Curso P Electricos y A Digitales V 1 7

ndice
Unidad 1. Electrnica analgica ....................................................................................................... 1

1.1 Corriente alterna y corriente directa........................................................................................... 2
1.1.1 Generacin de corriente en CA y CD......................................................................................... 4
1.2 Dispositivos pasivos ..................................................................................................................... 6
1.2.1 Caractersticas ........................................................................................................................... 6
1.2.1.1 Resistencia o Resistor. ............................................................................................................ 6
1.2.1.2 Condensadores o Capacitores. ............................................................................................. 10
1.2.2 Tcnicas de solucin en circuitos RLC ..................................................................................... 19
1.2.2.1 Ley de Ohm ........................................................................................................................... 19
1.2.2.2 Conexin serie de resistencias ............................................................................................. 19
1.2.2.3 Conexin paralelo de resistencias ........................................................................................ 20
1.2.2.4 Conexin de capacitores. ..................................................................................................... 21
1.2.2.5 Conexin de Bobinas. ........................................................................................................... 21
1.2.2.6 Anlisis por las leyes de Kirchoff. ......................................................................................... 21
1.2.2.6.1 Ley de corriente de Kirchoff (LCK) ................................................................................. 21
1.2.2.6.2 Ley de voltaje de Kirchoff (LCV) .................................................................................... 22
1.2.3 Aplicaciones ............................................................................................................................ 22
1.3 Dispositivos activos ................................................................................................................... 22
1.3.1 Caractersticas de semiconductores ....................................................................................... 23
1.3.1.1 Clasificacin de los semiconductores. .................................................................................. 24
1.3.1.2 Estructura elctrica del Silicio .............................................................................................. 25
1.3.1.3 Estructura elctrica del Germanio........................................................................................ 26
1.3.1.4 Materiales tipo N y tipo P ..................................................................................................... 26
1.3.2 Dispositivos semiconductores ................................................................................................ 27
1.3.2.1 Diodos ................................................................................................................................... 28
1.3.2.1.1 LED ................................................................................................................................... 34
1.3.2.1.2 Rectificadores .................................................................................................................. 36
1.3.2.1.3 Zener ............................................................................................................................... 37
1.3.2.2 Transistores .......................................................................................................................... 41
1.3.2.2.1 Bipolares .......................................................................................................................... 41
1.3.2.2.2 FET ................................................................................................................................... 43
Principios elctricos y aplicaciones digitales ITES Los Cabos

- 2 -

1.3.2.2.3 MOSFET ........................................................................................................................... 46
1.3.2.3 Tiristores ............................................................................................................................... 49
1.3.2.3.1 SCR ................................................................................................................................... 51
1.3.2.3.2 SCS ................................................................................................................................... 52
1.3.2.3.3 DIAC ................................................................................................................................. 53
1.3.2.3.4 TRIAC ............................................................................................................................... 54
1.3.3 Tcnicas de diseo con semiconductores .............................................................................. 57
1.3.4 Aplicaciones con semiconductores ......................................................................................... 57
1.3.4.1 Rectificadores ....................................................................................................................... 57
1.3.4.2 Amplificadores ...................................................................................................................... 60
1.3.4.3 Conmutadores ...................................................................................................................... 60
1.3.4.4 Fuentes de voltaje ................................................................................................................ 61
1.4 Amplificadores operacionales ................................................................................................... 62
1.4.1 Configuraciones ...................................................................................................................... 64
1.4.1.1 Seguidor unitario .................................................................................................................. 67
1.4.1.2 Comparador .......................................................................................................................... 68
1.4.1.3 Sumador ............................................................................................................................... 70
1.4.1.4 Restador ............................................................................................................................... 72
1.4.1.5 Diferenciador ........................................................................................................................ 73
1.4.1.6 Integrador ............................................................................................................................. 73
1.4.1.7 Amplificador logartmico. ..................................................................................................... 73
1.4.1.8 Multiplicador ........................................................................................................................ 75
1.4.1.9 Divisor ................................................................................................................................... 75
1.4.2 Aplicaciones ............................................................................................................................ 76
Unidad 2. Electrnica Digital .......................................................................................................... 77
2.1. Tablas de verdad y compuertas lgicas ..................................................................................... 78
2.1.1 NOT, OR y AND ........................................................................................................................ 79
2.1.2 Otras (NOR, NAND, XOR, etc.) ................................................................................................ 79
2.1.3 Expresiones booleanas............................................................................................................ 80
2.2 Diseo de circuitos combinacionales. ....................................................................................... 82
2.2.1 Metodologa de diseo ........................................................................................................... 83
2.2.2 Minitrminos y Maxitrminos. ............................................................................................... 84

- 3 -

2.2.3 Tcnicas de simplificacin ....................................................................................................... 86
2.2.3.1 Teoremas y postulados del algebra de Boole ...................................................................... 87
2.2.3.2 Mapas Karnaugh .................................................................................................................. 93
2.2.4 Implementacin y aplicacin de circuitos combinacionales................................................... 97
2.3 Lgica secuencial ......................................................................................................................... 5
2.3.1 FLIP-FLOP con compuertas. ...................................................................................................... 5
2.3.2 FLIP-FLOP JK, SR, D .................................................................................................................. 10
2.3.3 Diseo de circuitos secuenciales............................................................................................. 16
2.3.4 Aplicacin de circuitos secuenciales ....................................................................................... 17
2.4 Familias lgicas .......................................................................................................................... 17
2.4.1 TTL ........................................................................................................................................... 18
2.4.2 ECL ........................................................................................................................................... 20
2.4.3 MOS ......................................................................................................................................... 21
2.4.4 CMOS ...................................................................................................................................... 22
2.4.5 Bajo voltaje (LVT, LV, LVC, ALVC) ............................................................................................ 24
Unidad 3. Convertidores .................................................................................................................. 2
3.1 Analgico / Digital A/D .............................................................................................................. 6
3.1.1 Tipos .......................................................................................................................................... 9
3.1.2 Aplicaciones ............................................................................................................................ 20
3.2 Digital / Analgico D/A .............................................................................................................. 20
3.2.1 Tipos ........................................................................................................................................ 27
3.2.2 3.2.2. Aplicaciones .................................................................................................................. 28
Unidad 4. Lenguajes HDL ............................................................................................................... 29
4.1 Dispositivos lgicos programables ............................................................................................ 29
4.1.1 Tipos ........................................................................................................................................ 30
4.1.2 Caractersticas ......................................................................................................................... 30
4.1.3 Fabricantes .............................................................................................................................. 31
4.1.4 Pasos para el diseo con PLDs .............................................................................................. 31
4.2 Programacin de circuitos combinacionales con HDL ............................................................. 33
4.2.1 Por captura esquemtica ........................................................................................................ 33
4.2.2 Por tabla de verdad ................................................................................................................. 34
4.2.3 Por ecuaciones booleanas ...................................................................................................... 34

