UNIDAD 3.

CIRCUITOS DE DISPARO

TIRISTORES
Los tiristores se operan como conmutadores biestables, para muchas aplicaciones se puede suponer que los tiristores
son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores prcticos exhiben ciertas caractersticas y limitaciones. Los
tiristores son fabricados por difusin.
Definicin 1 Es un dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con 3 uniones pn. Tiene tres
trminales, nodo, ctodo y compuerta.
A Anodo
A
p
n

G
G

Compuerta

p
n

K
K

J1
J2
J3

Ctodo

Figura 1: Smbolos del tiristor y tres uniones pn.

Cuando el voltaje del nodo se hace positivo con respecto al ctodo, las uniones J1 y J3 tienen polarizacin directa o
positiva. La unin J2 tiene polarizacin inversa, y slo fluir una pequea corriente de fuga al nodo al ctodo. Se dice
entonces que el tiristor est en condicin de bloqueo directo o en estado desactivado llamndose a la corriente de fuga
corriente de estado inactivo ID . Si el voltaje nodo-ctodo VAK se incrementa a un valor lo suficientemente grande, la
unin J2 polarizada inversamente entrar en ruptura. Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje
correspondiente se llama voltaje de ruptura directa VBO.

Figura 2: Curva caracterstica de voltaje-corriente de un tiristor (SCR).

Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarizacin directa, habr un movimiento libre de portadores a travs de
las tres uniones, que provocar una corriente corriente directa del nodo. Entonces el dispositivo est en estado de
conduccin o activado.
La corriente del nodo debe ser mayor que un valor conocido como corriente de enganche IL , a fin de mantener
la cantidad requerida de flujo de portadores a travs de la unin; de lo contrario ,al reducirse el voltaje VAK , el
dispositivo regresar a la condicin de bloqueo. La corriente IL es el valor mnimo requerida para mantener el tiristor en
estado de conduccin inmediatamente despus de que ha sido activado y se ha retirado la seal de la compuerta.
Una vez que el tiristor es activado, se comporta como un diodo en conduccin y no hay control sobre el dispsitivo.
El tiristor seguir conduciendo, porque en la unin J2 no exista una regin de agotamiento debida a movimientos
libre de los portadores. Sin embargo, si se reduce la corriente directa del nodo por debajo de un nivel conocido como
corriente de mantenimiento IH , se genera una regin de agotamiento alrededor de la unin J2 debida al nmero
reducido de portadores; el tiristor estar en estado de bloqueo.
La corriente de mantenimiento es del orden de los miliamperios y es mayor que la corriente de enganche ( IL IH ).
La corriente de mantenimiento IH es la corriente del nodo mnima para mantener el tiristor en estado de regimen
permanente. Un tiristor se puede activar aumentado el voltaje directo de VAK ms all de VBO , pero esta forma
de activarlo puede ser destructiva.
ACTIVACION DEL TIRISTOR
Un tiristor se activa incrementando la corriente del nodo. Esto se puede lograr mediante:
Corriente de compuerta.- Si un tiristor est polarizado en directa, la inyeccin de una IG al aplicar un
voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las trminales activar al tiristor. Conforme se aumenta
la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de bloqueo directo. Despus de la aplicacin de la seal de
compuerta, existe un retraso llamado tiempo de activacin ton entre la aplicacin de la seal de la compuerta
y la conduccin de un tiristor. ton se define como el intervalo de tiempo entre el 10 % de IG (0.1 IG ) y el 90 %
de la corriente activa del tiristor en rgimen permanente (0.9 IT ). ton es la suma del tiempo de retraso td y
el tiempo de elevacin tr . td se define como el intervalo de tiempo entre el 10 % de la corriente de compuerta
(0.1 IG ) y el 10 % de la corriente activa del tiristor (0.1 IT ). tr es el tiempo requerido para que la corriente del
nodo se eleve del 10 % del estado activo (0.1 IT ) al 90 % de la corriente en estado activo (0.9 IT ).

Figura 3: Caractersticas de activacin.

