Universidad Tecnolgica de Panam

Facultad de Ingeniera Elctrica

Laboratorio de Circuitos Electrnicos #1
Transistor de efecto de campo de unin (JFET)
Familiarizacin y curvas caractersticas



Rolando Chavarra 8-857-1356
Luis Bustamante 8-848-1490
Antonio Jan 8-836-346
Manuel Vsquez 8-861-1583


Grupo: 1 IE-141


Profesor: Everardo Ortega Q.


Fecha de Entrega: 1 de mayo de 2013

INTRODUCCION
En este laboratorio trabajaremos con un transistor MOSFET, con el cual veremos las
caractersticas y propiedades de este tipo de transistor, veremos como se comporta
cuando le aplicamos diferentes voltajes entre sus terminales y que respuesta ofrece en su
salida.
Graficaremos los datos que obtendremos en la experimentacin para calcular los datos
especifico de este transistor.
Trabajaremos diferentes conexiones de polarizacin para este transistor y veremos su
comportamiento y la ganancia que ofrece un amplificador MOSFET.


Autoevaluacin

Para verificar su aprendizaje responda las siguientes preguntas.

l. El canal de un JFET se puede restringir hasta que la corriente de drenaje se corta al
incrementar la polarizacin en (directa, inversa) en la compuerta o la fuente.

2. En un JFET de canal P el material semiconductor de la compuerta es (P, N)

3. La mxima corriente de drenaje segura, I
DSS
, se obtiene cuando la __compuerta__
est en corto circuito a la fuente.

4. El voltaje de drenaje mximo en el que un JFET se puede operar con seguridad,
cuando V
GS
= O se denomina ___V
PS
mx___

5. El voltaje de estrangulamiento, Vp, es el voltaje en el drenaje al cual la corriente est
(estabilizada, cortada).

6. En el intervalo Vp ~ mximo de V
DS
, I
D
permanece ___Constante___

7. Cuando Ves = - Vp, I
D
es ___corte___

8. Las curvas caractersticas del drenaje de un transistor unipolar corresponden a las
curvas caractersticas del colector de un transistor bipolar (verdadero, falso).

9. La curva caracterstica del drenaje muestra cmo __I
D
__ vara con __V
DS
_ cuando
__V
GS
__ permanece constante.

10. La impedancia de entrada de un amplificador con FET es muy ___alto___




MATERIAL NECESARIO
Fuente de alimentacin: dos fuentes variables de bajo voltaje independientes.
Equipo: multmetro digital; miliampermetro de 0 a 10 mA.
Semiconductores: JFET de canal N (2N5484) o equivalente
Otros: dos interruptores de un polo un tiro.


Procedimientos

Compuerta en corto circuito con la fuente, VGS = 0.
1. Conecte el circuito de la figura 23-5, con SI abierto. Remueva VGG y ponga en corto
circuito la compuerta a tierra.
2. Establezca la salida de VDD en O V; cierre SI' Mida y registre en la tabla 23-1 la
corriente de drenaje, ID. para
VDS = O, V GS = O.
3. Incremente la salida de VDD a VDS = 0.5 V. Mida y registre en la tabla 23-1 la
corriente de drenaje, ID. Para VDS = 0.5 V, VGS = O.
4. Haga que VDS adopte los valores que se listan en la tabla. Para cada valor de VDS
mida y registre en la tabla 23-1 el valor de ID'
5. Abra SI' Remueva el corto circuito entre la compuerta y tierra.

I
D
, mA
V
GS
, V
V
DS
, V 0 -0.25 -0.50 -0.75 -1.00 -1.25 -1.50 -1.75 -2.00 -2.50
0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
0.5 1.20 0.60 0.60 0.50 0.49 0.32 0.16 0.03 0 0
1.0 2.09 1.78 1.34 1.11 0.69 0.42 0.19 0.04 0 0
1.5 2.62 2.15 1.64 1.24 0.73 0.45 0.20 0.04 0 0
2.0 2.86 2.25 1.71 1.27 0.76 0.46 0.20 0.04 0 0
2.5 2.96 2.31 1.75 1.30 0.77 0.47 0.20 0.04 0 0
3.0 3.01 2.36 1.77 1.32 0.78 0.47 0.20 0.04 0 0
3.5 3.04 2.36 1.79 1.33 0.79 0.47 0.21 0.04 0 0
4.0 3.06 2.39 1.80 1.34 0.79 0.48 0.21 0.04 0 0
4.5 3.08 2.40 1.81 1.34 0.79 0.48 0.21 0.04 0 0
5.0 3.09 2.41 1.82 1.35 0.79 0.48 0.21 0.04 0 0
7.0 3.12 2.42 1.82 1.36 0.80 0.48 0.22 0.05 0 0
9.0 3.13 2.44 1.83 1.37 0.81 0.49 0.22 0.05 0 0
11.0 3.14 2.45 1.85 1.38 0.81 0.50 0.22 0.05 0 0
13.0 3.14 2.46 1.85 1.38 0.82 0.50 0.22 0.05 0 0
15.0 3.14 2.46 1.86 1.39 0.83 0.50 0.22 0.05 0 0

