Válvulas Electronicas de Transmisión

Transmisin de Televisin
Vlvulas electrnicas de Transmisin

Constantino Prez Vega - 2004
VALVULASELECTRONICASDE
TRANSMISION
Introduccin
Actualmente parece abundar la opinin de que las vlvulas o tubos electrnicos son ya piezas de
museo y no se utilizan. Efectivamente, los tipos de vlvulas para manejo de seales a potencias
pequeasqueseutilizaronextensamenteentodosloscircuitoselectrnicoshastaeladvenimientode
los transistores y otros dispositivos de estado slido, han dejado de usarse por completo y, aunque
vuelvenautilizarseenalgunoscasosaisladoscomociertosamplificadoresdesonido,puedeafirmarse
que efectivamente no encuentran aplicacin en casi ningn equipo profesional o de consumo. Sin
embargo, hay numerosas aplicaciones en la vida cotidiana que pasan desapercibidas y en que las
vlvulas electrnicas continan desempeando un papel muy importante. Baste mencionar
nicamentedosaplicaciones:lostubosderayoscatdicosqueconstituyenlapantalladetelevisoresy
monitoresdecomputadorayloshornosdemicroondas.
Ensistemasdecomunicaciones,ciertotipodevlvulascontinanemplendoseampliamente,sinque
se vislumbre un futuro cercano en que puedan ser substituidas por componentes de estado slido.
Entre ellas, los tubos de onda progresiva (TWT) en los amplificadores de los transpondedores de la
mayoradelossatlites,losmagnetronesutilizadosextensamenteenradaresylosdiversostiposde
tubosamplificadoresdepotenciaenlostransmisoresderadioytelevisin.Enlosterrenoscientfico,
industrialymdicolasvlvulaselectrnicasseemplean,porejemplo,enaceleradoresdepartculas,
radares,sistemasdecalentamientoindustrialyaparatosderayosX.
El estudio de los dispositivos electrnicos al vaco, salvo casos aislados, ha sido prcticamente
eliminado de la mayora de los planes de estudio actuales y la mayor parte de los estudiantes
desconocen por completo tanto los principios fsicos como las aplicaciones actuales de estos
dispositivos. Por ello, es conveniente dedicar, aunque slo sea de forma descriptiva y relativamente
superficial, un breve tiempo al estudio de las vlvulas amplificadoras de potencia en uso en
transmisoresderadioytelevisin.
Los retos tcnicos que a que se enfrenta el diseo de transmisores, desde que se inici el servicio
regular de televisin hasta nuestros das no han cambiado significativamente. Tales retos, no
pequeos, han tenido como objetivos principales la obtencin de elevadas potencias, mayores
frecuenciasdeoperacin,reduccindedefectosenlasealtransmitidaymayoreficienciaglobal.El
logro de estos objetivos no es sencillo, ya que con frecuencia, algunos de ellos se contraponen. Por
ejemplo,elfuncionamientoafrecuenciasmsaltassepuedeobtener,generalmente,aexpensasdela
potenciay,paraundispositivoactivoespecfico,lamejoradelarespuestaenfrecuenciaafindeque
seaplanaenlabandadepaso,sepuedeobteneraexpensasdelaeficiencia.Todoslosdesarrollosque
sehanlogrado,hastahacepoco,hantenidoqueverbsicamente,conelmismotipodesealanalgica
de televisin. Sin embargo, en la actualidad se plantea la necesidad de mantener el equilibrio en el
umbral de un cambio tecnolgico, que alterar totalmente la forma en que la industria de
radiodifusinrealizasuactividadcomercial.Setrata,porsupuesto,delatelevisindigital,incluyendo
ladealtadefinicin.
Las consecuencias de este cambio tendrn efectos similares en los pases desarrollados, e
impredeciblesenlospasesenvasdedesarrollo,enquelascondicionessocialesyeconmicashacen
quelatelevisin,sibienextendidaaprcticamentetodoslosestratossociales,seatodavaunlujocuya
obtencin, en el estado actual de la tecnologa analgica, requiere de sacrificios econmicos
importantesdegranpartedelasociedaddeesospases.
Entantoqueenlospasesdesarrollados,enquelasociedadhaalcanzadounestadodebienestartal,
que permitir a prcticamente todos los habitantes acceder a la televisin digital sin que les resulte
onerosa la relativamente pequea inversin adicional que requerir la adquisicin de equipos
complementarios para la recepcin de seales digitales, las sociedades de los pases en vas de
desarrollotendrnmayoresdificultadesenaccederaestosnuevosservicios.Esto,sinconsiderarque,
en los pases en que los sistemas de televisin son financiados parcial o totalmente por el estado,
generalmenteconpresupuestosexiguos,habrdificultadeseconmicasparaasumirelelevadocosto
querepresentalatransicindelosactualessistemasanalgicosadigitales.EntantoqueenlosEstados
Unidos se ha fijado un plazo de diez aos para extinguir por completo los sistemas analgicos de
televisin y, probablemente en Europa se fije un plazo de diez a quince aos, difcilmente podr
hacerselomismoenelrestodelmundo.
Es necesario entender que los sistemas de transmisin digital para el futuro a corto plazo incluirn
mucho ms que la televisin de alta definicin. Las aplicaciones en la industria de la televisin
comprenden transmisin por satlite, cable, fibra ptica, microondas punto a punto y microondas
para distribucin, en muchos casos con capacidad interactiva. Las ventajas de los sistemas digitales
sobre los analgicos estn ampliamente estudiadas y puede recurrirse a un variado nmero de
tcnicasparaalcanzarunobjetivoespecfico.
La lgica convencional indica que un sistema digital es, por definicin, de estado slido y hasta la
exclusin de las vlvulas de vaco. Con respecto a los circuitos lgicos, de control, generacin y
procesadodeseal,lalgicaconvencionalescorrecta.Conrelacinaloscircuitosdealtapotenciala
situacin es discutible. Los MOSFETs pueden considerarse como [interruptores proporcionales], lo
mismo que los tetrodos, klystrons y otras vlvulas de desarrollo reciente como los diacrodos y los
IOTs. No hay nada intrnsecamente digital en un dispositivo amplificador de estado slido. Los
MOSFET han sido utilizados en transmisores analgicos mucho antes de que fuera factible el
desarrollodeequiposdetransmisindigital,yesconvenienteenfatizaralgunasdelascaractersticas
ms importantes de los semiconductores, que los hacen atractivos en los equipos de transmisin de
televisin.Entreellaspuedenmencionarse:
Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofrece

ciertasventajasdesdeelpuntodevistadediseodelasfuentesdealimentacin.
Degradacin suave de la potencia en caso de fallos, gracias a la aplicacin de
redundanciaeneldiseodeloscircuitos.
Sistemasderefrigeracinmssimples,basadossiempreenaireforzado,queevitan
la necesidad de utilizar condensadores de vapor u otros dispositivos de diseo y
mantenimientorelativamentemscomplejo.
Configuracionesdecircuitomseficientes,apesardesumayorcomplejidad.
5.1Conceptosfsicosrelacionadosconlasvlvulaselectrnicas.
Una vlvula o tubo electrnico es un dispositivo compuesto por un cierto nmero de electrodos
contenidos en un recipiente al vaco. Aunque tambin existen vlvulas electrnicas de atmsfera
gaseosa,comovapordemercurio,nen,etc.,aqutrataremosnicamentelasdevaco.Lautilidadde
lasvlvulasdevacoradicaensucapacidadparaconducircorrienteelctrica,cuyamagnitudpuede
controlarse por los voltajes aplicados a sus electrodos. La operacin de todos los tipos de tubos
electrnicos, como su nombre lo indica, depende del movimiento de electrones en su interior.
Repasaremosacontinuacinalgunasdefinicionesporsiacasosehanolvidado.
Electrnvolt(eV).Eslaenergaganadaporunelectrnaceleradoatravsdeunpotencialde1volty
equivalea1.61019J.
Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un tomo o

molculaparaproducirunatransicindeunestadodadoaotrodemayorenergainterna.
Potencialdeionizacin.Eslamenorenerga,expresadaeneV,quedebeproporcionarseauntomoo
molcula bien sea en estado normal o excitado, para liberar un electrn. Como todos lo tomos,
exceptoeldehidrgeno,tienenmsdeunelectrn,untomoomolculapuedetener,engeneral,ms
de un potencial de ionizacin. El primer potencial de ionizacin se refiere a la liberacin de un
electrn de un tomo o molcula en estado normal. El segundo potencial de ionizacin se aplica al
casodeliberarunelectrndeuntomoomolculaqueyahaperdidounelectrn,etc.Laionizacin
puede tambin producirse por la liberacin de dos o ms electrones simultneamente. Cuando los
potenciales de ionizacin o excitacin se expresan en electrn volts, indican el voltaje mnimo que
debeaplicarseentredoselectrodosparacausarlaionizacincomoresultadodelaaceleracindelos
electronesuotraspartculascargadas,debidoalcampoproducidoentreloselectrodos.
Ionizacin.Engeneral,unionesunapartculaelemental,oungrupodepartculas,concargaelctrica
totalpositivaonegativa.Lostomosomolculasquehanperdidoocapturadounoomselectrones
adquierenunacarganetapositivaonegativa,segnelcasoyconstituyeniones.Elcasomssimplees
un ion negativo, formado por un electrn libre. El proceso de ionizacin puede ocurrir en gases,
slidosolquidosypuedeocurrirpordiversascausasentrelasqueseencuentran:
a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u otros

iones.
b) Colisindetomosomolculasconfotones(efectofotoelctrico).
c)
Radiacincsmica.
d) Altastemperaturasengasesovapores.
e) Accinqumica.
Unadelascausasmsimportantesdeionizacinenlostuboselectrnicoseslacolisindeelectrones
rpidos con tomos o molculas. Para que un electrn pueda ionizar a un tomo o molcula, su
energacinticadebeserporlomenos,igualalprimerpotencialdeionizacindeltomoomolcula
con la que choca. En gases o vapores tambin se produce ionizacin cuando se bombardean con
electronescuyaenergacorrespondealprimerpotencialdeexcitacin.
Carga de espacio. Un grupo de cargas libre en el espacio constituye una carga de espacio o carga
espacial.Silacargaesnicamentedeunsigno(+o),osiunsignopredominasobreelotro,lacarga
produceuncampoelectrostticoylarelacinentrelacarganetacontenidaenunciertovolumenyla
intensidaddelcampoelctricoproducidoestdadaporlaleydeGauss.
El movimiento de una carga espacial da lugar a una corriente espacial, cuya densidad es igual al
productodeladensidadvolumtricadecargaporlavelocidadnormalalrea.Convencionalmentese
tomacomodireccindelacorrienteelctricaladelascargaspositivas.
Electroneslibresenmetales.Enlosmetales,loselectronesestn,porlogeneral,dbilmenteligadosa
los tomos y, en slidos o lquidos, pueden pasar fcilmente de un tomo a otro. Estos electrones
libresestnencontinuomovimientoenlamasametlicay,ancuandoenuninstantedeterminado
puedanestarligadosdbilmenteauntomoparticular,enpromedionoexperimentanningunafuerza
en alguna direccin especfica. Son estos electrones libres quienes hacen posible la conduccin
elctricaenlosmetalesydesempeanunpapelfundamentalenlaemisintermoinica.
Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superficie

metlica,induceenstaunacargaimagenpositivaquetiendeaatraerlodenuevoalinterior.Paraque
unelectrnpuedaefectivamenteescapardelmetaldebecederunapartedesuenergacinticapara
venceresafuerza.Estaenergacinticaquepierdeelelectrnparaalejarselosuficientedelosefectos
de la fuerza imagen se designa como funcin de trabajo y es distinta para diferentes materiales. De
hecholafuncindetrabajosedefinecomolaenergamnimanecesariaparaliberaraunelectrndel
niveldeFermi1delasuperficiedeunmetalhastaelinfinitoyseexpresaenelectrnvolts.EnlatablaI
sedanalgunosvaloresrepresentativosdelafuncindetrabajoeneVparavariosmetales.
TablaI.Funcindetrabajoenelectrnvoltsparadiversosmetales
Tungsteno
4.52
Platino
5.0
Tantalio
4.1
Molibdeno
4.3
Plata
4.1
Bismuto
3.7
Hierro
3.7
Zinc
3.4
Aluminio
3.0
Calcio
3.4
Litio
2.35
Titanio
2.4
Carbn
4.5
Cobre
4.0
Torio
3.0
Magnesio
2.7
Nquel
2.8
Sodio
1.82
Mercurio
4.4
Calcio
2.5
Bario
2.0
Tungstenotoriado
2.63
Oxidodenquel
0.5a1.5
1
El nivel de Fermi es el nivel de energa al que la funcin de distribucin estadstica de Fermi-Dirac, para un conjunto de
partculas es igual a . Tambin se designa como energa de Fermi.
Potencial de contacto. Es la diferencia de potencial que se produce entre las superficies de dos
metales, bien sea en contacto o conectados a travs de un circuito externo y es consecuencia de las
diferentes funciones de trabajo de los metales. Es aproximadamente igual a la diferencia entre las
funciones de trabajo dividida por la carga electrnica. Como puede apreciarse de la tabla I, los
potencialesdecontactopuedenserdelordende1a4voltsyesnecesariotenerlasencuentacuando
los voltajes aplicados son pequeos o cuando se requiere gran precisin en el anlisis del
comportamientodeundispositivo.
Emisin de electrones u otros iones en slidos. Los slidos, y tambin los lquidos, pueden emitir
electronesoionesenalgunadelasformassiguientes:
a) Emisintermoinica.
b) Emisinfotoelctrica.
c)
Emisinsecundaria.
d) Emisinporcampo.
e) Desintegracinradioactiva.
Emisintermoinica.Eselprocesofundamentalenlasvlvulaselectrnicasylateoradelaemisin
deelectronesporcuerposcalientessedebeenbuenaparteaRichardsonen1901ysebasa,enmuchos
aspectos,enlatermodinmicaylateoracinticadelosgases.Elcalorqueposeeunmetal,sesupone
consecuencia del movimiento aleatorio de molculas, tomos y electrones. Como resultado de las
colisiones entre electrones, y entre stos y tomos o molculas, la velocidad y direccin de los
electronescambiacontinuamenteyhacequealgunosdeellosincidansobrelasuperficieinteriordel
metal.Silamagnitudydireccindelavelocidaddealgunoselectronesestalquesuenergacintica
sea igual o mayor que la funcin de trabajo, estos electrones escaparn del metal. El nmero de
electronesquealcanzanlasuperficieporunidaddetiempo,conunacomponentedevelocidadnormal
aaqullayconenergaigualomayoralafuncindetrabajo,esproporcionalalaporcindetodoslos
electroneslibres enel metal con tales velocidades.A temperatura ambienteelnmero de electrones
queescapandeunmetalessumamentebajoynoesposibledetectarningunaemisinsignificativa.
Siaumenta la temperatura del metal,aumenta tambin el nmero de electrones libres,su velocidad