- 4 -

4.2.4 Por descripcin de comportamiento ...................................................................................... 34
4.3 Programacin de circuitos secuenciales con HDL .................................................................... 34
4.3.1 Por captura esquemtica ........................................................................................................ 34
4.3.2 Por tabla de verdad ................................................................................................................. 34
4.3.3 Por ecuaciones booleanas ...................................................................................................... 34
4.3.4 Por descripcin de comportamiento ...................................................................................... 34
4.3.5 Por tabla de estado ................................................................................................................. 34
4.3.6 Por diagrama de transicin ..................................................................................................... 34

M.C. Jos Ismael Ojeda Campaa Pgina 1

Unidad 1. Electrnica analgica
La electricidad y la electrnica son disciplinas que estan ntimamente unidas. As la electricidad se
encarga del estudio, generacin, transporte y distribucin de la energa elctrica y de sus
operadores y receptores asociados que la transforman en un efecto til. Por su parte la electrnica
es el campo de la ingeniera y de la fsica aplicada, que estudia el diseo de circuitos que permiten
genera, modificar o tratar una seal elctrica.
Las modificaciones que llevan a cabo los circuitos electrnicos pueden consistir en aumentar o
atenuar la seal (amplificacin y atenuacin), forzar el sentido de circulacin de la carga elctrica
(rectificacin) o dejar pasar nicamente aquellas seales u ondas elctricas de determinada
frecuencia (filtrado).
Los circuitos electrnicos pueden clasificarse en analgicos y digitales, segn se trate de circuitos
que permiten el tratamiento de una seal analgica o digital. Una seal es analgica cuando
puede timar cualquier valor en el tiempo dentro del rango permitido, y digital multivaluada
cuando varia en el tiempo a intervalos concretos. Sin embargo, cuando nicamente puede tomar
dos valores, se denomina digital binaria. En la actualidad, muchos de los aparatos y dispositivos
que utilizamos a diario contienen circuitos electrnicos digitales (computadoras, celulares, DVD,
etc.).
El funcionamiento de cualquier circuito electrnico, solo puede explicarse a partir del
conocimiento de funcionamiento y caractersticas de cada uno de los componentes
interconectados que lo integran. Estos se pueden clasificar en dos grupos: componentes pasivos y
componentes activos. Tanto unos como otros se fabrican, por lo general, normalizados, es decir
con parmetro o ciertas caractersticas determinadas. Por lo anterior, es necesario estudiar a
fondo estos componentes



1.1 Corriente alterna y corriente directa
La electricidad constituye una forma de energa que est presente en casi todas las
actividades humanas de una sociedad desarrollada. Gran parte de los aparatos y mquinas que
utilizamos funcionan gracias a ella. La energa elctrica se produce en centrales u otros centros de
generacin, a partir de la transformacin de una energa primaria (hidrulica, trmica, nuclear,
solar, elica...). Desde dichos centros es transportada a travs de las redes elctricas hasta las
ciudades y poblaciones, las industrias y otros centros de consumo. Tambin se obtiene energa
elctrica, aunque en pequeas cantidades, de la energa qumica almacenada en pilas y bateras.
Entre sus ventajas cabe mencionar la facilidad con la que se transforma en otras formas de
energa, as como la relativa sencillez con la que se genera y se hace llegar hasta los puntos de
consumo. Sin embargo, la energa elctrica no est exenta de inconvenientes: las centrales
trmicas producen gran cantidad de humos y emisiones contaminantes; en las nucleares, a los
riesgos de accidentes, potencialmente graves, hay que sumar la generacin de un importante
volumen de residuos de difcil eliminacin; las instalaciones hidrulicas alteran profundamente el
rgimen de los ros, etctera.
Carga elctrica.
La materia est formada por tomos. Estos a su vez estn formados por
partculas elementales: neutrones y protones (en el ncleo) y
electrones que se mueven en rbitas alrededor del ncleo.
Normalmente, el tomo es elctricamente neutro y slo la presencia
mayoritaria de protones (partcula cargada positivamente) o electrones
(partcula cargada negativamente) da un carcter elctrico al mismo.
Con estos conceptos podramos decir que; se denomina corriente
elctrica al desplazamiento continuo de electrones en el interior de un
conductor.
La circulacin de electrones a travs de un circuito elctrico se produce
desde un punto de menor potencial elctrico (mayor energa) a otro de
mayor potencial elctrico (menor energa). Cabe definir dos sentidos
de circulacin de la corriente elctrica:
El sentido real, que es el que marca la circulacin de los electrones
desde el polo negativo al polo positivo.
El sentido convencional, que es el de circulacin de los huecos que
dejan los electrones en su recorrido, desde el polo positivo al polo
negativo.
La estructura atmica de los materiales determina la facilidad con que se desplaza el flujo de
electrones. Cabe distinguir estos materiales:
Figura 2 Sentidos de la
corriente elctrica
Figura 1 Estructura atmica


Aislantes: No permiten el paso de la corriente elctrica (plsticos, vidrio, porcelana, barnices,
papel, entre otros).
Conductores: Permiten el paso de la corriente elctrica (platino, plata, cobre, oro, aluminio, cinc,
entre otros).
Semiconductores: Se comportan como aislantes o como conductores, dependiendo de la energa
externa que les apliquemos. El silicio y el germanio constituyen dos ejemplos de este tipo de
materiales.

Figura 3 Conductores, aislantes y semiconductores.
La intensidad de la corriente depende fundamentalmente de la tensin o voltaje (V) que se
aplique y de la resistencia (R) en Ohm que ofrezca al paso de esa corriente la carga o consumidor
conectado al circuito.
Si una carga ofrece poca resistencia al paso de la corriente, la cantidad de electrones que circulen
por el circuito ser mayor en comparacin con otra carga que ofrezca mayor resistencia y
obstaculice ms el paso de los electrones.
La unidad bsica de la corriente es el amperio (A). Un amperio es la corriente que fluye cuando 1C
de carga pasa por un segundo en una seccin dada (1A = 1C=s).
Tipos de corriente:
- Corriente continua o directa (DC) usada principalmente en circuitos electrnicos.
- Corriente alterna (AC) usada como corriente domestica es de tipo sinusoidal.
- Corriente exponencial aparece en fenmenos transitorios por ejemplo en el uso de un
interruptor.
- Corriente en dientes de sierra tiles en aparatos de rayos catdicos para visualizar formas
de onda elctricas.

