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Captulo 5. Transistores de efecto de campo

341

iD
JFET o MOSFET
de deplexin

MOSFET
de acumulacin
de canal p

Canal n
MOSFET
de acumulacin
de canal n

Canal p

vGS

Figura 5.49. Corriente de drenador en funcin de vGS para varios tipos de FET.
iD se referencia como entrante en el drenador en los dispositivos
de canal n, y como saliente del drenador en los dispositivos de canal p.

Tabla 5.1. Resumen de dispositivos FET.

Canal n

Canal p

MOSFET de
acumulacin

MOSFET de
deplexin

JFET

MOSFET de
acumulacin

MOSFET de
deplexin

JFET

Smbolo
de circuito

Vto
K

1
2

1
knCox(W/L) % KP(W/L)
2

j
Regin
de corte
Regin
hmica
Regin de
saturacin

1
2

1
kpCox(W/L) % KP(W/L)
2

vGS m Vto

vGS n Vto

iD % 0

iD % 0

IDSS/V2to

vGS n Vto, y 0 m vDS m vGS . Vto

vGS m Vto, y 0 n vDS n vDS . Vto

iD % K[2(vGS . Vto)vDS . v ](1 ! jvDS)

iD % K[2vGS . Vto)vDS . v2DS](1 ! jvDS)

vGS n Vto, y vDS n vGS . Vto

vGS m Vto, y vDS m vGS . Vto

iD % K(vGS . Vto) (1 ! jvDS)

iD % K(vGS . Vto)2(1 ! jvDS)

2
DS

gm
(suponiendo
gm % 2 KIDQ
funcionamiento en
saturacin gm %2KP(W/L)IDQ
y j % 0)

Parmetros
de SPICE

IDSS/V2to

VTO % Vto
KP % knCox
L
W
LAMBDA % j

gm % 2 KIDQ
gm % 2

IDSSIDQ
8Vto8
VTO % Vto
BETA % K
LAMBDA % j

gm % 2 KIDQ
gm %2KP(W/L)IDQ
VTO % Vto
KP % kpCox
L
W
LAMBDA % 8j8

gm % 2 KIDQ
gm % 2

IDSSIDQ
8Vto8
VTO % Vto
BETA % K
LAMBDA % 8j8