente inestable, donde |Sii| > 1.
Caso incondicionalmente estable, |Sii| < 1
El mximo valor de (3.18) es obtenido cuando i = Sii*, que se da para unas
denominadas terminaciones ptimas, y resulta en:
Gi ,max =
1
1 Sii
(3.19)
de modo que Gi est comprendida entre un valor mnimo de cero cuando |i| = 1, y un
valor mximo de Gi,max cuando i = Sii*.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
1 i
Gi
2
2
gi =
= Gi (1 Sii ) =
(1 Sii )
2
Gi ,max
1 Sii i
(3.20)
de modo que 0 gi 1.
Con esto, los valores de i que producen un valor constante de g i se puede
demostrar que forman circunferencias, con centro y radio:
Cgi =
rgi =
gi Sii
(3.21)
1 Sii (1 gi )
1 gi 1 Sii
1 Sii
(1
gi )
(3.22)
donde cada valor de gi genera una nueva circunferencia de Gi constante, es por lo que
se llaman crculos de ganancia constante. La distancia desde el origen al centro de
estos crculos est dada por |Cgi|, y el ngulo de inclinacin i, que est dado por la
fase Cgi = Sii*, tal como se ilustra en la figura 3.6.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
1
Sii
(3.23)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
(3.24)
(3.25)
Toda esta discusin sobre los crculos de ganancia constante la hemos hecho
suponiendo un transistor unilateral. En caso de que el transistor no fuera unilateral,
esto es S12 0, puede demostrarse que el error que se comete al aproximar los
crculos de ganancia constante por las expresiones anteriores est acotado por:
1
( 1+
GT
1
<
GTU ( 1 X
<
(3.26)
donde:
S12 S21 s L
(1 S11 s )(1 S 22 L )
X=
(3.27)
(1+ U )
<
GT
1
<
GTU ( 1 U ) 2
(3.28)
donde:
U=
)(
1 S22
(3.29)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
(3.30)
OUT
(3.31)
S12 S21 L
1 S22 L
(3.32)
L = S22 +
S12 S21 s
1 S11 s
(3.33)
B1
B12 4 C1
(3.34)
2C1
B2
B2 2 4 C2
(3.35)
2C2
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
, C1 = S11 S22
(3.36)
, C2 = S 22 S11
(3.37)
B1 = 1 + S11 S22
2
B2 = 1 + S 22 S11
En lo que sigue en el desarrollo, mostraremos que para una red de dos puertos
incondicionalmente estable, las soluciones de (3.34) y (3.35) con el signo menos son
las tiles [3.3], [3.4].
Asociadas con Ms y ML estn unas impedancias de fuente y de carga. Las
partes reales de estas impedancias son positivas si |Ms| < 1 y |ML| < 1. En trminos
del factor de estabilidad K, la condicin para que una red de dos puertos est
adaptada a la entrada y a la salida con |Ms| < 1 y |ML| < 1, es que K > 1.
La condicin K > 1 es slo una condicin necesaria para el caso de una red
incondicionalmente estable. Por tanto, una adaptacin conjugada simultnea con
estabilidad incondicional es posible si K > 1 y || < 1. Como || < 1 implica que
B1 > 0 y B2 > 0, los signos menos deben ser utilizados en (3.34) y (3.35) cuando se
calcula la adaptacin conjugada simultnea para una red de dos puertos
incondicionalmente estable.