Figura 4 Tipos de corriente elctrica


La corriente alterna (C.A) se diferencia de la
directa (C.D) en que cambia su sentido de
circulacin peridicamente y, por tanto, su
polaridad. Esto ocurre tantas veces como
frecuencia en Hertz (Hz) tenga esa corriente. La
corriente directa (C.D.) solo fluye en un sentido y
tambin se le llama "corriente continua" (C.C.).
La corriente alterna es el tipo de corriente ms
empleado en la industria y es tambin la que
consumimos en nuestros hogares.
En la siguiente figura se observa el voltaje que es
una seal alterna, vara primero hacia arriba y luego
hacia abajo (de la misma forma en que se comporta la corriente) y nos da una forma de onda
llamada: onda senoidal. Se ve que la onda senoidal es peridica (se repite la misma forma de onda
continuamente).
Figura 6 Cuadro sinptico de la corriente elctrica
1.1.1 Generacin de corriente en CA y CD
Figura 5 forma de onda de una seal alterna


Un generador consiste en una espira de cable que gira en el interior de un imn. El imn se
denomina estator y la espira rotor.
Ya sabemos que un elemento conductor, recorrido por una corriente elctrica, genera a su
alrededor un campo magntico. De la misma manera, el magnetismo tambin puede crear
electricidad.
Al girar la espira de cable en el interior de las lneas de fuerza del campo magntico, generamos
una diferencia de potencial entre los extremos del cable conductor. Es decir, hemos creado una
corriente elctrica que circula por el cable.
Este fenmeno se llama induccin electromagntica. El generador permite transformar la energa
mecnica, que usamos para girar la espira de cable en energa elctrica.La espira de cable
giratoria debe estar conectada a un cable elctrico fijo para transportar la electricidad generada:
este contacto se realiza mediante un par de escobillas.

La corriente elctrica que produce un generador puede ser de dos tipos: alterna y contina. Si
hacemos girar los contactos (escobillas) al mismo tiempo que la bobina, una de ellas siempre ser
la entrada del flujo de electrones, y otra la salida, y tendremos una corriente continua. Otras
disposiciones de las escobillas nos permiten generar corriente alterna, que es la ms usada
generalmente para el transporte y distribucin de electricidad. La corriente alterna cambia de
sentido el flujo de electrones muchas veces por segundo.
As pues, para fabricar electricidad necesitamos una fuente de movimiento capaz de hacer girar el
rotor del generador. Es decir, transformamos energa mecnica en energa elctrica. Esto es lo que
sucede cuando el faro de una bicicleta se ilumina al girar las ruedas gracias a nuestra fuerza
muscular. Visita el sitio, donde podrs observar un applet con un generador de corriente alterna:
http://www.sc.ehu.es/sbweb/fisica/elecmagnet/induccion/generador/generador.htm
El electroimn genera un fuerte campo
electromagntico entre sus polos.

Al girar el alambre en el interior de
campo electromagntico se genera un
flujo de electrones, una corriente
elctrica

Al dar media vuelta completa a la
bobina, el flujo de electrones se invierte
obteniendo una corriente alterna.
Figura 7 Generacin de corriente


1.2 Dispositivos pasivos
Un elemento pasivo es aquel que no es capaz de entregar potencia al circuito en el cual est
conectado. Los elementos pasivos son:
- Resistencia o resistor
- Condensador o capacitor
- Bobina o inductor
1.2.1 Caractersticas
Dentro de las caractersticas generales que tienen los elementos pasivos se encuentran:
- Tienen un par de terminales.
- No pueden ser subdivididos en otros elementos simples.
- Tienen una relacin nica de voltaje y corriente en sus terminales la cual los caracterizan.
- Son los elementos que absorben o consumen energa,
- La potencia es positiva.
1.2.1.1 Resistencia o Resistor.
La resistencia elctrica es la oposicin que ofrece un material al paso de los electrones (la
corriente elctrica).Cuando el material tiene muchos electrones libres, como es el caso de los
metales, permite el paso de los electrones con facilidad y se le llama conductor.
Si por el contrario el material tiene pocos electrones libres, ste no permitir el paso de la
corriente y se le llama aislante o dielctrico. Los factores principales que determinan la resistencia
elctrica de un material son:
- Tipo de material
- Longitud
- Seccin transversal
- Temperatura

Observando la figura 9, se puede apreciar dos conductores del mismo material pero con secciones
transversales diferentes. Si se ampla el rea a la que se enfrenta la carga, mayor cantidad de
caminos encontrara, ampliando la posibilidad de hallar siempre un camino que le amerite un
menor desgaste de energa. Se extrae que una ampliacin en el rea del conductor implica una
disminucin en la resistencia.
Figura 8 Smbolo Elctrica de la Resistencia


Figura 9 Carga elctrica intentando atravesar 2 conductores del mismo material y diferente seccin transversal
Si el cambio se hace en la longitud del material, se contempla que la carga deber emplear una
mayor cantidad de energa para poder superar la resistencia. Esto hace que la relacin entre la
resistencia de un material y la longitud sea directamente proporcional.

Figura 10 Carga elctrica intentando atravesar 2 conductores del mismo materia y diferentes longitudes
Por las caractersticas geomtricas de un material y por la naturaleza del elemento que lo
compone, las resistencias elctricas se pueden determinar mediante la siguiente ecuacin:

Donde:
Resistividad del material (*m)
Longitud del material (m)
rea del material (m)



La variacin de la resistencia por cambios en la temperatura se basa en un incremento en la
energa de las molculas que componen el material. Este incremento energtico produce un
movimiento que dificulta el camino de paso de la carga a travs del material, aumentando la
cantidad de choques que se producen entre la carga y las molculas, tal como se muestra en la
figura.