mediayportanto,suenergacintica.Laposibilidaddeescapardelasuperficiemetlicaaumentaen
consecuencia y es posible observar fenmenos de emisin termoinica a temperaturas del orden de
1000K.Sienunaampollaalvacosecolocaunsegundoelectrodoqueactecomocolectoronodoa
temperaturaambientey,entresteyelemisoroctodoseconectaexternamenteungalvanmetro,en
laformaquesemuestraenlafigura1,sepuedemedirunapequeacorrienteentrelosdoselectrodos,
comoconsecuenciadeladifusindeelectronestrmicosenelinteriordelaampolla.Enelcircuitode
la figura 5.1 el ctodo es calentado por un filamento alimentado por una fuente externa y entre el
nodoyelctodonoseaplicaningnvoltaje.
Emisor
termoinico
(ctodo)
Colector
(nodo)
Ampolla al
vaco
Calefactor
Galvanmetro
Fig.5.1.Deteccindelaemisintermoinicasinaplicacin
devoltajealnodo(colector).
Los electrones que llegan al nodo vuelven al ctodo por el circuito externo y evitan que se cargue
positivamente.Estoselectronessonsolamenteunapequeafraccindelosemitidosporelctodo,que
se mantienen en su cercana formando una nube electrnica. Este fenmeno fue observado
inicialmenteporEdisonyseledesignacomoefectoEdison.
Si se aplica un voltaje positivo al nodo insertando una fuente en el circuito externo en serie con el
galvanmetro,seproducirenelinteriordeltubouncampoelctricoqueatraermselectronesdela
cercanadelctodoy,porconsecuencia,lacorrientequeregistrarelgalvanmetrosermayor.Tales
el principio del diodo en el que se tienen solamente dos electrodos. Si se aumenta gradualmente el
voltaje positivo del nodo, la corriente aumentar hasta un punto en que prcticamente todos los
electrones emitidos por el ctodo emigran de ste y son capturados por el nodo. Esta corriente se
designa como corriente de saturacin y el voltaje de nodo necesario para alcanzarla, como voltaje de
saturacin.Lacorrientedesaturacindependedelatemperaturadelctodoydesufuncindetrabajo.
Solamente los electrones con suficiente energa cintica pueden escapar del metal del ctodo, por lo
quelaemisintermoinicadalugaraquesereduzcalaenergacinticadelosrestantestomosenel
metal y, por consecuencia, disminuye su temperatura. Por ello, el calentamiento del ctodo debe
mantenerse de forma continua para evitar que se reduzca la temperatura como resultado de la
emisin.
Unctodo,utilizadocomoemisortermoinicodebesatisfacerdosrequisitos:altaeficienciadeemisin
yvidatillarga.Laeficienciaaltadeemisinseconsigueconmetalesdebajafuncindetrabajoyla
vida til, manteniendo la temperatura del ctodo suficientemente alejada del punto de fusin o de
evaporacindelmetal.
Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona la

densidaddecorrienteelectrnicadebidaalaemisintermoinicacomo
J s = AT e
2
W
kT
(5.1)
donde:Js=CorrientedeemisinenA/cm2.
A=Constantequedependedelmaterialemisor,cuyovaloresdelordende2.
T=Temperaturaenkelvins.
k=ConstantedeBoltzmann(1.381023J/K).
W=Funcindetrabajo.
b1=Constantequedependedelanaturalezadelasuperficieemisorayquedauna
medidadeltrabajoquedeberealizarunelectrnparaescapardelasuperficie
emisora.
Laecuacinanteriorasumequelaintensidaddecampoelctricoesceroenlasuperficiedelctodoy,
sisesuponeunmetalparaelqueA=2yW=1eV(1.6 1019J)setienelacurvamostradaenlafigura
3.2.
Fig.2.Densidaddecorrientedebidaalaemisintermoinica
enfuncindelatemperaturadelemisor
Conviene notar que la emisin termoinica no es significativa para temperaturas inferiores a unos
1000K.Silafuncindetrabajodelmetalesmayora1eVlacurvasedesplazaaladerecha.
LaecuacindeRichardsonDushamasumequelaintensidaddecampoelctricoenlasuperficiedel
ctodoemisorescero.Siloselectronesseacumulanenelexteriordelctodoycercadesusuperficie,
forman una nube de carga negativa que puede desplazarse hacia un segundo electrodo positivo.
Como consecuencia de ese desplazamiento, las condiciones del campo elctrico en la superficie del
ctodocambian.Langmuirencontrquesielvoltajeaplicadoalnodonoessuficientementealto,el
aumento indefinido de la temperatura del ctodo no produce un aumento indefinido de corriente,
sinoqueparacadavoltajeparticulardelnodosealcanzaunaregindesaturacin,comoseilustraen
lafigura5.3.
Corriente de nodo
Richardson-Dusham
V2 > V1
Voltaje de nodo, V1
Temperatura
Fig.5.3.Saturacindelacorrientedenododebidaalefectodelacargadeespacio.
Seobtienencurvassimilaresparalacorrientedenodoenfuncindelvoltajedenodoatemperatura
constante
Tiposdectodos.Laemisintermoinicapuedeconseguirseyaseadirectamenteporunfilamento
calentado por la accin de una fuente externa o, como se indica en la figura 5.1, con un filamento
separado del ctodo que acta como fuente de calor para ste. En el primer caso en que el propio
filamentoactacomoctodosedicequeeltuboesdecaldeodirecto.Enelsegundo,dondeelfilamento
yelctodosondoselementosdiferentes,lavlvulasedesignacomodecaldeoindirecto.lamayorparte
delasvlvulasutilizadasentransmisin,exceptoabajaspotencias,sondecaldeodirecto.
Losmetalespurosconbajafuncindetrabajo,talescomolosmetalesalcalinosoelcalcionopueden
utilizarse como emisores ya que se evaporan a temperaturas a las que empieza a obtenerse emisin
apreciable. Solamente dos metales en estado puro, el tungsteno y el tantalio son adecuados para
utilizarsecomoemisores,sibieneltantalionoseutilizayaqueesmssensiblealaaccindelosgases
residualesqueseproducenenelinteriordeltuboaconsecuenciadelaelevadatemperaturaytambin
sutemperaturadeevaporacinesinferioraladeltungsteno.
Segnsemencion,lasvlvulaselectrnicasparapotenciaspequeassuelenserdecaldeoindirecto,
enqueelctodoconsistedeuncilindroomanguitometlico,generalmentedenqueloaleacionesde
estemetalconotrosyunrevestimientodeunaovariascapasdeunamezcladecarbonatosdebarioy
estroncio.Estopermitealcanzarfuncionesdetrabajomuybajas,delordende0.5a1.5eVconloquese
consiguen elevadas eficiencias de emisin a temperaturas del orden de 1000 K. En el interior del
ctodo,ysincontactoconl,seencuentraunfilamentocalefactorqueleproporcionalatemperatura
necesariadeemisin.Lastemperaturasdefuncionamientodelosctodosvandesdealrededorde1000
K para ctodos de xido cuya funcin de trabajo es del orden de 1 eV, hasta 2500 para los de
tungstenopuro,decaldeodirecto,confuncindetrabajode4.5eV.
Ancuandoelrecipientedelavlvulaestalaltovaco,nuncaesposiblelograrunvacototaldeaire
u otros gases, por lo quealgunos residuos gaseosos suelenquedar ocluidos en los materiales de los
electrodos. La presencia de cantidades significativas de gas en el interior de un tubo electrnico lo
haceintil.As,lapresenciadeoxgenoreduceoanulalaemisinelectrnicaenlosctodosdexido,
aldarlugaraoxidacindelmetalactivooproducirdepsitosdeionespositivossobrelasuperficiedel
ctodo.Eldesarrollodepuntoscalientesenelctodo,debidoainhomogeneidadesdelmaterialoa
calentamientonouniformees,tambin,unacausadedeteriorodelctodo.Enestospuntoscalientesla
temperatura aumenta y tambin la emisin, pudiendo dar lugar a efectos acumulativos que traen
comoconsecuencialadestruccindelctodo.
En las vlvulas de caldeo directo, para potencias superiores a unos 100 w, se prefieren los ctodos
(filamentos) de tungsteno o de una aleacin de tungsteno con pequeas cantidades de torio,
designadacomotungstenotoriado,conmenorfuncindetrabajoqueeltungstenooeltoriopuros.
Emisinsecundaria.Ademsdelaemisintermoinicahaydostiposdeemisinqueintervienende
manera importante en el funcionamiento de los tubos electrnicos, con frecuencia con efectos
indeseables: la emisin secundaria y la emisin por campo. En algunos tubos, como los
multiplicadores electrnicos se aprovecha la emisin secundaria, pero en el caso de las vlvulas de
transmisin,esgeneralmenteindeseable.
Laemisinsecundariaseproducecuandounionountomoexcitadochocancontralasuperficiede
unslidoycausanlaexpulsindealgunoselectronessecundarios.Elnmerodeelectronessecundarios
emitidosporcadaelectrnprimarioesfuncinnoslodelaenergacinticadelelectrnincidentey
delafuncindetrabajodelemisorsecundario,sinotambindelaenergatrmicainternadeste.La
cantidaddeelectronessecundariosaumentaconlavelocidaddeloselectronesprimarios.Laemisin
secundariapuedetenerefectosapreciablesenelfuncionamientodelostuboselectrnicosavoltajesde
aceleracininclusomuypequeos,delordende10volts.Avoltajesmsaltoslaemisinsecundaria
tiende a disminuir, posiblemente porque los electrones incidentes penetran ms en el slido y
transfierenlamayorpartedesuenergaaelectronesalejadosdelasuperficie.Loselectronesprimarios
pueden ser absorbidos, reflejados o dispersados por la superficie y el nmero de electrones
secundariosemitidosesmenorsielbombardeoesconionespositivosenlugardeelectrones.
Unodelosmejoresemisoressecundarioseselxidodecesio,parcialmentereducidosobreunabase
deplata.Paraenergasdeelectronesprimarioscomprendidasentreunos400y700eV,lasuperficiede
estematerialtieneunarelacindeemisinsecundariade10,esdecir,emitediezelectronesporcada
electrnprimario.
El bombardeo con iones positivos tambin puede producir emisin secundaria, pero con mucho
menoreficienciaquesielbombardeoesconelectrones.Estosedebeaqueenelprocesodecolisin
entre un ion pesado y un electrn, slo puede impartirse al electrn una pequea fraccin de la
energadelion,anenunchoquefrontal.Finalmentehayquemencionarquetambinlosaisladores
puedenemitirelectronessecundarios.
Emisinporcampo.Loscamposelctricossobrelassuperficiesemisorasdeelectronestambintienen
influenciaenlaemisin.Enestecasoelcampoelctrico,siesdelsignoadecuado,ejerceunainfluencia
extractora sobre los electrones cercanos a la superficie que tiende a arrancarlos de ella,
independientementedelatemperaturaalaqueseencuentredichasuperficie.Enelcasodelaemisin
termoinica,loscampossobrelasuperficiedelctodotiendenaaumentarlaemisindeelectronespor
ste, mediante dos mecanismos principales. Si el campo aplicado es dbil o moderado, se reduce la
barrera de potencial en la superficie del ctodo, lo que resulta en una reduccin de la funcin de
trabajoefectiva.EstefenmenoseconocecomoefectoSchottky.
Silaintensidaddelcampoaplicadoalemisoreselevada,labarreradepotencialsereducelosuficiente
como para producir un efecto de tnel. Este fenmeno es muy importante en las vlvulas de
transmisinquefuncionanconpotencialeselevadosyrecibeelnombredeemisinporcampoytambin
emisindectodofro.Enestetipodeemisinporcampointenso,loselectronesnonecesariamente
deben tener la energa necesaria para cruzar la barrera de potencial determinada por la funcin de
trabajo.Cualquierelectrnpuedeparticiparenelmecanismodetnelrelacionadoconlaemisinde
campointensoy,puestoqueenunmetalhayunagrancantidaddeelectronesdisponiblesparaeste
proceso,ancuando la probabilidad de escape seamuy pequea, puedenalcanzarse densidades de
corrientedeemisinelevadas.
An cuando en algunos dispositivos como el microscopio electrnico de emisin por campo este
efectoconstituyeunafuentetildeproduccindeelectrones,engeneralesunefectoindeseableque
resultadestructivoenelcasodelasvlvulaselectrnicas,yaquealarrancarliteralmenteloselectrones
delctodo,inclusoabajastemperaturas,provocasudestruccincomofuentedeemisintermoinica.
10
5.2Diodos
Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimentacin,