Trmica.
Luz.
Alto voltaje.
dv/dt.
Es necesario tomar en cuenta los siguientes puntos para disear un circuito de control de compuerta.
1.- La seal de compuerta debe eliminarse despus de activarse el tiristor.
2.- Mientres el tiristor est con polarizacin inversa, no debe haber seal de compuerta, de lo contrario, el tiristor
puede fallar debido a una corriente de fuga incrementada.
3.- El ancho del pulso de la compuerta tG debe ser mayor que el tiempo requerido para que la corriente del nodo
se eleve al valor de corriente de mantenimiento IH (tG ton ).
DESACTIVACION DEL TIRISTOR
Un tiristor se puede desactivar reduciendo la corriente directa a un nivel por debajo de la corriente de mantenimiento IH . En todas las tcnicas de conmutacin, la corriente del nodo se mantiene por debajo de la corriente
de mantenimiento durante un tiempo lo suficientemente largo. por lo comn un tiristor se activa mediante un pulso de seal de compuerta. La conmutacin es el proceso de desactivacin de un tiristor, y por lo general causa la
transferencia del flujo de corriente a otras partes del circuito. En trminos generales tenemos la siguiente clasificacin:
1).- Conmutacin general
2).- Conmutacin forzada
CLASIFICACION DE LOS TIRISTORES
Se fabrican exclusivamente por difusin. La corriente del nodo requiere de un tiempo finito para propagarse por
toda el rea de unin, desde el punto cercano a la compuerta para activar el tiristor.

Figura 4: Esquemas de diferentes tirisrores.

1.- Tiristores de control de fase (SCR). Operan a la frecuencia de lnea, y se desctivan por conmutacin
natural. Tambin es conocido como rectificador controldo de silicio (SCR). Los tiristores modernos utilizan una
compuerta amplificadora, en la que se dispara un tiristor auxiliar mediante una seal de compuerta al tiristor
principal.

Figura 5: Estructura de un SCR.

los trminos populares para describir la operacin de un SCR son ngulo de condicin ( ) y ngulo de retardo
de disparo ( ). El ngulo de conduccin es el numero de grados de un ciclo de ca durante los cuales el SCR est en
operacin. El ngulo de retardo de disparo es el nmero de grados de un ciclo de ca que transcurre antes de que el
SCR se enienda , estos es, empiece a conducir.En trminos generales recuerde que: + = 180Para dispararse, la
mayora de los SCR requieren una corriente de compuerta entre 0.1 y 50 mA (IGT = 0,1 50 mA). Dado que existe
una unin pn estndar entre la compuerta y el ctodo, el voltaje entre estas trminales (VGK ) debe ser ligeramente
mayor a 0.6 V.

Figura 6: Voltaje de compuerta a ctodo (VGK ) y corriente de compuerta (IGT ) necesarios para disparar un SCR.

2.- Tiristores de conmutacin rpida (SCR).

Figura 7: Corte transversal de un SCR.

3.- Tiristores de desactivacin por compuerta (GTO).
4.- Tiristores de triodo bidireccional (TRIAC). Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y normalmente se utiliza en el control de fase de ca (por ejemplo, controladores de voltaje de ca). Se pueden considerar
como si fueran dos SCR conectados en antiparalelo.

Figura 8: Caractersticas dinmicas del TRIAC.

5.- Tiristores de conduccin inversa (RCT).

6.- Tiristores de induccin esttica (SITH).
7.- Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR). Estos dispositivos se activan mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los LASCR se utilizan en aplicaciones de alto
voltaje y corriente [transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o
de volt-amperes], controles pticos de luz, relevadores, controles de fase, controles de motores.
8.- Tiristores controlados por FET (FET-CTH).
9.- Tiristores controlados por MOS (MCT).
DIAC
El DIAC es bsicamente una combinacin paralela inversa de dos terminales de capas de semiconductor que
permiten el disparo en cualquier direccin. En la grfica se puede observar que existe un voltaje de transicin
conductiva en cualquier direccin. Ninguna terminal se denomina como el ctodo, existe un nodo 1 y un nodo 2.
Cuando el nodo 1 es positivo con respecto al nodo 2, las capas del semiconductor de inters particular sern p1 n2 p2 y
n3 . Para el caso cuando el nodo 2 es positivo con respecto al nodo 1, las capas relevantes sern p2 n2 p1 y n1 .. Los
voltajes de transicin conductiva son de magnitud muy cercana entre s, pero pueden variar de un mnimo de 28 V hasta
un mximo de 42 V, y se relacionan mediante la siguiente ecuacin:

Figura 9: Caractersticas dinmicas y smbolo del del DIAC

VBR1 = VBR2 + 0,1VBR1

Los valores de IBR1 e IBR2 son muy cercanos en magnitud, entre niveles de los 200A = 0.2 mA.

CIRCUITOS DE CONTROL Y DISPARO DE LA COMPUERTA

Los circuitos de control de disparode compuerta ms empleado son los siguientes: El circuito anterior tiene la

Figura 10: Circuito de disparo sencillo de un SCR.

desventaja que slo pueden obtenerse variaciones de ngulo entre 0 y 90 , loc cuales slo pueden lograrse mediante
un clculo adecuado de las resistencias fijas y variables La ventaje del circuito (11) es que el ngulo de retardo de

Figura 11: Circuito de control de compuerta SCR que es una mejora sobre el circuito de control sencillo.
disparo se puede llevar ms all de los 90 . debido al uso del capacitor, el cual puede almacenar energa.

Figura 12: Circuitos de control de disparo de un SCR mejorados.

Cualquiera de los dos circuitos mostrados en la figura (12) ofrecen mejores resultados que el circuito de la figura
(11). El circuito a ofrece un mejor resultado que los mencionados anteriormente debido al uso de capacitores y de
la resistencia colocada antes de la compuerta, con lo que se asegura una carga mayor a 0,6V para que pueda ser
disparado el SCR. El circuito b) muestra una doble red RC para el control de compuerta. En este esquema, el
voltaje retardado a travs de C 1 es usado para cargar a C2 , lo que da por resultado un retardo an mayor en la
acumulacin del voltaje de la compuerta. Los capacitores de la figura (12) generalmente caen en el rango de 0,01a1F.
Las constantes de tiempo:
(R1 + R2 )C
(R1 + R2 )C1
(R3 )C2

1mseg 30mseg
1mseg 30mseg
1mseg 30mseg

=
=
=

EJERCICIOS
1.- Qu condicin causara la corriente de carga mayor en la figura (13): unngulo de retardo de disparo de 60
o un ngulo de retardo de disparo de 135 ?

Figura 13: Esquema simple de un rectificador monofsico controlado de media onda mediante un SCR con una carga
netamente resistiva.
Solucin. El ngulo de retardo disparo de 60 ,ya que el SCR entonces pasara una parte mayor del tiempo del
ciclo en estado de encendido (ON). Entre ms tirmpo est en el estado de necendido, mayor sera la corriente de carga
promedio.

Figura 14: Formas de onda ideales del voltaje de la terminal en el nodo-ctodo del SCRy el voltaje de carga patra
a) 60 y b)135 .
2.- Para el circuito de la figura (15). qu voltaje se requiere en el punto X para disparar el SCR? Bajo condiciones
normales, la corriente de compuerta necesaria para disparar un 2N3669 es de 20 mA.

Figura 15: Esquema del SCR con un resistor en la terminal de compuerta, y su terminal de ctodo conectada a un
circuito de tierra.