Figura 11 Carga elctrica intentando atravesar un material con un incremento en su temperatura
Para determinar el valor de una resistencia ante posibles cambios de temperatura se emplea la
ecuacin que se muestra a continuacin:

La unidad de medida de la resistencia elctrica es el Ohmio y se representa por la letra griega
omega () y se expresa con la letra "R". Segn el valor de la resistencia, si este es fijo o variable se
podra realizar una primera clasificacin de las resistencias.
Clasificacin en funcin del valor

R
e
s
i
s
t
o
r
e
s

o

R
e
s
i
s
t
e
n
c
i
a
s

Resistores Fijos:
tienen un valor
nominal fijo.
Pelcula (qumicas): se utilizan en potencias
bajas, que van desde 1/8 watt hasta los 3
watts y consisten en pelculas que se colocan
sobre bases de cermica especial. Este tipo de
resistores depende del material sea carbn o
compuestos metlicos.
Resistores
de pelcula
metlica
Pelcula
Gruesa
Pelcula
delgada.
Resistores bobinados: se fabrican con hilos que son esmaltados,
cementados vitrificados o son recubiertos de un material cermico. Estos
resistores por lo general pueden disipar potencias que van desde los 5W
hasta los 100W o ms.
Resistores
variables: tiene
un valor que se
vara
intencional-
mente.
Resistores ajustables
Potencimetros de ajuste
Potencimetros giratorio
Potencimetros de cursor.
Resistores dependientes
de magnitudes

De presin.
De luz.
De temperatura, termistor.
De voltaje (varistor)
De campo magntico.

Figura 12 Clasificacin de las resistencias


Las resistencias o resistores son fabricadas en una amplia variedad de valores. Hay resistencias con
valores de Kilo ohmios (K), Mega ohmios (M). Estas dos ltimas unidades se utilizan para
representar resistencias muy grandes. En la siguiente tabla vemos las equivalencias entre ellas:
1 Kilohmio (K) = 1,000 Ohmios ()
1 Megaohmio (M) = 1,000,000 Ohmios ()
1 Megaohmio (M) = 1,000 Kil ohmios (K)
Para poder saber el valor de las resistencias sin tener que medirlas, existe un cdigo de colores de
las resistencias que nos ayuda a obtener con facilidad este valor con slo verlas.
Las dos primeras bandas indican las dos primeras cifras del valor del resistor, la tercera banda
indica cuantos ceros hay que aumentarle al valor anterior para obtener el valor final de la
resistencia. La cuarta banda nos indica la tolerancia y si hay quinta banda, sta nos indica su
confiabilidad.
Hay veces en que interesa disponer de una resistencia cuyo valor pueda variarse a voluntad. Son
los llamados potencimetros. Se fabrican bobinados o de grafito, deslizantes o giratorios. Se
suelen llamar potencimetros cuando poseen un eje manual, y resistencias ajustables cuando
para variarlas se precisa la ayuda de una herramienta, porque una vez ajustados no se van a
volver a desajustar.

Figura 13 Cdigo de colores.


Figura 15 Resistencia variable
Figura 16 Potencimetro
A su vez existe la codificacin de las resistencias de montaje superficial (SMD).

Figura 14 Lectura de resistencias SMD
Resistencias variables
Resistencias cuyo valor hmico se puede ajustar mediante dispositivos mviles,
entre un valor mnimo generalmente cero y un valor mximo que es el valor
nominal de la resistencia.

Potencimetros
Son unas resistencias con tres terminales, uno de ellos est en conexin
directa con un cursor que se desplaza sobre una lmina de carbn, mientras
que los otros dos estn conectados a uno y otro extremo de la lmina de
carbn respectivamente.
1.2.1.2 Condensadores o Capacitores.
En su esquema bsico est constituido por dos placas conductoras separadas por un material
dielctrico o aislante
Capacitancia
Relacin que existente entre la carga almacenada en las placas conductoras dividido por la
diferencia de potencial entre ellas.

Capacitor es un dispositivo que almacena energa elctrica. Est formado por un par de
superficies conductoras en situacin de influencia total (esto es, que todas las lneas de
campo elctrico que parten de una van a parar a la otra) separados por un material
dielctrico (siendo este utilizado en un condensador para disminuir el campo elctrico). El
nmero de electrones que puede almacenar con un determinado voltaje, es una medida de su
capacitancia.


Su construccin bsica consta de dos conductores prximos entre s, pero separados por un
aislante que se denomina dielctrico. Los conductores se hacen generalmente de hojas delgadas
de aluminio, y el dielctrico es una pieza muy delgada o pelcula de un material aislante.

Figura 17 Construccin de un capacitor.
Su unidad de medida es el Faradio, pero en la prctica se tienen valores muy pequeos del orden
de los microfaradios ( F = 10
-6
F), nanofaradios (nF = 10
-9
F), y picofaradios (pF = 10
-12
F).
Tambin es muy importante la caracterstica llamada voltaje de trabajo que es la que determina el
voltaje que puede soportar entre sus placas sin daarse.
Ejemplo:
C1 = 100F/50 volts.
Esto quiere decir que el capacitor tiene una capacidad de almacenamiento de 100 F y soporta un
voltaje hasta de 50 volts. No se puede alimentar con ms de 50 volts porque puede daarse el
capacitor (explotar).
En la prctica los condensadores se deben emplear con una capacidad de voltaje de trabajo al
doble, nunca menor.

Figura 18 Smbolos del capacitor.
Tipos de capacitores
Condensadores de papel:
Son los fabricados con hojas de aluminio como conductores y hojas delgadas de papel kraft
(normalmente impregnado con cera, aceite, resina o un compuesto sinttico) como dielctrico, el
condensador completo se sita dentro de una envuelta de metal, plstico o cartn, que protege a
la unidad y evita la humedad, si se colocan las bandas de metal se puede soldar un cable en cada
extremo de forma que cada vuelta de la cinta de metal quede conectada a su terminal. Como esto


reduce el efecto inductivo de las vueltas, tal condensador se
denomina a veces de tipo no inductivo.
Condensadores cermicos:
Entre los condensadores ms empleados, debido a su bajo
precio y buenas caractersticas capacitivas, estn los de
cermica, los cuales basan su funcionamiento en dos
delgadas placas metlicas separadas entre s por una delgada
lmina de material cermico. El material que ms se emplea
en la actualidad es una cermica con base en Titanio de bario,
y su forma de disco resulta familiar.
Estos condensadores tienen una estructura muy sencilla, sin embargo, esta sencillez trae
aparejado un problema delicado: a menos que se construyan dispositivos realmente grandes su
capacidad mxima es relativamente pequea (comercialmente se alcanzan valores de 0.22 F).
Para poder compensar parcialmente esta desventaja, se idearon algunas variantes en la
construccin de estos dispositivos, tal como la aplicacin de varias capas superpuestas conectadas
entre s en paralelo.

