MODULO

ELECTRNICA BSICA

PEDRO TORRES SILVA

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA UNAD

FACULTAD DE CIENCIAS BSICAS E INGENIERA
PROGRAMA INGENIERA ELECTRNICA
BOGOTA
2006
1

Replica del primer transistor, desarrollado en Bell Labs, en 1947.

GUA DIDCTICA
ELECTRNICA BASICA

@Copyright
Universidad Nacional Abierta y a Distancia

ISBN

2006
Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje
Primera revisin Julio 20 de 2007

Electrnica Bsica

INDICE
INTRODUCCIN
I.

FUNDAMENTO DE LOS SEMICONDUCTORES

1.
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.
1.6.
1.7.
1.8.

Diodos Semiconductores
Diodo Ideal
Materiales semiconductores, niveles de energa y materiales extrnsecos.
Diodo semiconductor.
Circuitos equivalentes para diodos.
Capacitancia de transicin y difusin
Tiempo de recuperacin inverso.
Hoja de especificaciones, pruebas de diodos.
Diodos zener y diodos emisor de luz.

2.

2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
2.6.

Aplicaciones de Diodos
Anlisis por medio de la recta de carga.
Aproximacin de diodos.
Configuraciones de diodos en serie con entradas DC.
Configuracin de diodos en paralelo y serie paralelo.
Rectificacin de media onda y rectificacin de onda completa.
Circuitos recortadores, sujetadores, diodo zener y multiplicadores de
voltaje.

3.
3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.6.

Transistores bipolares
Construccin y operacin de transistores.
Configuracin en base comn.
Accin de amplificacin del transistor.
Configuracin en emisor comn.
Configuracin en colector comn.
Lmite de operacin, hoja de especificaciones, pruebas de transistores.

4.
4.1.
4.2.
4.3.
4.4.
4.5.
4.6.
4.7.
4.8.
4.9.

Polarizacin DC del transistor BJT

Punto de operacin.
Circuito de polarizacin fija.
Circuito de polarizacin estabilizada por emisor.
Polarizacin por divisor de voltaje.
Polarizaciones DC con retroalimentacin de voltaje.
Diversas configuraciones de polarizacin.
Operaciones de diseo.
Redes de conmutacin con transistores.
Estabilizacin de polarizacin.

II.

FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN

Electrnica Bsica

5.
5.1.
5.2.
5.3.
5.4.
5.5.
5.6.
5.7.

Transistores de efecto de campo FET.

Construccin y caractersticas de los JFET
Caracterstica de transferencia.
Especificaciones de JFET
MOSFET de tipo decremental e incremental.
Manejo de MOSFET.
VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon)
CMOS (MOS con arreglo complementario).

6.
6.1.
6.2.
6.3.
6.4.
6.5.
6.6.
6.7.
6.8.

Polarizaciones del FET

Configuracin de polarizacin fija.
Configuracin de auto polarizacin.
Polarizacin mediante divisor de voltaje.
MOSFET de tipo decremental.
MOSFET de tipo incremental.
Redes combinadas.
Diseo
FET de canal P y curva de polarizaciones para JFET.

7.
Dispositivos pnpn y otros
7.1. Introduccin
7.2. Diodos de cuatro capas
7.2.1.
SIDAC
7.2.2.
SBS
7.3. SCR
7.4. Activacin o disparo y bloqueos de los tiristores.
7.4.1.
Activacin o disparo de un tiristor.
7.4.2.
Bloqueo de un tiristor.
7.5. Regulacin en potencia de un SCR.
7.6. Variantes del SCR.
7.6.1.
Foto-SCR o LASCR
7.6.2.
GTO
7.6.3.
PUT
7.6.4.
TRIAC
7.6.5.
TRIAC con acoplado ptico
7.7. El transistor UJT de uniunin.
7.7.1.
Funcionamiento de un UJT
7.7.2.
Oscilador de relajacin con UJT
7.8. Algunas aplicaciones tpicas de los tiristores.
7.8.1.
Regulacin de luz
7.8.2.
Control de velocidad de motores
7.8.3.
Control de calor con sensor de temperatura.

Electrnica Bsica

ii

INTRODUCCION
La finalidad de este libro es didctica y su edicin se ha realizado para el uso
de los estudiantes de los programas de Tecnologa e Ingeniera Electrnica de
la Universidad Nacional Abierta y a distancia UNAD.
Se recomienda que cada estudiante lea el artculo: Fabricacin de los
circuitos integrados que mueven al mundo.2

Anexo A del libro: Electrnica: Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.

Electrnica Bsica

iii

PRIMERA UNIDAD
FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES
CAPITULO 1
1. Diodos Semiconductores

Mapa Conceptual

1.1. Diodo Ideal

Nuestro primer elemento que estudiaremos es el DIODO, por su simplicidad y
utilidad. Es por analoga similar a un interruptor elctrico. Su uso va desde
diseos sencillos hasta circuitos de gran complejidad. Adems de presentar
los detalles acerca de su fabricacin y de sus caractersticas, se observaran
las hojas de datos y las grficas ms relevantes que se encuentran en las
hojas de especificaciones.
Cuando un dispositivo tiene caractersticas perfectas lo conocemos como
IDEAL. Luego, un diodo ideal es un dispositivo construido con dos terminales y
con unas caractersticas tales como se muestran en las figuras 1.1a y 1.1b
+
ID
VD
+

----- ideal. (a) Smbolo; (b) Caracterstica

Figura No. 1.1 Diodo
--El diodo ideal tiene caractersticas
semejantes a las de un interruptor, permite
-la conduccin de corriente en una sola direccin. En la direccin que indica la
flecha en la figura 1.1a. Donde
-- uno de sus terminales, el cual se llama nodo,
tiene aplicado un potencial positivo
(indicado en la grfica con el signo +), y en
-el otro terminal, el cual se llama
-- ctodo, tiene aplicado un potencias negativo
(indicado en la grfica con el-signo -). De esta forma, el diodo ideal cumple con
lo siguiente:
ID

RF VF / IF
Donde,

0v / KmA = 0

Circuito cerrado (1.1)

RF es el valor de la resistencia directa.

VF es el valor del voltaje de polarizacin directa.
IF es el valor de la corriente a travs del mismo.
K es cualquier valor positivo de corriente.

Si invertimos la polarizacin, esto es al nodo le aplicamos el potencial

negativo y al ctodo el positivo, entonces se cumple con:
Circuito abierto (1.2)

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Donde,

RR es el valor de la resistencia inversa.

VR es el valor del voltaje de polarizacin inversa.
IR es el valor de la corriente a travs del mismo.
K es cualquier potencial de polarizacin inversa.

Grficamente podemos concluir:

a) Cuando un diodo ideal esta polarizado directamente tenemos un
cortocircuito.

Figura No. 1.2

b) Cuando un diodo ideal esta polarizado inversamente tenemos un
circuito abierto.

Figura No. 1.3

Entonces nos quedan los siguientes interrogantes:
a) Qu tan cercana ser la resistencia en polarizacin directa o
resistencia de encendido de un diodo real al valor ideal de cero
ohmios?
b) La resistencia en polarizacin inversa ser lo suficientemente grande
para permitir una aproximacin a un circuito abierto?
1.2. Materiales semiconductores, niveles de energa y materiales extrnsecos.
La palabra semiconductor define en si misma la caracterstica y se aplica
normalmente a un rango de nivel entre dos lmites.
Los materiales se clasifican de acuerdo con la facilidad para permitir el flujo de
carga o conductividad cuando una fuente de voltaje de magnitud limitada se
aplica a sus terminales, as: conductores, si el flujo de carga es generoso;
aislante o dielctrico cuando ese flujo es nulo o casi nulo y semiconductor
cuando el flujo de carga es mucho mayor al dielctrico y mucho menor al de
un conductor.

Electrnica Bsica

Entonces tenemos otro elemento que nos ayudar en la comprensin de este

tema, la resistividad o resistencia al flujo de carga. Es una magnitud
relacionada inversamente con la conductividad.
Mientras mayor sea la conductividad del material menor ser la resistividad del
mismo.
Se define la resistividad (, letra griega rho) como la magnitud caracterstica
que mide la capacidad de un material para oponerse al flujo de una corriente
elctrica. Tambin recibe el nombre de resistencia especfica. Es la inversa de
la conductividad elctrica (, letra griega sigma). La resistividad se representa
por y se mide en ohmiometro.
La resistividad elctrica de un material viene dada por la expresin R S/l,
donde R es la resistencia elctrica del material, l la longitud y S la seccin
transversal.
Si S= 1 cm2 y l= 1 cm. (Que equivale a un cubo de 1 cm. de lado), entonces la
resistividad del material ser:
R

Donde,

*l / S

* (1cm) /(1cm2)

R equivale a la resistencia del cubo

equivale a la magnitud de la resistividad

Conductor
10-6 -m. Cobre

Semiconductor
50 - cm. Germanio
50 * 103 - cm. Silicio

Dielctrico
1012 - cm. Mica

Tabla No. 1.1 Valores representativos de la resistividad.

Podemos observar en la tabla No. 1.1 los valores representativos de la
resistividad para las tres categoras amplias de materiales. Nos centraremos
en los semiconductores advirtiendo que el germanio (Ge) y el silicio (Si) no
son los nicos dos materiales semiconductores, pero ellos son los que ms se
han trabajado en el desarrollo de dispositivos semiconductores. Pues estos
materiales poseen una consideracin especial, se pueden fabricar con un alto
nivel de pureza. Se ha logrado una razn de una parte de impureza en diez mil
millones de partes de material (1:10.000.000.000). Esto es fundamental,
porque si los niveles de impurezas son mayores se puede pasar de un
material semiconductor a uno conductor. La otra razn importante para que el
silicio y el germanio sean tenidos en cuenta en la fabricacin de
semiconductores est en la habilidad para transformar significativamente las
caractersticas del material en un proceso llamado dopaje. Adems, pueden

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ser modificados por otros mtodos como la aplicacin de luz o de calor.

Figura No. 1.4 Estructura atmica de un conductor: el cobre (Cu)

El silicio y el germanio tienen una estructura atmica bien definida que por
naturaleza es peridica, es decir, que se repite continuamente. El patrn
completo se denomina cristal y el arreglo peridico se denomina red. En un
cristal puro de germanio o de silicio, los tomos estn unidos entre s en
disposicin peridica, formando una rejilla cbica tipo diamante perfectamente
regular. Cada tomo del cristal tiene cuatro electrones de valencia, cada uno
de los cuales interacta con el electrn del tomo vecino formando un enlace
covalente. Al no tener los electrones libertad de movimiento, a bajas
temperaturas y en estado cristalino puro, el material acta como un aislante.
Pero es posible que estos electrones adquieran suficiente energa cintica de
origen natural para romper el enlace y asumir el estado de libre. El trmino
libre manifiesta que su movimiento ser muy sensible a la aplicacin de
potenciales elctricos. Las causas naturales incluyen efectos como la energa
luminosa en forma de fotones o energa trmica que proviene del entorno. El
silicio tiene alrededor de 1,5 X 1010 portadores libres en un centmetro
cuadrado de material intrnseco de silicio. Los electrones libres generados por
causas naturales se denominan portadores intrnsecos. La comparacin entre
el germanio y el silicio con respecto a los electrones libres a temperatura
ambiente es de 103 veces mayor en el germanio. El comportamiento del
germanio y del silicio con el incremento de temperatura presenta una
reduccin de su resistencia. Esto es, tienen un coeficiente de temperatura
negativo.
Los cristales de germanio o de silicio contienen pequeas cantidades de
impurezas que conducen la electricidad, incluso a bajas temperaturas. Las
impurezas tienen dos efectos dentro del cristal. Las impurezas de fsforo,
antimonio o arsnico se denominan impurezas donantes porque aportan un

Electrnica Bsica

exceso de electrones. Este grupo de elementos tiene cinco electrones de

valencia, de los cuales slo cuatro establecen enlaces con los tomos de
germanio o silicio. Por lo tanto, cuando se aplica un campo elctrico, los
electrones restantes de las impurezas donantes quedan libres para
desplazarse a travs del material cristalino. Por el contrario, las impurezas de
galio y de indio disponen de slo tres electrones de valencia, es decir, les falta
uno para completar la estructura de enlaces interatmicos con el cristal. Estas
impurezas se conocen como impurezas receptoras, porque aceptan electrones
de tomos vecinos. A su vez, las deficiencias resultantes, o huecos, en la
estructura de los tomos vecinos se rellenan con otros electrones y as
sucesivamente. Estos huecos se comportan como cargas positivas, como si
se movieran en direccin opuesta a la de los electrones cuando se les aplica
un voltaje.
En una estructura atmica aislada existen niveles de discretos de energa
asociados a cada electrn en las diferentes orbitas del tomo.
ENERGA

Banda de
energa vaca
Banda de
energa vaca

Nivel de valencia (Capa externa)

Segundo nivel (siguiente capa interna)
Tercer nivel (siguiente capa interna)

NUCLEO

Figura No. 1.5 Niveles de energa.

En la figura No. 1.5 observamos que entre los niveles de valencia existen
bandas de energa vacas, donde ningn electrn de la estructura atmica
aislada puede permanecer. Cuando lo tomos de un material se unen para
formar una red de estructura cristalina, existir una interaccin entre los
tomos, donde los electrones de una orbita particular de un tomo posea un
nivel de energa diferente a la del electrn de la misma orbita del tomo
adyacente.
Mientras mas distante se encuentre un electrn del ncleo, mayor ser su
estado de energa. Tal como lo vemos en la figura No. 1.4. Adems, en la
figura No. 1.6, se observa una regin prohibida entre la banda de valencia y la

Electrnica Bsica

banda de ionizacin. Donde ionizacin es el mecanismo por medio del cual un

electrn puede absorber energa suficiente para escapar de la estructura
atmica e ingresar a la banda de conduccin. Aparece el trmino de electrn
volts. El cual es la medida con la cual se mide la energa asociada a cada
electrn.
Definimos la energa como el producto entre voltaje y carga asociada a cada
electrn y est dada en electrn voltios (eV).
ENERGA
Banda
conduccin

Eg> 5 eV

ENERGA
Electrones
libres

ENERGA

Banda
conduccin

Las bandas
se traslapan
Eg

Electrones
de valencia
ligados a la
estructura
atmica

Eg=1.1 eV (Si)
Eg= 0.67 eV (Ge)
Eg=1.41 eV (GaAs)

Banda
conduccin

Banda de
valencia

Banda de valencia
Dielctrico

Semiconductor

Conductor

Figura No. 1.6 Bandas de conduccin y valencia.

Si sustituimos la carga de un electrn y una diferencia de potencial de 1 voltio

en ese producto, obtendremos como resultado un nivel de energa referido
como un electrn voltio. La energa se expresa tambin en joules y la carga de
un electrn en 1,6 X 10-19 coulomb, entonces:
W= QV = (1,6 X 10-19 C) * (1 V) (1.3)
1 Ev= 1,6 X 10-19 J

(1.4)

Cuando la temperatura es de 0 K o cero absolutos (-273,15 C), todos los

electrones de valencia de un material semiconductor estarn ligados a la
estructura atmica. Pero si la temperatura llegase a 300 K o 25 C, un nmero
alto de electrones de valencia habrn adquirido la suficiente energa para
abandonar la banda de valencia, cruzar la banda de energa vaca definida por
Eg e ingresar a la banda de conduccin. En la figura No. 1.5 se estable una
tabla para diferentes materiales semiconductores y el valor de E g. Es evidente
que a temperaturas ambiente existirn portadores libres, ms que suficiente
para mantener un flujo constante de carga o corriente.

Electrnica Bsica

Entre los semiconductores comunes se encuentran elementos qumicos y

compuestos, como el silicio, el germanio, el selenio, el arseniuro de galio, el
seleniuro de zinc y el telururo de plomo. El incremento de la conductividad
provocado por los cambios de temperatura, la luz o las impurezas se debe al
aumento del nmero de electrones conductores que transportan la corriente
elctrica. En un semiconductor caracterstico o puro como el silicio, los
electrones de valencia (o electrones exteriores) de un tomo estn
emparejados y son compartidos por otros tomos para formar un enlace
covalente que mantiene al cristal unido. Estos electrones de valencia no estn
libres para transportar corriente elctrica. Para producir electrones de
conduccin, se utiliza la luz o la temperatura, que excita los electrones de
valencia y provoca su liberacin de los enlaces, de manera que pueden
transmitir la corriente. Las deficiencias o huecos que quedan contribuyen al
flujo de la electricidad (se dice que estos huecos transportan carga positiva).
ste es el origen fsico del incremento de la conductividad elctrica de los
semiconductores a causa de la temperatura
Un cristal de germanio o de silicio que contenga tomos de impurezas
donantes se llama semiconductor negativo, o tipo N, para indicar la presencia
de un exceso de electrones cargados negativamente. El uso de una impureza
receptora producir un semiconductor positivo, o tipo P, llamado as por la
presencia de huecos cargados positivamente. Un cristal sencillo que contenga
dos regiones, una tipo N y otra tipo P, se puede preparar introduciendo las
impurezas donantes y receptoras en germanio o silicio fundido en un crisol en
diferentes fases de formacin del cristal. El cristal resultante presentar dos
regiones diferenciadas de materiales tipo N y tipo P. La franja de contacto
entre ambas reas se conoce como unin PN. Tal unin se puede producir
tambin colocando una porcin de material de impureza donante en la
superficie de un cristal tipo p o bien una porcin de material de impureza
receptora sobre un cristal tipo n, y aplicando calor para difundir los tomos de
impurezas a travs de la capa exterior. Al aplicar un voltaje desde el exterior,
la unin PN acta como un rectificador, permitiendo que la corriente fluya en
un solo sentido. Si la regin tipo P se encuentra conectada al terminal positivo
de una batera y la regin tipo N al terminal negativo, fluir una corriente
intensa a travs del material a lo largo de la unin. Si la batera se conecta al
revs, no fluir la corriente.
Al combinarse los tomos de Silicio para formar un slido, lo hacen formando
una estructura ordenada llamada cristal. Esto se debe a los "Enlaces
Covalentes", que son las uniones entre tomos que se hacen compartiendo
electrones adyacentes de tal forma que se crea un equilibrio de fuerzas que
mantiene unidos los tomos de Silicio.
Vamos a representar un cristal de silicio de la siguiente forma:

Electrnica Bsica

Figura No. 1.7 Representacin de un cristal de silicio

Cada tomo de silicio comparte sus 4 electrones de valencia con los tomos
vecinos, de tal manera que tiene 8 electrones en la rbita de valencia, como
se ve en la figura No. 1.7. La fuerza del enlace covalente es tan grande porque
son 8 los electrones que quedan (aunque sean compartidos) con cada tomo,
gracias a esta caracterstica los enlaces covalentes son de una gran solidez.
Los 8 electrones de valencia se llaman electrones ligados por estar
fuertemente unidos en los tomos.

El aumento de la temperatura hace que los tomos en un cristal de silicio

vibren dentro de l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. Con lo que
un electrn se puede liberar de su rbita, lo que deja un hueco, que a su vez
atraer otro electrn.

Electrnica Bsica

Figura No. 1.8 Movimiento de electrones libres.

A 0 K, todos los electrones son ligados. A 300 K o ms, aparecen electrones
libres, tal como leo expresamos anteriormente.

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el

tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina
"tiempo de vida".
Enlace covalente roto: Es cuando
tenemos un hueco, esto es una
generacin de pares electrn librehueco.
Segn un convenio ampliamente aceptado tomaremos la direccin de la
corriente como contraria a la direccin de los electrones libres.

Figura No. 1.8a Grafica de movimiento de electrones en el silicio.

