1

CLASE PRCTICA 3. PLAN D

PROBLEMAS DE POLARIZACIN DEL FET

Sumario:
1. Introduccin.
2. Solucin de problemas.
3. Conclusiones.

Bibliografa:
1. Rashid M. H. Circuitos Microelectrnicos. Anlisis y diseo, pag. 214-232.

Objetivos:
Que los estudiantes ejerciten la polarizacin y el clculo del punto de operacin de los transistores
FETs y la representacin de la lnea de carga esttica en la caracterstica de salida.

Problemas:

1. Para el circuito de la figura 1, calcule:
a) El punto de operacin del MOSFET. Represente la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida.
b) La potencia que disipa el transistor en reposo.
c) El valor mximo de R
D
para que se mantenga operando en
la regin de saturacin.
Datos: V
t
= 2 V, I
DSS
= 0,2 mA/V
2


Recordar que
p n ox
W
K C
L

=


y que en la regin de
saturacin ( ) ( )
2
D p GS T DSQ GSQ T
i K v V si v v V =

Respuesta:
a) Se considera que el transistor MOS canal N trabaja en saturacin, se debe cumplir que:
(V
DSQ
> V
GSQ
V
T
) y (V
GSQ
V
T
)
Aplicando Thevenin:
2
TH DD
1 2
TH 1 2
Rg 100
V V 30 9.4 V
Rg Rg 100 220
R Rg Rg Rg 220 100 68.7 k
= = =
+ +
= = = =


( )
2
D p GS T
G GS TH D F
pero I K V V para saturacin
como I 0, V V I R
=
= =


2
( ) ( )
( )
( ) ( )
D
D
1,2
1 1
2 2
D p TH D F T D
2
2
D D D
2
D
2 2
D
D GS
I K V I R V 0.2 9.4 2I 2
5I 7.4 2I 54.4 29.5I 4I
4I 34.5I 54.4 0
b b 4ac 34.5 34.5 4 4 54.4 34.5 17.88
I
2a 2 4 8
I 6.55mA V 9.4 2 6.55 3.7V imposible
= =
= = +
+ =

= = =

= = =

( )
DQ GSQ T
I 2mA V 9.4 2 2 5.4 V V = = = >
De la malla de salida ( )
DSQ DD DQ D F
V V I R R 30 2 8.2 13.6 V = + = = i
Comprobando saturacin: V
DSQ
(V
GSQ
V
T
)
13.6 (5.4 2) = 3.4 V (se cumple)
DQ GSQ DSQ
Q I 2mA, V 5.4V, V 13.6V = = =




b) La potencia disipada por Q en reposo (con V
i
= 0):
D DSQ DQ
P V I 13.6 2 27.2mW = = = i
La potencia entregada por V
DD
:
( ) ( )
1
g1
DD DD D Rg
DD
R
g1 g2
P V I I 30 2 0.094 62.8 mW
V 30
donde I 0.094 mA 94 A
R R 320
= + = + =
= = = =
+


c) Clculo de R
Dmax
para que Q se mantenga en la regin de saturacin:
Como en saturacin I
D
se mantiene casi constante, de la malla de salida para V
DSmin
=V
GSQ
V
T
= 3.4 V
DD D Dmax DSmin D F
DD DSmin D F
Dmax
D
V I R V I R
V V I R 30 3.4 2 2
R 11.3 k
I 2
= + +

= = =
i


3
2. Para el MOSFET canal N del circuito
de polarizacin de la figura 2, calcule:
a) El punto de operacin. Sugerencia:
desprecie a I
Rg1
frente a I
DQ
.
b) La potencia que disipa el transistor en
reposo
Datos: V
T
=3 V, K
p
= 0.3 mA/V
2


a) Se considera a Q operando en la regin de saturacin:
( )
2
DD DS
D p GS T
D
V V
I K V V
R

= = (1)
Por ser I
D
>> I
Rg1
(dato), pero:
2
GS DS DS DS
1 2
Rg 12
V V V 0.86V
Rg Rg 14
= = =
+
(2)
Simultaneando (1) con (2):
( )
( )
DS
2
DD DS DS
DS
D
2
DS
2
DS
GS DS T
2
D
V V 20 V
0.3 0.86V 3
R 2
0.44V 2.1V 14.6 0
2.1 2.1 4 0.44 14.6 2.1 5.48
V 8.6 V 0
0.88 0.88
V 0.86V 0.86 8.6 7.4 V V
I 0.3 7.4 3 5.8 mA

= =
=
+
= = = >
= = = >
= =
i i
i

Comprobando saturacin: 8.6 V> (7.4 3) = 4.4 V

b)
D DSQ DQ
P V I 8.6 5.8 49.9 mW = = = i

3. Para el circuito de la figura 3, calcule:
a) el punto de operacin del MOS N
decremental o de canal implantado.
b) la potencia que disipa el transistor en
reposo.
Datos: V
T
= - 4 V, K
p
= 1 mA/V
2
.