Figura 20 Constitucin de un condensador multicapas
A estos dispositivos se les llama o conoce con el nombre de condensadores cermicos multicapa, y
gracias a este recurso se pueden encontrar componentes con una capacidad de hasta 1 F. Con
este mtodo el disco se ensancha, pero el tamao del dispositivo sigue siendo relativamente
pequeo.
Figura 19 Construccin de un
condensador de papel tpico.


Una ventaja de los condensadores cermicos, es que el material aislante utilizado es muy
resistente al paso de la corriente, pudiendo as encontrar dispositivos que fcilmente resisten
tensiones de 500 1000 volts.
Una de sus principales desventajas de estos tipos de condensadores es su amplio rango de
tolerancia. Existe, por ejemplo, la familia de capacitores Z, la cual posee una tolerancia de
20 a + 80% del valor nominal. No obstante, gracias a los avances en la construccin de elementos
electrnicos, se ha podido disear una familia de condensadores cermicos que es la familia J,
que posee una tolerancia de 5.
Condensadores de polister:
La construccin de un condensador de polister es
sumamente sencilla, como se muestra en la siguiente
figura.
Una de las grandes ventajas que tienen estos
condensadores en comparacin con los cermicos, es
su alta estabilidad en un amplio rango de
temperatura; adems de una tolerancia muy
estrecha, ya que la mayora de los dispositivos de este
tipo tienen una tolerancia de 10 % (familia K),
aunque aqu tambin existe la familia J con una
tolerancia de 5 %.

Condensador electroltico:
Un condensador electroltico consiste en dos placas
metlicas separadas por un electroltico.
El electroltico no es realmente el material dielctrico, sino el electrodo
negativo, el dielctrico es una delgada pelcula de xido que se forma sobre la
placa positiva del condensador, la segunda placa a veces llamada
errneamente electrodo negativo proporciona el medio de hacer contacto
con el electrolito (el electrodo negativo verdadero) y sirve como terminal
negativo.
La capacidad de un condensador electroltico depende de: el rea de las
placas, el espesor del dielctrico y la constante dielctrica de la pelcula de
xido.

Figura 22
Condensador
electroltico.
Figura 21 Constitucin de un condensador de
polister


Condensadores electrolticos de aluminio.
Se pueden construir de una forma sustancialmente seca usando un electrolito gelatinoso, los
condensadores electrolticos secos tienen una gran capacidad con unas dimensiones
relativamente pequeas y son el tipo ms econmico para muchas aplicaciones.
Un condensador electroltico seco consta de una lmina positiva, una negativa y un separador que
contiene el electrolito, arrollados en forma cilndrica, y de los montajes necesarios para las
conexiones elctricas, su proteccin y montaje.
Condensadores de tantalio:
El tantalio se puede emplear en lugar del aluminio
para los electrodos de los condensadores electrolticos,
con el tantalio se consiguen ms faradios por voltio
por centmetro cbico que con el aluminio, y esto
permite grandes avances en el campo de la
miniaturizacin.
Los condensadores de tantalio tienen diversas ventajas
en comparacin con sus equivalentes electrolticos; por
ejemplo, su tamao es menor; son dispositivos que se
daan con menos facilidad ante cargas inversas; y
adems su operacin general es ms estable, toda vez
que al no ser hmedos no se secan.
La desventaja de estos condensadores, es que el xido de tantalio que llevan resiste poco voltaje,
lo que hace que no superen los 25 V; adems son considerablemente ms costosos que los
condensadores electrolticos equivalentes.
Condensadores variables:
Un condensador variable tiene dos conjuntos
de placas, un conjunto que puede girar y se
llama rotor y otro estacionario llamado
estator; el estator tiene generalmente una
placa ms que el rotor. El condensador se
construye d forma que las placas del rotor se
muevan libremente entre las del estator,
haciendo as que vare la capacidad.

Las placas de un condensador variable deben ser buenas conductoras, inoxidables, fuertes y
rgidas para que mantengan una capacidad uniforme y no se origine un corto circuito entre ellas.

Figura 23 Construccin de un condensador electroltico
Figura 24 condensadores variables


Condensadores ajustables:
Los condensadores ajustables, denominados a veces trimmers o
padders, se emplean para ajustar la capacidad de un circuito, este
tipo de condensador consta de dos o ms placas aisladas entre s por
medio de una hoja de mica y se construye de forma que se pueda
variar la distancia que separa las placas con un pequeo tornillo de
ajuste.
Los condensadores trimmer y padder se definen por su capacidad
mnima y mxima, se pueden encontrar condensadores ajustables
con una capacidad mnima de hasta 0.5 pF. y con una capacidad
mxima de hasta 500 pF.

Condensadores de montaje superficial:
En la actualidad, el creciente proceso de miniaturizacin de los
diversos aparatos electrnicos ha hecho obsoletos los mtodos de
montaje y fabricacin convencionales. Por eso se diseo la tecnologa
de montaje superficial, en la que los elementos van soldados
directamente sobre la cara de pistas del circuito impreso; as se evita
la necesidad de realizar perforaciones en la tablilla, al tiempo que
puede reducirse notablemente el tamao de los dispositivos
empleados. Los condensadores no podan quedar al margen, por lo
que tambin se desarrollaron versiones en miniatura de acuerdo con
la tecnologa empleada para fabricar los dispositivos cermicos.
Condensadores incorporados en chips:
Tan necesarios son los condensadores en el diseo de circuitos integrados, que incluso se ha
llegado a lmites de miniaturizacin realmente inconcebibles, a tal grado que para observarlos se
necesita un microscopio.
En ciertos circuitos integrados como el popular amplificador operacional 741, es necesario incluir
un condensador compensador en la estructura electrnica.
Sin embargo, fabricar un condensador en un circuito integrado resulta tanto complejo; la razn es
que estos elementos ocupan un rea considerable.
1.2.1.3 Bobinas o Inductores.
Un inductor es un elemento pasivo diseado para almacenar energa en su campo magntico. Los
inductores encuentran numerosas aplicaciones en sistemas electrnicos y de potencia. Se usan en
alimentaciones de potencia, transformadores, radios, televisores, radares y motores elctricos.
Figura 25 condensadores
ajustables
Figura 26 Condensador de
montaje superficial


Todos los conductores de corriente elctrica tienen propiedades inductivas y pueden considerarse
inductores. Pero para aumentar el efecto inductivo, un inductor prctico suele formarse en una
bobina cilndrica con muchas vueltas de alambre conductor, como se observa en la figura.