Electrnica Bsica

10

En la figura No. 1.8a vemos que los electrones libres (electrones) se mueven
hacia la izquierda ocupando el lugar del hueco. Los electrones ligados
(huecos) se mueven hacia la derecha.
Carga del electrn libre = -1.6x10-19 Culombios.
Carga de electrn ligado = +1.6x10-19 Culombios.
Semiconductores: Conducen los electrones (electrones libres) y los huecos
(electrones ligados).
1.3. Diodo semiconductor.
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero
si un cristal se dopa de tal forma que una mitad sea tipo n y la otra mitad de
tipo p, esa unin PN tiene unas propiedades muy tiles y entre otras cosas
forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un electrn libre y se
puede representar como un signo "+" encerrado en un circulo y con un punto
relleno (que sera el electrn) al lado. El tomo trivalente sera un signo "-"
encerrado en un circulo y con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un
hueco).
Entonces la representacin de un semiconductor tipo n sera:

Y la de un SC tipo p:

La unin de las regiones p y n ser:

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11

Al juntar las regiones tipo p y tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin pn".
Al haber una repulsin mutua, los electrones libres en el lado n se dispersan
en cualquier direccin. Algunos electrones libres se difunden y atraviesan la
unin, cuando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador
minoritario y el electrn cae en un hueco, el hueco desaparece y el electrn
libre se convierte en electrn de valencia. Cuando un electrn se difunde a
travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga positiva y en el
p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se llaman dipolos, al aumentar los
dipolos la regin cerca de la unin se vaca de portadores y se crea la llamada
"Zona de deplexin".

Figura No. 1.9 Zona de deplexin

Los dipolos tienen un campo elctrico entre los iones positivo y negativo, y al
entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de
devolverlos a la zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada
electrn que cruza hasta llegar al equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial
llamada "Barrera de Potencial" que a 25 C vale:

0.3 V para diodos de Ge.

0.68 V para diodos de Si.

Polarizar: Poner una pila o fuente de voltaje DC.

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12

No polarizado: No tiene pila, circuito abierto o en vaco.

z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de deplexin (W).
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el
terminal negativo de la fuente est conectado al material tipo n, diremos que
estamos en "Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

Figura No. 1.10 Polarizacin directa

En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la
fuente obliga a que los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al
moverse los electrones libres hacia la unin, se crean iones positivos en el
extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el cristal
desde el circuito externo. As los electrones libres pueden abandonar el
terminal negativo de la fuente y fluir hacia el extremo derecho del cristal. El
sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del electrn.

Figura No. 1.11 Sentido del movimiento del electrn libre (e-) y de la corriente
(I).

Electrnica Bsica

13

Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente

entra por el extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n
como electrn libre. En la unin se recombina con un hueco y se convierte en
electrn de valencia. Se desplaza a travs de la zona p como electrn de
valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al terminal
positivo de la fuente.
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en
inversa, el terminal negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al
n, esta conexin se denomina "Polarizacin Inversa". En la figura No. 1.12 se
muestra una conexin en inversa:

Figura No. 1.12 Polarizacin inversa.

El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae
a los electrones libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la
unin y la z.c.e. se ensancha. A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia
de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar cuando su diferencia de
potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones y
huecos dejan de alejarse de la unin. A mayor la tensin inversa aplicada
mayor ser la z.c.e.

Figura No. 1.13 Sentido del movimiento del electrn libre y de la corriente.

Electrnica Bsica

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Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa

trmica crea continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que halla
pequeas concentraciones de portadores minoritarios a ambos lados, la mayor
parte se recombina con los mayoritarios pero los que estn en la z.c.e. pueden
vivir lo suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea corriente. La
zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la
izquierda, se crea as una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que
depende de la temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las
impurezas del cristal y las imperfecciones en su estructura interna. Esta
corriente depende de la tensin de la pila (V VP).

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

1.4. Circuitos equivalentes para diodos.

Se define un circuito equivalente como una combinacin de elementos
elegidos de forma apropiada para representar de la mejor manera las
caractersticas terminales reales de un dispositivo, sistema o similar, para una
regin de operacin particular3.
La idea es sustituir por un circuito equivalente que no afecte de forma
importante el comportamiento real del sistema. Para poder conseguir una red
que pueda resolverse con las tcnicas tradicionales de anlisis de circuitos.

R. L. Boylestad, L. Nashelsky, Electrnica, teora de circuitos y dispositivos

electrnicos. Pearson. 8va. Edicin. 2003.

Electrnica Bsica

15

La forma ms fcil de hacerlo es mediante el uso de segmentos donde los

comportamientos son lineales. Aun cuando no se represente de forma exacta
las caractersticas reales del dispositivo o sistema. Sin embargo, el resultado
est muy aproximado a la curva real, lo cual, establece un circuito equivalente
que proporciona una muy buena aproximacin al comportamiento real del
dispositivo.
Previamente debemos tener en cuenta, en el comportamiento la funcin
resistiva que posee el diodo. Antes de ver el diodo vamos a ver las
caractersticas de la resistencia.
La resistencia de carbn tpica est formada por polvo de carbn pulverizado.
Son importantes las dimensiones del carbn.

Figura No. 1.14 Anlisis de una resistencia

Para analizar el comportamiento de esa resistencia la polarizaremos primero
en directa y luego en inversa. Se toman los valores con un Ampermetro y un
Voltmetro y se representa la I en funcin de V, con lo que tendremos el
comportamiento de la resistencia.

Figura No. 1.15 Comportamiento de una resistencia en la regin de

polarizacin directa.

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Si polarizo al revs las ecuaciones son las mismas, pero las corrientes y las
tensiones son negativas.

Figura No. 1.16 Comportamiento de una resistencia en la regin de

polarizacin inversa.
Entonces al final nos quedar de la siguiente forma:

Figura No. 1.17 Curva caracterstica de una resistencia.

A esta representacin se le llama "Curva Caracterstica" y es una recta, por
ello se dice que la resistencia es un "Elemento Lineal". Es ms fcil trabajar
con los elementos lineales porque sus ecuaciones son muy simples.
Analizamos de la misma forma el diodo:
Se le van dando distintos valores a la pila y se miden las tensiones y
corrientes por el diodo, tanto en directa como en inversa (variando la
polarizacin de la pila). Y as obtenemos una tabla que al ponerla de forma
grfica sale algo as:

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Figura No. 1.18 Comportamiento de un diodo.

Esta es la curva caracterstica del diodo (un diodo se comporta de esa forma).
Como no es una lnea recta, al diodo se le llama "Elemento No Lineal"
"Dispositivo No Lineal", y este es el gran problema de los diodos, que es muy
difcil trabajar en las mallas con ellos debido a que sus ecuaciones son
bastante complicadas.
La ecuacin matemtica de esta curva es:

En directa, a partir de 0.7 V la corriente aumenta mucho, conduce mucho el

diodo y las corrientes son muy grandes. Debido a estas corrientes grandes el
diodo podra romperse, por eso hay que tener cuidado con eso (como mximo
se tomar 0.8 V 0.9 V). En inversa tenemos corrientes negativas y
pequeas. A partir de -1 V se puede despreciar la e y queda

Electrnica Bsica

18

aproximadamente I = -IS, que es muy pequea aunque no se ha tenido en

cuenta la corriente de fugas, con ella sera:
I = -(IS + If)
A partir de -1 V si no hubiera If tendramos una corriente pequea y horizontal
pero como hay fugas que son proporcionales a la tensin inversa, bajando
poco a poco.

Figura No. 19 Curvas de comportamiento en las dos zonas de polarizacin.

Si sigo aumentando la tensin inversa se llegar a un valor de ruptura, en este
ejemplo a VR = -50 V aparece la avalancha y ya la ecuacin no vale, es otra
distinta. Y aqu el diodo se destruye a menos que sea especialmente fabricado
(un diodo zener). Al punto en el que se vence la barrera de potencial se le
llama codo. La "Barrera de Potencial" "Tensin Umbral" es el comienzo del
codo, a partir de ah conduce mucho el diodo en directa.
En la zona directa tenemos dos caractersticas importantes:
Hay que vencer la barrera de potencial (superar la tensin umbral V d)
para que conduzca bien en polarizacin directa (zona directa).
Aparece una resistencia interna (el diodo se comporta
aproximadamente como una resistencia.
Como ya se ha dicho antes es el valor de la tensin a partir del cual el diodo
conduce mucho. A partir de la Tensin Umbral Barrera de Potencial la
intensidad aumenta mucho variando muy poco el valor de la tensin.

Electrnica Bsica

19

(a)

(b)

Figura 1.20 Tensin umbral (a) y similitud a la curva de una resistencia (b)
A partir de la tensin umbral se puede aproximar, esto es, se puede decir que
se comporta como una resistencia. La zona n tiene una resistencia y la zona p
otra resistencia diferente:

Figura No. 1.21 Clculo de la resistencia en la zona de polarizacin inversa.

EJEMPLO: 1N4001 rp= 0.13 W
rn = 0.1 W
La resistencia interna es la suma de la resistencia en la zona n y la resistencia
en la zona p.

Y la pendiente de esa recta ser el inverso de esta resistencia interna.

Electrnica Bsica

20

Figura No. 1.22 Pendiente de la recta en zona directa.

Como la resistencia interna es pequea, la pendiente es muy grande, con lo
que es casi una vertical, esto es, conduce mucho. Resumiendo hemos visto
que tenemos:

Figura No. 1.23 Curva de un diodo

Mxima corriente contina en polarizacin directa, es el mayor valor de
corriente permitido en la caracterstica del diodo:

Figura No. 1.24 Grafica de corriente mxima.

Electrnica Bsica

21

EJEMPLO: 1N4001

IFmx = 1 A (F = forward (directa))

En circuitos como el de la figura, hay que poner una resistencia porque sino el
diodo se estropeara fcilmente. Esto se ve dndole valores a la pila, y viendo
las intensidades que salen, que a partir de 0.7 V (suponiendo que el diodo es
de silicio) aumentan mucho como se ve claramente en la grfica de la
caracterstica del diodo.

Figura No. 1.25 Resistencia limitadora

Entonces se pone una resistencia para limitar esa corriente que pasa por el
diodo, como se ve en la figura No. 1.25. Se calcula la resistencia para limitar la
corriente, para que no aumente a partir de 1 A por ejemplo.

La mxima corriente y la mxima potencia estn relacionadas. Como ocurre

con una resistencia, un diodo tiene una limitacin de potencia que indica
cuanta potencia puede disipar el diodo sin peligro de acortar su vida ni
degradar sus propiedades. Con corriente continua, el producto de la tensin
en el diodo y la corriente en el diodo es igual a la potencia disipada por ste.
Normalmente en diodos rectificadores no se suele emplear la limitacin
mxima de potencia, ya que toda la informacin acerca de la destruccin del
diodo (por calor) ya esta contenida en el lmite mximo de corriente.
EJEMPLO: 1N4001. En la hoja de caractersticas indica una corriente mxima
con polarizacin directa Io de 1 A. Siempre que la corriente mxima con
polarizacin directa sea menor que 1 A, el diodo no se quemar.

Electrnica Bsica

22

Figura No. 1.26 Disipacin de potencia de un diodo.

La potencia se disipa en el diodo en forma de calor. Como ya se ha dicho no
se debe pasar de ese valor de potencia.
En polarizacin inversa tenamos una corriente que estaba formada por la
suma de los valores de la corriente IS y la corriente de fugas If (Figura No.
1.27). Hay que tener cuidado, no hay que llegar a VR porque el diodo se rompe
por avalancha (excepto si es un Zener).

Figura No. 1.27 Polarizacin inversa.

Los modelos de resolucin de circuitos con diodos ms usados son 4:

Modelo exacto
1 Aproximacin
2 Aproximacin
3 Aproximacin

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23

Primeramente analizaremos la resolucin de forma exacta. El circuito que

queremos resolver es el de la figura No. 1.28.

Figura No. 1.28

Primeramente y mirando la temperatura en la que estamos trabajando
tomamos del catlogo los siguientes valores para T = 27 C (temperatura
ambiente):

Con esto podremos continuar calculando:

De la ecuacin exacta del diodo:

Tenemos 2 incgnitas y una ecuacin, necesitamos otra ecuacin que ser la

ecuacin de la malla:

Y ahora tenemos 2 incgnitas y 2 ecuaciones, resolvemos:

Nos queda que es imposible despejar la V, es una "ecuacin trascendente".

Para resolver este tipo de ecuaciones hay que usar otro tipo de mtodos, aqu
lo resolveremos por "tanteo", que consiste en ir dndole valores a una de las
incgnitas hasta que los valores se igualen.

Electrnica Bsica

24

En este ejemplo hemos usado una malla, pero si tuviramos ms diodos,

tendramos ms exponenciales, ms mallas, etc... Esto es muy largo, por eso
no se usa (a no ser que dispongamos de un PC y un programa matemtico
para resolver este tipo de ecuaciones). Para poder hacerlo a mano, vamos a
basarnos en unos modelos aproximados ms o menos equivalentes del diodo.
Estos modelos equivalentes aproximados son lineales, al ser aproximados
cometeremos alguna imprecisin.
1 Aproximacin (el diodo ideal). La exponencial se aproxima a una vertical y
una horizontal que pasan por el origen de coordenadas. Este diodo es ideal,
no se puede fabricar. Polarizacin directa: Es como sustituir un diodo por un
interruptor cerrado.

Figura No. 1.29 Diodo ideal en zona de conduccin.

Con la polarizacin inversa es como sustituir el diodo por un interruptor
abierto. Como se ha visto, el diodo acta como un interruptor abrindose o
cerrndose dependiendo de si esta en inversa o en directa. Para ver los
diferentes errores que cometeremos con las distintas aproximaciones vamos a
ir analizando cada aproximacin.
EJEMPLO:

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25

Figura No. 1.30 Un caso real.

En polarizacin directa:

2 Aproximacin. La exponencial se aproxima a una vertical y a una horizontal

que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la tensin umbral para el silicio,
porque suponemos que el diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomara
el valor de 0,3 V).

Figura No. 1.31. 2 aproximacin.

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26

El tramo que hay entre 0 V y 0,7 V es en realidad polarizacin directa, pero

como para efectos prcticos no conduce, se toma como inversa. Con esta
segunda aproximacin el error es menor que en la aproximacin anterior.
Polarizacin directa: La vertical es equivalente a una pila de 0,7 V.
Polarizacin inversa: Es un interruptor abierto.
EJEMPLO: Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la
segunda aproximacin que se ha visto ahora. Como en el caso anterior lo
analizamos en polarizacin directa:

Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximacin, esta

segunda aproximacin es menos ideal que la anterior, por lo tanto es ms
exacta, esto es, se parece ms al valor que tendra en la prctica ese circuito.
3 Aproximacin. La curva del diodo se aproxima a una recta que pasa por 0,7
V y tiene una pendiente cuyo valor es la inversa de la resistencia interna. El
estudio es muy parecido a los casos anteriores, la diferencia es cuando se
analiza la polarizacin directa:

Figura No. 1.32

Electrnica Bsica

27

EJEMPLO: En el ejemplo anterior usando la 3 aproximacin, tomamos 0,23

como valor de la resistencia interna.

Esta tercera aproximacin no merece la pena usarla porque el error que se

comete, con respecto a la segunda aproximacin, es mnimo. Por ello se usar
la segunda aproximacin en lugar de la tercera excepto en algn caso
especial.
Para elegir que aproximacin se va a usar se tiene que tener en cuenta, por
ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta es
afirmativa se podra usar la primera aproximacin. Por el contrario, si el
circuito contiene resistencias de precisin de una tolerancia de 1%, puede ser
necesario utilizar la tercera aproximacin. Pero en la mayora de los casos la
segunda aproximacin ser la mejor opcin. La ecuacin que utilizaremos
para saber que aproximacin se debe utilizar es esta:

Fijndonos en el numerador se ve que se compara la V S con 0.7 V. Si VS es

igual a 7 V, al ignorar la barrera de potencial se produce un error en los
clculos del 10 %, si VS es 14 V un error del 5 %, etc...

Electrnica Bsica

28

Tabla No. 1.2

Viendo el denominador, si la resistencia de carga es 10 veces la resistencia
interna, al ignorar la resistencia interna se produce un error del 10 % en los
clculos. Cuando la resistencia de carga es 20 veces mayor el error baja al 5%
y as sucesivamente.

Tabla No. 1.3

En la mayora de los diodos rectificadores la resistencia interna es menor que
1 , lo que significa que la segunda aproximacin produce un error menor que
el 5 % con resistencias de carga mayores de 20 . Por eso la segunda
aproximacin es una buena opcin si hay dudas sobre la aproximacin a
utilizar. Ahora veremos una simulacin para un ejemplo concreto de uso de
estas aproximaciones.
Cualquier circuito tiene variables independientes (como tensiones de
alimentacin y resistencias en las ramas) y variables dependientes (tensiones
en las resistencias, corrientes, potencias, etc.). Cuando una variable

Electrnica Bsica

29

independiente aumenta, cada una de las variables dependientes responder,

normalmente, aumentando o disminuyendo. Si se entiende cmo funciona el
circuito, entonces se puede predecir si una variable aumentar o disminuir.
EJEMPLO:

Figura No. 1.33

Si se analiza la resistencia RL y la tensin VS, se ve que los valores que se
desean son de 1 K y 10 V en este caso, a estos se les llama "valores
nominales", pero los valores reales se rigen por unas tolerancias, que son
unos rangos de valores no un valor fijo. El diodo tambin puede variar su valor
de tensin umbral.
Pero estas tres variables (RL, VS y Vj) dependen de la fabricacin, estos es
dependen de si mismas, son "variables independientes". Por otro lado estn
las "variables dependientes", que dependen de las tres variables anteriores,
que son: VL, IL, PD, PL y PT. Estos quedan reflejados en la tabla No. 1.4:

Tabla No. 1.4

1.5. Capacitancia de transicin y difusin

Electrnica Bsica

30

Todos los dispositivos electrnicos cambian su comportamiento cuando se

someten a las altas frecuencias. En los rangos de baja frecuencias los efectos
capacitivos pueden ignorarse porque su reactancia (XC= 1/2fC) es muy alta
en esta zona de frecuencias y equivaldra a un circuito abierto. En un diodo
semiconductor pn se presentan dos efectos capacitivos que se deben tener en
cuenta. Ambos tipos se presentan tanto en la zona de polarizacin directa
como en la zona de polarizacin inversa. Uno de los efectos es superior al otro
en cada zona. En la regin de polarizacin directa, el efecto significativo se
conoce como capacitancia de difusin (CD). Y en la regin de polarizacin
inversa, se presenta la capacitancia de transicin (CT) o de regin de
agotamiento.

Figura No. 1.34 Incorporacin del efecto de capacitancia de transicin.

Los efectos capacitivos descritos se representan con un capacitor en paralelo
al diodo ideal. Figura No. 1.34. En aplicaciones de baja y mediana frecuencia,
salvo en el rea de potencia, el capacitor no se incluye en el smbolo del
diodo.
1.6. Tiempo de recuperacin inverso.
En las hojas de especificaciones los fabricantes proporcionan entre otros
datos, el tiempo de recuperacin inversa, el cual se representa por trr.
Anteriormente vimos que en la regin de polarizacin directa, existe un gran
nmero de electrones que se desplazan del material tipo n hacia el material
tipo p, y una gran cantidad de huecos que se desplazan en sentido contrario
de los electrones. Siendo este el requisito para que exista conduccin. Luego,
los electrones en el tipo p y los huecos que se difunden a travs del material
tipo n establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada
material. Si se aplica un voltaje inverso al estado anterior, el diodo cambia de
estado de conduccin a un estado de no conduccin. Pero, debido al gran
nmero de portadores minoritarios en cada material, la corriente del diodo
sencillamente se invierte y se mantiene en este nivel durante un tiempo ts
(tiempo de almacenamiento), que requieren los portadores minoritarios para
regresar a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. Esto
es, el diodo permanece en estado de circuito cerrado con una corriente Iinversa
determinada por los parmetros de la red. Una vez, el tiempo de
almacenamiento termine, la corriente se reducir hasta alcanzar el estado de

Electrnica Bsica

31

no conduccin. Esta segunda etapa se reconoce como el tiempo de

recuperacin y se designa por tt, conocido como el intervalo de transicin.