prcticamente han dejado de utilizarse en los transmisores de radio y televisin y han sido
reemplazados completamente por diodos de estado slido, rectificadores controlados de silicio o
tiristores y triacs. Los principios de funcionamiento de los diodos al vaco se han descrito en las
secciones anteriores y su inters aqu, es nicamente esbozar los principios fundamentales de las
vlvulas de vaco. An cuando desde el punto de vista terico el estudio de los diodos al vaco es
interesante,omitiremosaquuntratamientomsamplio.
5.3Triodos
Lostriodossiguenutilizndoseextensamente,sobretodoenlasbandasdeLF(30a300KHz),MF(300
KHz a 3 MHz) y HF u onda corta (3 a 30 MHz). En radiodifusin sonora en FM y televisin se
prefierenlostetrodosuotrostiposdetuboscomoelklystronyelIOTquesetratarnmsadelante.
Sin embargo, el estudio de los triodos es importante para comprender el funcionamiento de otros
tiposdevlvulasmscomplejasyporello,seresumirnacontinuacinalgunasdesuspropiedadesy
caractersticasmsimportantes.Eltriodoesunavlvuladevacodetreselectrodosyfueinventada
porLeedeForestenlosEstadosUnidosenlasegundadcadadelsigloXX.
En el triodo,ademsdel ctodo y la placa se tieneun tercer electrodo constituido poruna rejillade

alambremuyfino,intercaladaentrelaplacayelctodoyfsicamentecercanaaste.Estarejadecontrol
puede tener diversas configuraciones; puede ser una hlice de alambre o un cilindro de malla de
alambreyanuncilindroslidoconunaperforacinparapermitirelpasodeloselectroneshaciala
placa.Elsmbolohabitualparaeltriodoeselqueseindicaenlafigura5.4.
Placa
Reja de
control
Filamento
Ctodo
Figura5.4.Triodo
Sialarejadecontrolnoseleaplicaningnvoltajeosiselaconectadirectamentealctodo,lavlvula
secomportaigualqueundiodo.Sinembargosiseleaplicaunvoltajenegativorespectoalctodo,se
produciruncampoelctricoentrerejayctododesignoopuestoalcampoentreplacayctodo,que
seopondralpasodeloselectronesporlaregincercanaalarejayreducirlacorrientetotaldeplaca
respecto a laque se tendra si la reja no estuviera polarizada. Si, por el contrario, la reja se polariza
positivamente respectoalctodo,atraer ms electrones de la regin de carga de espaciocercanaal
ctodo y aumentar la corriente de placa. Adems, al ser la reja positiva, atraer una parte de los
electronesqueviajanhacialaplacayseestablecerunacorrienteelctricaenelcircuitoexternoentre
rejayctodo.Enlaprctica,conexcepcindelosamplificadoresquefuncionanenclaseC,elvoltaje
derejanoalcanzavalorespositivosylacorrientederejaescero.Enestascondicioneslaimpedancia
entrerejayctodoesprcticamenteinfinita.
11
Curvasdeplaca.Sielvoltajederejasemantieneconstante,lacorrientedeplaca,alvariarelvoltajede
placa, sigue una variacin similar a la que se tiene en un diodo. La diferencia en el triodo es que,
dependiendodelamagnituddelvoltajedereja,sernecesariomayorvoltajedeplacaparaconseguir
lamismacorrientedeplacacuandoelvoltajederejasehacemsnegativo.Enlafigura5.5semuestra
uncircuitoconelquepuedeobtenerselafamiliadecurvasdeplacaparauntriodo.Enestascurvasse
trazan los valores de corriente de placa para diferentes voltajes de placa, manteniendo constante el
voltajedereja.
A
V
VG
VG
V BB
Fig.5.5Circuitoparadeterminarlascurvascaractersticasdeuntriodo.
Sisemantieneelvoltajederejillaconstanteysevaraelvoltajedeplaca,seobtienencurvascomolas
mostradas en la figura 5.6. Estas curvas corresponden a un trodo de los utilizados actualmente en
amplificadoresdeaudioysedesignancomocurvasdevoltajederejaconstante..
Fig.5.6.Curvascaractersticasdeuntriodo6N1P
En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de placa

constantecomolasdelafigura5.7yquesonfuncindelosvoltajesderejayplaca.Seobserva,adems
delascurvasdecorrientedeplacatrazadasconlneascontinuas,selasdecorrientederejaconlneas
punteadas. La corriente de reja circula cuando su voltaje es positivo con respecto al ctodo, lo que
ocurreenamplificadoresclaseCdurantecortosintervalosdelciclodelaseal.
Eltrododelafiguraesun3CX400A7,capazdefuncionarenlabandade30a500MHzaunapotencia
de salida de hasta 500 W. El voltaje tpico de funcionamiento de placa es de 2 KV. y la potencia
requeridaalaentradaesdeunos20W,porloquesugananciaesde25(14dB).
12
Figura5.7.Caractersticasdeuntrododepotencia3CX400A7
Acausadelacercanadelarejaconelctodo,cualquiervariacinenelvoltajederejatieneunefecto
considerablementemayorsobrelacorrientedeplacaqueunavariacinigualenelvoltajedeplaca,lo
quehaceposiblelaamplificacindelvoltajedelassealesaplicadasenlareja.Sedefineunfactorde
amplificacindeuntriodoy,engeneraldeotrostubosdevaco,comolarelacindecambiodelvoltaje
deplaca,vp,respectoalvoltajedereja,vg.
v p
v g
(5.2)
Otrosparmetrosdelostriodossonlaresistenciadeplaca(rp)ylatransconductancia(gm).Laresistencia
deplacarepresentalavariacindelvoltajedeplacarespectoalacorrientedeplaca,ip,manteniendo
constanteslosrestantesvoltajesdetuboysedefinecomo:
rp =
v p
i p
(5.3)
Latransconductancia,oconductanciamutua,expresalavariacindelacorrientedeplacarespectoal
voltajedereja,manteniendoconstanteslosdemsvoltajes.Seexpresacomo:
gm =
i p
v g
Delasexpresionesanteriorespuedeobtenerselarelacinsiguiente:
= g m rp
(5.4)
(5.5)
13
Neutralizacin. En los tubos de vaco estn presentes capacidades interelectrdicas e inductancias de

terminal que constituyen elementos designados como parsitos y que actan, entre otras cosas, como
elementosderealimentacinquedanlugaraoscilacionesparsitas.Enlostriodosesparticularmente
importante la capacidad interna entre reja y placa, ya que constituye un elemento de acoplamiento
entre la salida y la entrada que, en las condiciones adecuadas de fase, es capaz de hacer que el
amplificador entre en oscilacin. Este efecto es indeseable en un amplificador y es necesario
eliminarlo.Paraello,unatcnicahabitualesutilizarunareddedesacoplamientoentrelaentradayla
salidaque,confrecuencia,sereduceauncondensadorexternoconectadoentreplacayreja.
Aplicaciones de los triodos. En la actualidad los triodos se emplean casi nicamente en