Figura 27 Un inductor en su forma habitual
Si se permite que pase corriente por un inductor, se descubre que la tensin en el inductor es
directamente proporcional a la velocidad de cambio de la transformacin de la corriente.
Mediante la convencin pasiva de los signos,

Donde L, es la constante de proporcionalidad, llamada inductancia del inductor. La unidad de
inductancia es el Henry (H), as llamado en honor al inventor estadounidense Joseph Henry (1797-
1878).
La inductancia de un inductor depende de sus dimensiones y composicin fsica. Las frmulas para
calcular la inductancia de inductores de diferentes formas se derivan de la teora electromagntica
y pueden encontrarse en manuales estndar de ingeniera elctrica. Por ejemplo, en relacin con
el inductor (solenoide) que aparece en la figura 27.

Donde N es el nmero de vueltas, la longitud, A, el rea de la seccin transversal y , la
permeabilidad del ncleo. Mediante la ecuacin anterior se advierte que la inductancia puede
aumentar si se incrementa el nmero de vueltas de la bobina, usando material con mayor
permeabilidad a la del ncleo, aumentando el rea de la seccin transversal o disminuyendo la
longitud de la bobina.
Al igual que los capacitores, los inductores disponibles comercialmente se presentan en diferentes
valores y tipos. Los inductores prcticos usuales tienen valores de inductancia que van de unos
cuantos micro henrys (H), como en los sistemas de comunicacin, a decenas de henrys (H), como
en los sistemas de potencia. Los inductores pueden ser fijos o variables. El ncleo puede ser de
hierro, acero, plstico o aire. Los trminos bobina y reactancia se emplean como sinnimos de
inductor.



Figura 28 Clasificacin de las bobinas.
Existen dos tipos de bobinas que son las fijas y las variables:
Fijas: las bobinas fijas se dividen en dos clases que son las de ncleo de aire y la de ncleo
de solido.
o La bobina de ncleo de aire: estas bobinas se utilizan en frecuencias elevadas,
podemos encontrar las bobinas llamas solenoide que es un alambre de forma de
espiral en la que circula corriente elctrica.
o La bobina de ncleo de solido: esta bobina contiene permeabilidad magntica y
por esto tiene valores altos de ductividad su ncleo es hecho de un material
ferreomagnetico. Tambin podemos encontrar otras bobinas ferro magnticas
que son:
Las bobinas de nido de abeja: se utilizan en los radios para la
sincronizacin de una onda media y larga, lo bueno de su estructura
puede conseguir valores altos de inductividad en un volumen mnimo.
Las bobinas de ncleo toroide: una virtud de la bobina es que su flujo
magntico no se dispersa hacia el exterior siendo estas muy buenas en el
rendimiento y precisin.
Las bobinas de ferrita: son cilndricas son muy importantes porque tiene
un receptor para cuando se valla hacer una prctica.
Variables: estas bobinas son ajustables porque su conductividad se produce por el
desplazamiento del ncleo, tambin podemos encontrar bobinas blindadas que estn
recubiertas de un elemento metlico el cual su funcin es limitar el flujo electromagntico
que es creado por la propia bobina, pero su problema es que puede afectar los elementos
cercanos.
Identificacin de bobinas
Las bobinas como las resistencias se identifican por una tabla de colores, el cual se mide en micro
henrios.



Color
1 Cifra y
2 Cifra
Multiplicador Tolerancia
Negro 0 1 -
Caf 1 10 -
Rojo 2 100 3%
Naranja 3 1000 -
Amarillo 4 - -
Verde 5 - -
Azul 6 - -
Violeta 7 - -
Gris 8 - -
Blanco 9 - -
Oro - 0.1 5%
Plata - 0.01 10%
Ninguno - - 20%
1.1 Tabla de colores de las bobinas
Cabe destacar las siguientes propiedades importantes de un inductor:
1. Como se desprende de la ecuacin
, la tensin en un inductor es cero cuando

la corriente es constante. As, un inductor acta como un cortocircuito para la cd.

2. Una propiedad relevante del inductor es su oposicin al cambio en la corriente que fluye
por l. La corriente que circula por un inductor no puede cambiar instantneamente.

3. Como el capacitor ideal, el inductor ideal no disipa energa. La energa almacenada en l
puede recuperarse en un momento posterior. El inductor toma potencia del circuito al
almacenar la energa y suministra potencia al circuito al devolver la energa previamente
almacenada.

4. Un inductor prctico no ideal tiene una componente resistiva importante. Esto se debe al
hecho de que el inductor es de un material conductor como cobre, el cual tiene cierta
resistencia, que se llama resistencia de devanado Rw, y aparece en serie con la inductancia
del inductor. La presencia de Rw convierte a ste tanto en un dispositivo de
almacenamiento de energa como en un dispositivo de disipacin de energa. Puesto que
usualmente Rw es muy reducida, se le ignora en la mayora de los casos.

El inductor no ideal tambin tiene una capacitancia de devanado Cw, debida al
acoplamiento capacitivo entre las bobinas conductoras. Cw es muy reducida y puede
ignorarse en la mayora de los casos, excepto en altas frecuencias.

En el siguiente cuadro se observan las caractersticas mas importantes de los elementos pasivos.


1.2.2 Tcnicas de solucin en circuitos RLC
Existen diferentes tcnicas de solucin para los circuitos RLC, para darle solucin a este tipo de
circuitos, es necesario estudiar la ley de Ohm y las leyes de Kirchoff. La ley de Ohm, relaciona al
voltaje con la corriente elctrica y la resistencia, las leyes de Kirchoff son necesarias para analizar
circuitos ms complejos donde presentan n mallas y k nodos.
1.2.2.1 Ley de Ohm
George Simon Ohm, descubri en 1827 que la corriente en un circuito de corriente continua vara
directamente proporcional con la diferencia de potencial, e inversamente proporcional con la
resistencia del circuito. La ley de Ohm, establece que la corriente elctrica (I) en un conductor o
circuito, es igual a la diferencia de potencial (V) sobre el conductor (o circuito), dividido por la
resistencia (R) que opone al paso, l mismo. La ley de Ohm se aplica a la totalidad de un circuito o
a una parte o conductor del mismo.