Id
Cambio requerido de
estado en t= t1

Idirecta

Iinversa

Respuesta
deseada

t1

ts

tt
trr

Figura No. 1.35. Definicin del tiempo de recuperacin inverso.

En la prctica los tiempos estn en el orden de 1 microsegundo (1 Seg) pero
pueden existir trr del orden de unos cientos de picosegundos (10-12).
1.7. Hoja de especificaciones, pruebas de diodos.
La mayor parte de la informacin que suministra el fabricante en las hojas de
caractersticas es solamente til para los que disean circuitos, nosotros
solamente estudiaremos aquella informacin de la hoja de caractersticas que
describe parmetros que aparecen en este texto.
Tensin inversa de ruptura
Estudiaremos la hoja de caractersticas del diodo 1N4001, un diodo
rectificador empleado en fuentes de alimentacin (circuitos que convierten una
tensin alterna en una tensin continua).
La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007 son siete diodos que tienen las
mismas caractersticas con polarizacin directa, pero en polarizacin inversa
sus caractersticas son distintas.
Primeramente analizaremos las "Limitaciones mximas" que son estas:

Electrnica Bsica

32

Tabla No. 1.5

Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas condiciones de
funcionamiento. Lo importante es saber que la tensin de ruptura para el diodo
es de 50 V, independientemente de cmo se use el diodo. Esta ruptura se
produce por la avalancha y en el 1N4001 esta ruptura es normalmente
destructiva.
Corriente mxima con polarizacin directa
Un dato interesante es la corriente media con polarizacin directa, que
aparece as en la hoja de caractersticas:

Tabla No. 1.6

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A con polarizacin directa
cuando se le emplea como rectificador. Esto es, 1 A es el nivel de corriente
con polarizacin directa para el cual el diodo se quema debido a una
disipacin excesiva de potencia. Un diseo fiable, con factor de seguridad 1,
debe garantizar que la corriente con polarizacin directa sea menor de 0,5 A
en cualquier condicin de funcionamiento.
Los estudios de las averas de los dispositivos muestran que la vida de stos
es tanto ms corta cuanto ms cerca trabajen de las limitaciones mximas.
Por esta razn, algunos diseadores emplean factores de seguridad hasta de
10:1, para 1N4001 ser de 0,1 A o menos.
Cada de tensin con polarizacin directa
Otro dato importante es la cada de tensin con polarizacin directa:

Electrnica Bsica

33

Tabla No. 1.7

Estos valores estn medidos en alterna, y por ello aparece la palabra
instantneo en la especificacin. El 1N4001 tiene una cada de tensin tpica
con polarizacin directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la
temperatura de la unin es de 25 C.
Corriente inversa mxima
En esta tabla est la corriente con polarizacin inversa a la tensin continua
indicada (50 V para un 1N4001).

Tabla No. 1.8

Esta corriente inversa incluye la corriente producida trmicamente y la
corriente de fugas superficial. De esto deducimos que la temperatura puede
ser importante a la hora del diseo, ya que un diseo basado en una corriente
inversa de 0,05 mA trabajar muy bien a 25 C con un 1N4001 tpico, pero
puede fallar si tiene que funcionar en medios donde la temperatura de la unin
alcance los 100 C.
Siempre que se habla de continua, se quiere decir que es esttica, que nunca
cambia, es una "Resistencia Esttica". En la zona de polarizacin directa se
simboliza con RF y en la zona de polarizacin inversa con RR.
Lo estudiaremos para el diodo 1N914:

Electrnica Bsica

34

Resistencia con polarizacin directa

En cada punto tenemos una resistencia distinta, esa resistencia es el
equivalente del diodo en polarizacin directa para esos valores concretos de
intensidad y tensin.

Figura No. 1.36. Valores del diodo.

Si comparamos este valor de resistencia con la resistencia interna:

Electrnica Bsica

35

Figura No. 1.37 Comparacin de la resistencia interna del diodo.

Como los 3 puntos tienen la misma pendiente quiere decir que para los 3
puntos el modelo es el mismo. Entonces la RF anterior no es til porque vara,
pero la rB no vara y por eso esta es la resistencia que se utiliza.
Resistencia con polarizacin inversa
Exageramos la curva de la grfica para verlo mejor:

Figura No. 1.38 Resistencia con polarizacin inversa.

Como en el caso anterior en cada punto tenemos una recta, por lo tanto un R R
(R = Reverse, inversa) para cada punto.

Electrnica Bsica

36

Como es un valor muy grande, se puede considerar infinito (idealmente

circuito abierto). Este valor no es til, no se utiliza para hacer modelos o
mallas, pero de forma prctica en el laboratorio puede ser til (el polmetro
marca la resistencia esttica y se puede utilizar para detectar averas).

Figura No. 1.39 Medicin de un diodo.

1.8. Diodos zener y diodos emisor de luz.
Diodo Zener
La aplicacin de estos diodos se ve en los Reguladores de Tensin y acta
como dispositivo de tensin constante (como una pila).
Smbolo:

Figura No. 1.40 Diodo zener.

Caracterstica: Su grfica es de la siguiente forma:

Figura No. 1.41 Curvas tpicas de un diodo zener.

Electrnica Bsica

37

Un diodo normal tambin tiene una zona de ruptura, pero no puede funcionar
en ella, con el Zener si se puede trabajar en esa zona.

La potencia mxima que resiste en la "Zona de Ruptura" ("Zona Zener"):

En la zona de ruptura se produce el "Efecto Avalancha" "Efecto Zener", esto

es, la corriente aumenta bruscamente. Para fabricar diodos con un valor
determinado de tensin de ruptura (VZ) hay que ver la impurificacin porque VZ
es funcin de la impurificacin (NA ND), depende de las impurezas.

Figura No. 1.42 Efecto de avalancha para diferentes materiales

semiconductores.
La zona de ruptura no es una vertical, realmente tiene una inclinacin debida a
RZ:

Electrnica Bsica

38

En un "Diodo Zener Real" todos son curvas, pero para facilitar los clculos se
aproxima siempre.

Figura No. 1.43 curvas reales de un diodo zener.

Las aproximaciones para el zener son estas:
Modelo ideal (1 aproximacin)

Figura No. 1.44 Modelo ideal del zener.

Si buscamos su equivalente veremos que es una pila con la tensin V Z. Esto
solo es vlido entre IZmn y IZmx.
2 aproximacin

Electrnica Bsica

39

Figura No. 1.45 Segunda aproximacin del zener.

Como en el caso anterior lo sustituimos por un modelo equivalente:

Figura No. 1.46 Modelo equivalente del zener.

Diodo emisor de luz - LED
Se basa en:

Figura No. 1.47 LED

El negativo de la pila repele a los electrones que pasan de n a p, se
encuentran en p con un hueco, se recombinan con l y ya no son electrones

Electrnica Bsica

40

libres, al bajar de BC a BV pierde una energa E que se desprende en forma

de luz (fotn de luz).
Diferencias entre un diodo normal y un LED:
Diodo normal, E en forma de calor. Diodo LED, E en forma de fotn. (E
= h*f, h = cte de Planck, f = frecuencia que da color a esa luz).
Diodo normal hecho de silicio. Diodo LED hecho de As, P, Ga y
aleaciones entre ellas. Para cada material de estos la distancia de BC y
BV es distinta y as hay distintos colores, y mezclndolos se consiguen
todos, hasta de luz invisible al ojo humano.
Aplicacin:
Lmparas de sealizacin.
Alarmas (fotones no visibles).
Etc...
El diodo LED siempre polarizado en directa, emitir luz. Podemos usar esto en
una fuente de alimentacin que hemos dado.

Figura No. 1.48 Aplicacin del LED

La intensidad del LED:

Figura No. 1.49 Intensidad del LED

Electrnica Bsica

41

Normalmente para el valor de 10 mA se suelen encender (ver en el catlogo).

La tensin en el LED:

Figura No. 1.50 Curvas caractersticas del LED.

Diferencia con el silicio, la tensin es mayor. Cuando no dice nada se asume
VLED = 2 V. En la figura No. 1.48, aqu el diodo LED es un indicador que nos
dice si la fuente de alimentacin est encendida o apagada.
EJEMPLO: TIL 222 LED verde, VLED = 1.8:3 V
Hay que ver que luz da, si funciona bien en ese rango de valores. Se sacan
las intensidades para los 2 extremos:

Figura No. 1.51 El LED y su rango de funcionamiento.

La corriente vara muy poco, lo que implica que la iluminacin vara muy poco,
est muy bien diseado.

Figura No. 1.52 Ejemplo de una mala aplicacin.

Electrnica Bsica

42

No es muy buen diseo porque la intensidad vara bastante, y la iluminacin

vara mucho. En conclusin: Los circuitos con tensiones grandes y
resistencias grandes funcionan bien, por lo tanto, si se pueden tomar valores
grandes.

Electrnica Bsica

43

CAPITULO 2
2. Aplicaciones de Diodos
2.1. Anlisis por medio de la recta de carga.
La recta de carga es una herramienta que se emplea para hallar el valor de la
corriente y la tensin del diodo. Las rectas de carga son especialmente tiles
para los transistores, por lo que ms adelante se dar una explicacin ms
detallada acerca de ellas.
Estas son las distintas formas de analizar los circuitos con diodos:
EXACTA POR TANTEO: Ecuacin del diodo exponencial y ecuacin de
la malla.
MODELOS EQUIVALENTES APROXIMADOS: 1 aproximacin, 2
aproximacin y 3 aproximacin.
DE FORMA GRFICA: Recta de carga.
Hasta ahora hemos visto las 2 primeras, la tercera forma de analizarlos es de
forma grfica, esto es calculando su recta de carga.

Figura No. 2.1

Si de la ecuacin de la malla, despejamos la intensidad tenemos la ecuacin
de una recta, que en forma de grfica sera:

Figura No. 2.2

Electrnica Bsica

44

A esa recta se le llama "recta de carga" y tiene una pendiente negativa. El

punto de corte de la recta de carga con la exponencial es la solucin, el punto
Q, tambin llamado "punto de trabajo" o "punto de funcionamiento". Este punto
Q se controla variando VS y RS. Al punto de corte con el eje X se le llama
"Corte" y al punto de corte con el eje Y se le llama "Saturacin".
2.2. Aproximacin de diodos.
En el captulo anterior cuando se realiz el anlisis del modelo equivalente
mediante la utilizacin de segmentos lineales no se utiliz en el anlisis de la
recta de carga debido a que RS es tpicamente mucho menor que los otros
elementos en serie de la red. Si recurriramos a un anlisis tan preciso donde
tengamos en cuenta las variaciones por tolerancias, temperaturas etc.,
concluiramos que una solucin es tan precisa como la otra.
Por esto, solamente debemos tener en cuenta el material con el cual est
fabricado nuestro diodo, silicio o germanio para determinar el voltaje de cada
que aporta en un anlisis circuital
Tipo de diodo
Silicio
Germanio
IDEAL

Valor de VD
0,7 V
0,3 V
0,0 V

Tabla No. 2.1

2.3. Configuraciones de diodos en serie con entradas DC.
En el desarrollo de circuitos fcilmente encontraremos una variedad de
configuraciones de diodos en serie con entrada de dc. Debemos tener muy
claro que un diodo est en estado de conduccin encendido si las corrientes
aplicadas por las fuentes son superiores a la corriente umbral y permiten una
cada de voltaje de acuerdo al tipo de material de construccin del diodo (VD
0,7 V para el silicio o 0,3 V para el germanio).
Para cada configuracin, la tcnica consiste en reemplazar los diodos por
elementos resistivos con una cada de voltaje siempre y cuando la direccin
de la corriente sea en el sentido que polarice de forma directa al diodo y este
est en estado de conduccin. Para este caso, reemplazamos el diodo por
una fuente de voltaje con el valor correspondiente al material, ver tabla 2.1, y
as, se realizar un anlisis que cumpla con la Ley de Kirchhoff, es decir, que
la suma de los voltajes de una malla debe ser cero. En caso contrario, un
diodo polarizado inversamente, se representar como un circuito abierto.

Electrnica Bsica

45

Para cualquier caso, siempre se debe cumplir con la Ley de Kirchhoff.

2.4. Configuracin de diodos en paralelo y serie paralelo.
Siendo consecuente con lo visto en el apartado anterior, el anlisis de las
configuraciones paralelo y serie paralelo se realizarn de una forma similar.
Se cambiarn los diodos por fuentes de voltajes y/o circuitos abiertos y se
proceder a la realizacin del respectivo anlisis.
Dentro de estas aplicaciones, podemos encontrar circuitos que se pueden
comportar como compuertas AND/OR.

2.5. Rectificacin de media onda y rectificacin de onda completa.

Este es el circuito ms simple que puede convertir corriente alterna en
corriente continua. Este rectificador lo podemos ver representado en la
siguiente figura:

Figura No. 2.3 Rectificacin de media onda.

Las grficas que ms nos interesan son:

Electrnica Bsica

46

Durante el semiciclo positivo de la tensin del

primario, el bobinado secundario tiene una
media onda positiva de tensin entre sus
extremos. Este aspecto supone que el diodo se
encuentra en polarizacin directa. Sin embargo
durante el semiciclo negativo de la tensin en el
primario, el arrollamiento secundario presenta
una onda sinusoidal negativa. Por tanto, el diodo
se encuentra polarizado en inversa.
La onda que ms interesa es VL, que es la que
alimenta a RL. Pero es una tensin que no tiene
partes negativas, es una "Tensin Continua
Pulsante", y nosotros necesitamos una "Tensin
Continua
Constante".
Analizaremos
las
diferencias de lo que tenemos con lo que
queremos conseguir.

Lo que tenemos ahora es una onda peridica, y toda onda peridica se puede
descomponer en "Series de Fourier".
La siguiente figura muestra un rectificador de onda completa con 2 diodos:

Figura No. 2.4 Rectificacin de onda completa.

Electrnica Bsica

47

Debido a la conexin en el centro del devanado secundario, el circuito es

equivalente a dos rectificadores de media onda.

El rectificador superior funciona

con el semiciclo positivo de la
tensin en el secundario, mientras
que el rectificador inferior funciona
con el semiciclo negativo de
tensin en el secundario.
Es decir, D1 conduce durante el
semiciclo positivo y D2 conduce
durante el semiciclo negativo.
As pues la corriente en la carga
rectificada circula durante los dos
semiciclos.
En este circuito la tensin de carga
VL, como en el caso anterior, se
medir en la resistencia RL.

Aplicamos Fourier como antes.

Electrnica Bsica

48

Ahora la frecuencia es el doble de la de antes y el pico la mitad del anterior

caso. As la frecuencia de la onda de salida es 2 veces la frecuencia de
entrada.

Y el valor medio sale:

Electrnica Bsica

49

Lo ideal sera que solo tuvisemos la componente continua, esto es, solo la
primera componente de la onda que tenemos.
El valor medio de esa onda lo calcularamos colocando un voltmetro en la RL,
si lo calculamos matemticamente sera:

Y este sera el valor medio que marcara el voltmetro. Como hemos visto
tenemos que eliminar las componentes alternas de Fourier. En estos casos
hemos usado la 1 o la 2 aproximacin.
Por ltimo diremos que este circuito es un rectificador porque "Rectifica" o
corta la onda que tenamos antes, la recorta en este caso dejndonos solo con
la parte positiva de la onda de entrada.
En la figura siguiente podemos ver un rectificador de onda completa en
puente:

Electrnica Bsica

50

Figura 2.5 Rectificacin de onda completa con puente.

Mediante el uso de 4 diodos en vez de 2, este diseo elimina la necesidad de
la conexin intermedia del secundario del transformador. La ventaja de no
usar dicha conexin es que la tensin en la carga rectificada es el doble que la
que se obtendra con el rectificador de onda completa con 2 diodos.

Figura No. 2.6 Explicacin grfica de rectificacin.

Las grficas tienen esta forma:

Electrnica Bsica

51

Durante el semiciclo positivo de

tensin de la red, los diodos D1 y
conducen, esto da lugar a
semiciclo positivo en la resistencia
carga.

la
D3
un
de

Los diodos D2 y D4 conducen durante

el semiciclo negativo, lo que produce
otro
semiciclo
positivo
en
la
resistencia de carga.
El resultado es una seal de onda
completa en la resistencia de carga.
Hemos obtenido la misma onda de
salida VL que en el caso anterior.
La diferencia ms importante es que la
tensin inversa que tienen que
soportar los diodos es la mitad de la
que tienen que soportar los diodos en
un rectificador de onda completa con 2
diodos, con lo que se reduce el costo
del circuito.

2.6. Circuitos recortadores, sujetadores, diodo zener y multiplicadores de

voltaje.

Multiplicadores
A veces hay cargas que necesitan una tensin muy alta y que absorben una
corriente pequea

EJEMPLO: Tubo de rayos catdicos (TV, monitor de ordenador, osciloscopio).

Electrnica Bsica

52

Entonces hay que elevar la tensin de la red. Primero se pone un

transformador elevador con todos los diodos y condensadores que necesite.

Figura No. 2.7 Un multiplicador de tensin.

Y tenemos un rizado casi nulo.
El mayor problema es que el transformador elevador sera muy voluminoso
porque necesitara muchas espiras, adems el campo elctrico sera grande,
VIP del diodo tambin (VIP = 2Vpico = 2933 = 1833 V en inversa), mucha
tensin en el C, etc...
Por eso no se usa un transformador elevador sino que se utiliza un
multiplicador de tensin. Hay varios tipos de multiplicadores de tensin,
nosotros analizaremos estos cuatro:
El Doblador de tensin
El Doblador de tensin de onda completa
El Triplicador
El Cuadriplicador

Figura No. 2.8 Doblador de tensin

Electrnica Bsica

53

Para comenzar a analizar este tipo de circuitos es interesante tener en cuenta

este truco.
Truco: Empezar en el semiciclo (malla) donde se cargue un solo
condensador.

Figura No. 2.9 Funcionamiento de un doblador de tensin.

Entonces nos queda de esta forma si ponemos la carga en C2:

Figura No. 2.10 Anlisis del doblador.

La masa se coloca en la borna negativa del condensador. Y se carga C2 a 622
V. Y como se ve, si se conectan las bornas a C2, esto es un doblador de
tensin. Como la corriente de descarga es pequea, el C2 se descarga
despacio con una constante de tiempo de valor:

Resumiendo tenemos:

Electrnica Bsica

54

Figura No. 2.11 Resumen del funcionamiento de un doblador de media onda.

Si cambiamos un poco el circuito tendremos otro ejemplo:

Figura No. 2.12 Doblador de tensin de onda completa

Quitamos la carga para analizarlo. Como ya se ha dicho antes empezamos
por donde haya un solo condensador. Si representamos VL en funcin del
tiempo.

Electrnica Bsica

55

Figura No. 2.13 Anlisis de un doblador de onda completa.

Primero uno luego el otro, se van turnando los 2 condensadores, como cada
uno es de 60 Hz, los 2 a la vez son 120 Hz.
Este circuito tiene una ventaja respecto al anterior: El rizado es ms pequeo.
La desventaja radica en que no sabemos donde colocar la masa, en el caso
anterior lo tenamos fcil, pero ahora si ponemos debajo de R L no hay ningun
borne de la red a masa. Si conectamos una carga tambin a masa puede
haber un cortocircuito. Hay que andar con cuidado al usar ese circuito.
Triplicador

Electrnica Bsica

56

Al de media onda se le aade algo. El principio es idntico: Semiciclo negativo

se carga C1, semiciclo positivo se carga C2 a 622 V, semiciclo negativo se
carga C3 a 622 V, 2 veces el pico.
Ahora elegimos los bornes para sacar:

Figura No. 2.14 Triplicador de voltaje

Con esto se puede hacer un doblador y un triplicador dependiendo de donde
se colocan las bornas. Y tenemos 933 V a la salida. El truco consiste en que la
constante de tiempo de descarga sea:

Y si a este circuito se le aade una etapa ms (diodo y condensador) se

convierte en un cuadriplicador.
Cuadriplicador
Es como los anteriores, y la tensin se toma como se ve en la figura:

Electrnica Bsica

57

Figura No. 2.15 Cuadruplicador de voltaje.