amplificadores de alta potencia de RF, entendindose aqu, un tanto ambiguamente el trmino de
alta potencia, como aqullas potencias superiores a unos 500 w. En los ltimos aos han vuelto a
encontrar aplicacin en amplificadores de audio, ya que los audifilos encuentran ms agradable el
sonido obtenido con amplificadores a vlvulas que con los de estado slido. En la figura 5.8 se
muestran algunos de los triodos de alta potencia de diseo y manufactura reciente. En general este
tipodetubosseempleaenradiodifusinsonoraenlasbandasdefrecuenciasmedias(5401650KHz)y
altas(330MHz).EnlasbandasdeVHFyUHFporlogeneralseempleantetrodos.
Fig.5.8.Triodosdepotenciaparatransmisin(EnglishElectricValveCo.Ltd.)
5.4Tetrodos
Untetrodoesunavlvuladevacodecuatroelectrodosque,ademsdelctodo,larejadecontrolyla
placaincluyeunarejaadicionalentrelaplacaylarejadecontrol,alaquesedesignacomorejapantalla
y habitualmente se abrevia como SG (screen grid). La forma de esta reja es similar a la de la reja de
control,esdecir,unahliceounamallametlicafina.Elsmboloutilizadoparaeltetrodosemuestra
enlafigura5.9.
14
Placa
Reja pantalla
Reja de control
Ctodo
Filamento
Fig.5.9.Smbolodeltetrodo
La reja pantalla o simplemente, pantalla, se introdujo originalmente para eliminar algunos de los
inconvenientes inherentes a los triodos, causados principalmente por la relativamente elevada
capacidadentrerejayplaca.Talesefectosson,primero,elefectoMiller,quehacequelacapacidadde
entrada de un triodo aumente con su ganancia y, segundo, la necesidad de neutralizar un triodo
sintonizadoparaevitarlarealimentacinatravsdelacapacidadrejaplaca,queproduceoscilaciones
indeseables. Puesto que la reja pantalla forma un blindaje electrosttico entre la reja de control y la
placa,lacapacidadentreestosdoselectrodossereduceconsiderablemente,minimizandoaselefecto
Milleryeliminandolanecesidaddeneutralizacindelosamplificadorescontetrodossintonizadosa
frecuenciasbajasomoderadas.
Puesto que la pantalla constituye un blindaje electrosttico entre el ctodo y la placa, el voltaje de
placa tiene muy poco efecto sobre el gradiente de potencial en la superficie del ctodo y, por
consecuencia,muypocoefectosobrelacorrienteenlavlvula.Lapantallaporlogeneralfuncionacon
voltajespositivosquesesitanentre0.25y1.0delvoltajedeplaca.
Curvascaractersticasdelostetrodos.Lascurvascaractersticasdelacorrientedeplacarespectoal
voltajedeplacasemuestranenlafigura5.10.Segnaumentaelvoltajedeplacadesde0V,lacorriente
deplacaaumentainicialmente,peroluegoempiezaadisminuirenlazonaenqueelvoltajedeplacaes
ligeramente inferior al de pantalla. Esta caracterstica de resistencia negativa es debida a la emisin
secundariaenlaplaca.Esdecir,loselectronesquechocanconlaplacaprovocandesprendimientode
electrones secundarios de sta, que son atrados por la pantalla cuando su voltaje es superior al de
placa.Avoltajesdeplacasuperioresaunos25Vlavelocidadadquiridaporloselectronesessuficiente
paraproduciremisinsecundariaenlaplaca.As,paraunvoltajeconstantedelarejadecontrol,la
corrientedeplacadisminuyealaumentarelvoltajedeplacaylaresistenciadinmicadelaplacaes
negativa,hastaqueelvoltajedeplacaesmayorqueeldepantalla.Estoseilustraenlagrficadela
figura5.11,enquesemuestralacorrientedepantallarespectoalvoltajedepantalla,paraunvoltaje
depantallaconstante,de65Vyconlarejadecontrola3V.
Tanprontoelvoltajedeplacaaumentasobreeldepantalla,loselectronessecundariosemitidosporla
placaqueregresanaellaaumentanconsiderablementey,avoltajesdeplacaligeramentesuperioresal
de pantalla, la corriente de pantalla disminuye considerablemente, como se puede apreciar en la
figura5.11.
15
Fig.5.10.Curvascaractersticasdeuntetrodo
Fig.5.11.Caractersticadelacorrientedepantallarespectoalvoltajedeplaca.
Asuvez,larejapantallatambinemiteelectronessecundarios,comoconsecuenciadeloselectrones
quelleganaelladelaregindelctodoylarejadecontrol.Sinembargo,estoselectronessecundarios
contribuyenmuypocoalacorrientetotaldeplacayaquesunmeroesproporcionalmentemenory,
adems,porqueengeneralseemitendelladodelarejadecontrolynodeldelaplaca,demodoque
nosevenafectadosdirectamenteporelvoltajedeplaca.Delasfiguras5.10y5.11puedeinferirseque
16
lascorrientesdeplacaypantallasonprcticamenteconstantesparaunvoltajedepantalladado,igual
omenorqueelvoltajedeplaca,independientementedelvalordeste.
Aunqueenlareginderesistencianegativaeltetrodopuedefuncionarcomooscilador,porlogeneral
noseutilizaparaestafuncin.Enlasaplicacionescomoamplificador,lareginderesistencianegativa
constituyeunadesventajaimportantedeltetrodoque,sibienpuedeeliminarseaadiendounatercera
rejillaentrelapantallaylaplaca2,tambinpuedeeliminarsemedianteundiseoespecialdeltetrodo
en que en el interior del tubo se conforman haces electrnicos de alta densidad entre el ctodo y la
placayutilizalosefectosdelacargadeespacioenlareginentrelapantallaylaplacaparaeliminar
los efectos de la emisin secundaria. Las vlvulasde este tipo sedesignan como tetrodos de haz de
potencia.Laestructurainternadeuntubodeestetiposemuestraenlafigura5.12.
Fig.5.12.Estructurainternadeuntetrododehazdepotencia.
La superficie del ctodo es plana y los hilos de las hlices de la reja de control y la pantalla estn
alineados,demodoquelaprimeraconstituyeunblindajeelctricoentrelapantallayelctodo.Las
placas conformadoras del haz electrnico se localizan a los lados del ctodo y estn conectadas
internamente a ste. Estas placas hacen que la corriente en la vlvula forme haces electrnicos
estrechosycondensidadrelativamentealta.Ladistanciaentrelapantallaylaplacaesmayorqueen
lostetrodosconvencionalesdemodoquelamayorpartedeloselectronesqueconstituyenlacorriente
deltuboseencuentranentrelapantallaylaplacaencualquierinstante.Estoselectronesformanuna
carga de espacio en la regin pantallaplaca y producen campos electrostticos en el plano de la
pantalla y en la superficie de la placa. La densidad de esta carga de espacio es inversamente
proporcionalalvoltajedeplacaydirectamenteproporcionalalacorrienteenlavlvula.Elefectode
estacargadeespacioesdoble:porunapartehacequeloselectronessecundariosemitidosporlaplaca
regresenaellay,porotradesaceleraaloselectronesquepenetranenlareginentrelapantallayla
placa, lo que a su vez, hace que aumente la carga de espacio. El resultado de estos efectos produce
curvascaractersticasdeltipoquesemuestraenlafigura5.13,enestecasoparauntetrodoantiguo,
del tipo GU13. Este tetrodo, utilizado para comunicaciones en la banda de HF (330 MHz), puede
A esta tercera rejilla se la designa como supresora y la vlvula con tres rejas se llama pentodo. Los pentodos no suelen
utilizarse en amplificadores de potencia de RF.
17
entregarencondicionestpicas,220Wa15MHzavoltajesdefuncionamiento,UA=2KV,USG=400V,
UG1=35V,conunacorrientedeplacadelordende50mA.
Fig.5.13.Curvascaractersticasdeplacadeuntetrodo
dehazdepotenciatipoGU13
Enlaregindevoltajedeplacabajoydecorrienteinyectadaconstanteydealtadensidad,lacargade
espacioentrelapantallaylaplacaessuficientementegrandecomoparareducirelpotencialaceroen
unplanoentrelapantallaylaplaca,formandounctodovirtualendichoplano.Enesascondiciones,el
gradientedepotencialenelplanodelapantallaestalquesololoselectronesinyectadosconsuficiente
velocidadparavencerlafuerzadelcamponegativo,llegarnalaplacaytodoslosdemselectrones
regresarn hacia la pantalla y sern, o bien capturados por ella, o pasarn a la regin de carga de
espacioentrelapantallayelctodo.Unaumentorelativamentepequeodelvoltajedeplacaproduce,
enlaregindelaizquierdadelascurvasdelafigura14,unaumentoconsiderabledelacorrientede
placa,yaqueelctodovirtualsedesplazahacialaplacasegnaumentaelvoltajedeplaca.
Cuandoelvoltajedeplacaaumentahastaunvalorenquelacorrientedeplacaesigualalacorriente
inyectada, la corriente de placa ya no aumenta, puesto que toda la corriente inyectada a la regin
pantallaplacavaapararaestaltima.Enestascondiciones,elaumentoenelvoltajedeplacayano
produce aumento de la corriente de placa ya que la accin de blindaje de la pantalla impide que el
potencialdelaplacaalterelacorrientedectodoyelctodovirtualprcticamentehadesaparecido.
Debidoaquelapantallaestbienaisladadelctodoacausadesualineamientoconlarejadecontrol,
el nmero de electrones interceptados por la pantalla es bajo y la corriente de pantalla es pequea
respecto a la corriente de placa, de modo que la linealidad de las curvas de la figura 14 permite
excursionesgrandesdesealconpocadistorsinyesto,aunadoalabajarelacinentrelascorrientes
depantallayplaca,permiteobteneraltaseficienciasenlostetrodosdehaz.
18
En la figura 5.14 se muestra un tetrodo de haz de potencia, tipo 465A, en ampolla de vidrio al vaco. Este tipo de vlvula es capaz de
entregar 120 W a una frecuencia de 150 MHz, con una potencia de
entrada de 3 W.
El nodo o placa se conecta en la parte superior y puede apreciarse
la forma de la placa, similar a la mostrada en la figura 13. Los
electrodos restantes, ctodo, rejas de control y pantalla y electrodos
formadores del haz, se sitan en el espacio al interior de la placa y
se conectan a las patas en la parte inferior del tubo.
Este tipo de tubos es, en la actualidad, relativamente poco usado y,
principalmente para comunicaciones en HF y VHF, en las bandas
de radioaficionados. Los niveles de potencia de tubos como este
pueden alcanzarse fcilmente en la actualidad con dispositivos de
estado slido como los transistores VMOS, LDMOS y an
transistores bipolares.
Fig.5.14.Tetrododehaztipo465A
Enlafigura5.15semuestrauntetrododehazdeltipo4X250,capazdeentregarunapotenciadesalida
delordende350W.Estetipodevlvulasehausado,yanseempleaampliamenteenaplicacionesde
RF. La placa en la parte superior contiene numerosas aletas entre las que circula aire forzado,
suministradogeneralmenteporlaparteinferioratravsdeconductosadecuados.Lafinalidaddelas
aletasesaumentarlasuperficiederadiacindecalor.Laausenciadeventilacinforzadaenestetipo
detubos,dalugaralafusindelaplacaylaconsiguientedestruccindeltuboenpocosminutos.
Fig.5.15.Tetrododepotencia
Durante dcadas, lo tetrodos fueron mejorndose y se consiguieron tubos capaces de entregar

potenciassuperioresa20KWenUHFyaunquesugananciaesrelativamentebajaysuvidamediatil
delordende15000a20000horas,continanutilizndose,yaquesueficienciaesbuena
19
5.5Diacrodos
Eldiacrodoesuntubodesarrolladoenlosltimosaos,quecomenzautilizarseentransmisoresde
televisinenlabandadeUHF,enradaresyaceleradoresdepartculasalrededorde1994.Suprincipio
de funcionamiento es, bsicamente, el mismo que el de un tetrodo de haz de potencia en que la
corrientedenodoesmoduladaporunvoltajedeRFaplicadoentreelctodoylarejadecontrol.En
lafigura5.16semuestraundiacrodousadoenamplificadorespotenciadetransmisoresdetelevisin
enUHF.Enlafigura17(a)setratadeuntuboenfriadoporaireyenla17(b)deunoenfriadoporagua
ovapor.
Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques
(a)
(b)
Fig.5.16.Diacrodos.(a)Enfriadoporaire.(b)Enfriadoporvapor.
Laprincipaldiferenciaentreeldiacrodoyeltetrodoeslaposicindelaszonasactivaseneltubo,es
decir,suselectrodos:ctodo,rejadecontrol,rejapantallayplacaenloscircuitoscoaxialesresonantes,
loquedacomoresultadounamejoraenladistribucindelacorrientereactivaenloselectrodosdel
tubo.Elcircuitodeltetrodoserealizademodoquequedeunnododecorrientealfinaldeuncircuito
deuncuartodelongituddeonda(/4).Eltetrodo,enunamplificador,espartedelcircuitoresonante
deuncuartootrescuartosdelongituddeonda.Asimismo,susdimensionesgeomtricasjueganun
papelimportanteycondicionanlosvoltajesycorrientesdeRF.Lapotenciaqueentregauntetrodoes
elproductodelvoltajedeRFdeplacaylacorrientedenodoalafrecuenciafundamental.Elvoltaje
de nodo se limita a un mximo del orden de 30 KV y, por consecuencia, para conseguir un
rendimientoelevadoesnecesarioqueelctodotengaunreagrande3.
Elaumentodelreadelctodopuedeconseguirsededosformas:aumentandoeldimetrodelctodo
osualtura.Elaumentodeldimetrodelctodotienedosefectossobresusparmetroselctricos:
a) Disminucin de la frecuencia de resonancia en el modo TE11. Si esta frecuencia es muy

cercana a la frecuencia nominal o a su primer armnico, es muy difcil, sino imposible,
amortiguarlasoscilacionesparsitas.
3
G. Clerc, J.P. Ichac and C. Robert. A New Generation of Grided Tubes for Higher Power and Higher Frequencies. IEEE,
1998.
20
b) Aumentodelascapacidadesparsitasdeltubo.
Alturadelctodo.Lareglaque,deacuerdoalaexperiencia,hasidoadoptadaporlosfabricantesde
tubos,esnoexcedernunca1/16paralaalturadelctodoalamximafrecuenciadefuncionamiento
cuando el tubo opera con un elevadociclo de trabajo. Por ejemplo, a 80 MHz, la mximaaltura del
ctodoserade234mm.Estaregladebeinterpretarse,yesdictada,porlasprdidasaRFgeneradasen
loselectrodosdeltubo,enparticular,larejapantalla.
Enelcircuitodesalida,enelespacioentrelarejapantallayelctodo,losvoltajesycorrientesdeRF
puedenexpresarsemediantelassiguientesecuaciones:
V ( x) = Vmax cos x = Psal R L cos x
(5.6)
I ( x) = J
Vmax
sen x
Zc
(5.7)
Donde,=2/
x=Distanciadesdeelextremosuperiordeltubo.
RL=Impedanciadecargaalaqueestconectadoeltubo.
Vmax=Voltajesobreelejedeltuboenx=0.
ZC=Impedanciacaractersitcadelespacioentreelnodoylarejapantalla.
J=Constantequedependedelageometradeltuboydeltipodectodo.
Lasecuacionesanterioresmuestranquelasdistribucionesdecorrienteyvoltajeenelespacioentreel
nodoylarejapantallanosonuniformesy,porconsecuencia,ladistribucindepotenciatampocoes
uniforme, tenindose la potencia mxima en la parte superior. De hecho, el diseo del diacrodo
combina en un tetrodo las capacidades y ventajas de una tecnologa avanzada con el concepto
desarrolladoporlaempresaRCAhacemuchosaos,ensustriodosdedobleterminacinymuyalta
potencia.
Eldiacrodoes,enrealidad,untetrododedobleterminacin,enelquelasvariacionesenlasprdidas
sonproporcionalesalcuadradodelaalturadelctodo.Portanto,laideaesobtenerlamismaaltura
equivalente del ctodo, poniendo en paralelo dos medios tetrodos. En tales condiciones, las
conexionesseduplicany,conuncircuitoadecuadodesalida,eldispositivopuedesintonizarseenun
circuitode/2conelmximovoltajedenodosituadoalamitaddelaparteactiva,demodoquelas
prdidassonmnimas.Enlafigura5.17semuestralaestructurainternadeundiacrodoy,enla5.18,
lasdistribucionesdecorrienteyvoltajeenuntetrodoyundiacrodo.
21
Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques
Fig.5.17.Estructurainternadeundiacrodo
Comoconsecuenciadeloanterior,conestetipodetubo,lalongitudmximaaceptableparaelctodo
no es de 1/16, sino de 1/8 y la potencia puede duplicarse, asumiendo que el punto de
funcionamientoseeligecuidadosamente.
Fig.5.18.Distribucindecorrienteyvoltajeenuntetrodoyundiacrodo
Porejemplo,entransmisindetelevisin,eltetrodoconmayorcapacidaddepotencia,fueelTH563
fabricado por Thomson, que poda entregar 30 KW en amplificacin comn de vdeo y audio. El
diacrodoTH680,conunctododedoblealtura,escapazdeentregar60KWenamplificacincomn.
En otras aplicaciones en operacin pulsada, tal como se requiere en radares y aceleradores de
partculas,eldiacrodoTH526puedeentregarunapotenciapicode1600KWyelTH628,hasta3000
KW,conpotenciasefectivasde240y600KWrespectivamente.Lacorrientedeplacaenestostubos,
alcanzalos124AenelTH526y164AenelTH628.Lagananciatpicadeestostubosesdelordende
14dB.
5.5Pentodos
Las desventajas de los tetrodos convencionales se superan con los tetrodos de haz y, tambin,
agregandounatercerarejaentrelapantallaylaplaca,quesedesignacomorejasupresora.Lavlvula
contiene ahora cinco electrodos y de ah su nombre: pentodo. La reja supresora va generalmente
conectada al ctodo o a tierra y su funcin es la de producir una regin de bajo potencial entre la
22
pantalla,demaneraanlogaalaqueseconsigueconlasplacasformadorasdelhazenlostetrodos.En
otras palabras, la reja supresora da lugar a un ctodo virtual retornando a la placa los electrones
secundarios emitidos por ella y eliminando la regin de resistencia negativa. Adems, la reja
supresora acta como un blindaje electrosttico adicional entre la placa y el ctodo, reduciendo el
efectodelvoltajedeplacasobrelacorrientedectodo.Lascurvascaractersticasdeunpentodoson
muy similares a las de un tetrodo de haz en que, en la regin lineal, la corriente de placa es
prcticamenteindependientedelvoltajedesta.Enlaactualidadlospentodosyaprcticamentenose
utilizanenaplicaciones de RF.Sin embargo, vuelven aemplearse enamplificadores de audio.Enla
figura 20 se muestra una vlvula de este tipo, en que la conexin de la placa se realiza mediante el
capuchnenlapartesuperiorylasrejasyctodoseconectanatravsdelaspatasenlaparteinferior.
Fig.5.19.Pentodo
5.6Klystrons
Lostriodosytetrodosconvencionales,utilizadosextensamenteenamplificadoresdepotenciaenlos
transmisores de radio y televisin tienen limitaciones de funcionamiento a frecuencias superiores a
unos 500 MHz, a causa de los efectos de las capacidades interelectrdicas y a las inductancias
parsitasintrnsecasdesusterminales,ascomodeltiempodetrnsitodeloselectronesentrectodoy
nodo.Estaslimitacionesdieronlugaraldesarrollodetubosplanosoplanares,enqueloselectrodosse
conectan al exterior mediante discos a fin de reducir los efectos de las inductancias y capacidades
parsitas, con lo que fue posible su empleo hasta frecuencias cercanas a 1 GHz. An as, las
limitaciones inherentes a la geometra de este tipo de tubos hacen que sean poco adecuados a
frecuenciassuperiores.Esto motiv eldesarrollo de otros dispositivos de vaco para amplificacina
frecuencias de microondas, en los que es posible reducir el tiempo de trnsito y los efectos de los
elementosparsitos.Entreellosseencuentranelmagnetrn,elklystronyeltubodeondaprogresiva(TOP
o TWT). Los dos ltimos se designan como de haz lineal y se basan en la interaccin de un haz
electrnicoconcamposelctricos,entantoqueelmagnetrnempleaotroprincipio.Enparticular,los
klystrons han encontrado amplia aplicacin a frecuencias a partir de unos 500 MHz, como
amplificadores de potencia en transmisores de televisin, transmisores de microondas, radares y
aceleradores de partculas. En la dcada de 1990 se desarrollaron dos tipos de vlvulas
considerablementemseficientesquelostetrodosyquelosklystrons.Eldiacrodo,queesunavariante
del tetrodo segn se mencion en la seccin 4 y el tubo de salida inductiva o IOT, que puede
considerarsecomounavariantedelklystron.Estostubosestnreemplazandoelempleodetetrodosy
klystrons en los transmisores de alta potencia de diseo reciente. Researemos aqu algunas de las
principalescaractersticasdelklystron.
Elklystronesuntuboovlvulaalvaco,utilizadoenlageneracinyamplificacindesealesdemuy
altas frecuencias, inventado por R. H. Varian en 1937. El funcionamiento del klystron, tanto como
oscilador o como amplificador se basa en la modulacin de velocidad de los electrones de un haz,
sometidosaaceleracionesyfrenadoscomoconsecuenciadelaaplicacindeunasealvariableenel
23
tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms simple del klystron es la de un tubo