1.2.2.2 Conexin serie de resistencias
Se llama as a la conexin de dos o ms resistencias tal
que una de las terminales de la primera resistencia se
conecta a una de las terminales de la segunda
Relacin Resistor (R) Capacitor (C) Inductor (L)
smbolo

V-I

I-V

P W

En Serie

En paralelo

En CD Igual Circuito abierto Corto circuito
Variable de
circuitos que no
puede cambiar
abruptamente
No aplicable Voltaje (V) Corriente (I)


resistencia y de la ltima resistencia se conectan a las terminales positivas y negativa de una
batera (Fig. 27).
En un arreglo serie de resistencias se presentan las siguientes caractersticas:
a) La resistencia equivalente o total es aquella
que sustituye al conjunto de resistencias y
provoca el mismo efecto que todas juntas. La
resistencia total se obtiene a travs de la suma de todas las resistencias.

b) La corriente que circula por todo el arreglo es la misma en todas las resistencias.

c) El voltaje total de la batera se distribuye o divide en todas las resistencias, por lo tanto el
voltaje total de un arreglo serie de resistencias se obtiene por la suma de las cadas de
potencial o voltaje en cada una de las resistencias.

1.2.2.3 Conexin paralelo de resistencias
Una conexin paralelo consiste simplemente en la
conexin una de las terminales de todas las
resistencias a la terminal positiva de la batera, y la
conexin de todas las terminales restantes a la
terminal negativa de la propia batera.

En este tipo de conexin de resistencia se cumplen
las siguientes propiedades fsicas.

a) La resistencia total o equivalente se determina mediante el inverso de la sumatoria de
todas las resistencias del arreglo.

Cuando se tiene nicamente dos resistencias en paralelo resulta ms prctico utilizar una
ecuacin ms sencilla.

b) Puesto que la corriente total de la batera se divide en cada resistencia del arreglo,
entonces la corriente total se obtiene mediante la suma de las corrientes en cada
resistencia.

c) El voltaje en este tipo de conexin es el mismo en todas las resistencias y ser igual al de la
batera.
Figura 30 Conexin paralelo de resistencias
Figura 29 Resistencias en Serie


1.2.2.4 Conexin de capacitores.

Los capacitores en serie se comportan
diferente a las resistencias es decir se calculan
como resistencias en paralelo y cuando estan
en paralelo su capacitancia se suma. As como
se muestra en las siguientes formulas:

En serie

En paralelo

1.2.2.5 Conexin de Bobinas.
Para calcular la inductancia equivalente de las bobinas en serie se realiza al sumar todas las
inductancias. Para calcular la inductancia de bobinas en paralelo se realiza al igual que en las
resistencias en paralelo, el inverso de la inductancia equivalente es igual al inverso de la suma de
todas las inductancias.

Figura 33 Bobinas en serie
1.2.2.6 Anlisis por las leyes de Kirchoff.
Para poder realizar un anlisis por las dos leyes
de Kirchoff, es necesario conocer los siguientes conceptos, en los cuales se basan:
Nodo. Un punto de conexin de dos o ms elementos de circuito se denomina nodo, junto
con todo el cable o alambre de los elementos.
Rama. Seccin que une a un elemento a 2 nodos.
Malla. Conjunto de ramas que describen una trayectoria cerrada.
1.2.2.6.1 Ley de corriente de Kirchoff (LCK)
Esta ley tambin es llamada ley de nodos o primera ley de Kirchoff y es comn que se use la
sigla LCK para referirse a esta ley. La ley de corrientes de Kirchoff nos dice que:

Figura 31 Conexin de capacitores en serie y paralelo
Figura 32 Bobinas en paralelo
En cualquier nodo, y la suma de todos los nodos y la suma
de las corrientes que entran en ese nodo es igual a la suma
de las corrientes que salen. De igual forma, La suma
algebraica de todas las corrientes que pasan por el nodo es
igual a cero.



1.2.2.6.2 Ley de voltaje de Kirchoff (LCV)
Esta ley es llamada tambin Segunda ley de Kirchoff, ley de lazos de Kirchoff o ley de mallas de
Kirchoff y es comn que se use la sigla LVK para referirse a esta ley.

La corriente que pasa por un nodo es
igual a la corriente que sale del
mismo. i
1
+ i
4
= i
2
+ i
3

1.2.3 Aplicaciones
Dentro de las aplicaciones que se pueden realizar con los dispositivos pasivos, es la creacin de
filtros pasivos, estos sern los que atenuarn la seal en mayor o menor grado; Se implementan
con componentes pasivos como condensadores, bobinas y resistencias. Cabe mencionar que
todos los circuitos que se encuentran en el mercado, cuentan con estos componentes, los cuales
son imprescindibles para el desarrollo de la tecnologa que se tiene hasta el momento.
1.3 Dispositivos activos
La gran diferencia que existe entre los dispositivos pasivos y los activos, es que en el caso de los
pasivos son aquellos que reciben energa y los activos son los que generan energa, generalmente
los dispositivos activos, estn compuestos de la unin de varios elementos pasivos, a los
dispositivos activos los podemos clasificar:

Fuentes Independientes de Corriente:
Mantienen una corriente especfica Independientemente del voltaje a travs de
sus terminales.
Fuentes Independientes de Voltaje:
Mantienen un voltaje especfico independientemente de la corriente que pase por
sus terminales.
En toda malla la suma de todas las cadas de tensin es
igual a la tensin total suministrada. De forma equivalente,
En toda malla la suma algebraica de las diferencias de
potencial elctrico es igual a cero.
Ley de tensiones de Kirchoff, en este caso
v
4
=v
1
+v
2
+v
3
. No se tiene en cuenta a v
5
porque no
hace parte de la malla que estamos analizando.


Figura 34 Fuentes independientes de corriente y voltaje
Fuentes Dependientes:
Su salida depende de algn voltaje o corriente de alguna parte del circuito.

