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02 2TeoriaBandas
02 2TeoriaBandas
kT
E
kT
E
kT
E
kT
E E
F
F
F F g
e
e
e e
( ) ( ) ( )
+ = +
1 1
kT
E E
kT
E
kT
E
F g F F
e e e
( )
1 1
2
+ =
kT
E E
F g
e
2
g
F
E
E =
Vlida si m
e
*= m
p
*
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Teora de Bandas (M. Pilleux) 10
Ejemplo 1. El diamante.
Caso de un compuesto no conductor.
Banda de conduccin
E
g
6 eV
Banda de valencia
0 eV
E
-6,5 eV
3s
2sp
3
-283,9 eV
1s
Material covalente.
Electrones de valencia estn compartidos
entre tomos adyacentes.
Resultado: banda de valencia (sp
3
) est llena
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Teora de Bandas (M. Pilleux) 11
Por lo tanto, para llevar e- desde banda de
valencia por sobre los niveles sp
3
se requiere
ir por sobre los niveles de energa prohibidos
(E
g
) hasta la banda de conduccin.
Los electrones no pueden tener niveles de
energa dentro de la brecha de energa.
E
g
6 eV >> kT 0,1 eV
e- no pueden llegar a banda de conduccin
diamante tiene una conductividad elctrica
pobre.
Ejemplo 2. El silicio.
Se comporta qumicamente como el carbono.
Estructura de bandas similar al diamante,
pero E
g
es menor (E
g
=1,107 eV, vs. 6 eV).
Consecuencia: a temperatura ambiente la
energa trmica promueve un pequeo pero
significativo nmero de electrones desde la
banda de valencia a la banda de conduccin.
Se producen huecos electrnicos en la banda
de valencia: portadores de carga positivos.
Silicio tiene valor moderado de (entre
metales y aisladores): 4x10
-4
-1
m
-1