Recortadores limitadores
Podemos tener dos tipos de diodos:
De Pequea Seal: Frecuencias mayores de red, limitaciones de
potencia menores que 0.5 W (corrientes de miliAmperios).
o Limitadores.
o Cambiadores de nivel.
o Detector de pico a pico.
De Gran Seal: Diodos de potencia, son los diodos que se usan en las
fuentes de alimentacin, tienen una limitacin de potencia mayor que
0.5 W (corrientes de Amperios).
Ahora vamos a analizar los diodos de pequea seal.
Recortador positivo
Esta es la forma de un limitador positivo:

Figura No. 2.16. Limitador recortador positivo.

Electrnica Bsica

58

Se tomo RL >> R para que en el semiciclo negativo vaya todo a la salida.

Recorta los semiciclos positivos, limita o recorta. Si se usa la 2 aproximacin:

No recorta de forma perfecta por no ser ideal el diodo.

Limitador positivo polarizado. Es como el anterior pero con una fuente de
voltaje adicional.

Figura No. 2.17 Limitador recortador con fuente de voltaje adicional.

Limitador negativo
La diferencia con el limitador positivo radica en el cambio de direccin del
diodo.

Figura No. 2.18 Recortador Negativo.

Electrnica Bsica

59

Para explicar el comportamiento del limitador negativo vamos a analizar un

limitador doble, que esta compuesto por un limitador polarizado positivo y otro
limitador polarizado negativo.

Figura No. 2.19 Funcionamiento de un limitador negativo.

Esto era para RL >> R. Si no se cumpliera esto no sera una senoidal cuando
no conducen los diodos. Es un circuito recortador (limitador), es un circuito
limitador positivo polarizado y limitador negativo polarizado.
Aplicacin: Si se mete una onda de
pico muy grande a la entrada, aparece
una onda prcticamente cuadrada a la
salida, que aunque no sea tan
parecida se toma como si fuese una
onda cuadrada (es imposible hacer
una onda cuadrada perfecta).
Primera aplicacin: "Transformar una
Senoidal a Cuadrada".
Si recorto en + 5 V y en 0 V.

Electrnica Bsica

60

Puedo
aprovechar
electrnica digital.

esto

para

Aplicacin: Si tenemos un circuito que da alterna a su salida que es variable y

nosotros queremos transmitir esa onda a la carga, podemos estropear la carga
si conectamos directamente la carga a ese circuito.

Figura No. 2.20 Aplicacin de un recortador.

Por eso ponemos un recortador o limitador entre la carga y ese circuito para
que no se estropee la carga. Es para proteccin de la carga (se puede limitar
la parte positiva, la negativa o las dos dependiendo del limitador que se
utilice).

Figura No. 2.20a Aplicacin de una limitador 2.

EJEMPLO: Imaginemos que queremos limitar la parte positiva.

Electrnica Bsica

61

Figura No. 2.21 Aplicacin de un limitador 3.

As se protege la carga de tensiones mayores de + 5 V. Limitador = Fijador =
Recortador. Pero este circuito suele ser caro debido a la fuente de voltaje
adicional, que suele ser una fuente de alimentacin con su condensador,
diodos, etc... Como la pila es cara se ponen muchos diodos:

Figura No. 2.22 Truco de reemplazo de fuente adicional.

El nico inconveniente de este circuito es que nos limita esa tensin a
mltiplos de 0,7 V.
Sujetadores
Como en el caso anterior, de los limitadores, hay dos tipos de sujetadores de
nivel positivo y negativo.
Sujetador de nivel positivo
Lo veremos con un ejemplo:

Electrnica Bsica

62

Figura No. 2.23 Utilizacin de un sujetador de nivel positivo

NOTA: La carga no tiene porque ser solo una resistencia, puede ser el
equivalente de Thvenin de otro circuito, etc. Se empieza por el semiciclo en
el que conduce un diodo y se carga un condensador. Seguimos con el
ejemplo. Semiciclo negativo.

Figura No. 2.24 Funcionamiento de un circuito sujetador positivo.

Suponemos el diodo ideal. El condensador se carga en el semiciclo negativo.
Una vez cargado, el condensador se descarga en el semiciclo positivo.
Interesa que el condensador se descargue lo menos posible. Para que sea la
descarga prcticamente una horizontal se tiene que cumplir:

Si suponemos que el condensador se descarga muy poco, entonces

asumimos una tensin permanente de 10V. Hemos subido 10 V el nivel de
continua.

Electrnica Bsica

63

OFFSET = Nivel de continua. Este es el sujetador de nivel positivo. Si quisiera

cambiar hacia abajo sera el sujetador de nivel negativo que es igual
cambiando el diodo de sentido.
Sujetador de nivel negativo. Como antes, el condensador siempre a 10 V. Se
le resta 10 a la entrada. Es un "OFFSET Negativo".

Figura No. 2.25 Funcionamiento de un sujetador de nivel negativo.

Todo esto es cogiendo el diodo ideal. Si usamos 2 aproximacin, diodo a 0.7
V.

Diodo Zener
Anteriormente habamos visto este circuito:

Figura No. 2.26 Fuente de alimentacin DC

Electrnica Bsica

64

Primeramente supondremos que estn conectados directamente, por lo tanto

vC = vL entonces:

Figura No. 2.27 Curvas de una fuente de alimentacin DC.

Problemas que podemos tener:
RL variable (variaciones de carga).
Variaciones de tensin de red (variaciones de red).
Debido a estos dos problemas la onda de salida de ese circuito puede variar
entre dos valores y como nuestro objetivo es obtener una tensin constante a
la salida tendremos que hacer algo. Para resolver este problema ponemos un
regulador de tensin basado en el diodo zener.

Figura No. 2.28 Fuente DC regulada con diodo zener.

Ahora vamos a analizar este regulador de tensin.
Regulador de tensin en vaco (sin carga). vS estar entre un mnimo y un
mximo, y el regulador tiene que funcionar bien entre esos 2 valores (vSmx y
vSmn).En este caso vS lo pondremos como una pila variable

Electrnica Bsica

65

Figura No. 2.29 Anlisis del regulador

Adems para que funcione correctamente el zener tiene que trabajar en la
zona de ruptura.

Figura No. 2.30 Comportamiento del diodo zener

Para que est en ruptura se tiene que cumplir:

EJEMPLO: Comprobar si funciona bien el siguiente circuito:

Electrnica Bsica

66

Figura No. 2.31 Rectificacin con diodo zener.

Hay que ver si en la caracterstica los valores se encuentran entre I Zmn y IZmx
para comprobar si funciona bien.

Figura No. 2.32 Curvas de respuesta de un diodo zener.

Funciona bien porque se encuentra entre los dos valores (mximo y mnimo).
La salida es constante, lo que absorbe la tensin que sobra es la R (que es la
resistencia limitadora).
Regulador de tensin con carga

Figura No. 2.33 Regulacin con carga.

Para comprobar que estamos en ruptura calculamos el equivalente de
Thevenin desde las bornas de la tensin VZ:

Electrnica Bsica

67

Figura No. 2.34 Anlisis de la regulacin con carga.

Como en el anterior caso los valores del circuito tienen que estar entre un
mximo y un mnimo:

El zener absorbe la corriente sobrante (IZ variable) y la resistencia (R) la

tensin sobrante. Entonces a la salida la forma de la onda es la siguiente:

Electrnica Bsica

68

2 aproximacin

Figura No. 2.35 Curvas reales en un circuito regulado.

El circuito equivalente sera de la siguiente forma. A ese circuito se le aplica la
superposicin:

Figura No. 2.36 Anlisis del circuito regulado.

Electrnica Bsica

69

Como la superposicin es la suma de estos 2 circuitos la solucin ser esta:

Con esto se ve que lo que hace el zener es "Amortiguar el rizado". Veamos

cuanto disminuye el rizado:
EJEMPLO: 1N961 VZ = 10 V RZ = 8,5 V VRentr. = 2 V

Figura No. 2.37 Ejemplo.

Si quiero disminuir ms el rizado pondra otro regulador que lo disminuira pico
a pico:

Figura No. 2.38 Fuente regulada con prerregulador.

Electrnica Bsica

70

CAPITULO 3
3. Transistores bipolares
3.1.

Construccin y operacin de transistores.

El transistor est compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la

figura:

Figura No. 3.1 El Transistor.

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior
es el "Emisor". El Emisor est muy impurificado, la Base tiene una
impurificacin muy baja, mientras que el Colector posee una impurificacin
intermedia. En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN,
aunque tambin podra ser un PNP. En principio es similar a dos diodos. Un
transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base
forman uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro.
Estos diodos son denominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este
caso) y "Diodo de colector" (el de la derecha en este caso).

Figura No. 3.2 Transistor (a) NPN, (b) PNP

Electrnica Bsica

71

Antes y despus de la difusin. Vamos a hacer un estudio del transistor NPN,

primeramente cuando est sin polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se
produce una "Difusin" (como un gas en una botella), donde los electrones
cruzan de la zona n a la zona p, se difunden, encuentran un hueco y se
recombinan. Esto hace que en las uniones entre las zonas n y p se creen
iones positivos y negativos.

Figura No. 3.3 Movimiento electrnico en un transistor.

Esta difusin y recombinacin se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir
una barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la
unin E-B (WE) y otra en la unin C-B.
Si se conectan fuentes de tensin externas para polarizar al transistor, se
obtienen resultados nuevos e interesantes. Hay 3 configuraciones:

Base comn (BC).

Emisor comn (EC).
Colector comn (CC).

Cada una de estas configuraciones a su vez puede trabajar en 4 zonas

diferentes:
Zona de trabajo
Activa
Saturacin
Corte
Activa invertida

Condiciones
UE en Directa y UC
Inversa.
UE en Directa y UC
Directa.
UE en Inversa y UC
Inversa.
UE en Inversa y UC
Directa.

en

Utilizacin
Amplificadores

en

Conmutacin

en

Conmutacin

en

Sin utilidad

Tabla No. 3.1 Posibilidades de uso de un transistor.

Electrnica Bsica

72

Con esto vemos que el transistor puede trabajar de 12 formas diferentes.

Figura No. 3.4 Diferentes regiones de trabajo de un transistor.

3.2. Configuracin en base comn.
La zona que ms nos interesa es la zona activa, por lo tanto a continuacin
analizaremos esta zona. La zona p de base suele ser muy estrecha en la
realidad, ms tarde veremos porque. En el siguiente dibujo no dibujamos W E y
WC para no emborronar el dibujo.

Figura No. 3.5 Funcionamiento de la zona activa, configuracin BC.

El negativo de la pila VEE repele los electrones de la zona del emisor que
cruzan la UE. Algunos electrones cruzan la UE y pasan por la zona p de la
base sin recombinarse. Debido a la pila puede que un electrn cruce la barrera

Electrnica Bsica

73

de potencial de la UE. Despus ese electrn baja la barrera de potencial de la

UC para salir por el colector.

Figura No. 3.6 Barrera de potencial.

Esto es el efecto transistor de n a p, tiene que subir la barrera de potencial
pero luego es ms fcil porque tiene que bajar la barrera. De los electrones
emitidos por el emisor, aproximadamente un 1 % se recombina en la base y
un 99 % no se recombina y llega al colector, esto es el efecto transistor. La
palabra colector viene de ah, el colector "Colecta" los electrones, los recoge,
eso es el "Efecto transistor". La base es muy estrecha y adems est muy
poco impurificada, esa es la razn de que la probabilidad de que un electrn
se recombine sea muy pequea (por ejemplo el 1%). El emisor emite
electrones, el colector los recoge, y la base es un dispositivo de control.
El convenio que tenamos con el diodo era:

Figura No. 3.7 El diodo

En el transistor tambin tomamos criterios, todas la corrientes entrantes, es
como un nudo.

Electrnica Bsica

74

Figura No. 3.8 El Transistor.

EJEMPLO: IE = 100 mA, se recombinan el 1 % y no se recombinan el 99 %.
Por lo tanto: IB = 1 mA y IC = 99 mA. Los signos como siempre, si va a favor
del electrn es negativo y si va en contra positivo.

En los problemas por comodidad se suele cambiar de direccin a IE para que

sea positivo.

Figura No. 3.9 Convencin para las corrientes en el transistor.

Aqu debemos definir una cantidad llamada alfa y se describe con la letra
griega, . En condiciones de DC, los niveles de IC e IE, estn relacionados de
acuerdo a lo ya explicado. Y esta relacin est dada por la cantidad, .
dc= IC

/ IE

3.1

Los valores de alfa estn entre 0,90 y 0,998. Alfa solamente define los
portadores mayoritarios, entonces, la ecuacin 3.1 quedar as:
IC=

Electrnica Bsica

IE + ICBO

3.2

75

Si IE=0 mA. IC ser por lo tanto igual ICBO. Pero ICBO es una magnitud muy
pequea. Por lo tanto, IC ser igual a IE.
3.3. Accin de amplificacin del transistor.
En un amplificador de transistores bipolares aparecen dos tipos de corrientes y
tensiones: contina y alterna. La componente en continua o DC polariza al
transistor en un punto de trabajo localizado en la regin lineal. Este punto esta
definido por tres parmetros: ICQ, IBQ y VCEQ. La componente en alterna o AC,
generalmente de pequea seal, introduce pequeas variaciones en las
corrientes y tensiones en los terminales del transistor alrededor del punto de
trabajo. Por consiguiente, si se aplica el principio de superposicin, la IC, IB y
VCE del transistor tiene dos componentes: una continua y otra alterna, de
forma que
3.3
3.4
3.5
donde ICQ, IBQ y VCEQ son componentes DC, e ic, ib y vce son componentes en
alterna, verificando que ic << ICQ, ib << IBQ y vce << VCEQ.

Figura No. 3.10 Ejemplo de amplificacin de voltaje.

Si tenemos:
IE= VI/RI = 200 mV / 20 = 10 mA.
Y, tenemos que

= 1; (IC = IE), entonces:

IC = 10 mA; VL = IL * R = (10 mA) (5 K ) = 50 V

Electrnica Bsica

76

Entonces, el voltaje de amplificacin es:

AV = VL / VI = 50 V / 200 mV = 250
El voltaje de amplificacin tiene unos valores tpicos para la configuracin de
base comn entre 50 y 300. La amplificacin de corriente es siempre menor
que 1, puesto que,
es siempre menor que 1.
La amplificacin se da por la transferencia de una corriente IE desde un
circuito de baja resistencia a uno de alta resistencia.
En general, los transistores bipolares de circuitos analgicos lineales estn
operando en la regin activa directa. En esta regin existen cuatro zonas de
operacin definidas por el estado de las uniones del transistor (Tabla 3.1):
saturacin, lineal, corte y ruptura; estas zonas se indican claramente en la
figura 3.4 que representa las zonas de operacin de un transistor. A
continuacin se describe las caractersticas del transistor en estos modos de
operacin considerando el transistor NPN nicamente; similar resultado puede
ser aplicado a transistores PNP.
En la regin activa lineal, la unin emisor-base esta directamente polarizada y
la unin base-colector inversamente polarizada; la VBE esta comprendida entre
0.4 V y 0.8 V (valor tpico de 0.7 V) y la VBC > 100 mV. En estas condiciones,
las ecuaciones de Ebers-Moll se pueden aproximar a

3.6
3.7

Operando con estas ecuaciones, se obtiene una relacin entre ambas

intensidades de forma que
3.8
Donde
3.9
Sustituyendo
3.10
Siendo

Electrnica Bsica

77

3.11
F, es la ganancia en corriente en continua del transistor que en las hojas de
caractersticas del fabricante se representa por hFE. Este parmetro es muy
importante en un transistor de unin y define la relacin entre las corrientes de
colector y base. Al ser ICO una corriente muy baja, el segundo trmino de la
ecuacin (3.10) puede ser despreciado frente al primero. Como resultado, se
obtiene una relacin muy utilizada para analizar transistores que operen en
esta regin

3.12
La ecuacin (3.12) indica que en la regin activa lineal la relacin entre las
corrientes de colector y base es constante. Sin embargo, en la prctica la hFE
de los transistores varia hasta en un 500% debido principalmente a tres
factores:
1) Proceso de fabricacin. Los transistores sufren variaciones en el proceso de
fabricacin que modifican sus caractersticas. El fabricante asigna un valor
tpico (typ) a ese transistor con un rango de valores comprendido entre un
mximo (max) y un mnimo (min). Por ejemplo, el BC547B tiene, para una
IC=2mA, una hFE (min)=200, hFE (typ)=290 y hFE (max)=450.
2) Corriente de colector. La hFE vara tambin con la corriente de colector. El
fabricante proporciona curvas de caractersticas que permiten obtener la hFE
para diferentes IC. En la figura 1.3 se muestra una de estas curvas que incluye
el valor tpico de la hFE con un rango de valores mximo y mnimo.

Electrnica Bsica

78

3) Temperatura. La dependencia de la hFE con la temperatura se puede

observar en las graficas que proporciona el fabricante para tal fin. En la figura
1.4 se describen diferentes curvas normalizadas a 25 de h FE para
temperaturas de -55C y 175C.
3.4. Configuracin en emisor comn.
Esta configuracin es la ms utilizada. Como en la configuracin en Base
Comn solo analizaremos la zona activa.

Figura No. 3.11 Transistor en configuracin de Emisor Comn.

Como en el caso anterior solo el 1 % se recombina y el 99 % no se recombina.
La direccin de IE la cambiamos como en la configuracin anterior.

Electrnica Bsica

79

Ganancia de corriente bcc:

3.13
A veces (casi siempre) se desprecia la IB, por ser muy pequea, en
comparacin con la IC.

3.5. Configuracin en colector comn.

Figura No. 3.12. Polarizacin de Emisor comn para un transistor PNP.

En la figura No. 3.12 vemos la ltima de las tres posibles configuraciones de
un transistor con las direcciones de corriente y su notacin de voltaje correcto.
El uso ms comn que a esta configuracin se le da, es de un circuito de
acople de impedancias. En su entrada posee una impedancia muy alta y en su
salida una impedancia muy baja.
Si conectamos una resistencia R entre el emisor y tierra, con el colector
tambin conectado a tierra, fcilmente podramos comprender que es un

Electrnica Bsica

80

circuito similar a la configuracin de emisor comn. Por lo tanto, no se requiere

de un conjunto de caractersticas de colector comn para seleccionar los
parmetros del circuito al momento de realizar un diseo. La curvas se
grafican como IE en funcin de VCE para un rango de valores de IB.
3.6. Lmite de operacin, hoja de especificaciones, pruebas de transistores.
El transistor bipolar que opera en la regin lineal tiene unas caractersticas
elctricas lineales que son utilizadas para amplificacin. En estos circuitos, las
seales de entrada son amplificadas a la salida y, por consiguiente, hay un
aporte de energa realizado a travs de fuentes de tensin externas
denominadas fuentes de alimentacin o fuentes de polarizacion. Las fuentes
de alimentacin cubren dos objetivos: proporcionar las corrientes y tensiones
en continua necesarias para que el transistor opere en la regin lineal y
suministrar energa al transistor, una parte de la cual va a ser convertida en
potencia (amplificacin). Los valores de corrientes y tensiones en continua en
los terminales de un transistor se denomina punto de trabajo y se suele
expresar por la letra Q (Quiescent operating point).