a) Se considera al transistor operando en la regin de saturacin, pero teniendo en cuenta que el V
T

del MOS N implantado o decremental es negativo:

4
( ) ( )
( ) ( ) ( )
1 1
D p GS T DS GS T
GS D F D G
2 2
2
D D D D D
2
D D
2
D
D GS GS T
DQ GSQ
I K V V siempre que V V V
V I R 3I pues I 0
I 1 3I 4 4 3I 16 24I 9I
9I 24I 16 0
25 25 4 9 16 25 7
I
18 18
I 1.78 mA, V 3 1.78 5.33 V (imposible V > V )
I 1 mA, V
=
= = =
= = = +

+ =

= =
= = =
= =
i i
i
1 3 3 V (modo empobrecimiento) = i


De la malla de salida:
( ) ( )
DSQ DD DQ D F
V V I R R 20 1 10.5 9.5 V = + = =
Comprobando saturacin: 9.5 V > [ 3 ( 4)] = 1 V (cumple)

b)
D DSQ DQ
P V I 9.5 1 9.5 mW = = = i

4. En el circuito de la figura 4, calcule:
a) los valores de R
F
y de R
D
para que
I
D
=0.4 mA y V
DS
= 4 V.
b) las potencias que se disipa en el
transistor y la que entrega la batera en
reposo.
Datos: V
T
= 2 V, K
p
= 0.4 mA/V
2
.

a) Se considera a Q en saturacin: I
D
= K
p
(V
GS
V
T
)
2

Como I
D
es dato se encontrar el V
GS
correspondiente
( ) ( )
1
2
2
2
GS GS GS
2
GS GS
GS
GS GSQ T
GS T
0.4 0.4 V 2 0.4 V 4V 4
V 4V 3 0
4 16 4 3 4 2
V
2 2
V V 3 V > V
V 1 V < V (imposible)
= = +
+ =

= =
= =
=
i

De la malla de entrada:
SS GSQ
SS GSQ DQ F F
DQ
V V
5 3
V V I R R 5 k
I 0.4

= + = = =

De la malla de salida:

5
( )
SS DD DS D D F DS
DD SS DSQ DQ F
D
DQ
V V V I R R pero V 4 V
V V V I R
10 4 0.4 5
R 10 k
I 0.4
+ = + + =
+

= = =
i


b)
( )
D DSQ DQ
bateras DD SS DQ
P V I 4 0.4 1.6 mW
P V V I 10 0.4 4 mW
= = =
= + = =
i
i


5. Para el circuito de la figura 5, calcule:
a) el punto de operacin del MOS N
decremental o de canal implantado.
b) la potencia que disipa el transistor en
reposo.
Datos: V
T
= - 4 V, K
p
= 1 mA/V
2
.

a) Considero en saturacin al MOS N canal implantado
( )
( ) ( )
( )
1
2
1
2
D p GS T
GS D F F F1 F2
GS D
2 2
2
D p D T D D D
2
D D
2
D
D
D
GS GSQ
I K V V
V I R donde R R R 0.1 3 3.1 k
V 3.1I
I K 3.1I V 1 3.1I 4 16 24.8I 9.61I
9.61I 25.8I 16 0
25.8 25.8 4 9.6116
25.8 7.1
I
2 9.61 19.22
I 1 mA
I 1.71 mA
V V 3.1
=
= = + = + =
=
= = + = +
+ =


= =
=
=
= =
i i
i
( )
( )
( ) ( )
2
DQ
GS T
DS DD DQ D F
1 3.1 V para I 1 mA
V 3.1 1.71 5.3 V (imposible por ser modularmente mayor que V )
V V I R R 25 1 13.1 11.9 V
= =
= =
= + = =

Comprobando saturacin: V
DSQ
= 11.9 V > (V
GSQ
V
T
) = 3.1 + 4 = 0.9 V (cumple)

b)
D DSQ DQ
P V I 11.9 1 11.9 mW = = = i


6
6. Para el circuito de la figura 6, calcule:
a) el punto de operacin del JFET. Represente la lnea de
carga esttica en la caracterstica de salida.
b) la potencia que disipa el transistor en reposo.
c) el valor mximo de R
D
para que se mantenga operando en
la regin de saturacin.
Datos: V
P
= 6 V, I
DSS
= 5 mA. Recuerde que para el
JFET:
2
DSS
p
p
I
K
V
= y en la regin de saturacin se cumple
que:
2
( ) ( )
D p GS p DS GS p
i K v V si v v V =
a) Se considera a Q en saturacin (V
DSQ
V
GSQ
V
p
)
( ) ( )
2 DSS
p 2 2
p
GS D F D
2
2
2
D p GS p D D D
2
D
I 5
K 138.9 A V
V 6
pero : V I R I
I K V V 0.14 I 6 0.14(I 12I 36)
I 19.2 36 0
= = =
= =
= = + = +
+ =