electrnicoconvariascavidades,comoseilustraenlafigura5.20yenelquesedefinentresregiones:
ctodo, nodo y regiones o tubos de arrastre, deriva4 o de interaccin de RF, a las porciones
intermediasentrelascavidades.
Laporcinprincipaldeltubolaconstituyeunciertonmerodecavidadesresonantes,tresenlafigura,
delasqueunaeslacavidaddeentradaalaqueseaplicalasealdeRFyotra,ladesalida,delaque
seextraelasealamplificada.Entrestaspuedenlocalizarseunaomscavidadesintermedias,todas
ellasinterconectadasporseccionesdetubometlicodesignadascomotubosdearrastre.Lascavidades
resonantes se disean de forma que no propaguen energa electromagntica a la frecuencia de
funcionamientodeltubo,conloqueseconsigueungranaislamientoentrelascavidadesdeentraday
salidasinrecurriralempleodeatenuadoresenelinteriordelklystron,caractersticamuyimportante
ydeseableenlosamplificadoresdealtapotencia.
Cavidad de entrada
Cavidad
intermedi
a
Imanes de
confinamiento del
hazelectrnico
Cavidad
de
salida
Can electrnico
Colector
Haz Electrnico
Ctodo
+
Tubo de arrastre
Anodo
Seal
de
entrada
Seal
de
salida
Fig.5.20.Esquemadeunklystrondetrescavidades
En el can electrnico se origina un haz de electrones, que es acelerado a travs de un alto voltaje
aplicado al nodo y que luego pasa a travs de los tubos de arrastre, frente a las cavidades, hasta
impactarenelcolector.Elcuerpoprincipaldeltubo,incluyendoelcolector,semantienegeneralmente
apotencialdetierra,entantoquealctodoyelectrodosdeenfoquedelhazqueconstituyenelcan
electrnico,selesaplicaunpotencialnegativoelevado,delordende20a30KV.
En la cercana del ctodo, un sistema de enfoque electrosttico confina el haz y lo dirige hacia el
interiordelprimertubodearrastre.Paramantenerelconfinamientodelhazenelinteriordeltubode
arrastre y evitar que se disperse hacia las paredes, se aplica un campo magntico axial. En un
procedimiento de colimacin, designado como enfoque de Brillouin, el confinamiento del haz se
consigue hacindolo pasar a travs de una placa magntica, que acta como pantalla de blindaje
contra el campo magntico externo y evita sus efectos en la regin del can electrnico. La
4
Drift
24
componente del campo magntico transversal en laabertura de la placa de Brillouin proporcionaal

haz electrnico un movimiento de rotacin sobre su eje, que al interactuar con el campo magntico
longitudinal(axial)alolargodeltubodearrastre,produceunafuerzacentrpetasobreloselectrones
del haz, en direccin al eje del tubo que, mediante el ajuste adecuado de la intensidad del campo
magnticoaxial,actaanulandoalafuerzacentrfugadebidaalarepulsinproducidaporlacargade
espacio en el haz electrnico. Con este mtodo, empleado tambin en aceleradores de partculas, es
posible confinar el haz electrnico a lo largo de trayectos grandes con mnima intercepcin de los
electrones del haz por las paredes del tubo. En los klystrons prcticos esta intercepcin representa
menosdel1%delhazelectrnico.Elnodocolectortiene,porlogeneral,formaescalonadaodentada,
para aumentar el rea de disipacin trmica y reducir, adems, la posibilidad de que los electrones
secundariosproducidosporelimpactodelhazelectrnicosobreelnodo,regresenalinteriordeltubo
de arrastre. La alimentacin y extraccin de las seales en las cavidades puede hacerse mediante
lneascoaxialesterminadasenlazosacopladosobienconguasdeonda.Enlafigura18seilustra,con
algomsdedetallelaestructurainternadeunklystrondetrescavidades.
En los klystrons de cavidades mltiples o multicavidad, el haz electrnico es largo y requiere ser
enfocado o confinado para que mantenga una seccin transversal pequea a lo largo del tubo. En
tubospequeos,oenlosqueesimportantelainfluenciadecamposmagnticosparsitosoenquese
requierebajopeso,seutilizanlenteselectrostticas,peroenlamayoradelosklystronsseempleaun
campomagnticouniforme,paraleloalhazelectrnico.Entubosdealtapotencia(>5KW),lostubos
seinsertanenelinteriordeelectroimanestoroidalesparaconfinarelhazelectrnicoenelcentrodel
tubo.Enlafigura5.21(a)semuestraunklystrondecuatrocavidades.Lascavidadesenestetipode
tubonosoninternas,sinoqueseacoplanexternamente,comopuedeapreciarseenlafigura5.21(b).
Laszonasdeacoplamientodelascavidadescorrespondenalasporcionesblancasdeltubo,entanto
quelasseccionesmetlicasentrelascavidadescorrespondenalostubosdearrastre.
(a)
(b)
25
Fig.5.21.(a)Klystrondecuatrocavidades.Laparteinferiorcorrespondealctodoylasuperioral
colector.
(b)Klystrondecuatrocavidades,montadoenelcarroparasuinstalacineneltransmisor.
Seaprecianlascavidadesexternasylasbobinasdeconfinamientodelhaz,localizadasentrelas
cavidades.
Enlapartesuperiorsetieneelcolectoryelboilerocalderaparaelenfriamientodeltubo.
(FotografascortesadeEnglishElectricValveCo.Ltd.)
Conelfindedarunaideadelasdimensionesdelosklystrons,enlafigura5.22semuestraunklystron
del tipo utilizado en aceleradores de partculas, capaz de entregar potencias pulsantes del orden de
megawatts.Elcilindrometlicoenlapartesuperioreselcaldernparaenfriarelcolectorconvapor.
FotocortesadeMarconiAppliedTechnologies
Fig.5.22.Klystronutilizadoenaceleradoresdepartculas
Elhazelectrnicoqueemergedelcan,alcanzaunagranvelocidadcomoconsecuenciadelaelevada
diferenciadepotencialentrectodoynodo.Enlaprimeraregindeltubodearrastre,entreelctodo
ylaprimeracavidad,sloactaelcampoelctricouniformedebidoaestadiferenciadepotencial,por
loqueloselectronesenesaregintienenlamismavelocidad.Enlaregindeltubodearrastrefrentea
lacavidaddeentrada,alaqueseaplicalasealdeRF,elcampoelctricoesvariableeinteracciona
conelhazelectrnico,acelerandoofrenandoaloselectronesqueentranaesaregincondensidady
velocidaduniformes.Porconsecuencia,loselectronesqueemergendeesaregintendrndiferentes
velocidadesyformarngrupos.Esteproceso,queserepiteenlaregindelacavidadintermediadela
figura5.20,sedesignacomomodulacindevelocidad.Lamodulacindevelocidadenlascavidadesda
26
lugar, despus de un recorrido suficiente por las secciones del tubo de arrastre libres de campo
variable,amodulacindedensidaddelhaz.
Un aspecto importante de este proceso es que, si el voltaje de excitacin es suficientemente grande

como para superar las fuerzas debidas a la carga de espacio, los electrones acelerados pueden
adelantar a los retrasados a lo largo de las secciones del tubo de arrastre, a una distancia que se
designa como distancia de cruce. Cuando esto ocurre, la corriente comienza a tener un contenido
apreciable de armnicos y se ha encontrado5 que el valor ptimo de la componente fundamental
ocurrea1.84vecesladistanciadecruce.
Los armnicos de la corriente son sorprendentemente grandes y alcanzan valores mximos a

distancias ligeramente inferiores del parmetro de agrupamiento, que corresponden a distancias de
arrastre ms cortas, o a valores de excitacin menores que los de la distancia ptima de la
fundamental.
Extraccin de la energa. La energa se extrae en el espacio (gap) de la ltima cavidad y puede

explicarse por el hecho de que en el klystron, el campo elctrico axial de la cavidad de salida est
sometidoalaaccindeunaseriedegruposdeelectronesquelleganconunafrecuenciaexactamente
igualquelafrecuenciaderesonanciadelacavidad.Adems,lafasedelvoltajevariabledesalidaestal
que se opone al movimiento de los electrones a travs del gap, lo que significa que el campo es
desacelerador, alcanzando un valor mximo cuando un grupo de electrones pasa a travs del gap.
Medio ciclo despus, el campo proporciona mxima aceleracin a los electrones, pero puesto que el
hazestformadoporgruposperidicos,seaceleranmenoselectronesdelosquesonfrenadosy,por
consecuencia,hayunflujonetodepotenciadelhazhaciaelcampodelacavidad.Estaenerga,que
puedeextraersemedianteunlazooespiraacoplada,obienatravsdeunaabertura(iris)seguidade
unaguadeonda,constituyelapotenciatildesalidadeltubo.Lacorrienteefectivainducidaenla
cavidaddesalidaescasiigualalacomponentedelafundamentaldelacorrientedelhaz.
En klystrons de dos cavidades, en que a la primera se aplica la seal de entrada y se extrae en la

