Electrnica de Potencia Aplicada

Unidad I
1.-Semiconductores de potencia.
1.1. Diodos de potencia.
1.1.1 Caractersticas y parmetros.
1.1.2 Rectificadores monofsicos y polifsicos.
1.1.3 Aplicaciones industriales.
1.1.4 Alimentacin de motores de c.c.
1.2. Transistores de potencia.
1.2.1 Tipos de transistores Bipolar (BJT).
1.2.2 Metal Oxido de Silicio (MOS).
1.2.3 Transistor bipolar de puerta aislada (IGBT).
1.2.4 Caractersticas y parmetros.
1.3. Aplicaciones en mquinas elctricas.
1.4. Circuitos de control hbridos (Electrnicoselectromecnicos).

Que es un semiconductor?

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Semiconductor Intrnseco Extrnseco.

Semiconductor extrnseco: TIPO N
Sb
+

Sb
+

Sb: antimonio

Si

Si

Si

Si

Sb
Si

Si
+

Si

Si

Sb
+

Impurezas del grupo V de

la tabla peridica
Es necesaria muy poca
energa para ionizar el
tomo de Sb

Sb
+
Sb
+

Sb
+

300K

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Electrones libres

Si

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un semiconductor tipo N son

Electrones libres

Semiconductor extrnseco: TIPO P

Al
-

Al: aluminio

Si

Si

Si

Al
-

Impurezas del grupo III de

la tabla peridica

Si

Al
Si

Si

Es necesaria muy poca

energa para ionizar el
tomo de Al
Huecos

Si

A temperatura ambiente
todos los tomos de
impurezas se encuentran
ionizados

Si

Si

libres

Al
-

Al
Al
-

Al
Al
-

Al
-

Al
-

Al
-

Al
-

Impurezas grupo V

Sb
+

Sb
+
Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Sb
+

Al
-

Al
Al
-

Al
-

Al
-

300K

tomos de impurezas ionizados

Los portadores mayoritarios de carga en un

semiconductor tipo P son
Huecos. Actan como portadores de carga
positiva.

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Semiconductores. La unin PN: el DIODO.

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N
Zona de transicin
-

Semiconductor tipo P

+
+

+
+

Semiconductor tipo N

Al unir un semiconductor tipo P con uno de tipo N aparece una zona de carga
espacial denominada zona de transicin, que acta como una barrera para el
paso de los portadores mayoritarios de cada zona.

I.E.S.MIGUEL HERNNDEZ DEPARTAMENTO FAMILIA PROFESIONAL DE ELECTRICIDAD

Semiconductores. La unin PN: el DIODO.

La unin P-N polarizada inversamente

+
+

La zona de transicin
se hace ms grande.
Con polarizacin
inversa no hay
circulacin de
corriente.

+
+

La unin P-N polarizada en directa

La zona de transicin se
hace ms pequea.
La corriente comienza a
circular a partir de un
cierto umbral de tensin
directa.
P
N

DIODO SEMICONDUCTOR

+
+

+
+

Conclusiones:
Aplicando tensin inversa no hay conduccin de corriente.
Al aplicar tensin directa en la unin es posible la circulacin de
corriente elctrica

Semiconductor

Diodos de potencia
Caractersticas estticas
Parmetros en bloqueo.
Parmetros en conduccin.
Modelos estticos de diodo.
Caractersticas dinmicas
Tiempo de recuperacin inverso.
Influencia del trr en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
Disipacin de potencia
Potencia mxima disipable (Pmx).
Potencia media disipada (PAV).
Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM).
Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM).
Caractersticas trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx).
Temperatura de almacenamiento (Tstg).
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc).
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd).

Diodos de potencia
Uno de los dispositivos ms importantes de los
circuitos de potencia son los diodos, aunque
tienen, entre otras, las siguientes limitaciones :
son dispositivos unidireccionales, no pudiendo
circular la corriente en sentido contrario al de
conduccin. El nico procedimiento de control es
invertir el voltaje entre nodo y ctodo.

Los diodos de potencia se caracterizan porque en

estado de conduccin, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea
cada de tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensin negativa
de nodo con una pequea intensidad de fugas.