Hemos visto que el diseo por adaptacin conjugada simultnea consigue el
mximo valor de ganancia de transduccin. Pero si el diseo persigue una ganancia
de transduccin distinta de la mxima, se puede recurrir a un procedimiento de
crculo de ganancia constante basado en (3.2). Pero este procedimiento no es
recomendable para un diseo prctico por ciertas razones. Primeramente las
funciones de ganancia se hacen dependientes entre ellas, originando que los crculos
de ganancia constante no estn centrados en el valor mximo de la ganancia de
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Diseo de amplificadores
S21
(1 )
S L
1 11
1 S22 L
1 S22
= S 21 g p
(3.38)
2
L
Gp
S 21
1
1 S 22
2
L
2
L
S11
2
L
1 L
1 S11 +
2
L
(S
2
22
) 2 e {
L C2 }
(3.39)
(3.40)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Se puede demostrar que el lugar geomtrico de los puntos de L que dan lugar a
una misma ganancia gp es una circunferencia cuyo centro y radio son,
respectivamente:
Cp =
g pC2
2
1 + g p S 22
(3.41)
)
2
rp =
1 + g p S 22
(3.42)
Ntese que de acuerdo con (3.41), todos los crculos de ganancia de potencia se
apoyan en la recta de inclinacin C2* . Adems, la mxima ganancia de potencia
ocurre cuando rp = 0 , condicin que sucede cuando el crculo degenera en un punto:
2
(3.43)
S 21
K
S12
K2 1
(3.44)
S21
( 1 )
S s
1 22
1 S11 s
1 S11 s
= S 21 g a
2
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(3.45)
Captulo 3
Diseo de amplificadores
GA
S21
1 s
1 S11 s S 22 s
1 S 22 + s
1 s
2
S11
2 e { s C1}
(3.46)
(3.47)
Se puede demostrar que el lugar geomtrico de los puntos de s que dan lugar a
una misma ganancia ga es una circunferencia cuyo centro y radio son,
respectivamente:
Ca =
g a C1
2
1 + g a S11
(3.48)
)
2
ra =
1 2 K S12 S 21 g a + S12 S 21 g a2
1 + g a S11
(3.49)
Ntese que de acuerdo con (4.24) todos los crculos de ganancia de potencia
disponible se apoyan en la recta de inclinacin C1*.
3.2.6. Redes de polarizacin DC
Se suele decir que el factor menos considerado en el diseo de amplificadores
de en pequea seal es la red de polarizacin [3.5]. Aunque se dedica un considerable
esfuerzo en disear amplificadores para una determinada ganancia, figura de ruido o
ancho de banda, se dedica menos esfuerzo en disear redes de polarizacin DC. El
coste por decibelio de la ganancia de potencia en microondas es alto, y no se puede
sacrificar el rendimiento del amplificador por haber realizado un diseo pobre de
polarizacin DC.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Las redes de polarizacin en las figuras 3.7(d) y 3.7(e) usan una resistencia de
fuente. La resistencia de fuente proporciona una proteccin del transistorio
automtica. Sin embargo, la resistencia de fuente degradar la figura de ruido, y el
condensador de desvo de la fuente puede provocar oscilaciones de baja frecuencia.
Los condensadores de desacoplamiento en la figura 3.7 se acompaan a veces
por diodos zener en paralelo, que proporcionan una proteccin adicional contra los
transitorios, las polarizaciones inversas y las sobrecargas de tensin.
La red de polarizacin DC de un FET de GaAs debe proporcionar un punto
estable de trabajo. No es difcil de comprobar que la resistencia de realimentacin
negativa Rs disminuye el efecto de las variaciones de la corriente ID con respecto a la
temperatura y con IDSS.
La seleccin del punto de trabajo DC en un FET de GaAs depende de la
aplicacin particular [3.7]. La figura 3.8 muestra las curvas caractersticas de un FET
de GaAs con cuatro puntos de trabajo situado en A, B, C y D.
Fig. 3.8. Curvas caractersticas de un FET de GaAs y puntos de trabajo recomendados [3.1].
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Fig. 3.9. Ajuste por adaptacin conjugada de impedancias y por potencia [3.8].
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Diseo de amplificadores
Vmax
I max
(3.50)
donde hemos supuesto que Rgen >> Ropt, en caso de contrario, tendramos que tener en
cuenta el paralelo, y resolver la ecuacin:
Rgen Ropt
Rgen + Ropt
Vmax
I max
(3.51)
Este resultado, el ajuste por potencia, resulta importante antes de comenzar con
la teora del diseo de amplificadores de potencia.
3.3.1. Amplificadores de potencia lineales
En esta subseccin empezaremos viendo algunos conceptos bsicos sobre
amplificadores lineales, para poder as abordar despus un ejemplo de diseo de un
amplificador Clase A.
Est muy extendido el uso indistinto de los trminos Clase A y lineal para
los transistores, sobre todo en PAs en RF, cuando ambos trminos no son totalmente
sinnimos. Una explicacin clara del concepto de Clase A se obtiene recurriendo a su
definicin clsica, como se muestra en la figura 3.10. Si un amplificador se disea
con un punto de polarizacin situado en el centro exacto del rango lineal (limitado a
ambos lados por las zonas de corte y saturacin), y con una componente RF cuya
amplitud no supere los lmites de este rango lineal, tendramos un amplificador cuya
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
corriente de salida a una entrada sinusoidal sera una rplica de esta seal sinusoidal.