1
2
D
D DSS
DQ
GSQ DQ F
19.2 19.2 4 36 19.2 14.7
I
2 2
I 17.1 mA (imposible por ser mayor que I )
I 2.1 mA
V I R 2.11 2.1 V

= =
=
=
= = =
i
i

De la malla de salida:
( ) ( )
DSQ DD DQ D F
V V I R R 16 2.1 4.3 1 4.9 V = + = + =
Comprobando saturacin:
4.9 V > ( 2.1 + 6) = 3.9 V (cumple)

b)
D DSQ DQ
P V I 4.9 2.1 10.29 mW = = = i

c) R
Dmax
para I
DQ
= 2.1 mA y V
DS min
= V
GSQ
V
p
= 3.9 V

De la malla de salida:

DD DSmin DQ F
Dmax
DQ
V V I R
16 3.9 2.11
R 4.76 k
I 2.1


= = =
i

7. En el circuito del problema anterior, calcule los valores de R
F
y R
D
para que el punto de operacin
cambie a I
DQ
= 1 mA y V
DSQ
= 10 V.

I
DQ
se controla por V
GS
en la regin de saturacin, de donde:

7
( ) ( )
1
2
2 DSS
p 2 2
p
GS D F D D GS
2
2
2
D GS p GS p GS GS GS
2
GS GS
2
GS
GS p
GS
I 5
K 0.14 mA V
V 6
pero : V I R I I V
I V K V V 0.14 V 6 0.14(V 12V 36)
de donde : V 19.14V 36 0
19.14 19.14 4 36 19.14 14.9
V
2 2
V 17 V (imposible, > V
V 2.12 V
= = =
= = =
= = = + = + +
+ + =

= =
=
=
i
p
GS
V V OK. <

GS
GS D F F
D
V 2.12
V I R R 2.12 k (2.2 k comercial)
I 1
= = = =
De la malla de salida:
( )
DD DS D D F
DD DS D F
D
D
V V I R R
V V I R 16 10 2.12
R 3.9 k (3.9 k comercial)
I 1
= + +

= = =


8. Determine el valor mximo de R
D
para
que el JFET de la figura 7 trabaje
como fuente de corriente con:
I
DQ
= 1.5 mA.
Datos: V
P
= 4 V, I
DSS
= 3.84 mA.

Para que el JFET trabaje como fuente de corriente con I
D
= 15 mA, debe trabajar en la regin de
saturacin con V
DS
(V
GS
V
p
) y con |V
GS
|<| V
p
|. R
Dmax
corresponde con V
DSmin
= V
GS
V
p
. De
donde:
GSQ DQ F
DSmin GSQ P
V I R 1.5 1 1.5 V
V V V 1.5 4 2.5 V
= = =
= = + =
i

De la malla de salida:
DD DSmin DQ F
Dmax
DQ
V V I R
10 2.5 1.5 1
R 4 k
I 1.5


= = =
i



8
9. Para el circuito de la figura 8, calcule:
a) el punto de operacin del JFET.
Represente la lnea de carga esttica
en la caracterstica de salida.
b) la potencia que disipa el transistor en
reposo.
Datos: V
P
= 2 V, I
DSS
= 2 mA.

a) Considero a Q saturado
( )
1 2
2
GS
D DSS GS D F D
p
2
D
D
2
D D
V
I I 1 pero V I R R 0.56I
V
0.56I
I 2 1
2
I 13.5I 12.75 0

= = + =




=


+ =

( )
1
2
2
D
D DSS
D
13.5 13.5 4 12.75
I
2
I 12.5 mA (imposible I )
I 1 mA

=
=
=
i

De la malla de salida:
( ) ( )
1 2
DS DD D D F F
V V I R R R 22 1 10 0.56 11.44 V = + + = + =
Comprobando saturacin:
( )
DSQ GSQ p
V 11.44 V V 0.56 2 1.44 V (cumple) = = + =

b) En reposo:
D DS D
P V I 11.44 1 11.44 mW = = = i

10. Para el circuito de la figura 9, calcule
el punto de operacin del JFET.
Datos: V
P
= 4 V, I
DSS
= 5 mA.

Considero Q saturado:

9
( ) ( )
1
1
2
2 DSS
p 2 2
p
2
GS D
D DS GS D F D
p
2
2
2
D
D D p GS p D
2
D D
2
D
D
D
G
I 5
K 312.5 A V
V 4
V I
I I 1 pero V I R 0.5I
V 2
I
I 5 1 I K V V 0.1389 I 6
8
I 28.8I 64 0
28.8 28.8 4 64 28.8 23.95
I
2 2
I 26.4 mA (imposible)
I 2.43 mA
V
= = =

= = = =




= = = +


+ =

= =
=
=
i
1
S D F
I R 2.43 0.5 1.21 V = = = i

De la malla de salida:
( )
1 2
DS DD D F F
V V I R R 20 2.43 3.5 11.5 V = + = = i
Comprobando saturacin:
( )
DSQ GSQ p
V 11.5 V V V 1.21 4 2.78 V (cumple) = > = + =