Caractersticas Estticas
Parmetros en bloqueo
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que
puede ser soportada por el dispositivo de forma
continuada, sin peligro de entrar en ruptura por
avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede
ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de
forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella
que puede ser soportada una sola vez durante 10ms cada
10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una
sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o
degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa contnua (VR): es la tensin continua que
soporta el diodo en estado de bloqueo.

Caractersticas Estticas
Parmetros en conduccin
Intensidad media nominal (IF(AV)): es el valor medio de la
mxima intensidad de impulsos sinusuidales de 180 que
el diodo puede soportar.
Intensidad de pico repetitivo (IFRM): es aquella que puede
ser soportada cada 20 ms , con una duracin de pico a 1
ms, a una determinada temperatura de la cpsula
(normalmente 25).
Intensidad directa de pico no repetitiva (IFSM): es el
mximo pico de intensidad aplicable, una vez cada 10
minutos, con una duracin de 10 ms.
Intensidad directa (IF): es la corriente que circula por el
diodo cuando se encuentra en el estado de conduccin.

Modelos del diodo

Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan
en la figura superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos
escoger el modelo adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms
complejos para programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser
proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del
programa.

Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso
El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el
diodo no se efecta instantneamente. Si un diodo se
encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona
central de la unin P-N est saturada de portadores
mayoritarios con tanta mayor densidad de stos
cuanto mayor sea IF. Si mediante la aplicacin de una
tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente
con cierta velocidad di/dt, resultar que despus del
paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de
portadores que cambian su sentido de movimiento y
permiten que el diodo conduzca en sentido contrario
durante un instante.
La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y
aparece en la unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo
tb (llamado tiempo de cada) en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor
despreciable mientras van desapareciendo el exceso de portadores.

Caractersticas Dinmicas
Tiempo de recuperacin Inverso
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que
transcurre desde el paso por cero de la intensidad
hasta llegar al pico negativo.
tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido
desde el pico negativo de intensidad hasta que sta se
anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la
unin polarizada en inverso. En la prctica se suele
medir desde el valor de pico negativo de la intensidad
hasta el 10 % de ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de
ta y tb.

Caractersticas Dinmicas

Tiempo de recuperacin Inverso

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la
caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.

Caractersticas Dinmicas

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :

Caractersticas Trmicas
Temperatura de la unin (Tjmx)
Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer sobrepasar a la unin
del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin. En ocasiones, en lugar de
la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range" (margen de
temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno
mnimo y otro mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg)

Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo cuando no se le aplica ninguna
potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta temperatura.

Caractersticas Trmicas
Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc)
Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el encapsulado del dispositivo. En
caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx
siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.
Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd)
Es la resistencia existente entre el contenedor del dispositivo y el disipador (aleta
refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta directamente sin pasar por
otro medio (como mica aislante, etc).

Caractersticas fundamentales
Tensin de ruptura

Cada de tensin en conduccin

Corriente mxima
Velocidad de conmutacin

DIODOS DE POTENCIA

Tensin de ruptura
Baja tensin

Media tensin

Alta tensin

15 V

100 V

500 V

30 V

150 V

600 V

45 V

200 V

800 V

55 V

400 V

1000 V

60 V
80 V

1200 V

Tensin de codo

i
Curva
caracterstica real

pendiente = 1/rd

DIODOS DE POTENCIA

0 V
A mayor tensin de ruptura , mayor cada de tensin en conduccin
Seal
VRuptura
VCodo

< 100 V
0,7 V

Potencia
200 1000 V
<2V

Alta tensin
10 20 kV
>8V

Datos del diodo en corte

DIODOS DE POTENCIA

Tensin inversa VRRM

Repetitive Peak Voltage

La tensin mxima es crtica

Pequeas sobretensiones pueden romper el dispositivo

DIODOS DE POTENCIA

Datos del diodo en conduccin

Corriente directa IF

Forward Current

Corriente directa de pico repetitivo IFRM

Repetitive Peak Forward Current

La corriente mxima se indica suponiendo que el dispositivo est

atornillado a un radiador

Caractersticas dinmicas
Indican capacidad de conmutacin del diodo

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2
i
V1/R

i
+

Transicin de a a b

V
t
Comportamiento
dinmicamente ideal

V
-V2

Caractersticas dinmicas

Transicin de a a b

R
a

DIODOS DE POTENCIA

V1

b
V2

i
+

V1/R

trr

ts = tiempo de almacenamiento
(storage time )

ts
-V2/R

tf = tiempo de cada (fall time )

trr = tiempo de recuperacin
inversa (reverse recovery time )

-V2

t
tf (i= -0,1V2/R)

Transicin de b a a (encendido)

Caractersticas dinmicas

R
a

b
V2

V1

i
+
V
-

i
DIODOS DE POTENCIA

El proceso de encendido es ms rpido

que el apagado.