Esto sera un amplificador Clase A. Sin embargo, aunque este amplificador Clase A
sera idealmente lineal al no superar los lmites del rango lineal de su funcionamiento,
en la prctica esta regin presenta tambin efectos no lineales dbiles, como tambin
se puede apreciar en la figura 3.10.
Fig. 3.10. Punto de polarizacin de un FET Clase A. La lnea continua representa un rango lineal ideal,
y la discontinua un caso ms realista con efectos no lineales dbiles [3.8].
Una vez discutidos los conceptos definitorios podemos entrar en el tema del
diseo. Bsicamente, el diseo de PAs lineales se puede hacer utilizando los mismos
principios bsicos que para uno de pequea seal, pero sustituyendo la clsica
adaptacin conjugada de impedancias con el ajuste por potencia. En el caso de un PA
lineal, el dispositivo debe de presentar un ajuste por potencia a la salida para poder
obtener la mxima potencia del dispositivo en cuestin.
Para ver la diferencia entre la adaptacin conjugada de impedancias y el ajuste
por potencia nos fijaremos en la figura 3.11. En ella mostramos la transferencia de
potencia caracterstica de un amplificador Clase A con los dos casos distintos de
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Las dos tomas de medidas por barrido de potencia de la figura 3.11 indican que
hay cierto tipo de relacin entre la potencia de salida y el ajuste de potencia. El
siguiente paso lgico sera tomar ms de dos puntos de medida. Con este propsito,
en el tema del ajuste por potencia surgieron las tcnicas load-pull, que consisten en ir
modificando la impedancia de salida mientras se va midiendo el comportamiento del
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Fig. 3.12. Contornos de potencia experimentales (lnea continua) y tericos (lnea discontinua) [3.8].
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Vdc Vk 4.8 1
=
= 10.1
I dc
0.375
(3.52)
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Diseo de amplificadores
Fig. 3.13. Esquemtico del diseo de un amplificador de potencia lineal de 1W a 1.9 GHz [3.8].
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
resulta ms que satisfactorio para esta aplicacin en concreto, por lo que no se trata
de un problema para el diseo.
Fig. 3.14. Barrido de impedancias del plano A, con contorno de potencia de 1dB [3.8].
Fig. 3.15. Adaptacin de potencia de banda ancha (parsitos de condensadores no incluidos) [3.8].
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Como vemos, todo el rango de frecuencias de 1.5-2.5 GHz mostrara una buena
adaptacin de potencia, estando completamente dentro del contorno de 1dB. Este tipo
de adaptacin utiliza componentes extra y representa un posible exceso para los
anchos de banda tpicos en las comunicaciones inalmbricas. No obstante, es una
prueba del drstico aumento de ancho de banda que ofrece una red de dos secciones,
y tambin de la utilidad de las tcnicas load-pull.
La red de adaptacin de una seccin se puede conseguir utilizando un
segmento de lnea microstrip y un condensador de montaje superficial. Estos
condensadores suelen presentar sustancias parsitas que necesitan ser incluidas en la
simulacin del circuito a 2GHz. En este caso, se incluyen unas inductancias en serie
de 0.6nH. Para un diseo de banda estrecha de este tipo, el efecto de unos parsitos
de este tipo es simplemente el de bajar el valor original de diseo de los
condensadores de 4pF a un valor efectivo de 2.7pF. Esta simplificacin de los efectos
parsitos deja de ser vlida para diseos con mayores anchos de banda, donde la
solucin puede ser el uso de componentes con menores cargas parsitas. A estas
alturas del diseo merece la pena echar una ojeada a las tolerancias de los elementos
utilizados en el circuito.
Como el diseo es el de un amplificador de potencia, uno de los temas ms
importantes es cunto variar la potencia en funcin de las tolerancias que nos dan
los fabricantes para los dos elementos clave de la adaptacin en la salida, el
condensador y la lnea microstrip. Suponiendo que el ancho de la lnea y la constante
dielctrica del material tienen tolerancias muy estrictas, los valores de la capacidad y
de la longitud de la lnea variarn como mucho un 10%. Una tolerancia de ese tipo no
suele desviar la potencia conseguida fuera del contorno de 1dB, pero si suele mostrar
que existe un mejor centrado del diseo.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Captulo 3
Diseo de amplificadores
P1
Pdc
(3.53)
P1 PIN
Pdc
(3.54)
Captulo 3
Diseo de amplificadores
Con todo esto, todava podemos aadir una figura ms de potencia interesante
a la hora de comparar el comportamiento de los amplificadores de alta eficiencia.