Figura No. 3.13

El transistor del circuito de la figura 3.13 esta polarizado con dos resistencias y
una fuente de tensin en continua VCC. En este circuito se verifica que:

Si suponemos que el transistor se encuentra en la regin directa lineal,

entonces se puede relacionar las intensidades de base y colector a travs de
la hFE y asignar una tensin base-emisor tpica de 0.7 V. El clculo de las
tensiones e intensidades del transistor proporciona su punto de trabajo Q.
Para este circuito, Q viene definido por las siguientes ecuaciones:

Electrnica Bsica

81

En la figura No. 3.14 se muestra la representacin grafica del punto de trabajo

Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de
carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta el transistor
estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos intermedios en la
regin lineal. Esta recta se obtiene a travs de la ecuacin del circuito que
relaciona la IC con la VCE que, representada en las curvas caractersticas del
transistor de la figura No.3.13, corresponde a una recta. La tercera ecuacin
define la recta de carga obtenida al aplicar KVL al circuito de polarizacion, de
forma que:

Para dibujar esta recta de una manera sencilla en el plano (V CE, IC) del
transistor se seleccionan dos puntos: a) VCE=0, entonces IC=VCC/RC; b) IC=0,
entonces VCE=VCC. Estos puntos se pueden identificar en la figura No. 3.14 y
representan los cortes de la recta de carga esttica con los ejes de
coordenadas.

Figura No. 3.14 Lmite de operacin de un transistor.

Electrnica Bsica

82

Una de las primeras decisiones relacionadas con la polarizacion de un

transistor es seleccionar la ubicacin del punto Q. La seleccin mas practica
es situarle en la mitad de la recta de carga esttica para que la corriente de
colector sea la mitad de su valor mximo, condicin conocida como excursin
mxima simtrica. Evidentemente esta es una condicin de diseo que
asegurara el mximo margen del punto Q a incrementos de cualquier signo de
la intensidad de colector. Sin embargo, hay muchas otras condiciones de
operacin del transistor que exige un desplazamiento de Q en uno u otro
sentido. En estos casos la situacin del punto Q estar definida por las
diferentes restricciones.
Un transistor de unin polarizado tiene unas tensiones y corrientes en sus
terminales que le hacen disipar energa. Esta potencia de disipacin se puede
obtener aplicando la definicin de potencia absorbida por un elemento triterminal, que en caso del transistor, se expresa como

Debido a que generalmente la IB<<<IC y la VBE<<VCE, el primer trmino de esta

ecuacin es despreciable frente al segundo, resultando que

Esta ecuacin representa a una hiprbola en el plano (V CE, IC) de las curvas
caractersticas del transistor. El fabricante proporciona como dato la potencia
de disipacin mxima de un transistor; como ejemplo, el BC547 tiene una
PCMAX=500 mW. En la figura 1.8.b se representa la hiprbola de potencia
mxima de un transistor. Es preciso que el punto del trabajo Q est por debajo
de esa curva ya que sino el transistor se daara por efecto Joule.
Hoja de especificaciones:
Tensiones inversas de ruptura para el transistor 2N3904.
VCB....................................60 V (mximo valor en inversa).
VCEo...................................40 V (mximo valor en inversa con la base abierta).
VEB.......................................6 V (mximo valor en inversa).
En realidad en la hoja de caractersticas tenemos que diferenciar los
transistores en:
Transistores de pequea seal (IC pequea), por ejemplo: 2N3904.
Transistores de potencia (IC grande), por ejemplo: 2N3055.

Electrnica Bsica

83

Corriente y potencia mximas

En las uniones del transistor se suelen dar unas temperaturas muy elevadas,
siendo la unin ms problemtica la unin CB, porque es la que ms se
calienta.
En un transistor se dan tres tipos de temperaturas:
Tj = Temperatura de la unin.
TC = Temperatura de la capsula.
TA = Temperatura del ambiente.
EJEMPLO: Tj = 200 C
Para sacar el calor de la unin tenemos que el flujo calorfico ha de pasar de la
unin al encapsulado y posteriormente al ambiente. Hay una resistencia
trmica unin-cpsula que dificulta que el calor pase de la unin a la cpsula
(JjC). Hay una resistencia trmica cpsula-ambiente que dificulta que el calor
pase de la cpsula al ambiente (JCA).
JjC = 125 C/W.
JCA = 232 C/W.
JjA = 357 C/W
Son unas resistencias que se oponen al paso de calor.
Factor de ajuste
Indica como disminuye la PDmx por cada grado de aumento de temperatura
por encima de un valor determinado.
EJEMPLO: Para el 2N3904 PDmx = 350 mW (a 25 C) Factor de ajuste = 2,8 mW/C
Si TA aumenta a 60 C: PDmx = 350 - 2,8 (60 - 25) = 252 mW
Ese factor de ajuste es el inverso de la resistencia trmica:
Factor de ajuste = 1 / JjA
Otro parmetro
Este parmetro es el bcc que ya hemos visto anteriormente (IC = bcc IB Zona
Activa).
bcc = hFE
Seguimos con el ejemplo del transistor 2N3904. En el catlogo suele venir:

Electrnica Bsica

84

Electrnica Bsica

85

Electrnica Bsica

86

Figura No. 3.2 Tabla de una hoja de especificaciones.

Electrnica Bsica

87

Este valor es para la zona activa. Como se ve en la grfica, existe una

tolerancia o dispersin de valores en la fabricacin que por ejemplo para I C =
10 mA va desde 100 hasta 300.
Prueba de transistores y deteccin de averas
Veamos los tipos de averas tpicos que podemos tener en un transistor con
un ejemplo:

Figura 3.15
1 aproximacin:

Esto es cuando no hay averas. Dos tipos de averas comunes que podemos
tener son que la base esta abierta o que la base se encuentre cortocircuitada,
veamos estos dos casos:
RB abierto = RBo

Electrnica Bsica

88

Figura No. 3.16 Transistor con base abierta.

RB cortocircuito = RBs

Figura No. 3.17 Transistor con Corto entre emisor y base.

En este caso de la base en cortocircuito, se puede estropear la unin BE.
Para realizar la prueba de un transistor, primeramente se comprueba que el
transistor funciona correctamente separndolo del circuito y viendo con el
hmetro los diferentes valores en el transistor.

Electrnica Bsica

89

Figura No. 3.18 Prueba de un transistor.

Despus se comprueba el transistor dentro del circuito.
Otras posibles averas:
RCs (short).
RCo (open).
VCC no me de tensin.

Figura No. 3.19 Anlisis por computador. Curvas caractersticas para el

transistor 2N2222. Pspice (Ver 8.0) de MicroSim, para Windows

Electrnica Bsica

90

CAPITULO 4
4. Polarizacin DC del transistor BJT
4.1.

Punto de operacin.

Figura No. 4.1 Algunos circuitos de polarizacin del transistor

Electrnica Bsica

91

En un proceso de diseo o de anlisis de un amplificador es necesario

conocer la respuesta del sistema tanto en DC como en AC. La seleccin del
punto de trabajo Q de un transistor se realiza a travs de diferentes circuitos
de polarizacion que fijen sus tensiones y corrientes. En la figura 4.1 se
incluyen los circuitos de polarizacion mas tpicos basados en resistencias y
fuentes de alimentacin; adems, se indican las ecuaciones que permiten
obtener el punto de trabajo de los transistores. Estos circuitos presentan
diferencias en algunos casos importantes.
Por ejemplo, el circuito de la figura 3.13 es poco recomendable por carecer de
estabilidad; bajo ciertas condiciones se puede producir deriva trmica que
autodestruye el transistor. La polarizacion de corriente de base de la figura 4.1
es mucho ms estable aunque el que ms se utiliza con componentes
discretos es el circuito de autopolarizacin. La polarizacion de colector-base
asegura que el transistor nunca entra en saturacin al mantener su tensin
colector-base positiva.
Retomando el tema de lmites de operacin de un transistor, ya visto en el
captulo anterior, se habl del punto Q, punto de reposo. Tambin,
establecamos que el punto de operacin para los amplificadores a transistor,
es el resultante de la corriente de DC y el voltaje sobre las caractersticas que
define la regin que ser empleada para la amplificacin de la seal aplicada.

Figura No. 4.2 Distintos puntos de operacin.

De la figura No. 4.2 tenemos los valores mximos para I C y VCE, como tambin
la curva de potencia mxima. Asimismo, estn definidas las zonas de
saturacin donde VCE VCEsat y la de corte donde IB 0 A.
El dispositivo BJT o transistor puede operar fuera de estos lmites mximos

Electrnica Bsica

92

pero su vida til se disminuye considerablemente o simplemente el dispositivo

se destruir.
4.2.

Circuito de polarizacin fija.

Veamos el circuito de la figura No. 4.3, VBB es la misma VCC, pero para
describir mejor el circuito se muestran por separado

Figura No. 4.3 Polarizacin fija

Realicemos un anlisis de la malla de entrada:

Recta de carga (malla de salida):

Electrnica Bsica

93

Figura No. 4.4 Recta de carga para polarizacin fija.

Hemos dicho que el transistor poda trabajar como un amplificador y tambin
como un conmutador:
Conmutacin: SATURACIN y CORTE.

Amplificacin: ACTIVA.

Figura No. 4.5 El BJT Como conmutador o como amplificador.

Electrnica Bsica

94

Como hemos dicho anteriormente, el valor de IB depende de la RB, por lo tanto

podemos controlar la posicin del punto Q variando el valor de la RB.

Analicemos brevemente la estabilidad de este circuito de polarizacin de base.

Vemos que la bcc puede variar por varias razones, por lo tanto el punto Q es
inestable.
EJEMPLO:
cc = 150
IB = 30 A
IC = 150 30 = 4,5 mA
VCE = 1,5 V.
EJEMPLO:
cc = 50
IB = 30 mA
IC = 50 30 = 1,5 mA
VCE = 10,5 V
Vemos que al variar la beta vara la VCE, tambin la posicin del punto Q.
4.3.

Circuito de polarizacin estabilizada por emisor.

Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a

los cambios en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea
lo ms estable posible. Para este propsito ahora se analizar el "Circuito de
polarizacin de Emisor", que es el siguiente:

Electrnica Bsica

95

Figura No. 4.6 BJT polarizado estabilizado en emisor.

El propsito es amplificar, por esa razn el transistor tiene que trabajar en la
zona ACTIVA. Como estamos en activa VBE = 0.7 V. Por lo tanto y viendo la
malla de entrada la tensin VC ser de 4.3 V. Entonces la intensidad IE por la
resistencia RE ser de:

La malla de salida:

Grficamente:

Electrnica Bsica

96

Figura No. 4.7 Grafica de BJT polarizado en emisor.

Que ocurre si el cc vara? Si cc = 150 solo vara IB.

Vara la IB pero lo dems se mantiene y Q no vara, el transistor se autorregula

y hace que vare IB sin que nada ms vare, por lo tanto: "El punto Q es muy
estable". Pero esto no es del todo exacto, porque algo vara, esto se ver si no
se usa la aproximacin de IC = IE. Sin esta aproximacin tenemos:

Y ahora si influye el cc.

Y tendramos: VCE = 8,77 V, con cc = 150:

Con cc = 50:

Electrnica Bsica

97

Vara algo, pero es bastante estable, es bueno para trabajar en activa.

4.4.

Polarizacin por divisor de voltaje.

Este tema es una continuacin del anterior, por ello primeramente vamos a
hacer un breve resumen de lo visto antes para situarnos mejor en el tema.
Hasta ahora hemos visto estos circuitos:
Circuito de polarizacin de base (resistencia en la base).

Figura No. 4.8 Polarizacin base.

Circuito de polarizacin de emisor (resistencia en emisor).

Figura No. 4.9 Polarizacin en emisor.

En este tema analizaremos este ltimo circuito ms que ningn otro.

Electrnica Bsica

98

Figura No. 4.10 Polarizacin por divisor de voltaje

Pero es muy caro instalar 2 fuentes de alimentacin por eso se suele modificar
el circuito de tal forma que solo se use una fuente de alimentacin. Como se
ha dicho ahora nos ahorraremos una fuente de alimentacin.

Figura No. 4.11 Circuito equivalente para polarizacin por divisor de voltaje.
Ahora se mueve lo de la izquierda hacia arriba y como tenemos 10 V en los
dos lados se pueden unir:

Electrnica Bsica

99

Figura No. 4-12 Polarizacin por divisin de voltaje.

Y as nos hemos ahorrado una fuente de alimentacin, este es el "Circuito de
polarizacin por divisin de tensin".
Anlisis aproximado

As despreciamos IB:

EJEMPLO: Aplicamos valores numricos a lo que hemos hecho.

Electrnica Bsica

100

Vemos si la aproximacin es buena: se tiene que cumplir:

Tiene que funcionar bien para los tres valores del catlogo.

CATLOGO:

Para comprobarlo vamos a ver la recta de carga de continua.

Electrnica Bsica

101

Qu curva de IB pasa por ese punto Q? Si cambiamos el transistor, Q es el

mismo pero vara la IB. No cambia la recta de carga ni el punto Q, lo que
cambia es la IB, se "Auto adapta". El punto Q es muy estable, prcticamente
no cambia de sitio, para hacer los clculos no hemos usado la , solo para la
IB .
4.5.

Polarizaciones DC con retroalimentacin de voltaje.

Polarizacin DC con retroalimentacin de emisor. En este circuito la

resistencia de realimentacin es RE.

Figura No. 4.13 Polarizacin con retroalimentacin.

Haremos la prueba de desestabilizar el punto Q.

Electrnica Bsica

102

IC intenta aumentar mucho. Pero al aumentar la IC, aumenta la VE.

Entonces vemos que se da un fenmeno de "autorregulacin", intenta

aumentar mucho pero al final aumenta menos. Aunque no se estabiliza, se
desestabiliza menos, esa "auto correccin" se llama realimentacin.

A este efecto de que una variable de salida afecte a la entrada se le llama

realimentacin, la salida afecta a la entrada, se auto corrige. Adems se le
llama "Realimentacin negativa" porque un aumento supone una disminucin.
Si un aumento supusiera otro aumento sera una "Realimentacin positiva". En
amplificadores es muy importante la realimentacin, como se ver ms
adelante. Seguimos analizando el circuito. Malla de entrada:

EJEMPLO: Para ver como se mueve el punto Q. V CC = +15 V

RB = 430 W RE = 100 W VBE = 0,7 V

RC = 910 W

Recta de carga:

Electrnica Bsica

103

Se ha movido mucho pero menos que el anterior.

Cuanto menor sea este resultado, mejor ser el circuito, esto sirve para
comparar circuitos. Para mejorar el circuito se puede hacer:

Se suele coger 100 veces mayor RE.

Veamos si se cumple en este circuito.

No se cumple. RE debera ser RE = 430 k. Pero poner RE = 430 k hace que

casi toda la tensin de VCC vaya a RE y la VCE es pequea, y el circuito entra
en saturacin y no funciona como amplificador, el remedio es peor.
4.6. Diversas configuraciones de polarizacin.
Circuito de polarizacin con realimentacin de colector. El circuito es el
siguiente:

Electrnica Bsica

104

Figura No. 4.14 Polarizacin con retroalimentacin de colector.

Veamos como se comporta la T.

Y la IC aumenta menos de lo que pretenda, realimentacin negativa, se ha

compensado en parte. Malla de entrada:

Hacemos como antes:

Recta de carga. Malla de salida:

Electrnica Bsica

105

Si los comparamos:
Circuito de polarizacin por realimentacin de emisor: = 6....mA
Circuito de polarizacin por realimentacin de colector: = 3.81 mA
Este ltimo es mejor por ahora. De antes tenamos:

Para que se mueva lo menos posible, el b tiene que afectar lo menos posible,
interesa que RC influya ms que RB/, para eso:

RC normalmente no se puede elegir. Entonces la RB se elegir la menor

posible. Hay que recordar que en le circuito anterior de realimentacin de
emisor si cogamos RB muy pequea se saturaba. En este circuito, a medida
que disminuya RB se iba acercando a saturacin, no se saturaba pero se
acercaba mucho. Por eso no es til, porque se acerca mucho a saturacin
(aunque nunca llegue a los VCE = 0.2 V de saturacin). Que debera hacer
para que Q estuviera centrado? Para que esto ocurra:

Electrnica Bsica

106

No se pueden cumplir los dos, si est centrado no es estable y viceversa. Y

este circuito no es bueno por esa razn, aunque sea mejor que los anteriores,
es todava bastante inestable.
4.7.

Operaciones de diseo.

Retomando la polarizacin con divisor de voltaje pero teniendo en cuenta la

retroalimentacin. En todo circuito que quiera que se auto compense tiene que
haber una resistencia de realimentacin, en este caso es RE, que hace que
sea estable el punto Q.

Electrnica Bsica

107

Figura No. 4.15 Retroalimentacin en emisor y polarizacin por divisor de

voltaje.
Veamos como se comporta si variamos la temperatura o cambiamos de
transistor (C.T.).

De esta forma se compensa en parte la IC, se mueve pero menos. Es un

circuito muy bueno, la compensacin no es total pero casi, es una
compensacin muy buena. Este circuito es el que se utiliza mayoritariamente
por ser bueno, barato y efectivo. Lo analizaremos como siempre de 2 formas:
Anlisis aproximado y exacto.
Primeramente modificaremos un poco el circuito: Ahora aplicaremos Thvenin:

Figura No. 4.16 Anlisis de retroalimentacin.

Aproximamos: RTH = 0. Malla de entrada:

Electrnica Bsica

108

El punto Q es estable. Tenemos lo ideal, no est la . Lo nico que vara algo

es la VBE, pero es una variacin pequea respecto a V TH, entonces es casi
constante la IC.
Aprovechamos lo calculado anteriormente:

Interesa que RTH/ influya poco respecto a RE. Hacemos RE 100 veces mayor
que RTH/.

Pero es difcil que se cumpla esto porque RTH es el paralelo de R1 y R2, y de

estas dos resistencias la ms pequea suele ser R2, entonces si aproximamos
para verlo mejor:

Para que esto funcione correctamente hemos dicho que se tiene que cumplir
lo siguiente:

Electrnica Bsica

109

Pero si pongo R2 muy pequeo, la IR2 es grande y es aproximadamente IR1 y

esa intensidad va a la F.A., entonces el condensador y los diodos de la F.A.
tienen que resistir mucha intensidad y podra dar problemas. Otro problema se
da en alterna:

Figura No. 4.17 Retroalimentacin con seal AC.

Cuando amplificamos la onda es muy importante la impedancia de entrada (Zi)
y tiene que ser de un valor concreto. Su valor es:

No se puede hacer la Zi todo lo pequea que se quiera y eso es una dificultad,

se estropea la Zi en alterna. Hay situaciones que debemos analizar:
El consumo
La Zi
Para resolver eso los diseadores en lugar de 0,01RB* suelen escoger un
poco mayor, 0,1RE*.

Y as Q es bastante estable, aunque no sea tanto como antes.

EJEMPLO:

Electrnica Bsica

110

Figura No. 4.18 Ejemplo de retroalimentacin

Como siempre aplicamos Thvenin y calculamos IB e IC para los distintos
valores de .

Ahora calculamos el VCE y dibujamos la grfica:

Electrnica Bsica

111

Vemos que el punto Q vara muy poco para distintos valores de b. Esto lo
vemos con la variacin de IC.

Para ver la estabilidad del circuito estudiaremos el caso ms crtico, que es el

valor ms pequeo de b, si se cumple para este valor se cumple en todos los
dems casos.

No se cumple el muy estable, veamos ahora el "Bastante Estable".

Es bastante estable porque se cumple la ecuacin, esto quiere decir que esta
bastante bien diseado el circuito.
Circuito de polarizacin con realimentacin de emisor y realimentacin de
colector

Electrnica Bsica

112

Con este circuito se intenta obtener polarizaciones ms estables para los

circuitos con transistores. Para ello se usa una combinacin de una resistencia
de emisor y una resistencia de colector.