Solucin. El voltaje entre el punto X y el ctodo debe ser suficiente para lograr la polarizacin en directa de la
unin entre los puntos G y K y tambin para causar el flujo de20mA a travs de la resistencia de 150.El voltaje de
polarizacin directa es de aproximadamente 0.7 V. Por medio de la ley de Ohm se obtiene:
Vtotal = (20mA) (150) + 0,7V = 3,7V .
3.- En cuanto a la figura (10), supngase que la fuente de alimentacin es de 115 V rms, IGT = 15mA y R1 = 3k.Se
desea que el retardo ocurra a 90 . A qu valor debe ajustarse R2 ?
Solucin. A 90 , la fuente de voltaje instantnea es de

Vm = (115V )( 2 = 162V

Ignorando la cada de voltaje de la carga y la cada de 0,7V a travs de la unin compuerta-ctodo (ambos son
insignificantes comparados con los 162V ), el resistor total en la terminal de la compuerta est dada por:
V

por lo tanto

RT = 162
,8k
15mA = 10
R2 = 10,8k 3k = 7,8k

4.- Supngase que se ha decidido usar C1 = 0,068F y C2 = 0,033F en el circuito de control de compuerta de la
figura (12 b).
a) Aproxime los valores de R1, R2 y R3 para dar un rango amplio de ajustes de disparo.
b) Si se construyer el circuito y se descubriera que no se puede ajustar el ngulo de retardo de disparo a menos
de 45 ,qu resistor cambiara experimentalmente para permitir ajustes a menos de 40 ?
Solucin. a) La constante de tiempo (R1 + R2 )C1 debe caer en el rango de aproximadamente 1mseg 30mseg.
Para permitir un rango de ajuste amplio, la constante de tiempo debe poder ajustarse sobre una gran parte de ese
rango. como una estimacin se podra intentar un rango de ajuste de 2X 103 seg a 25X 103 seg. La constante de
tiempo mnima ocurre cuando R2 no presenta resistencia, por lo que:
2X 103 seg
29,4k

(R1 + 0) (0,068F ) =
R1 =

El tamao estndar ms cercano es de 27k.

La constante de tiempo mxima (y elretardo de disparo mximo) ocurre cuando R2 est a su resistencia mxima,
por lo que:
(R2 + 27k) (0,068F ) =
R2 =

25X 103 seg

340k

El potencimetro estndar ms cercano es de 250k.

la experiencia ha demostrado que la segunda constante de tiempo (R3 )C2 debe caer en algn lugar cerca de la
parte inferior del rango sugerido. Supngase 5mseg. Por tanto
(R3 )(0,033F ) =
R3 =

5X 103
151,5k

El valor estndar para R3 ser el de 150k.

b) Se puede hacerR1 o R3 o ambasa ms pequeas, de tal forma que se puedan permitir ngulos de retardo de
disparo ms pequeos, debido a que los capacitores se cargarn con mayor rapidez usando resistores ms pequeos (lo
cual implica directamente disminuir las constantes de tiempo). Probablemente se empezara R3 .
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TAREA 2 INVESTIGUE LAS CARACTERISTICAS Y GRAFICAS DEL COMPORTAMIENTO DINMICO DE LA CLASIFICACION DE LOS TIRISTORES, EXCEPTO EL SCR Y EL TRIAC, ASI
COMO TAMBIEN EL PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL UJT.
1.- Repita el ejercio 3, pero ahora tome en cuenta que la cada de voltaje en la carga es de 2 Volts y en las trminales
nodo-ctodo es la de un elemento tipo pn.
2.- En cuanto a la figura (10), supngase que la fuente de alimentacin es de 115 V rms, IGT = 15mA y R1 = 3k.Se
desea que el retardo ocurra a 80 . A qu valor debe ajustarse R2 ? Ignore la cada de tensin en la carga, pero
considere que las prdidas en las trminales nodo-ctodo es la de un elemento tipo pn.
3.- Si el en el ejercicio anterior R2 es de 2,5k en la el ejercicio anterior, cul es el ngulo de retardo de disparo?cul es el ngulo de conduccin?
4.- Para el circuito de la figura (11), C = 0,47 F. Encuentre los valores adecuados de R1 y R2 para un amplio
rango de ajuste del ngulo de retardo de disparo.
5.- Para la figura (11), si R1 = 4,7k y R2 = 100k, escoja un tamao aproximado de C que permita que el
ngulo de retardo de disparo sea ajustado muy tarde.

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