segunda,lagananciadepotenciaproducidaporlainteraccinentreelhazelectrnicoylascavidades
es de aproximadamente 10 dB. Cada cavidad intermedia adicional sintonizada a la frecuencia de la
seal, aumenta la ganancia del klystron del orden de 20 dB6. Estas cavidades intermedias no estn
acopladasexternamenteentresysonexcitadasporelhazdecorrientedeRFque,asuvez,remodula
la velocidad del haz. En klystrons de cuatro cavidades pueden conseguirse ganancias de potencia
hasta de 60 dB. Para lograr anchos de banda grandes, como en el caso de televisin, algunas de las
cavidadesestndesintonizadasligeramenteenformaescalonada.Enestascondiciones,elaumentoen
lagananciaselograaexpensasdereducirlaganancia.
Para aumentar la eficiencia de funcionamiento del klystron de dos cavidades, es necesario agregar
mscavidadesy,adems,desintonizarlapenltimacavidad,demodoquesufrecuenciaderesonancia
sea mayor que la de funcionamiento, es decir, sintonizar la cavidad del lado alto de la banda.. Esto
tienecomoconsecuenciaunamoderadareduccinenlaganancia,peromejoraconsiderablementela
eficiencia.
Davis, D.C. Vacuum Tubes. Cap. 9 de Electronics Designers Handbook. Ed. L. J. Giacoletto. McGraw Hill Book Co.
1977
6
Nelson, Richard, B. Klystrons. en Electronics Engineers Handbook. D. G. Fink y D. Christiansen, Editores. McGraw
Hill Book Co. 1982.
27
5.7Klystrondecolectorescalonado7
Una de las desventajas del klystron convencional es que el haz electrnico de alta velocidad, al
impactarenelcolectordisipaunagrancantidaddeenergaquesepierdeenformadecalor.Estoda
como resultado una eficiencia relativamente baja y, por otra parte, obliga a extraer rpidamente el
calorgeneradoenelcolector.Conelfindereduciresteproblemayaumentarlaeficienciadeltubo,se
desarrollelklystrondecolectorescalonado,enqueelcolectorenlugardeformaruncuerponico,se
constituyeporvariasestructurasanulares,aisladasentres,alasqueseaplicanvoltajesescalonados
crecientesnegativamente,comoseilustraenlafigura19.
Loselectronesmslentossoncapturadosporelanillocolectormscercanoalcuerpodeltubo,cuyo
potencialesmximorespectoalctodo,entantoqueloselectronesmsrpidossonfrenadosporlos
voltajes escalonados de los anillos colectores siguientes e impactan en estos, de modo que los que
lleganalaporcinfinaldelcolectorlohacencon,relativamente,bajavelocidad.Comoresultadode
esta accin, la energa disipada en el colector es menor que en un klystron convencional y, por
consecuencia, la eficiencia es mayor. Sin embargo una desventaja de los klystrons de colector
escalonado es la posibilidad de que ocurran arcos entre los anillos del colector, que deben estar
aislados entre s, a poca distancia entre ellos y con diferencias de potencial muy grandes. Esta
situacinpuededarsetambinenlareginentreelnodoyelctodonosloenestetipodeklystrons,
sino tambin en los klystrons convencionales. La consecuencia de estos arcos puede dar lugar a la
destruccindeltubo,enelsentidodequequedeintilparasufuncin.Ladestruccinnotieneque
ser necesariamente por implosin o fusin de los materiales del tubo, ya que basta nicamente que
ocurraunapequeaperforacinenelmetalolacermicadelcuerpodeltuboparaquestepierdael
vacoyquedeintil.
Fig.19.Klystrondecolectorescalonado.
(Fuente:M.Skolnik.RadarHandbook,2ndEd.McGrawHill,1990)
7
El trmino en ingls es depressed collector klystron
28
DadoqueelcostodelosklystronsyotrostubosdepotenciacomolosdiacrodosylosIOTseselevado,
los fabricantes suelen garantizarlas por un mnimo de horas de funcionamiento, generalmente
superior a 20,000, siempre que la manipulacin de la vlvula y sus parmetros de funcionamiento
cumplan con las normas y valores especificados por el fabricante que en tales condiciones, suele
garantizar la reposicin del tubo. La destruccin de un tubo por perforacin del cuerpo cermico o
deterioro de los sellos cermicametal, en general no sera imputable a un posible mal ajuste de los
parmetrosdefuncionamiento(corrientesyvoltajesdeloselectrodos),sinoquemuyprobablemente
sera causada por deficiencias estructurales en el propio tubo, bien sea por pequeos defectos en el
materialcermicooenlosselloscermicametalduranteelprocesodefabricacin.Encualquiercaso
laprobabilidaddeocurrenciadeestetipodeproblemasesmuybaja.
5.9 FiguradeMrito8
El concepto de figura de mrito se usa principalmente en las vlvulas de haz electrnico como el
klystronyelIOTynodebeconfundirseconeleficiencia,aplicableconmayorfrecuenciaalasvlvulas
de rejilla (triodos y tetrodos). La eficiencia de un amplificador se define como la relacin entre la
potencia til de RF a la salida del amplificador, entre la potencia suministrada por la fuente de
alimentacin.Definidaenestaforma,laeficienciasiempreesmenorque1,yaquenotodalaenerga
de c.c. suministrada por la fuente se convierte en energa til de seal. Siempre hay prdidas por
calentamiento. Por potencia til de seal se puede entender la potencia pico o la potencia efectiva o
potenciapromedio.Porlogeneral,sedefineentrminosdelapotenciapromedio.
Enlostubosdehazelectrnico,comolosklystronsylosIOTs,seprefieredefinirunafigurademrito
como:
FOM =
PPK
100%
PAV
(5.8)
DondePPKeslapotenciapicodelasealentregadaalasalidayPAVeslapotenciapromediodelhaz
electrnico.Deacuerdoaestadefinicinnoesextraoobtenerfigurasdemritosuperioresal100%,lo
quenosignificaqueelamplificadorestgenerandomspotenciaquelaquelesuministralafuentede
alimentacin. Podra decirse que la figura de mrito da una medida de la bondad del amplificador
para generar potencia til de seal, en tanto que la eficiencia da una medida de la energa que se
pierdeenelamplificadorenformadecalor.
5.10Tubosdesalidainductiva(IOT)
En el tubo de salida inductiva se combinan caractersticas delos tubos de rejilla como el trodo o el
tetrodo y de los tubos de haz electrnico modulado como el klystron. El IOT fue concebido por
AndrewHaeff9en1939paraaplicacionesenradar,pocodespusdelainvencindelklystron.LaRCA
fabricalgunoen1940peronotuvomayoraplicacinnidesarrollo.EnlapocadelaSegundaGuerra
Mundial y aos posteriores los esfuerzos encaminados al desarrollo de dispositivos electrnicos de
alta frecuencia se centraron casi exclusivamente hacia los tubos de haces electrnicos modulados en
8
El trmino correcto en espaol es cifra de mrito, sin embargo, el uso comn ha hecho que se traduzca el trmino en ingls
figure, que siginifica tanto cifra como figura, aqu hemos preferido seguir el uso comn.
9
Haeff, A. V. "A UHF power amplifier of novel design. Electronics. p. 30-32, February 1939
29
velocidadcomoelklystronyeltubodeondaprogresiva10(TWT).LaideaconcebidaporHaeffqued
prcticamenteolvidadahastafinalesdeladcadade1980.
Hasta mediados de la dcada de 1960 en los amplificadores de potencia de los transmisores de

televisin,prcticamentesloseempleabantetrodoscapacesdeentregarpotenciashastadealgoms
de10KW.Lostetrodossoneficientesyfiables,aunquesuvidatilnosueleexcederlas20000horas.
Losklystrons,porotraparte,sevenanutilizandoenradares,aceleradoresdepartculasysistemasde
comunicacionestroposfricasenlabandadeUHF(0.3a3GHz)ySHF(3a30GHz).Afinalesdelos
sesentas, con el aumento de las transmisiones de televisin en la banda de UHF, comenzaron a
utilizarse klystrons como amplificadores de potencia, con resultados bastante satisfactorios. La
gananciadeunklystronessuperioraladeuntetrodoysuvidatil,mayor.Enesapocalaeficiencia,
aunque un factor importante, no lo era tanto como ahora, ya que el costo de la energa elctrica,
aunquenadadespreciable,erabastanteinferioralactual.
LaescaladadelosconflictosblicosenOrienteMedioalolargodeladcada197080diolugaraun
considerable aumento de los precios del combustible y, por consecuencia, dela energaelctrica, de
modoqueelcostoporelconsumodestaenlostransmisoresdealtapotenciaaumenttambiny,en
buenamedida,fuelacausadeacelerarlabsquedademejorasenlosdispositivosamplificadoresde
potencia para aumentar su eficiencia y su vida media til. Los klystrons haban demostrado ser
dispositivosfiablesymuyestablesensufuncionamiento,perosueficienciaesrelativamentebaja,por
lo general inferior al 40%, de modo que se trabaj intensamente en desarrollar klystrons ms
eficientes,dandolugaradostendenciasprincipales:eldesarrollodelklystrondecolectorescalonado,
yamencionadoenlaseccin5.7yelfuncionamientopulsante.
Lacausaprincipaldela,relativamentebajaeficienciadelklystron,esqueelhazelectrnico,acelerado
a gran velocidad a lo largo de la regin de arrastre del tubo, se estrella ntegramente en el colector,
perdiendoporcompletosuenergaenformadecalor.Sielhazelectrnicopuedereducirsedurante
ciertos intervalos de la seal, o bien frenarse, de modo que se reduzca la energa cintica del haz
electrnico, se perder menos energa en el impacto y, por consecuencia se conseguir aumentar la
eficiencia.Durantebastantesaoslosklystronssehacanfuncionaralmximodelacorrientedelhaz,
esdecir,asaturacin.Enmodopulsante,lacorrientedelhazesmximaenelpicodelospulsosde
sincronismoysereducedurantelasealdevdeo,conloqueselleganaobtenercifrasdemritodel
ordende77%11.Estaformadefuncionamientopulsadoseconsigueagregandounelectrododecontrol
delhazenlaregindelcanelectrnico,demodoquelacorrientedelhazpuedepulsarseentredos
valores, uno mximo en los picos de sincronismo y otro menor, durante el perodo de la lnea de
vdeo. Este modo de funcionamiento introdujo complejidades adicionales en el diseo de los
transmisores que, si bien ms eficientes, resultaron ms caros y, adems, requeran de ajustes ms
complicadosparalograrelmximorendimientoyunfuncionamientoestablealargoplazo.
Tambinenesapocacrecilafabricacindetransmisoresconamplificadoresdepotenciadeestado
slido.Sinembargo,entantoquelosamplificadoresdeestadoslidocumplenlasnecesidadesdelos
transmisores para potencias hasta de unos 30 KW en el modo analgico y unos 4 KW promedio en
digital,nopuedenutilizarseapotenciasmayoresyaquesueficienciaesmenorysucostomayorque
eldelosdispositivosdevaco12.
Otrotuboquesedesarrollenesapocafueelklystrodo,nombreregistradoporlaempresaEimac
que,demanerasimilaralIOTcombinatecnoclogasdelklystronydeltetrodo,deahsunombre,por
10
Pierce, J.R. and Field, L.M. Traveling-wave tubes. Proc. IRE, vol. 35, p. 108. Feb. 1947.
Engineering Handbook. 8th Ed. National Association of Broadcasters. Washington, 1992.
12
Bel, C. UHF TV transmission using IOT amplifiers. Broadcast Engineering, 18 January 2005.
11
30
lo que hablar de klystrodo o de IOT tiene prcticamente el mismo significado. En la figura 5.24 se
muestranunIOTfabricadoporEnglishElectricValveyunklystrododeEimacDivision,CPIInc.
(a)IOT(b)Klystrodo
Fig.5.24.IOTyKlystrodo.
5.11PrincipiodefuncionamientodelIOT13.
Comoyasemencion,elIOTcombinavariosaspectosdelatecnologadeltetrodoydelklystronpara
dar lugar a un amplificador de alta eficiencia, compacto y con un rango de frecuencias que cubre
prcticamenteensutotalidadlabandadeUHF.Laprincipaldiferenciaentreelfuncionamientodeun
klystronyunIOTeselmtodoutilizadoparaconseguirlosagrupamientosdeloselectronesdelhaz.
EnunklystronelhazelectrnicosemodulaenvelocidadapartirdelacavidaddeentradadeRFyse
tiene despus un espacio de arrastre en el que los electrones ms rpidos alcanzan a los ms lentos
formandogrupos,conloqueelhazresultamoduladoendensidad.EnelIOTelprocesoesdiferente.
LasealdeentradadeRFseaplicaentreunarejacercanaalctodoyste,conloqueseproduceun
hazelectrnicomoduladodirectamenteendensidadenlaregindelpropiocanelectrnico,como
seveenelesquemadelafigura5.25.
13
Heppinstall, R. and Cayworth, G. T. "The Inductive Output Tube - a Modern UHF Amplifier for Terrestrial Television
Transmitter. GEC Review. Vol. 13, N 2. pp. 76-85, 1998.
31
Filamento calefactor
Entrada de RF
del excitador
Choke de RF
Ctodo (-30 KV)