Esta figura es el factor de utilizacin de potencia (PUF, Power Utilization Factor)
que es bsicamente la relacin entre la potencia RF entregada por un dispositivo con
la que entregara un amplificador Clase A. Esta figura resulta interesante porque da
una idea del coste/eficiencia de un dispositivo.
Una vez presentadas todas estas figuras, podemos entrar en la teora de los
amplificadores de alta eficiencia. El concepto clave en los amplificadores de alta
eficiencia es el ngulo de conduccin, , que se trata de la parte del ciclo RF en la
que el transistor conduce (en el caso de los amplificadores Clase A recordamos que el
transistor conduca en el ciclo completo de la seal). El proceso bsico por el que se
reduce el ngulo de conduccin se ilustra en la figura 3.17.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
(3.55)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Paso 1: Establecer Imax, Ropt (Corriente pico efectiva, impedancia fundamental de carga).
Vdc Vk 5 0.5
=
= 3.6
I dc
1.25
(3.56)
Captulo 3
Diseo de amplificadores
de utilizar el mximo rango de corriente para una buena PUF. Resulta por ello
instructivo hacer algunas simulaciones con una simple carga resistiva y un circuito
tanque armnico, con el objetivo de observar esta decisin de compromiso de una
manera ms cuantitativa. En la figura 3.20 mostramos el simple esquemtico
utilizado para la simulacin.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
mxima (sin saturar). Vemos que mayores valores de RL provocan unos pulsos de
corriente muy bifurcados, mientras que menores valores de RL provocan mayores
picos de corriente y menores oscilaciones de tensin. En la figura 3.21(b) se muestra
la disyuntiva resultante entre potencia y eficiencia. Se puede observar que las ondas
de corrientes bifurcadas producen mayores eficiencias pero a una potencia de salida
relativamente ms baja. Los menores valores de RL muestran una mayor potencia
pero una menor eficiencia, debido al reducido rango de oscilacin de la tensin. Este
comportamiento general se observa frecuentemente en la prctica, y es en gran parte
una funcin de las matemticas de un pulso de corriente bifurcado.
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Ro
(3.57a)
m 1
X L = RT m 1
(3.57b)
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
La reactancia del condensador paralelo, XCLP, dada por (3.57a), resulta 14.7,
con lo que el condensador CLP = 12.7pF.
Procediendo de la misma manera, la induccin serie, XLLP, dada por (3.57b),
resulta 13.6, con lo que el condensador LLP = 2.5nH.
Fig. 3.22. Esquemtico del amplificador Clase B: adaptacin paso de baja y filtro armnico [3.8].
Paso 3: Aadir un filtro armnico adecuado y ajustar la adaptacin (si fuera necesario)
Se debe hacer una simulacin para comprobar que las ondas de corriente y de
voltaje se comportan como habamos previsto para la red de adaptacin y la
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Fig. 3.23. Ondas de corriente y de voltaje con adaptacin paso de baja y filtro armnico ideal [3.8].
Fig. 3.24. Ondas de corriente y de voltaje con filtro armnico ideal reemplazado por SCSS de 50 [3.8].
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Captulo 3
Diseo de amplificadores
Fig. 3.25. Funcionamiento en frecuencia, con filtro armnico SCSS de /4 (Z0 = 50) [3.8].
Captulo 3
Diseo de amplificadores
3.5. Bibliografa
[3.1] Guillermo Gonzlez, Microwave Transistor Amplifiers: Analysis and Design,
Prentice Hall, 1997.
[3.2] D. Woods, Reappraisal of the unconditional stability criteria for active 2-port
networks in terms of S parameters, IEEE Transactions on Circuits and
Systems, February 1976.
Pgina 106
Captulo 3
Diseo de amplificadores
[3.3] K. Kurokawa, Power waves and the scattering matrix, IEEE Transactions
on Microwave Theory and Techniques, March 1965.
[3.4] G. E. Bodway, Two port power flow analysis using generalized scattering
parameters, Microwave Journal, May 1967.
[3.5] Microwave transistor bias considerations, Hewlett-Packard Aplplication
Note, 944-1, April 1975.
[3.6] G. D. Vendelin, Five basic bias designs for GaAs FET amplifiers,
Microwaves & RF, February 1978.
[3.7] W. H. Froehner, Quick amplifier design with scattering parameters,
Electronics, October 1967.
[3.8] S. C. Cripps, RF Power Amplifiers for Wireless Communications, Norwood,
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