Figura No. 4.19 BJT en configuracin de retroalimentacin en emisor y

colector.
Para que sea estable se tiene que cumplir:

Pero el problema es que si RC y RE son muy grandes el valor de VCE tiene que
ser pequeo y puede llegar a saturacin, por eso no se puede hacer todo lo
grande que se quiera.

4.8.

Redes de conmutacin con transistores.

Electrnica Bsica

113

Figura No. 4.20 El transistor como conmutador

Tenemos un interruptor en posicin 1, abierto:
IB = 0.
IC = 0 CORTE (el transistor no conduce)
Recta de carga:

Esto era lo ideal, lo exacto sera:

Electrnica Bsica

114

Pero para electrnica digital no tiene mucha importancia ese pequeo margen,
por lo tanto se desprecia.
Interruptor en posicin 2:

Finalmente tenemos una grfica de la siguiente forma:

Aplicacin: Si tenemos en la entrada una onda cuadrada. Me invierte la V sal,

invierte la onda de entrada en la salida. Ese circuito se utiliza en electrnica
digital.

Figura No. 4.21 El transistor como conmutador y su smbolo en electrnica

digital

Electrnica Bsica

115

A ese circuito le llambamos "Circuito de polarizacin de base", que era

bueno para corte y saturacin, para conmutacin. Pero este que hemos hecho
no es exacto, lo exacto es:

Entonces se cogen los mrgenes, pero como estn muy separados se

desprecia y no se le da importancia a ese pequeo error.
Analizaremos uno de los circuitos tpicos que se usan en electrnica digital.

Figura No. 4.22 Aplicaciones de conmutadores.

Vamos a ver si la hiptesis es correcta:

Electrnica Bsica

116

La hiptesis es correcta, estamos en saturacin. Ahora comprobaremos si es

saturacin normal o fuerte:

Y la salida se aproxima a cero: V0 = 0 V.

Veamos que ocurre si a la entrada le metemos por ejemplo una onda

cuadrada:

As el circuito se comporta como un INVERSOR. Para que a la salida en lugar

de 0 V y 15 V tengamos 0 V y 5 V, se cambia la fuente VCC de + 15 V a VCC =
+ 5 V.
4.9.

Estabilizacin de polarizacin.

La estabilidad de un sistema es una medida de la sensibilidad de una red ante

las variaciones en sus parmetros.
La IC de un transistor es sensible a:
: Al aumentar la temperatura aumenta esta magnitud.
|VBE|: Valor absoluto del voltaje Base-Emisor, disminuye cerca de 7,5 mV por
cada incremento en un grado Celsius (C).
ICO: Corriente de saturacin inversa. Duplica su valor por el incremento en
10C en la temperatura.

Electrnica Bsica

117

Cualquiera de los factores antes mencionados puede ocasionar que el punto

de polarizacin se desve del punto de operacin determinado. No podemos
olvidar que IB es muy sensible al nivel de VBE, especialmente para niveles ms
all del valor del umbral. De acuerdo a lo visto en los puntos anteriores sobre
polarizacin.
Factores de estabilidad.
Se define un factor de estabilidad S, para cada uno de los parmetros que
afectan la estabilidad de polarizacin:
S(ICO) = IC / ICO
S(VBE) = IC / VBE
S() = IC /
Las redes son muy estables y relativamente insensibles ante variaciones de la
temperatura, es decir tienen factores de estabilidad bajos. Por esto, es
apropiado considerar las cantidades definidas por las anteriores ecuaciones
como factores de sensibilidad porque mientras mayor sea el factor de
estabilidad, ms sensible ser la red ante variaciones en ese parmetro.
El estudiante con conocimiento de clculo diferencial deber profundizar ms
sobre este tema.

Electrnica Bsica

118

SEGUNDA UNIDAD
FET TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO Y OTROS
DISPOSITIVOS PNPN
CAPITULO 5
5. Transistores de efecto de campo FET.
5.1. Construccin y caractersticas de los JFET
Los transistores de efecto de campo o FET (Field Electric Transistor) son
particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dos tipos:
transistor de efecto de campo de unin o JFET y transistor de efecto de campo
metal-oxido semiconductor (MOSFET). Son dispositivos controlados por
tensin con una alta impedancia de entrada (1012). Ambos dispositivos se
utilizan en circuitos digitales y analgicos como amplificador o como
conmutador. Sus caractersticas elctricas son similares aunque su tecnologa
y estructura fsica son totalmente diferentes.
Ventajas del FET:
1. Son dispositivos controlados por tensin con una impedancia de
entrada muy elevada (107 a 1012).
2. Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3. Los FET son ms estables con la temperatura que los BJT.
4. Los FET son ms fciles de fabricar que los BJT pues precisan menos
pasos y permiten integrar ms dispositivos en un C1.
5. Los FET se comportan como resistencias controlados por tensin para
valores pequeos de tensin drenaje-fuente.
6. La alta impedancia de entrada de los FET les permite retener carga el
tiempo suficiente para permitir su utilizacin como elementos de
almacenamiento.
7. Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar
corrientes grandes.
Desventajas que limitan la utilizacin de los FET:
1. Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta
capacidad de entrada.
2. Los FET presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos
lineales que los BJT.
3. Los FET se pueden daar debido a la electricidad esttica.

Electrnica Bsica

119

En este apartado se estudiaran brevemente las caractersticas de ambos

dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analgicas.
El JFET de canal n esta constituido por una barra de silicio de material
semiconductor de tipo n con dos regiones (islas) de material tipo p situadas a
ambos lados. Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se denominan
drenador (drain), fuente (source) y puerta (gate). En la figura 5.1.a se describe
un esquema de un JFET de canal n, en la 5.1.b el smbolo de este dispositivo
y en la 5.1.c el smbolo de un JFET de canal P.

Figura No. 5.1 (a) JFET canal N. (b) Smbolo de JFET canal N. (c) Smbolo
canal P
La polarizacion de un JFET exige que las uniones p-n estn inversamente
polarizadas. En un JFET de canal n, o NJFET, la tensin de drenador debe ser
mayor que la de la fuente para que exista un flujo de corriente a travs de
canal. Adems, la puerta debe tener una tensin ms negativa que la fuente
para que la unin p-n se encuentre polarizado inversamente. Ambas
polarizaciones se indican en la figura No. 5.2.

Electrnica Bsica

120

Figura No. 5.2 Caractersticas de un FET N

5.2. Caracterstica de transferencia.

Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son muy similares a las
curvas de los transistores bipolares. Sin embargo, los JFET son dispositivos
controlados por tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
controlados por corriente. Por ello, en el JFET intervienen como parmetros:
ID (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS (tensin gate o puerta
a source o fuente) y VDS (tensin drain o drenador a source o fuente). Se
definen cuatro regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y
ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve de cada una de estas
regiones para el caso de un NJFET.
Regin de corte
En esta regin la intensidad entre drenador y fuente es nula (ID=0). En este
caso, la tensin entre puerta y fuente es suficientemente negativa que las
zonas de inversin bloquean y estrangulan el canal cortando la corriente entre
drenador y fuente. En las hojas tcnicas se denomina a esta tensin como de
estrangulamiento o pinch-off y se representa por VGS (off) o Vp. Por ejemplo, el
BF245A tiene una VGS (off)=-2V.
Regin lineal
En esta regin, el JFET se comporta como una resistencia no lineal que es
utilizada en muchas aplicaciones donde se precise una resistencia variable
controlada por tensin. El fabricante proporciona curvas de resistencia
drenador-fuente (rds(on)) para diferentes valores de VGS tal como se muestra
en la figura No. 5.3. En esta regin el transistor JFET verifica las siguientes
relaciones:

Electrnica Bsica

121

(5.1)

Figura No. 5.3 Resistencia drenador-fuente de un transistor NJFET en la

regin lineal.
Regin de saturacin
En esta regin, de similares caractersticas que un BJT en la regin lineal, el
JFET tiene unas caractersticas lineales que son utilizadas en amplificacin.
Se comporta como una fuente de intensidad controlado por la tensin VGS
cuya ID es prcticamente independiente de la tensin VDS. La ecuacin que
relaciona la ID con la VGS se conoce como ecuacin cuadrtica o ecuacin de
Schockley que viene dada por:

(5.2)

Electrnica Bsica

122

donde Vp es la tensin de estrangulamiento y la IDSS es la corriente de

saturacin. Esta corriente se define como el valor de ID cuando VGS=0, y esta
caracterstica es utilizada con frecuencia para obtener una fuente de corriente
de valor constante (IDSS). La ecuacin 5.2 en el plano ID y VGS representa una
parbola desplazada en Vp. Esta relacin junto a las caractersticas del JFET
de la figura No. 5.2 permiten obtener grficamente el punto de trabajo Q del
transistor en la regin de saturacin. La figura No. 5.4 muestra la
representacin grafica de este punto Q y la relacin existente en ambas
curvas las cuales permiten determinar el punto de polarizacion de un transistor
utilizando mtodos grficos.

Figura No. 5.4. Curvas caractersticas de un JFET.

Regin de ruptura
Una tensin alta en los terminales del JFET puede producir ruptura por
avalancha a travs de la unin de puerta. Las especificaciones de los
fabricantes indican la tensin de ruptura entre drenaje y fuente con la puerta
cortocircuitada con la fuente; esta tensin se designa por BVDSS y su valor
esta comprendido entra 20 y 50 V. Las tensiones de polarizacion nunca deben
superar estos valores para evitar que el dispositivo se deteriore. Por ultimo,
comentar las diferencias existentes entre un NJFET y PJFET. Las ecuaciones
desarrolladas anteriormente para el JFET son validas para el PJFET
considerando el convenio de signos indicados en la tabla No. 5.1.

Electrnica Bsica

123

Tabla No. 5.1 Convenio de signos en las tensiones y corrientes de un NJFET y

PJFET.
5.3. Especificaciones de JFET
Se describe el JFET 2N5457.4

Documento de Fairchild Semiconductor.

Electrnica Bsica

124

Electrnica Bsica

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Electrnica Bsica

126

Electrnica Bsica

127

5.4. MOSFET de tipo decremental e incremental.

Electrnica Bsica

128

Los transistores MOSFET o Metal-Oxido-Semiconductor (MOS) son

dispositivos de efecto de campo que utilizan un campo elctrico para crear una
canal de conduccin. Son dispositivos mas importantes que los JFET ya que
la mayor parte de los circuitos integrados digitales se construyen con la
tecnologa MOS. Existen dos tipos de transistores MOS: MOSFET de canal N
o NMOS y MOSFET de canal P o PMOS. A su vez, estos transistores pueden
ser de acumulacin (enhancement) o deplexion (deplexion); en la actualidad
los segundos estn prcticamente en desuso y aqu nicamente sern
descritos los MOS de acumulacin tambin conocidos como de
enriquecimiento. La figura No. 5.5 indica los diferentes smbolos utilizados
para describir los transistores MOS.

Figura No. 5.5. Smbolos de transistores NMOS y PMOS.

En la figura No. 5.6 se describe la estructura fsica de un MOSFET de canal N

con sus cuatro terminales: puerta, drenador fuente y substrato; normalmente el
sustrato se encuentra conectado a la fuente. La puerta, cuya dimensin es
WL, esta separado del substrato por un dielctrico (Si02) formando una
estructura similar a las placas de un condensador. Al aplicar una tensin
positiva en la puerta se induce cargas negativas (capa de inversin) en la
superficie del substrato y se crea un camino de conduccin entre los
terminales drenador y fuente. La tensin mnima para crear esa capa de
inversin se denomina tensin umbral o tensin de threshold (VT) y es un
parmetro caracterstico del transistor. Si la VGS<VT, la corriente de drenadorfuente es nula; valores tpicos de esta tensin son de de 0.5 V a 3 V.

Electrnica Bsica

129

Figura No. 5.6 Estructura fsica de un transistor NMOS

Los transistores JFET y MOSFET tienen una estructura fsica muy diferente
pero sus ecuaciones analticas son muy similares. Por ello, en los transistores
MOS se definen las mismas regiones de operacin: corte, lineal, saturacin y
ruptura. En la figura No. 5.7 se muestran las curvas de caractersticas
elctricas de un transistor NMOS con las diferentes regiones de operacin que
son descritas brevemente a continuacin.
Regin de corte
Se verifica que VGS<VT y la corriente ID es nula.
Regin lineal
El transistor se comporta como un elemento resistivo no lineal controlado por
tensin. Verifica las siguientes ecuaciones:

(5.3)
Donde

un parmetro caracterstico del MOS que depende de la tecnologa a travs de

la constante k y del tamao de la puerta del transistor (W la anchura y L la
longitud).

Electrnica Bsica

130

Figura No. 5.7. Curvas de caractersticas de un NMOS.

Regin saturacin
El transistor se comporta como una fuente de corriente controlada por la
tensin VGS. Verifica las siguientes ecuaciones:

(5.4)

siendo el parmetro descrito en la ecuacin 5.4. En esta regin, la relacin

cuadrtica entre VGS e ID se representa en la grafica de la izquierda de la
figura No. 5.7, y de una manera similar a los transistores JFET, puede ser
utilizada para determinar por mtodos grficos el punto de polarizacion de los
transistores aunque rara vez se recurre a ellos.
Regin de ruptura
Un transistor MOS puede verse afectado por fenmenos de avalancha en los
terminales drenador y fuente, y roturas en la capa de oxido fino de la puerta
que pueden daar irreversiblemente al dispositivo.
Por ultimo, sealar que en la tabla No. 5.2 se indican las diferencias en el
signo y sentido de las corrientes y tensiones existentes entre transistores
NMOS y PMOS.

Electrnica Bsica

131

Tabla No. 5.2

5.5. Manejo de MOSFET.
Por ser los MOSFET dispositivos con una capa delgada de SiO2, la cual se
encuentra situada entre la compuerta y el canal y tiene el efecto de ofrecer
una caracterstica de alta impedancia de entrada, pero por ser esta capa
demasiado delgada se deben tener precauciones necesarias para el su
manejo. La acumulacin de carga esttica, alrededor del dispositivo, la cual
logra establecer una diferencia de potencial a travs de la delgada capa, de tal
forma que se podra romper y establecer conduccin a travs de ella. Para
evitar este inconveniente se debe mantener el MOSFET con sus terminales
cortocircuitados, normalmente se debe mantener con el papel aluminio con el
cual sale de fbrica para su manejo y transporte. Para su uso, se debe tomar
el transistor por su encapsulado. Cuando se instale en una tarjeta, esta debe
estar previamente desenergizada y ojala descargada de cargas estticas,
adems de utilizar los cables de descarga esttica fabricados para quien
opere estos elementos.
5.6. VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon)
Los MOSFET tienen una desventaja frente a los BJT, el manejo de potencias.
Normalmente un MOSFET puede manejar potencias inferiores a 1 Watts. Para
superar este inconveniente o insuficiencia de los MOSFET, se realiza un
cambio en la forma de construccin del MOSFET. Para ello, se construye de
tal forma que el canal n-inducido tenga un crecimiento (Operacin en modo
incremental) y este ahora en formado en direccin vertical. Estos dispositivos
se conocen como VMOS. Adems su apariencia de un corte en V en la base
del semiconductor es la caracterstica que se destaca para la memorizacin
del nombre del dispositivo.
Las caractersticas ms importantes del VMOS, son:
Poseen niveles reducidos de resistencia en el canal y mayores valores
nominales, de corriente y de potencia.

Electrnica Bsica

132

 Poseen un coeficiente positivo de temperatura que contrarrestar la

posibilidad de una avalancha trmica.
Tiempos de conmutacin ms rpidos por lo niveles reducidos de
almacenamiento de carga.
5.7. CMOS (MOS con arreglo complementario).
CMOS, acrnimo de Complementary Metal Oxide Semiconductor
(semiconductor complementario de xido metlico). Es un dispositivo
semiconductor formado por dos transistores de efecto de campo de xido
metlico (MOSFET), uno del tipo n (NMOS) y otro del tipo p (PMOS),
integrados en un nico chip de silicio. Utilizados por lo general para fabricar
memoria RAM y aplicaciones de conmutacin, estos dispositivos se
caracterizan por una alta velocidad de acceso y un bajo consumo de
electricidad. Pueden resultar daados fcilmente por la electricidad esttica.

A continuacin se muestra los datos tcnicos para el MOSFET BSD022

Electrnica Bsica

133

Electrnica Bsica

134

Electrnica Bsica

135

Electrnica Bsica

136

CAPITULO 6
6.

Polarizaciones del FET

6.1.

Configuracin de polarizacin fija.

Los circuitos bsicos que se utilizan para polarizar los BJT se pueden emplear
para los MOSFET. EL JFET tiene el inconveniente de que la tensin VGS debe
ser negativa en un NJFET (positiva en un PJFET) que exige unos circuitos de
polarizacion caractersticos para este tipo de dispositivos. En este apartado se
presentan uno de los circuitos mas utilizados: polarizacion simple fija (Figura
No. 6.1), se utiliza una fuente de tensin externa para generar una VGS<0.

Figura No. 6.1. Circuito de polarizacion simple de un NJFET. (a) Diagrama

circuital. (b) Ecuaciones analticas. (c) Representacin grafica del punto de
trabajo.
6.2.

Configuracin de auto polarizacin.

La configuracin de autopolarizacin (figura No. 6.2), la cada de tensin en la

resistencia RS debida a ID permite generar una VGS<0.

Electrnica Bsica

137

Figura No. 6.2. Autopolarizacin de un NJFET. (a) Diagrama circuital. (b)

Ecuaciones analticas. (c) Representacin grafica del punto de trabajo.

6.3.

Polarizacin mediante divisor de voltaje.

Tal como lo hicimos para el BJT, la polarizacin del JFET se puede realizar
por divisor de voltaje. Su construccin bsica es exactamente la misma, pero
el anlisis en DC es muy diferente. Puesto que, la corriente de la compuerta
(IG) es de cero amperios mientras que para el BJT la corriente de la base (I B)
afecta los niveles de DC de la corriente y del voltaje tanto para el circuito de
entrada como el de salida. Pues IB proporcionaba la relacin entre el circuito
de entrada y el de salida mientras que el VGS har lo mismo para el JFET.

Electrnica Bsica

138

Figura No. 6.3 Polarizacin por divisor de voltaje de un JFET

Entonces, realizando el anlisis de la misma forma que para un BJT, tenemos:

VG = R2 * VDD / R1 + R2

(6.1)

Luego, aplicando las leyes de Kirchhoff, y teniendo en cuenta que I R2 = IR1,

entonces podremos encontrar el valor del voltaje de la compuerta: VG.
VG VGS VRS = 0

(6.2)

VGS = VG VRS
Sustituyendo a VRS = IS * RS = IDRS, tenemos:
VGS = VG IDRS

(6.3)

Los valores VG y RS los fija la red. Y la ecuacin No. 6.3 corresponde a una
lnea recta en el plano de ID VGS. Cuando ID sea cero el valor de VGS ser
igual a VG y cuando VGS sea cero, ID ser igual a la relacin VG sobre RS.
De acuerdo a la figura No. 6.4, si RS se incrementa, entonces la recta cruzar
por un valor menor de ID cuando VGS sea cero. Pero esto ocasionar niveles
menores de estabilidad de los ID y mas negativos de VGS.
VDS = VDD ID(RD + RS)
IR1 = IR2 = VDD / (R1 +R2)

Electrnica Bsica

(6.4)
(6.5)

139

Figura No. 6.4 Grfica de JFET polarizado por divisor de voltaje.

6.4.

MOSFET de tipo decremental.