La compuerta se polariza en inversa.
6. Reemplace VGG en el circuito de la figura 23-5. Abra SI y S2
7. Establezca las salidas de VDD y VGG en OV. Cierre SI y S2. Encienda la fuente.
8. Ajuste VGG y haga que VGS mida -0.25 V. Mantngalo en este nivel para los pasos
9 y 10.
9. Mida ID y registre su valor en la tabla 23-1 para VDS = O.
10. Incremente VDD para cada valor de VDS listado en la tabla. Para cada valor de
VDS mida y registre ID en la tabla 23-1.
11. Reduzca VDD a O V. Incremente VGG a -0.5 V. Mantngalo en este nivel para el
paso 12.
12. Repita los pasos 9 y 10 para cada valor de VDS listado en la tabla 23-1.
13. Repita los pasos 11 y 12 para cada valor de VGS y VDS listados en la tabla 23-1,
hasta que se alcance la corriente de drenaje de corte.
14. Apague la: fuente.

Caracterstica de transferencia.
15. S
1
Y S
2
estn abiertos. Fije V
DD
en 15 V, V
GG
= -2.5 V.
16. Cierre S
1
y S
2
. Mantenga VDS constante en 15 V; mida y registre en la tabla 23-2
los valores de I
D
para cada valor de V
GS
. Abra S
1
.

V
GS
, V -2.50 -2.00 -1.75 -1.50 -1.25 -1.00 -0.75 -0.50 -0.25 0
I
D
, mA 0 0 0.05 0.22 0.50 0.82 1.39 1.86 2.46 3.14

17. Dibuje en papel milimtrico la familia de curvas caractersticas del drenaje con los
datos de la tabla 23- 1. V
DS
es el eje horizontal, e I
D
el vertical. Identifique cada curva
caracterstica por su valor V
GS
. Identifique Vp.

V
DS
, V 0 -0.25 -0.50 -0.75 -1.00 -1.25 -1.50 -1.75 -2.00 -2.50
V
P
, V 2.1 2 2 1.8 1.4 1.0 0.8 0.6 0 0

18. Dibuje por separado en papel milimtrico la caracterstica de transferencia con los
datos de la tabla 23-2. V
GS
es el eje horizontal, e I
D
el vertical.


0.00
0.50
1.00
1.50
2.00
2.50
3.00
3.50
0 2 4 6 8 10 12 14 16
I
D

(
m
A
)

VDS (V)
0
-0.25
-0.50
-0.75
-1.00
-1.25
-1.50
-1.75
-2.00
-2.50
VGS (V)
Item 17. Grafica V
DS
vs I
D

0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
-2.50 -2.00 -1.50 -1.00 -0.50 0.00
V
G
S

(
V
)

ID (mA)
Item 18. Grafica I
D
vs V
GS

PREGUNTAS

1. a) A partir de sus grficas, cul es el valor de Vp?
R= V
P
= -2.0 V
b) Qu factores ayudan a identificar Vp?
R= Vp se puede identificar cuando la corriente I
D
= 0mA en donde V
GS
= Vp

2. a) A partir de sus grficas, cul es el valor de I
DSS
?
R= 3.15 mA
b) Para qu valores de V
GS
y V
DS
se define I
DSS
?
R= Cuando V
GS
= 0 ; I
DSS
= 3.15mA ; V
DS
= 2.0V hasta V
DS max
.

3. Con los datos de la tabla 23-1 y la familia de curvas caractersticas, compare el nivel
de corriente de drenaje para cada valor de V
GS
en el intervalo de V
DS
= 5 V a 15 V.
Cules son sus conclusiones?
R= Para cada valor de V
GS
, en el intervalo de V
DS
antes mencionado, el nivel de la
corriente de drenaje I
D
vara muy poco, podra aproximarse a que es constante.

4. Su experimento indica qu es ms efectivo para controlar la corriente de drenaje,
V
DS
o V
GS
? Explique con base en sus datos.
R= Es ms efectivo controlar la corriente de drenaje variando el valor de V
GS
debido
a que con cualquier valor fijo de V
DS
podemos controlar una corriente, sin embargo V
GS

no se debe llevar cerca del valor de Vp, debido a que se cortara la corriente de drenaje.

5. En este experimento cul es el valor de V
GS
en el que la corriente, I
D
se corta?
Cmo se compara con Vp?
R= V
GS
= -2.0 V = Vp

6. A partir de las curvas caractersticas del drenaje obtenidas de la tabla 23-1, determine
el valor de ID para cada valor de VGS en la tabla 23-2, en VDS = 15 V. Cmo se
comparan estos valores con los del paso16? Explique cualquier diferencia.
R= Los valores obtenidos en la tabla del paso 16 son bastante parecidos a las curvas
caractersticas de la tabla 23-1.

CONCLUSION

Al trabajar con el transistor JFET 2N5484 aplicndole valores de voltaje en VDD y
VGS logramos determinar sus valores caractersticos de IDDS y VP que son los valores
que caracterizan a este transistor, estos valores se obtuvieron al observar la grfica con
los valores obtenidos de la experimentacin.

Se pudo observar la ganancia de estos dispositivos electrnico en el voltaje de salida,
demostrando que tienen una gran aplicacin en los aparatos electrnicos de uso
cotidiano como las computadoras equipos de audio y muchos ms.