Placa para ajuste
de sintona de
la cavidad
Reja de control
(-30 KV)
Placa para ajuste

de sintona de la
cavidad
Cavidad de entrada
Cavidad de entrada
Choke de RF
Anodo
(conectado a tierra)
Haz electrnico
hacia el colector
Fig.5.25.EsquemadelaregindelcanelectrnicodeunIOT
Eltubodesalidainductivaestformadoporuncanelectrnicoquecontieneunctodoemisorde
electrones y una reja de control, ambos de forma semiesfrica. Esta geometra propicia la
conformacindeloselectronesemitidosenunhazincipientequesevemoduladoendensidadporel
voltajedeRFinducidoentrelarejayelctodomedianteunacavidaddeentradaexternaaltubo.El
haz as producido se enfoca y confina mediante un campo magntico generado por bobinas de
enfoque,tambinexternasaltubo.ElhazmoduladoporlasealdeRFesaceleradohaciaelcolector
deltuboy,asupasoporlacavidadresonantedesalida,cedeastapartedesuenergaquepasadela
cavidad al circuito de salida del transmisor. El IOT combina la elevada eficiencia del tetrodo con la
elevadacapacidaddepotencia,largavidatilyfiabilidaddelklystron.
Seaplicaunvoltajefijodelordende80Valarejaconrespectoalctodo,demodoqueenausenciade
sealfluyeunacorrientehaciaelnododealrededorde500mA.Elctodo,demanerasemejanteal
klystron, se mantiene a un potencial negativo del orden de 30 KV, con lo que el haz electrnico
moduladoendensidadesaceleradoatravsdeunaaberturaenunnodosituadoenelpropiocan
electrnico y conectado a potencial de tierra, hacia la seccin de salida en que se extrae la potencia
medianteunacavidadresonanteexterna,similaralausadaenelklystron,exceptoqueenelIOTse
utiliza una cavidad de doble sintona para conseguir el ancho de banda requerido por un canal de
televisin. Finalmente, la energa restante en el haz electrnico se disipa en un colector de cobre de
diseotradicional,quepuedeserenfriadoporaireoagua,dependiendodelniveldepotenciadeque
setrate.LaestructurainternadelIOTseapreciamejorenlafigura5.26.
32
Circuito de
enfriamiento
del colector
Colector
Circuito de
enfriamiento
del cuerpo
del tubo
Espacio al vaco
en el interior del
colector
Tubo de arrastre
Anodo
Can electrnico
Fig.5.26.EstructurainternadelIOT.
Canelectrnico.
Estructuralmente, el can electrnico del IOT es similar al del klystron y continene un ctodo
cncavo, semiesfrico de tungsteno como se muestra en la figura 5.27. Este tipo ctodo se designa
como dispensador o distribuidor enel sentido de que, por sugeometra,la emisin electrnicase
orientahaciaelcentrodeltubo,facilitandoaslaconformacindelhazelectrnico.
Fig.5.27.EstructuradelctododeunIOT.
La reja de control es de grafito piroltico, una forma de carbn fabricada por descomposicin de un
hidrocarburogaseosoamuyaltatemperaturaenunhornoalvacoloquedalugaraunproductomuy
puroconuncoeficientedeexpansintrmicaprcticamentenulo14,15deelevadaconductividadygran
14
15
http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005).

http://www-edd.tw.1-3com.com/edd/html/news/news_pyrolytyc.htm. (31 enero 2005).
33
resistenciamecnica,loquelohaceidealparaestaaplicacin.Larejaesdelamismageometraqueel
ctodo, es decir, semiesfrica y muy cercana a ste, situada con gran precisin a una distancia del
orden de unas milsimas de pulgada y soportada por una estructura cilndrica metlica, aislada del
ctodoporunaisladordecermicaquetambinformapartedelcuerpodeltubo.Laestructuradela
rejaseilustraenlafigura5.28.
Fig.5.28,EstructuradelarejadecontroldeunIOT.
EsatravsdelacermicaaislanteentrerejayctodopordondeseacoplaaltubolaenergadeRFdel
circuito de entrada para aplicar el voltaje de RF a la reja. Este voltaje inducido entre reja y ctodo
modula la densidad del haz electrnico, cuya seccin transversal es de pequeo dimetro a
consecuencia del campo magntico de confinamiento producido por las bobinas externas. El hazas
formado es relativamente hueco ya que los electrones se concentran ms en la periferia que en el
centro,comoresultadonaturaldeloscamposelectrostticosqueconformanelhaz.Estoseilustraenla
figura5.29.
Trayectoria helicoidal
de los electrones
Lneas de flujo
La fuerza sobre los

electrones se dirige
radialmente hacia el
centro
Fig.5.29.Conformacindelhazelectrnico.
Unsegundoaisladordecermicasoportatodoelcanelectrnicoaladistanciacorrectadelnodo
aterrizado.Ladiferenciadepotencialentreelnodoyelctodoesdelordende30KVosuperior.El
espacio entre reja y ctodo del can electrnico forma la parte final de una lnea de transmisin
compleja desde el conector de entrada de RF al sistema de la cavidad de entrada. La estructura del
canelectrnicoseilustraesquemticamenteenlafigura5.30.
34
CircuitodeentradadelIOT.
El circuito de entrada del IOT consiste de la cavidad de entrada, externa al cuerpo del tubo y del
canelectrnico,enelinteriordeltubo.LasealdeRFseaplicaalacavidaddeentradamediante
una espira abierta, como se aprecia en la figura 5.25. En el interior de la cavidad de entrada se
encuentraunapaletamvily,ensupartesuperiorunstubencortocircuitoparaajustarlaimpedancia
de entrada a resonancia a la frecuencia deseada. El campo generado por la seal en la cavidad de
entradainduceunvoltajeentrelarejayelctododeltubo,quecausalamodulacinendensidaddel
hazelectrnico.LaprincipaldiferenciaentreelIOTyelklystronresideenqueenestetimonohay
rejadecontrol,demodoqueelcampogeneradoenlacavidaddeentradamodulaalhazenvelocidad,
noendensidad.LarejadecontroleslacaractersticacomnentreelIOTyeltetrodo.
Piezas polares
Electrodos de enfoque
Lneas del campo

magntico
Ctodo
Reja
Haz electrnico
Tubo de arrastre
Anodo
Bobina magntica
Fig.5.30.EstructuraesquemticadelcanelectrnicodeunIOT.
En los klystrons generalmente se utilizan cavidades resonantes externas al cuerpo del tubo, por lo
general, partidas para permitir su colocacin alrededor de ste y atornillarse luego para formar un
solocuerpo.Lacavidadmscercanaalctodoeslacavidaddeentrada.Cadaunadelasmitadesdela
cavidadtieneensuinteriorplacasopuertasdeslizantesafindeajustarlasparaconseguirlasintona
deseada.EnelIOTseempleaunaestructurasimilar,conunadiferencia,yaquelaparedinteriordela
cavidadtienequeconectarseentreelctodoylareja,doselectrodosquesemantienenaunpotencial
altamente negativo, en tanto que la pared exterior de la cavidad debe conectarse a tierra. Por esta
raznenlacavidadesnecesarioincorporarchokesdeRFentresuspartesexternaeinterna,comose
ve en la figura 5.25, con el fin de por una parte, proporcionar el aislamiento necesario entre las dos
partesy,porotraimpedirfugasdecorrientedeRFmanteniendoalmismotiempotodoelvoltajedel
haz electrnico. Esta condicin impone requisitos muy severos para la eleccin de los materiales
aislantes de los chokes, que deben proporcionar un aislamiento total a la corriente continua en las
condicionesdehumedadytemperaturaqueprevalecenenelambientedeltransmisor.
Consideracionessobreelfuncionamientodelctodo.
A fin de conseguir la mxima emisin termoinica del ctodo, a una temperatura de

aproximadamente1100C,elctododelIOTestconstituidoporunabasedetungstenopuro,relleno
dexidosdebario,calcioyaluminio,reforzadoporunafinapelculadeunoscentenaresdeangstroms
(1010m) de espesor, que contiene osmio, iridio y renio, lo que da como resultado una funcin de
trabajomuypequea.Laemisividadtrmicadelctodoes,porconsecuencia,muyelevada.
35
Paracualquiertubotermoinico,lavidatildependeprincipalmentedelacapacidaddeemisindel
ctodo.Silatemperaturadefuncionamientodelctodoesmuyelevada,seproduceevaporacinde
los materiales emisores de su superficie, con abundante produccin de iones que deterioran el
funcionamiento y reducen considerablemente su vida til. Si hay evaporacin, parte del material
evaporadosepuededepositarenlareja,dandolugaraemisinsecundariayaemisinporcampoque
puede causar el desbocamiento incontrolado de la corriente del haz. Los vapores tambin pueden
depositarse en la pared interior de cermica que asla al can electrnico del nodo, reduciendo el
voltaje de ruptura, con el riesgo potencial de la formacin de arcos internos entre reja y nodo que
puedeninutilizareltubo.
En el aire, o en un vaco pobre, los electrones slo pueden viajar distancias muy cortas antes de
recombinarse o chocar con otras partculas en el medio. En los tubos de vaco y, en particular en
klystrons e IOTs, los electrones deben viajar distancias considerables sin que ocurran colisiones
significativas con otras partculas, por lo que se requiere un alto vaco en el interior del tubo. Si el
vacoespobre,osiseproduceunarco,seproducentambinionesqueporlapolarizacindelctodo,
impactan en ste, reduciendo su capacidad de emidsin o dandolo definitivamente. Para evitar o
reduciralmximoestasituacin,seutilizancircuitosdeproteccinquecortanelfuncionamientodel
IOTparaevitardaosmayores.Unadelasrutinasimportantesenelmantenimientopreventivodelos
amplificadoresdepotenciaconIOTsyklystronseslacomprobacinycalibracinperidicadeestos
circuitosdeproteccin.
Lazo de acoplamiento
de salida
Manivela para
ajuste de sintona
de la cavidad
de salida
Bobina de enfoque
Circuito de enfriamiento
para la cavidad de salida
y el can electrnico
Cavidad de entrada
Parte de la cavidad
de entrada de pequeo
dimetro
Excitador de
estado slido
Cavidad primaria
de salida
Acoplamiento
de banda ancha
Cavidad secundaria
de salida
Stub de ajuste para

la seal de entrada
Carro de
soporte
Fig.5.27.MontajecompletodelIOTencarrotransportable
parafacilitarsumontajeeneltransmisor.
Papeldelnodo.
EnlostubosdehazcomoelklystronyelIOTelnodonotienelamismafuncinquelaplacaenlos
tubosderejilla,enlaqueacabantodosloselectronesprocedentesdelctodo.Enestostubosdehaz,el
nodoactaslocomounaceleradordeloselectronesemitidosporelctodoyconfinadoenunhaz
de pequea seccin transversal, en parte por la geometra del ctodo o del can electrnico y
principalmenteporelcampomagnticoproducidoporlasbobinasdeenfoque.Elnodo,bienseade
36
forma cilndrica o cnica, hueco en el centro, acelera a los electrones prcticamente sin atraerlos ni
dispersarelhaz.
La corriente del haz modulado en densidad se acelera, en la regin entre el can electrnico y el
nodo,desdeunaenergadeunospocoselectrnvoltshastaunaenergatotaldedecenasdemilesde
eV,alcanzandounavelocidaddealrededorde1/3delavelocidaddelaluzenelcortoespacioentre
reja y nodo. En estas condiciones la energa del haz es considerablemente mayor que la energa
requeridaparamodularelhazenlarejadecontrol,delordende26dBoms.Laenergacinticayla
velocidad de cada electrn en el haz es bsicamente la misma mientras el haz est en la zona de
arrastredelnodo,peroladensidaddelhazvarasegnlamodulacinaquefuesometidoporlareja
decontrol.Elhaz,aceleradoagranvelocidadpasaatravsdelinteriorhuecodelnodohaciaeltubo
dearrastrealasalida,endireccinalcolector.Laresistenciaefectivadelhaz,operveancia16cambia
conlamodulacinyduranteelciclodeRF,yaqueelhazsiempreestaceleradoalmismopotenciade
c.c.
Cavidaddesalida.
La energa del haz se extrae en la abertura o ventana (gap) de salida, que es donde los electrones
agrupadosdelhazsalendeltubodearrastrehaciaelcolector.Laventanadesalidaselocalizacercade
la parte superior central de la cavidad primaria de salida. El haz electrnico transfiera una parte
considerabledesuenergaaestacavidadresonante,enformadecampoelectromagntico.Eltrabajo
realizadoenestatransferenciadeenergareducelaenergacinticadelhazyelvoltajepresenteenel
espacio de la ventana de salida es funcin de la potencia almacenada en la cavidad y de la
resistenciarelativadelaventanaque,asuvezdependedelasintonadelavidadydelapotencia
delhaz.Apotenciaselevadas,laresistenciadelaventanaesmenorytambindisminuyeconelancho
debanda.
Unrequisitoimportanteenlostubosqueempleancavidadesresonantesesconseguirenellaselancho
debandanecesario,enestecasode8MHzparalasealanalgicaPALoladigitalDVBTobiende6
MHzparasealesNTSCoDTV.Enelklystron,lascavidadessesintonizandeformaescalonadacuyo
principioseilustraenlafigura5.28.
Respuesta del conjunto