Aun cuando existen grandes similitudes entre las curvas de transferencia de

los JFET y de los MOSFET y que permiten realizar un anlisis muy parecido
en el dominio de DC, los MOSFET de tipo decremental permiten trabajar con
puntos de operacin con valores VGS positivos y niveles de ID que exceden el
valor de IDSS.
Nos queda la pregunta: Hasta donde deber extenderse la curva de
transferencia hacia l a regin de valores positivos de VGS y hacia valores de ID
mayores de IDSS? Este intervalo estar bien definido en los parmetros del
MOSFET.
6.5.

MOSFET de tipo incremental.

Las caractersticas de transferencia del JFET difieren a las encontradas en el

MOSFET de tipo incremental. Por lo tanto, la solucin grfica es diferente para
los dos casos ya vistos.
Debemos tener en cuenta que para un MOSFET de tipo incremental de canaln, la corriente de drenaje (ID) es cero para aquellos niveles de voltaje
compuerta fuente menores al nivel de umbral VGS (TH). La corriente de
drenaje se define como un exponencial a partir del nivel de umbral:
ID = k(VGS VGS(TH))2

Electrnica Bsica

(6.6)

140

En las hojas de caractersticas tcnicas se definen claramente los valores de

voltaje de umbral y un nivel de corriente de drenaje (ID(encendido)), valores que
permiten encontrar el valor de la constante k.
k = ID(encendido) / VGS(Encendido) - VGS(TH)

(6.7)

Una vez se obtenga k, se podrn obtener los dems valores para I D.

6.6.

Redes combinadas.

Conociendo la forma de realizar un anlisis en DC tanto para los BJT como

para los FET, es la oportunidad de analizar redes con los dos tipos de
transistores presentes en la misma. Para esto, se requiere de realizar un
primer proceso sobre el dispositivo que proporcionar un voltaje o un nivel de
corriente en una terminal. Luego, ya se podrn calcular otras cantidades y
dedicarse a las incgnitas restantes. El reto est en la localizacin de la
entrada del problema para luego utilizar sus resultados y aplicar los
conocimientos ya vistos. Se ha trabajado constantemente con los diferentes
juegos de ecuaciones por lo que no es necesario desarrollar nuevos mtodos
de anlisis. El estudiante podr recurrir a los ejemplos desarrollados en el libro
de Boylestad en el captulo No. 6.

Figura No. 6.5 Ejemplo de una red combinada

6.7.

Diseo

Electrnica Bsica

141

Cuando se requiere disear se deben tener en cuenta las condiciones que

intervienen en el proceso completo: rea de aplicacin, nivel de amplificacin
deseado, potencia de seal y las condiciones de operacin. Para ello, se
debe inicialmente establecer las condiciones DC seleccionadas.

Figura No. 6.6 Configuracin de autopolarizacin para disear.

Conocidos los valores para VD e ID es posible determinar el valor para VGSQ a
partir de una grfica de la curva de transferencia y luego podr encontrarse R S
mediante VGS = -IDRS. Pero si conocemos VDD, es posible determinar RD a
partir de RD = (VDD VD)/ID. Luego se debe conseguir los valores comerciales
ms cercanos para RD y RS. Los valores de las tolerancias no son problema
alguno para el real proceso del diseo.
6.8.

FET de canal P y curva de polarizaciones para JFET.

En los apartes anteriores de este captulo nos hemos centrado al anlisis con
FET de canal n. Para el caso de un FET canal-p se utilizar una imagen en
espejo de las curvas de transferencia, adems, las direcciones definidas de
las corrientes se invierten.
El valor de VDD ser negativo y la direccin de la corriente ID estar en el
sentido hacia la fuente. Las notaciones para un FET de canal-p son idnticas
al FET canal-n, cambiando solamente los signos. Durante la realizacin de un
anlisis con un FET de canal-p lo podremos simular con uno de cana-n e
invertir el voltaje de alimentacin. Sin olvidar invertir los valores encontrados
para voltaje y las direcciones de las corrientes.

Electrnica Bsica

142

CAPTULO 7
7. DISPOSITIVOS PNPN Y OTROS
7.1.

INTRODUCCIN

Figura No. 7.1 Smbolos de tiristores ms comunes.

La electrnica de potencia concierne a los circuitos con tiristores, a su diseo y
a su funcin en el control de potencia en un sistema. Existen gran variedad de
tiristores, pero todos ellos tienen ciertas propiedades en comn: son
dispositivos de estado slido que se disparan bajo ciertas condiciones
pasando de un estado de alta impedancia a uno de baja, estado que se
mantiene mientras que la corriente y la tensin sean superiores a un valor
mnimo denominado niveles de mantenimiento. Estructuralmente, todos los
tiristores consisten en varias capas alternadas de silicio dopado con impurezas
p y n. El disparo de un tiristor se realiza inyectando corrientes en esas uniones
de forma que, mediante un reaccin regenerativa, conmuta a conduccin y lo

Electrnica Bsica

143

mantiene en este estado aunque la seal de disparo sea retirada, siempre que
se verifiquen unos requerimientos mnimos de tensin y corriente. Estas
caractersticas hacen que los tiristores sean mucho ms tiles que los
conmutadores mecnicos, en trminos de flexibilidad, duracin y velocidad.
Estos dispositivos se utilizan en control de potencia, convertidores DC-DC o
DC-AC o AC-DC o AC-AC, motores, luz incandescente, etc. En la figura 7.1 se
muestran los smbolos de los dispositivos pertenecientes a la familia de los
tiristores. El rectificador controlado de silicio o Silicon Controlled Rectifiers
(SCR) es el tiristor de mayor inters hoy en da. Fue introducido en 1956 por
los laboratorios de Bell Telephone y son capaces de controlar hasta 10MW
con niveles de corriente de hasta 2000A a 18000V. El control de estos
dispositivos se realiza a travs de transistores, familias lgicas, luz (en triacs
optoelectronicos), transistores de uniunin (UJTs), transistores de uniunin
programables (PUTs), conmutadores bidireccionales de silicio (SBSs), etc.
7.2.

Diodo de cuatro capas

El diodo de cuatro capas o diodo Shockley es un dispositivo compuesto por

cuatro capas semiconductores npnp, cuya estructura y smbolo se describen
en la figuras 7.2.a y 7.2.b. Esencialmente es un dispositivo interruptor. Al
aplicar un tensin positiva entre nodo y ctodo se puede observar que la
unin J1 y J3 esta polarizada en directa, y la unin J2 polarizada en inversa.
En estas condiciones nicamente circula una corriente muy baja
(despreciable) y el dispositivo se encuentra cortado. Aumentando esta tensin
positiva se llega a una tensin VBO de ruptura o avalancha donde la corriente
crece de forma abrupta y la cada de tensin decrece de la misma manera. En
este momento, el diodo ha conmutado desde el estado de bloqueo a
conduccin.

Figura No. 7.2. Diodo de cuatro capas: a) Estructura, b) smbolo, c) estructura

equivalente y d) modelo de conduccin.
Una manera sencilla de entender el funcionamiento de este diodo consiste en
separar su estructura fsica en dos mitades (figura No. 7.2.a). La mitad

Electrnica Bsica

144

izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP, resultando el circuito

mostrado en la figura No. 7.3.b que normalmente es referido como candado.

Figura No. 7.3. Caractersticas tensin/corriente del diodo de cuatro capas.

Las caractersticas elctricas de un diodo de cuatro capas se muestran en la
grafica de la figura No. 7.3. En esta grafica, se pueden identificar dos zonas y
cuatro regiones de operacin:
1.- Zona directa (V > 0)
1.a) Regin de corte. El diodo se encuentra en corte con unas corrientes muy
bajas. En esta regin se puede modelar como una resistencia ROFF de valor:

(7.1)
1.b) Regin de resistencia negativa. Cuando la tensin entre nodo y ctodo
es suficientemente alta se produce la ruptura de la unin con un incremento
muy elevado en corriente comportndose el diodo como si fuera una
resistencia negativa debido a la realimentacin positiva de su estructura.
1.c) Regin de saturacin o conduccin. En esta regin, la cada de tensin
entre nodo y ctodo esta comprendida entre 0.5V y 1.5 V, prcticamente
independiente de la corriente. Se mantendr en este estado siempre que la
tensin y corriente alcancen unos valores mnimos conocidos como niveles de
mantenimiento definidos por VH e IH.

Electrnica Bsica

145

2.- Zona inversa (V <0)

2.a) Regin de ruptura. El diodo puede soportar una tensin mxima inversa
VRSM que superado ese valor entra en conduccin debido a fenmenos de
ruptura por avalancha.
7.2.1. SIDAC
El SIDAC es un dispositivo bilateral de disparo de alta tensin y corriente. Es
bsicamente un diodo de cuatro capas con unas caractersticas elctricas
simtricas. En la figura No. 7.4.a se describe su estructura fsica, en la figura
No. 7.4.b el smbolo de este dispositivo y en la figura No. 7.4.c sus
caractersticas elctricas simtricas. El SIDAC se utiliza en aquellas
aplicaciones que se necesitan una tensin de disparo VBO cuyos valores estn
comprendidos entre 120 V y 270 V (tpicos).

Figura No. 7.4. SIDAC: a) estructura fsica, b) smbolo y c) caractersticas I-V.

El MKP3V120 de Motorola es un ejemplo tpico de un SIDAC, con una
corriente mxima de 1A y una tensin de ruptura de VBO=120 V (pertenece a
la serie MKP3VXXX en donde las tres ultimas cifras definen la V BO). En la
figura No. 7.5 se indican sus caractersticas I-V en estado de conduccin. En
este caso, la tensin nodo-ctodo es aproximadamente ~1.1V prcticamente
independiente de la corriente. Una de las aplicaciones ms tpicas del SIDAC
es como generador de diente de sierra en donde se aprovecha las
caractersticas de disparo y bloqueo de este dispositivo.

Electrnica Bsica

146

Figura No. 7.5. Caractersticas I-V en conduccin del MKP3V120.

En la figura No. 7.6.a se presenta el esquema de este circuito basado en el
MKP3V120. Las principales caractersticas de este dispositivo son: VT
VH=1.1V, IH=100 mA (max), VBO=120 V (typ), IBO=200 A (max). En la figura
No. 7.6.b se muestra la forma de onda de Vo que se asemeja a un diente de
sierra. El funcionamiento del circuito es el siguiente. El condensador se carga
a travs de R cuando el SIDAC esta cortado. En estas condiciones, el
dispositivo se comporta como una resistencia ROFF de valor

(7.2)

Esta resistencia es tan elevada que a efectos prcticos se puede considerar

como despreciable. La ecuacin del carga del condensador parte de una
tensin inicial VH (VH=1.1V), correspondiente a la tensin de mantenimiento
del SIDAC, hasta la tensin final VCC (VCC=200 V). Esta ecuacin es

(7.3)
La tensin Vo(t) evoluciona de forma exponencial tal como se muestra en la
figura No. 7.6.b. Este proceso de carga del condensador finalizara cuando el
SIDAC entre en conduccin, situacin que se produce cuando la tensin Vo(t)
alcance la tensin de ruptura, es decir, el proceso de carga durara un tiempo
to correspondiente al tiempo que tarda Vo(t) en tomar el valor VBO, es decir,
Vo(t-to)=VBO=120 V. Este tiempo esta definido por la siguiente ecuacin

(7.4)

Electrnica Bsica

147

Figura No. 7.6. a) SIDAC como generador de diente de sierra. b) Forma de

onda de Vo.
En el momento que entra en conduccin el SIDAC, este descarga rpidamente
el condensador C hasta su tensin de mantenimiento (V H). El dispositivo
estar permanentemente en ese estado siempre que se asegure la corriente
de mantenimiento IH de 100mA. Pero en este circuito, la corriente que circula
por R es

(7.5)
menor que la corriente de mantenimiento, luego el SIDAC pasara a estado de
corte de forma natural permitiendo que el condensador se cargue nuevamente
a travs de R y se repita el proceso indefinidamente. Si se desea que el
SIDAC permanezca en conduccin permanente con Vo=VH es preciso
asegurar la corriente de mantenimiento, para lo cual la resistencia R tiene que
ser menor que el valor de la resistencia critica obtenido por la siguiente
expresin

(7.6)

7.2.2. SBS
El SBS o Silicon Bidirectional Switch es un dispositivo de baja potencia
simtrico para aplicaciones de disparo ms verstil que el SIDAC. Tiene
adems un terminal adicional (gate o G) que permite modificar sus
caractersticas de disparo con pequeos pulsos de corriente (decenas de A).
Su reducido coste, alta velocidad y capacidad para disparar puertas de

Electrnica Bsica

148

tiristores con altos valores de corriente hace que este dispositivo sea muy til
en muchas aplicaciones. EL SBS no es solamente un versin mejorada del
diodo de cuatro capas, sino que es fabricado como un circuito integrado
constituido por transistores, diodos y resistencias. La figura No. 7.7.a muestra
su smbolo, la figura No. 7.7.b su estructura a nivel circuital y la figura No.
7.7.c sus caractersticas I-V. El MBS4991 de Motorola es un ejemplo tpico de
un SBS simtrico. Sus parmetros caractersticos de acuerdo a la grafica de la
figura No. 7.7.c son: VS=8 V, IS=175 A, IH=0.7 mA y VF=1.4 V El disparo de
este dispositivo se puede realizar bien superando la tensin VS o bien
aplicando una corriente de puerta IGF=100A.

Figura No. 7.7 SBS: a) smbolo, b) circuito equivalente y c) caractersticas I-V.

7.3.

SCR

El SCR o Silicon Controled Rectifier es un dispositivo triterminal (A o nodo, C

o ctodo y G o gate o puerta de control) muy similar al diodo de cuatro capas
descrito en la anterior seccin pero que posee una entrada adicional (G) que
permite disparar el dispositivo antes de alcanzar la VBO. En la figura No. 7.8.a
se muestra el smbolo del SCR y en la figura No. 7.8.b su modelo a nivel
transistor. En el modelo a nivel de transistor se observa claramente que al
introducir una corriente por la lnea G se produce la conduccin de los
transistores, es decir, el disparo del dispositivo sin ser necesario alcanzar la
VBO. La figura No. 7.9 permite ver claramente como las caractersticas del
SCR varan con la corriente de su puerta cuyos valores son del orden de
miliamperios o inferiores.

Electrnica Bsica

149

Figura No. 7.8. a) Smbolo del SCR, b) Modelo a nivel de transistor.

Figura No. 7.9. Caractersticas I-V del SCR.

A continuacin se detallan algunos parmetros caractersticos de los SCR.
Tiempo de conduccin (Turn-on Time). Tiempo de duracin mnima de la
tensin de disparo para pasar el SCR de bloqueo a conduccin. Este tiempo
tiene dos componentes: TON=td+tr, siendo td el tiempo de retraso (delay time)
y tr el tiempo de subida (rise time). Por ejemplo, el 2N5060 tiene el
TON=td+tr=3s+0.2s=3.2s.
Tiempo de corte (Turn-off Time). Tiempo que el SCR puede permanecer por
debajo de las condiciones de mantenimiento. El 2N5060 tiene un T OFF=tq de
10s.

Electrnica Bsica

150

 Mxima corriente de conduccin. Mxima corriente eficaz que puede circular

por el SCR durante el estado de conduccin. Para el 2N5060, la IT (rms)=0.8A.
Velocidad crtica de elevacin. Variaciones muy rpidas de tensin entre el
nodo y ctodo en un SCR pueden originar un disparo indeseado. Para evitar
este problema, la variacin de tensin nodo-ctodo no debe superar un valor
conocido como velocidad critica de elevacin (dv/dt); si se supera este valor
adems de producir el disparo puede llegar a deteriorar el dispositivo. El
2N5060 tiene un dv/dt=30V/s. A veces transitorios en las lneas de
alimentacin pueden originar problemas de comportamiento del SCR al ser
superado su velocidad crtica de elevacin. Los circuitos de proteccin contra
transitorios de corriente (figura No. 7.10.a) y transitorios de tensin (figura
12.10.b) evitan este indeseado disparo. Bsicamente son filtros basados en
RC o inducciones que eliminan esas seales espureas.

Figura No. 7.10. Circuitos de proteccin contra transitorios de a) tensin y b)

intensidad.
7.4.

Activacin o disparo y bloqueos de los tiristores.

El tiristor es un dispositivo de estado slido que su modo de operacin emula

a un rele. En estado de conduccin tiene una impedancia muy baja que
permite circular grandes de niveles de corriente con una tensin nodo-ctodo
del orden de 1V. En estado de corte, la corriente es prcticamente nula y se
comporta como un circuito abierto. A continuacin se describen las diferentes
maneras de activar o disparar y de bloqueo de un tiristor.
7.4.1. Activacin o disparo de un tiristor.
Existen cuatro maneras de poner a un tiristor en estado de conduccin:
a) Activacin o disparo por puerta. El mtodo ms comn para disparar un
tiristor es la aplicacin de una corriente en su puerta. Los niveles de tensin y
corriente de disparo en la puerta deben tener un rango de valores
comprendidos dentro de una zona de disparo de seguridad. Si se sobrepasa
ese limite puede no dispararse el tiristor o puede deteriorarse el dispositivo;

Electrnica Bsica

151

por ejemplo, para el 2N5060 la mxima potencia eficaz que puede soportar la
puerta es PG(av)=0,01 W. Grficamente, en la figura No. 7.11 se muestra la
forma tpica de esa zona de seguridad de disparo del SCR TF521S de Sanken
Electric; obsrvese la su elevada dependencia con la temperatura. Este tiristor
soporta corrientes de hasta IT(rms)=5 A y la corriente mxima de disparo es
IGT(max)=15 mA a 25 C para una VGT(max)=2.5 V. Otro ejemplo es el C701
de SPCO capaz de soportar 1300 A con una corriente IGT=500 mA. Adems, el
disparo debe tener una duracin dependiente del tiristor con valores tpicos de
1seg para que resulte eficaz. El tiempo de conexin o de activacin es el
tiempo que tarda en conducir el tiristor desde que se ha producido el disparo.
Los valores tpicos de tiristores comerciales estn alrededor de 1 a 3 seg,
aunque para aplicaciones especiales como son los moduladores de impulsos
de radar se fabrican tiristores con valores por debajo de 100nseg.
b) Activacin o disparo por luz. Un haz luminoso dirigido hacia una de las
uniones del tiristor provoca su disparo. Son los dispositivos conocidos como
foto-SCR o LASCR y sus derivados (foto-TRIAC, opto-TRIAC, etc). El SP-101
de Sunpower es un ejemplo tpico de un LASCR de 2 A que precisa de una
radicacin luminosa efectiva de 24 mW/cm2 con una longitud de onda de 850
nm para su activacin.

Figura No. 7.11. Zona de seguridad de disparo del SCR TF521S.

c) Activacin por tensin de ruptura. Un aumento de la tensin nodo-ctodo

puede provocar fenmenos de ruptura que activa el tiristor. Esta tensin de
ruptura directa (VBO) solamente se utiliza como mtodo para disparar los
diodos de cuatro capas.
b) Disparo por aumento de dv/dt. Un rpido aumento de la tensin directa de
nodo ctodo puede producir una corriente transitoria de puerta que active el
tiristor. Generalmente se elimina este problema utilizando circuitos de
proteccin basados en R, C o L (figuras 7.10.a y 7.10.b). Valores tpicos de
dv/dt estn comprendidos entre 5 V/seg a 500 V/seg.