0,9V1/R
0,1V1/R

td

tr

tfr

td = tiempo de retraso (delay time )

tr = tiempo de subida (rise time )
tfr = td + tr = tiempo de recuperacin directa
(forward recovery time )

DIODOS DE POTENCIA

Caractersticas dinmicas

Caractersticas Principales

DIODOS DE POTENCIA

Corriente directa
Tensin inversa
Tiempo de recuperacin
Cada de tensin
en conduccin

Encapsulado

Tiempo de recuperacin en inversa

Un diodo de potencia tiene que poder conmutar rpidamente del
estado de corte al estado de conduccin.
El tiempo que tarda en conmutar se llama :
TIEMPO DE RECUPERACIN EN INVERSA

DIODOS DE POTENCIA

Los diodos se pueden clasificar en funcin de su tiempo de

recuperacin:

Tipos de diodos
Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

DIODOS DE POTENCIA

VRRM

IF

trr
> 1 s

Standard

100 V - 600 V

1 A 50 A

Fast

100 V - 1000 V

1 A 50 A

100 ns 500 ns

Ultra Fast

200 V - 800 V

1 A 50 A

20 ns 100 ns

Schottky

15 V - 150 V

1 A 150 A

< 2 ns

Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

Direcciones web
www.irf.com
www.onsemi.com
www.st.com
www.infineon.com

Aplicaciones:
DIODOS DE GAMA MEDIA:
Fuentes de alimentacin
Soldadores

DIODOS RPIDOS

Aplicaciones en que la velocidad de conmutacin es crtica

DIODOS DE POTENCIA

Convertidores CD CA

DIODOS SCHOTTKY
Fuentes de alimentacin de bajo voltaje y alta corriente
Fuentes de alimentacin de baja corriente eficientes

Calculo de parmetros en los diodos

La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo :
Tambin

DIODOS DE POTENCIA

Se puede apreciar que en a ecuacin 2.10 y 2.11 que el tiempo de

recuperacin inversa trr y la corriente pico de recuperacin inversa IRR
dependen de la carga de almacenamiento QRR y de la di/dt inversa (o
reaplicada). La carga de almacenamiento depende de la corriente de diodo en
sentido directo IF. La corriente de pico de recuperacin inversa IRR, la carga en
sentido inverso QRR y el FS (factor de suavidad) tienen interes para el
diseador del circuito

Calculo de corriente de recuperacin

inversa
Ejemplo: El tiempo de recuperacin inversa de
un diodo es Trr=3 s y la velocidad de cada de
la corriente por el diodo es de di/dt =30 A/s.
Determinar:
a) La carga QRR de almacenamiento
b).- La corriente pico en sentido inverso IRR.
c).- Realiza nuevamente los clculos si
Trr=1.5s

Diodos conectados en serie

En ocasiones se tienen dos diodos con voltajes
inversos diferentes con los cuales se necesitan
conectar en serie debido a que uno solo no
ofrece la capacidad de voltaje inverso al cual ser
conectado.

Diodos conectados en serie

Para igualar las caractersticas de los diodos se
debe de realizar la siguiente configuracin, la
cual nos permitir acoplar sus caractersticas
De la cual se cumple la siguiente ecuacin

Ejemplo
Se conectan dos diodos en serie, como se ve en la figura, para compartir un voltaje
total de cd en sentido inverso de 5KV. La corriente de fuga inversa de los diodos son
1 = 30 e 2 = 35. Determinar:
a).- Los voltajes de diodo, si las resistencias de voltaje compartido son iguales a
1 = 2 = 100 .
b).- Determinar las resistencias de voltaje compartido 1 2 para que los voltajes en

los diodos sean iguales 1 = 2 = 2 .

c).- Usar Pspice para comprobar los resultados de la parte a). Los parmetros del
modelo Pspice de los diodos son BV = 3kV a IS = 30mA para el diodo 1 , e IS=35 mA
para el diodo 2 .