de cavidades
Respuesta individual
de cada cavidad
f1
f2
f3
Frecuencia
Ancho de banda
del conjunto
Fig.5.28.Principiodelasintonaescalonada
Cada cavidad se sintoniza a una frecuencia ligeramente distinta a la otras cavidades, con lo que se
consigueunarespuestaprcticamenteplanaenlabandadepaso.Enelklystronestoesrelativamente
16
La perveancia se define como la corriente de ctodo, limitada por la carga de espacio, dividida por el voltaje del nodo
elevado a la potencia 3/2.
37
simple, ya que se tienen tres o cuatro cavidades, pero no lo es en el IOT en que no hay cavidades
intermedias entre la de entrada y la de salida. Para evitar este problema en el IOT se utiliza una
cavidad de salida doblemente sintonizada. Esta cavidad est formada, de hecho, por dos cavidades
convencionales,dispuestasortogonalmente,comosepuedeapreciarenlafigura5.27.Laprimerade
estas dos cavidades se designa como cavidad primaria y est fija alrededor del cuerpo del tubo.
Contiene una espira mediante la que se puede ajustar el acoplamiento de RF a la segunda cavidad
medianteunalneadetransmisincortaatravsdeunirisyunapaleta.Lasegundacavidadcontiene
una estructura en forma de domo cuyas dimensiones son tales que permite cubrir la banda de
frecuenciasrequerida.Unacopladordesalida,similaralutilizadoenlosklystronsconectalacavidad
al circuito de salida. Las paredes, tanto de la cavidad primaria como de la secundaria, son mviles
parapermitirsuajustearesonanciaalafrecuenciadeseadaenlabandadeUHF.Elanchodebanda
delsistemaseajustamediantelaposicindelapaletaeneliris,quepuedemoversede0a180grados,
correspondientes a losanchos de banda mnimo ymximo. Laenerga de salida se extrae mediante
una sonda coaxial localizada a la salida de la cavidad secundaria. Mediante el ajuste de la sonda se
controlaelacoplamientoalacargadelacavidaddesalida
Sintona.
La sintona es el proceso de ajuste de las cavidades de entrada y salida para conseguir la correcta
respuestaenfrecuenciaenelanchodebandadelcanal.Enlacavidaddeentradanosepuedeajustar
la sintona, que se consigue simplemente ajustndola para mxima corriente del haz y mnima
potenciareflejadaalasalidadelexcitador.Paraobtenerelmejorrendimientoaunapotenciadesalida,
eficienciaycondicionesdelinealidaddadas,debenajustarseadecuadamentelasintonadelacavidad
desalida,elpuntodefuncionamiento(voltajedepolarizacindelareja)yelvoltajedelhaz.
El ancho de banda de salida controla la impedancia que presenta la cavidad de salida al haz
electrnico.Bsicamente,lareduccindelanchodebandaaumentalaimpedancia.Lamejoreficiencia
acualquierniveldepotenciaseconsiguecuandolaimpedanciapresentadaporlacavidadalhazest
acoplada a la impedancia del haz. Sin embargo, el ajuste ideal a potencias bajas, no es bueno a
potenciasaltas.Cuandosecambiaelajustepotenciaesnecesarioretocarelajustedeloscircuitostanto
deentradacomodesalida.Aplenapotencia,losmejoresresultadosporlogeneralseobtienencuando
el ancho de banda se ajusta a 8 MHz a 0.5 dB del mximo con un rizado no superior a 0.25 dB. El
funcionamientoapotenciasbajaspuederequerirladisminucindelacorrientedectodo,reduccin
delaltovoltajedelhaz,reduccindelanchodebandadesalidayajustedelacorrientedepolarizacin
dereja,paraconseguirlalinealidadnecesaria.
5.12 IOTdecolectorescalonado
Con el fin de aumentar an ms la eficiencia de los IOTs, en los ltimos aos se han desarrollado
tubosdesalidainductivadecolectorescalonado,conlamismafilosofayautilizadaenklystronsde
estetipo(seccin5.8),delaformaqueseilustraenlafigura5.29.EstetipodeIOTsedesignacomo
MSDCIOT(MultipleStageDepressedCollectorIOT).
38
Colector 1
Anodo
Tubo de
arrastre
Colector 3
Tubo de salida
Ctodo
Electrodo de
enfoque
Ventana
cermica
Piezas polares
Fundas de
refrigeracin
Colector 2
5.29.IOTdecolectorescalonadoenquesemuestranlastrayectoriaselectrnicas
EnunIOTdeunsolocolector,laenergacedidaporelhazalacavidaddesalidasesitaentreun30y
un50%delaenergatotaldelhaz.Porconsecuencialaenergaperdidaenformadecalorenelcolector
puede llegar a un 70% o ms de la energa total del haz. Esta situacin, aunque considerablemente
mejorqueenelcasodelosklystrons,representaunaparteimportantedelaenergasuministradaal
transmisor, que no slo no se aprovecha, sino que es necesario disiparla mediante un sistema de
enfriamientoeincidetambinenelcostototaldelsistematransmisor.
Elempleodeuncolectorescalonado,enlugardeuncolectornicopermitemejorarlaeficienciadel
transmisorreduciendoelcostodeoperacin.Porotraparte,elcostodeunMSDCIOTesmayorqueel
deunIOTdecolectorsimple.Anas,lareduccinenelcostodeoperacinentransmisoresdealta
potenciahaceatractivoelempleodeestetipodeIOT,queseencuentraanensuetapainicial.
Al igual que en el klystron de colector escalonado, tratado en la seccin 5.8, en el MSDC IOT, los
electronesdelhazsonfrenadosantesdeimpactarenelcolector,permitiendoasrecuperarpartedela
energaelctricadelhaz,enlugardeperderlaenformadecalor.Elcolectorsedivideendosoms
secciones, aisladas entre s, como se aprecia en la figura 5.29, que se polarizan a voltajes crecientes,
inferiores al voltaje entre ctodo y nodo. Estos voltajes dan lugar a campos equipotenciales en el
colector que frenan a los electrones del haz residual. En el caso ideal, los electrones llegaran con
velocidadnulaalasseccionesrespectivasdelcolector.Elnmerodeetapasescalonadasdelcolectory
sus voltajes dependen de la distribucin de las velocidades electrnicas en el haz. En el IOT, la
distribucin de energa de los electrones en el haz residual es bastante uniforme, principalmente
debido a la modulacin en densidad del haz, en lugar de los agrupamientos a que da la lugar la
modulacin de velocidad en el klystron. El resultado es que la recuperacin de energa resulta algo
mssencillaqueenelklystronyconmenosnmerodeetapasescalonadas.Enestosltimosaosse
han probado MSDC IOTs con tres a cinco etapas. Un mayor nmero de etapas no produce mejoras
apreciablesenlaeficiencia.ConlosIOTsdecolectorescalonadosehanconseguidoeficienciashastade
un 20% que con los IOTs de colector simple. Una designacin actual para los amplificadores que
empleanMSDCIOTsesladeamplificadoresdeeficienciaconstanteoCEA(ConstantEfficiencyAmplifier)17,
unadecuyasversiones,decolectordecuatroescalonesoetapasseilustraenlafigura5.30.
17
http://www-edd.tw.l-3com.com/sbe.htm
39
Fig.5.30.MSDCIOTdecuatroetapas.
UnadelasconsecuenciasdelempleodeIOTsdecolectorescalonadoesunamayorcomplejidaddel
sistemadeenfriamientodelcolector.EnlosIOTsdecolectorsimple,stesepolarizaalpotencialde
tierra y puede ser enfriado directamente por agua o una mezcla de agua y glicol. Los diferentes
voltajes aplicados a las diferentes etapas del colector, hacen necesario el empleo de un material
dielctricoparaecharfueraelcalorgeneradoenellas,porloqueensuenfriamientoseempleaaire,
aguadeionizadaoaceitedielctrico.
5.13EmpleodeklystronseIOTsentransmisinanalgicaydigital
Entelevisindigitallasealdeentradaaltransmisoresnica:unflujobinariocontinuoquecontiene
lainformacindevdeo,audioydatos.Enelcasoanalgicolasituacinesdiferente,yaquesetienen
dossealesdistintas,unadevdeoyotradeaudio,condiferentetipodemodulacinydistintoancho
debandayentrelasquelarelacindepotenciasentregadasalasalidaesde10:1;esdecir,lapotencia
de audio es la dcima parte de la de vdeo. En el Captulo 1 se trat de la arquitectura de los
transmisoresy,enelmodoanalgico,puedeserdedostipos,elprimero,deamplificacinseparadaen
que las seales de audio y vdeo utilizan amplificadores distintos y slo se combinan al final para
proporcionarunasealcompuestaynica,alaantena.
Elsegundomododefuncionamientoesenamplificacincomn,enquelassealesdeaudioyvdeo
secombinanabajapotenciaalasalidadelosrespectivosmoduladoresyluegoseamplificanambas
conjuntamente por los mismos amplificadores hasta la salida del transmisor. En este modo de
funcionamientolalinealidaddelosamplificadoresesdeimportanciaprimordialyaquecualquierno
linealidadgerearproductosindeseablesdeintermodulacinconelconsecuentedeteriorodelaseal,
siestosproductosocurrendentrodelabandadepaso,obienlaproduccindesealesinterferentes
sobre otros servicios de comunicaciones si ocurren fuera de la banda de paso y no son filtradas
adecuadamentealasalidadeltransmisor.Elmximoniveldelosproductosdeintermodulacinno
debesersuperioraunos55dBencondicionesdebuenfuncionamiento.Nivelessuperioresdanlugar
al deterioro inaceptable tanto del audio como del vdeo transmitidos. Por esta razn, en los
transmisores es necesario realizar una precorreccin o predistorsin de la seal a la entrada del
transmisoroalasalidadelmoduladorafindecompensarycorregirlasnolinealidadesintroducidas
enlasetapasdeamplificacindepotencia.Enestascondiciones,lasprestacionesdelosklystronsyde
los IOTs son diferentes. En los klystrons que funcionen en modo comn es necesario reducir la
potencia unos 4 dB para evitar las no linealidades, lo que reduce su eficiencia y en este modo, no
puedenfuncionarenmodopulsante.
40
Los IOT, por otra parte, ofrecen muy buenas caractersticas de linealidad an a niveles altos de
potencia en modo comn, con niveles de intermodulacin que pueden precorregirse con relativa
facilidad.EstacaractersticadelosIOTshahechoqueenlaltimadcadasehayanconvertidoenel
dispositivoamplificadorpreferidoenlostransmisoresdetelevisintantoanalgicacomodigital.
Bibliografaadicional.
1. Heppinstall, R. and Clayworth, G.T. The Inductive Output Tube. EBU Technical Review.
Autumn1997.
2.
EngineeringHandbook.8thEd.NationalAssociationofBroadcasters.Washington,1992.
3.
Bel,C.UHFTVtransmissionusingIOTamplifiers.BroadcastEngineering,18January2005.
4.
Schrader, M. and Preist, D. Klystrode Experimental Results. Particle Accelerator

Conference(PAC),1989.
5.
Terman,F.E.ElectronicandRadioEngineering.McGrawHillBookCo.Inc.N.York,1955.
6.
Hemenway,C.L.,Henry,R.W.yCaulton,M.FsicaElectrnica.Ed.Limusa,Mxico,1973.
7.
Markley,D.TransmitterTechnologyReview.BroadcastEng.Nov1,2001.
8.
Bohlen,H.etal.InductiveOutputTubesforParticleAccelerators.Proc.EPAC2004.
9.
DictionaryofScientificandTechnicalTerms.2ndEd.McGrawHillBookCompany,1978.

Válvulas Electronicas de Transmisión

Cargado por

Información del documento

Título original

Derechos de autor

Formatos disponibles

Compartir este documento

Compartir o incrustar documentos

Opciones para compartir

¿Le pareció útil este documento?

¿Este contenido es inapropiado?

Copyright:

Formatos disponibles

Válvulas Electronicas de Transmisión

Cargado por

Copyright:

Formatos disponibles

Transmisin de Televisin

Vlvulas electrnicas de Transmisin

Funcionamiento a voltajes bajos que reduce el riesgo de arcos elctricos y ofrece

Potencial de excitacin. Es la energa, expresada en eV, que debe proporcionarse a un tomo o

a) Colisin de tomos o molculas con electrones, tomos o molculas excitadas u otros

Cuando, como consecuencia de su movimiento aleatorio, un electrn se escapa de la superficie

Siaumenta la temperatura del metal,aumenta tambin el nmero de electrones libres,su velocidad

Efectos de la carga de espacio. La teora desarrollada por Richardson y Dusham proporciona la

Los diodos al vaco, empleados principalmente como rectificadores en fuentes de alimentacin,

En el triodo,ademsdel ctodo y la placa se tieneun tercer electrodo constituido poruna rejillade

En el diseo de amplificadores de potencia es ms comn utilizar las curvas de corriente de placa

Neutralizacin. En los tubos de vaco estn presentes capacidades interelectrdicas e inductancias de

Aplicaciones de los triodos. En la actualidad los triodos se emplean casi nicamente en

Durante dcadas, lo tetrodos fueron mejorndose y se consiguieron tubos capaces de entregar

Fotografa cortesa de Thomson Tubes Electroniques

a) Disminucin de la frecuencia de resonancia en el modo TE11. Si esta frecuencia es muy

V ( x) = Vmax cos x = Psal R L cos x

Imagen cortesa de Thomson Tubes Electroniques

tiempo. En la aplicacin como amplificador, la versin ms simple del klystron es la de un tubo

componente del campo magntico transversal en laabertura de la placa de Brillouin proporcionaal

Un aspecto importante de este proceso es que, si el voltaje de excitacin es suficientemente grande

Los armnicos de la corriente son sorprendentemente grandes y alcanzan valores mximos a

Extraccin de la energa. La energa se extrae en el espacio (gap) de la ltima cavidad y puede

En klystrons de dos cavidades, en que a la primera se aplica la seal de entrada y se extrae en la

El trmino en ingls es depressed collector klystron

Hasta mediados de la dcada de 1960 en los amplificadores de potencia de los transmisores de

Ctodo (-30 KV)

Placa para ajuste

http://www.advceramics.com/geac/products/pyrolytic_graphite/. (31 enero 2005).

La fuerza sobre los

Lneas del campo

A fin de conseguir la mxima emisin termoinica del ctodo, a una temperatura de

Stub de ajuste para

Respuesta del conjunto

Schrader, M. and Preist, D. Klystrode Experimental Results. Particle Accelerator

También podría gustarte