Electrnica Bsica

152

Figura No. 7.12. Circuitos de disparo de SCR. a) y b) circuitos de disparo en

DC, c) circuito de disparo por impulso, y d) circuito de disparo controlado por
seal alterna.
Existen numerosos circuitos de disparo de tiristores que pueden ser
clasificados en tres tipos bsicos en funcin del tipo de seal de disparo: DC,
impulso o fase de alterna. Los circuitos de disparo en DC estn basados en un
interruptor mecnico o electrnico (figura 7.12.a) que incluyen circuitos de
proteccin para evitar danos al tiristor. Estas seales tambin pueden ser
generadas desde un ordenador o cualquier circuito de control digital (figura
7.12.b). Los circuitos de disparo por impulso estn basados generalmente en
un transformador de acoplo que transmite el pulso de disparo (figura 7.12.c).
Este transformador permite el aislamiento elctrico entre el tiristor y el circuito
de control y precisa menor potencia de disparo. Sin embargo, son ms
voluminosos debido al tamao del transformador y suelen ser sustituidos por
opto-acopladores luminosos. Por ultimo, los circuitos de disparo en alterna
estn diseados para sincronizar la fase entre el suministro en alterna y el
disparo que permita la regulacin en potencia (figura 7.12.d). Debido a la
importancia de este ultimo tipo de disparo, se va a dedicar un apartado
completo a su estudio.
7.4.2. Bloqueo de un tiristor.

Electrnica Bsica

153

La conmutacin en corte o bloqueo es el proceso de poner en estado de corte

al tiristor que puede realizarse de tres formas: conmutacin natural,
polarizacion inversa o conmutacin por puerta.
a) Conmutacin natural. Cuando la corriente del nodo se reduce por debajo
de un valor mnimo, llamado corriente de mantenimiento, el tiristor se corta.
Sin embargo, hay que sealar que la corriente nominal de un tiristor es del
orden de 100 veces la corriente de mantenimiento. Para reducir esa corriente
es preciso abrir la lnea, aumentando la impedancia de carga o derivando
parte de la corriente de carga a un circuito paralelo, es decir, cortocircuitando
el dispositivo.
b) Corte por polarizacin inversa. Una tensin inversa nodo-ctodo tendera a
interrumpir la corriente del nodo. La tensin se invierte en un semiperiodo de
un circuito de alterna, por lo que un tiristor conectado a la lnea tendr una
tensin inversa en un semiperiodo y se cortara. Esto se llama conmutacin por
fase o conmutacin de lnea alterna.
c) Corte por puerta. Algunos tiristores especialmente diseados, como los
GTO, se bloquean con una corriente de puerta negativa. El tiempo de
conmutacin en corte es el tiempo que tarda en bloquearse un tiristor. Con
conmutacin natural su valor esta comprendido entre 1 a 10 seg, mientras
que conmutacin forzada puede ser de 0.7 a 2seg. Sin embargo, existen
gran variedad de tiristores diseados para tener tiempos de conmutacin muy
bajos.
7.5.

Regulacin en potencia de un SCR.

Existe una gran variedad de aplicaciones de potencia basadas en los tiristores

como elementos de control. Su propiedad de conmutacin de corte a
conduccin y viceversa resulta muy til cuando se desea controlar la
transferencia de potencia a una carga. Las aplicaciones mas comunes de uso
domestico son los reguladores de luz, control de velocidad de motores, etc.

Figura No. 7.13. Circuito regulador de potencia basado en un SCR.

Electrnica Bsica

154

En la figura No. 7.13 se muestra la estructura bsica de un circuito regulador

de potencia bsico. Se quiere entregar una determina energa de la red
elctrica a una carga (ZL) y, para ello, se utiliza un tiristor (en este caso un
SCR) como dispositivo de control y un circuito de disparo que controla ese
tiristor. Este circuito de disparo introduce un desfase respecto al inicio de la
onda sinusoidal; a se le denomina ngulo de desfase o de disparo y a -
ngulo de conduccin. En la figura No. 7.14 se representa las formas de onda
del regulador de potencia. Se identifican tres zonas del funcionamiento del
tiristor:
1)
2)

3)

0 < . El SCR esta bloqueado. En estas condiciones no circula

ninguna corriente por la carga (IL=0) y la VAK = Vm sen.
< . En el instante = el circuito de disparo aplica un pulso que
hace entrar el SCR a conduccin. Aparece una corriente por la carga de
valor IL= Vm sen /ZL, si se desprecia la cada de tensin en el SR
(VAK~0V). En esas condiciones, VS=VL+VAKVS.
< 2. En el instante = el SCR conmuta a corte de forma natural.
En el semiperiodo negativo el SCR se mantiene a corte porque la tensin
del nodo es inferior a la del ctodo. La corriente es nula (IL=0) y la VAK =
Vm sen.

Figura No. 7.14. Formas de onda del circuito de la figura No. 7.13.

En trminos eficaces, la corriente eficaz (rms) entregada a la carga se obtiene

mediante la siguiente ecuacin

Electrnica Bsica

155

(7.7)
y, de una manera similar, la tensin eficaz (rms) de la carga

(7.8)
La potencia eficaz entregada a la carga se define como el producto de la
corriente eficaz por la tensin eficaz.

(7.9)
7.6.

Variantes del SCR.

Existen otros dispositivos de cuatro capas cuyo modo de funcionamiento es

similar a la de un SCR. En esta seccin se realiza una breve descripcin de
las variantes del SCR ms importantes.
7.6.1.

Foto-SCR o LASCR

El foto-SCR o SCR activado por luz (light activated SCR o LASCR) es, como
su propio nombre indica, un SCR cuyo disparo es controlado por luz. Cuando
la luz incidente es suficientemente intensa, el SCR se dispara y permanece en
conduccin aunque desaparezca esa luz. En la figura No. 7.15.a se muestra
su smbolo y en la figura No. 7.15.b aparece una aplicacin sencilla del fotoSCR con una resistencia ajustable que controla la intensidad de luz incidente
de disparo. Un ejemplo de un LASCR es el SP-101 de SunPowe.r que se
activa cuando la luz incidente es de 24 mW/cm2.

Figura No. 7.15. Foto-SCR o LASCR: a) Smbolo y b) ajuste de sensibilidad a

la luz.

Electrnica Bsica

156

7.6.2. GTO
El GTO o Gate Turn-Off SCR es un tiristor que puede ser disparado con un
pulso positivo a su terminal gate y bloqueado si se aplica un impulso negativo
a ese mismo terminal. El GTO se emplea actualmente en muchas aplicaciones
interesantes en el dominio de altas potencias cuyo control se realiza
fcilmente mediante transistores bipolares. Los bajos requerimientos de
potencia de su control facilitan la aplicacin de tcnicas de modulacin de
anchura de pulsos. En la figura 7.15a se indica su smbolo. El
MGTO1000/2000 de Motorola es un GTO diseado para aplicaciones de alta
velocidad y es capaz de proporcionar hasta 18 A.

Figura No. 7.15.a. Smbolo de un GTO

7.6.3. PUT
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los
dispositivos uniunin y sus caractersticas son similares al SCR. En la figura
7.16a se indica su smbolo. Es un dispositivo de disparo nodo-puerta (anodegate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensin
mas negativa que el nodo, es decir, la conduccin del PUT se realiza por
control de las tensiones en sus terminales. Como ejemplo sencillo, la figura
No. 7.16b muestra el esquema de un oscilador de relajacin basado en este
dispositivo. La tensin de puerta esta fijada a un valor constante a travs de
las resistencias R1 y R2. Si inicialmente el condensador esta descargado, la
tensin del nodo es menor que la de la puerta (VA<VG) y el PUT esta cortado.
En estas condiciones, el condensador se carga a travs de R aumentando la
tensin del nodo. Llegara un momento en que VA=VG y, en ese instante, se
dispara el PUT el cual descarga bruscamente el condensador C produciendo
una cada de tensin en la resistencia Ro. Si R y Ro tienen un valor que impida
circular a travs del PUT la corriente de mantenimiento mnima de conduccin
el dispositivo se cortara y el condensador se carga nuevamente a travs de R
repitindose el proceso.

Electrnica Bsica

157

Figura No. 7.16. a) Smbolo del PUT y b) oscilador basado en un PUT.

7.6.4. TRIAC
Un TRIAC (TRIode for Alternative Current) es un SCR bidireccional que se
comporta como dos SCR en paralelo e invertidos, de tal manera que este
dispositivo puede controlar corriente en cualquier direccin. Normalmente,
tiene una tensin de ruptura alta y el procedimiento normal de hacer entrar en
conduccin a un TRIAC es a travs de un pulso de disparo de puerta (positivo
o negativo). La figura No. 7.17a muestra su smbolo y la figura 7.17b su
modelo equivalente basado en dos SCR conectados en oposicin. Ejemplos
tpicos de TRIACS: BT136 (de 5 A) y el BT138 (16A) de Philips y la serie MAC
de Motorola con corrientes de 8 A (MAC97-8) hasta 350 A (MAC224A4).

Figura No. 7.17. a) Smbolo del TRIAC y b) Modelo equivalente en SCRs.

7.6.5. TRIAC con acoplado ptico (Opto coupler TRIAC)
Los TRIACs acoplados pticamente combinan un diodo emisor de luz (LED)
con un TRIAC foto-detector (foto-TRIAC) dentro de un mismo encapsulado
opaco con un esquema mostrado en la figura No. 7.18. Al no existir conexin
elctrica entre la entrada y la salida, el acoplo es unidireccional (LED al fotoTRIAC) y permite un aislamiento elctrico entre ambos dispositivos de hasta
7500 V (typ). Adems, algunos foto-TRIAC incluyen un circuito de deteccin
de paso por cero que permite sincronizar seales de la red elctrica con
seales de control del LED para ajustar el ngulo de conduccin.

Electrnica Bsica

158

Figura No. 7.18. Esquema de un opto-TRIAC.

Como ejemplo de estos circuitos se encuentra el MOC3009 (Motorola) que
necesita una corriente en el LED de 30 mA para disparar el foto-TRIAC o el
MOC3021 (Motorola) que nicamente requiere 10mA. Cuando el LED esta
apagado, el foto-TRIAC esta bloqueado conduciendo una pequea corriente
de fuga denominada IDRM (peak-blocking current). Cuando el diodo conduce,
dispara al foto-TRIAC pudiendo circular entre 100 mA y 1 A. Al no ser un
dispositivo que soporte grandes niveles de potencia, el propio foto-TRIAC en
muchos casos acta sobre el control de un TRIAC de mucho mayor potencia,
tal como se indica en la figura No. 7.19. En este circuito, una seal digital (por
ejemplo, una seal de un microcomputador) activa el opto-acoplador que a su
vez activa el TRIAC de potencia conectado a la red elctrica; el valor de R
esta comprendido entre 50 y 500.

Figura No. 7.19. Esquema de un opto-acoplador TRIAC para activar un TRIAC

de mayor potencia.
7.7.

El transistor UJT de uniunin.

El transistor de uniunin (unijunction transistor) o UJT esta constituido por dos

regiones contaminadas con tres terminales externos: dos bases y un emisor.
En la figura No. 7.20.a aparece la estructura fsica de este dispositivo. El
emisor esta fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente
dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia
interbase, es elevada (de 5 a 10 K estando el emisor abierto).

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159

El modelo equivalente representado en la figura No. 7.20.b esta constituido

por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que
verifican RBB=R1+R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1
(V1) se puede expresar como:

(7.10)
donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor
de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca. El modelo de este
dispositivo utilizando transistores se muestra en la figura No. 7.20.c, cuya
estructura es muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en
conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja. El smbolo
del UJT se muestra en la figura No. 7.20.d.

Figura No. 7.20. Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c)

circuito equivalente y d) smbolo.
7.7.1. Funcionamiento de un UJT
El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la
figura No. 7.21 se describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a
travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor
(IE). Se definen dos puntos crticos: punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto
de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0.
Estos puntos a su vez definen tres regiones de operacin: regin de corte,
regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a
continuacin:

Electrnica Bsica

160

Figura No. 7.21. Caractersticas elctricas de un UJT.

Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que
la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La
corriente de emisor es muy baja y se verifica que V E<VP e IE < IP. Esta tensin
de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuacin:
VP=VB2B1+VF

(7.11)

donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor tpico de 0.5 V. Por
ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25 C. El UJT en esta regin se
comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases de valor RBB.
Regin de resistencia negativa. Si la tensin de emisor es suficiente para
polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en
conduccin e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1
debido a procesos de recombinacin. Desde el emisor, se observa como el
UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de
una resistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta regin, la corriente de emisor
esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
Regin de saturacin. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor
con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una
relacin lineal de muy baja resistencia entre la tensin y la corriente de emisor.
En esta regin, la corriente de emisor es mayor que la corriente de valle (IE >
IV). Si no se verifica las condiciones del punto de valle, el UJT entrara de forma
natural a la regin de corte. En la figura No. 7.22 tambin se observa una
curva de tipo exponencial que relaciona la VE y la IE cuando la base B2 se

Electrnica Bsica

161

encuentra al aire (IB2=0). Esta curva tiene una forma similar a la caracterstica
elctrica de un diodo y representa el comportamiento del diodo de emisor.
7.7.2.

Oscilador de relajacin con UJT

Una de las aplicaciones ms tpicas del UJT es la construccin de osciladores

de relajacin que se utilizan en muchos casos como circuito de control de
SCRs y TRIACs. El esquema elctrico de este circuito se muestra en la figura
7.22.a. Cuando el UJT esta en la regin de corte, el condensador C se carga a
travs de R. Este proceso de carga finalizara si la tensin de emisor (VC) es
suficiente para entrar al UJT en la regin de resistencia negativa (VC=VP), en
cuyo caso la corriente de emisor descarga bruscamente el condensador hasta
alcanzar la tensin de valle (VC=VV). En estas condiciones, si el circuito ha
sido diseado para que la resistencia R no proporcione la suficiente corriente
de mantenimiento (IE<IV) entonces el UJT conmutara de forma natural a corte
y el condensador volver a cargarse de nuevo a travs de R. La figura No.
7.22.b indica el diagrama temporal de las tensiones VC, VOB1 y VOB2. En
resumen, para asegurar que el circuito de la figura 7.22 se comporta como un
oscilador, R debe verificar que

(7.12)

Figura No. 7.22. El UJT como oscilador de relajacin: a) esquema elctrico y

b) diagrama temporal.
Las ecuaciones que verifica este oscilador son las siguientes.
VC. Proceso de carga del condensador se realiza a travs de R. Se inicia
con la tensin VV y tiende a cargarse hasta VCC. La tensin VC viene dada por
la siguiente ecuacin:

Electrnica Bsica

162

(7.13)
Periodo de oscilacin. El periodo de oscilacin esta definido por el tiempo (to)
que tarda el condensador en alcanzar la tensin de activacin del UJT (VP).
Es decir, el tiempo to necesario para que la tensin VC (t=to)=VP se obtiene a
partir de la ecuacin 7.13 y vale

(7.14)
VOB1 y VOB2. Estas tensiones las proporciona el fabricante en forma de grafica
en funcin de las resistencias RB1 y RB2 asociadas a la base del UJT; se
supone que RB1 y RB2 << RBB. El tiempo de validez de estas tensiones
depende del tiempo de conmutacin y corte del UJT y suelen ser del orden del
1% del periodo de oscilacin del circuito. Por ejemplo, el 2N2646 produce una
tensin VOB1=5 V (typ) si RB1=20 y VB2B1=20 V.
7.8.

Algunas aplicaciones tpicas de los tiristores.

Los tiristores son sumamente populares en el control de potencia en cargas

resistivas e inductivas como motores, solenoides, calefactores, etc.
Comparados con los dispositivos equivalentes mecnicos como son los reles,
los tiristores ofrecen mayor fiabilidad, mejores prestaciones y menor costo. En
esta seccin se analizan algunas aplicaciones tpicas con tiristores para dar
una idea de sus mltiples posibilidades.
7.8.1.

Regulacin de luz

Una de las aplicaciones mas tpicas de uso domestico es el regulador de luz.

La figura No. 7.23 muestra un esquema de este circuito basado en el TRIAC
MAC218A de Motorola y cuyo control de disparo se realiza a travs de un
SBS. La resistencia R1+R2 carga el condensador C1 a travs de la propia
tensin de alimentacin en alterna y cuando se alcanza la tensin de ruptura
del SBS, este dispara el TRIAC haciendo circular la corriente por la carga
(lmpara). El uso de TRIAC y SBS permite el control de potencia en
semiperiodos positivos y negativos.
El ngulo de conduccin se controla a travs de la resistencia variable R1;
contra mas pequeo sea su valor el ngulo de conduccin ser mayor, y
viceversa. Las ecuaciones de funcionamiento del circuito son difciles de

Electrnica Bsica

163

extraer pero en la figura No. 7.23 se indican los valores tpicos de los
diferentes componentes. Los diodos, la resistencia de R4 y el condensador C2
actan como elementos de proteccin.

Figura No. 7.23. Regulador de luz

Un segundo ejemplo de circuito de regulador de luz se indica en la figura No.
7.24. En este caso, el UJT 2N4870 es el encargado de disparar al TRIAC. El
circuito de polarizacion del UJT esta constituido por un circuito rectificador de
diodos, una resistencia y el diodo zener 1N4871 de 22 V; con ello se consigue
obtener la seal VS indicada en la parte inferior de la figura. Esta seal seria
prcticamente una onda cuadrada si no existiese el TRIAC. El disparo del
TRIAC hace que la cada de tensin en sus terminales sea muy baja (~1 a 2V)
anulando el circuito de polarizacion (VS~0 V). El UJT acta como oscilador de
relajacin cuya frecuencia esta determinada por R1 y C1. La activacin del UJT
dispara a su vez el TRIAC a travs de un pequeo transformador. El ngulo de
conduccin del TRIAC oscila entre =0o a 170o en cada semiperiodo.

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164

Figura No. 7.24 Regulador de luz con UJT.

7.8.2. Control de velocidad de motores
El control de velocidad de los motores se ha realizado en base a SCRs en
mayor medida que en TRIACs. A primera vista, el TRIAC presenta mayores
ventajas debido a su simetra, lo que le confiere ciertas ventajas frente al SCR
que nicamente conduce en un semiperiodo. Sin embargo, el TRIAC tiene
unas caractersticas dv/dt inadecuadas para el control de motores y es difcil la
realizacin de circuitos de control simtricos. Por otra parte, el SCR puede
conducir en todo el periodo si se rectifica la seal de red. Las figuras 7.25.a y
7.25.b muestran dos ejemplos sencillos de control realizados a travs de SCR
de un motor universal (Figura No. 7.25.a) y un motor de imn-permanente
(Figura No. 7.25.b).

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Figura No. 7.25. Control de velocidad de motores. a) Motor universal y b)

motor de magneto-permanente.
7.8.3. Control de calor con sensor de temperatura.
El circuito de control de calor mostrado en la figura No. 7.26 ha sido concebido
para controlar la temperatura de una habitacin, bien utilizando una fuente de
calor (por ejemplo, una resistencia elctrica o un horno) o bien utilizando un
ventilador (o cualquier dispositivo refrigerador). El circuito de disparo se realiza
a travs de un UJT que introduce un ngulo de conduccin de los TRIACs que
va a depender de la temperatura de la habitacin medida a travs de una
resistencia trmica (termistor) RT cuyo valor es de 2 k a 25 C; el rectificador
de puente de diodos y el diodo zener 1N5250A alimentan a este circuito de
disparo. R2 se ajusta para que el transistor bipolar 2N3905 este en corte a una
temperatura dada. Cuando el 2N3905 esta en corte ninguna corriente carga el
condensador C y, por consiguiente, el UJT y los TRIACs estn cortados. Si el
2N3905 esta a ON, este carga el condensador C y dispara el UJT cuando
alcanza la tensin VP. El tiempo que tarda en alcanzar la tensin VP del UJT
depende de RT. Un incremento en la temperatura diminuye el valor de RT, y
por consiguiente, disminuye el valor de corriente de colector del transistor
aumentando a su vez el tiempo de carga del condensador (disminuye el
ngulo de conduccin). Por el contrario, al disminuir temperatura aumenta el
ngulo de conduccin. El modo de operar con la temperatura se invierte si se
intercambia RT con R2.

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Figura No. 7.26. Circuito de control de calor.

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