Figura 35 Fuentes dependientes de voltaje y corriente
1.3.1 Caractersticas de semiconductores
Algunos materiales de estructura cristalina tienen caractersticas elctricas intermedias entre los
materiales conductores y los aislantes, las que en condiciones ordinarias pueden presentar
propiedades correspondientes a uno u otro grupo, y se les conoce con el nombre de materiales
semiconductores.
Inicialmente los semiconductores se definieron como materiales peor conductor que los metales,
pero mejor que los aislantes. Ms tarde fueron definidos como materiales cuya conductividad
aumenta con la temperatura. Posteriormente se los defini como conductores electrnicos cuyo
nmero de electrones libres vara con la temperatura.
Conductividad elctrica. Es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una
diferencia de potencial, y es una de sus propiedades fsicas ms importantes de los
semiconductores. En estos materiales es posible incrementar el nivel de la conductividad en su
estructura molecular mediante:
- Aumento de la temperatura,
- Incremento de la radiacin de la luz, o
- Integrando impurezas
Estos cambios originan un aumento del nmero de electrones o huecos liberados, los que se
encargan de transportar la energa elctrica.
Banda Prohibida. Es la banda de energa que separa la banda de valencia de la banda de
conduccin, y es una caracterstica propia de cada material.
Caracterstica voltaje-corriente


Al elevar el voltaje aplicado al semiconductor la corriente aumenta considerablemente ms rpido
que el voltaje, observndose una relacin no lineal entre la corriente y el voltaje. Y al invertir el
voltaje la relacin entre la corriente y el voltaje es similar, por lo que los semiconductores tienen
una caracterstica voltaje-corriente simtrica.
Movilidad de los portadores
La movilidad de los portadores de la corriente es la relacin entre la velocidad de movimiento
dirigido de electrones o huecos y la intensidad del campo elctrico, igual a 1 V/cm.
1.3.1.1 Clasificacin de los semiconductores.
Por su composicin qumica:
- Material compuesto de tomos de un solo elemento:
o germanio, silicio, selenio, fsforo, boro, galio.
- Material compuesto de xidos metlicos:
o xido cuproso, xido de zinc, xido de cadmio, bixido de titanio.
- Material a base de composiciones qumicas de tomos
o con de 3 y 5 electrones de valencia, como son los siguientes compuestos:
antimonio de indio, antimonio de galio.
o con de 2 y 6 electrones de valencia.
o con de 6 y 4 electrones de valencia, como son el carburo de silicio.
- Materiales de procedencia orgnica,
o como son los compuestos poli cclicas aromticas (naftalina).
- Por su estructura cristalina:
o Mono cristalinos,
Elaborado en forma de cristales grandes, como el germanio, silicio.
o Poli cristalinos,
compuesto por varios cristales soldados unos con otros, como el selenio,
carburo de silicio.
Por el tipo de conduccin.
Intrnsecos Cuando la conductividad crece al aumentar temperatura del material. Es una
caracterstica de los materiales puros, aunque prcticamente no existe un cristal 100% puro, se lo
denomina a los semiconductores que no contiene impurezas.
Extrnsecos Cuya conductividad crece al aumentar las impurezas o contaminacin en el material.
Al proceso de impurificacin se le llama tambin dopado, y se utiliza para obtener electrones
libres que sean capaces de transportar la energa elctrica a otros puntos del cristal.
El proceso de impurificacin permite alterar sensiblemente las caractersticas de los materiales
semiconductores, y consiste en agregar tomos de otra sustancia a un cristal intrnseco, que


pueden ser tomos pentavalentes (donadores del grupo V) con 5 electrones perifricos de
valencia, o trivalentes (aceptores, del grupo III) con 3 electrones perifricos de valencia.
La diferencia del nmero de electrones de valencia entre el material dopante (del que acepta o
del que confiere electrones) y el material receptor hace que crezca el nmero de electrones de
conduccin negativos (tipo n) o los huecos positivos (tipo p).
Por su caracterstica constructiva
- Diodo
- Tiristor
- TRIAC
- GTO
- Transistores
1.3.1.2 Estructura elctrica del Silicio
Es el elemento semiconductor ms utilizado en la fabricacin de los componentes electrnicos de
estado slido, esto debido a que despus del oxigeno es el elemento ms abundante en la
superficie terrestre (27,7% en peso).
El silicio, a diferencia del carbono, no existe en forma libre en la naturaleza, se encuentra en forma
de dixido de silicio (slice) y de silicatos complejos.
Slice: arena, cuarzo, amatista, gata, pedernal y palo,
Silicatos complejos: granito, feldespato, arcilla, y mica.

Figura 36 Silicio
Los tomos de silicio tienen su orbital externo incompleto con slo cuatro electrones,
denominados electrones de valencia. Estos tomos forman una red cristalina, en la que cada
tomo comparte sus cuatro electrones de valencia con los cuatro tomos vecinos, formando
enlaces covalentes. A temperatura ambiente, algunos electrones de valencia absorben suficiente
energa calorfica para librarse del enlace covalente y moverse a travs de la red cristalina,
convirtindose en electrones libres. Si a estos electrones, que han roto el enlace covalente, se les
somete al potencial elctrico de una pila, se dirigen al polo positivo.
Cuando un electrn libre abandona el tomo de un cristal de silicio, deja en la red cristalina un
hueco, que con respecto a los electrones prximos tiene efectos similares a los que provocara una


carga positiva. Los huecos tienen la misma carga que el electrn pero con signo positivo. El
comportamiento elctrico de un semiconductor se caracteriza por los siguientes fenmenos:
- Los electrones libres son portadores de carga negativa y se dirigen hacia el polo positivo de
la pila.
- Los huecos son portadores de carga positiva y se dirigen hacia el polo negativo de la pila.
- Al conectar una pila, circula una corriente elctrica en el circuito cerrado, siendo constante
en todo momento el nmero de electrones dentro del cristal de silicio.
- Los huecos slo existen en el seno del cristal semiconductor. Por el conductor exterior slo
circulan los electrones que dan lugar a la corriente elctrica.
1.3.1.3 Estructura elctrica del Germanio
El germanio es un metal frgil, de color agrisado, muy brillante, en alguna de sus propiedades se
parece al carbn y en otras al estao. El germanio se encuentra muy distribuido en la corteza
terrestre con una abundancia de 6.7 partes por milln (ppm). El germanio se halla como sulfuro o
est asociado a los sulfuros minerales
de otros elementos, como el cobre,
zinc, plomo, estao y antimonio.
Tambin se lo obtiene de las cenizas
de carbn.
El primer dispositivo de estado
slido, fue hecho de germanio. Los
cristales especiales de germanio se
usan como sustrato para el
crecimiento en fase vapor de
pelculas finas de GaAs y GaAsP en
algunos diodos emisores de luz. Se
emplean lentes y filtros de germanio
en aparatos que operan en la regin
infrarroja del espectro. Mercurio y
cobre impregnados de germanio son
utilizados en detectores infrarrojos.
1.3.1.4 Materiales tipo N y tipo P
Un semiconductor se puede dopar para que tenga un exceso de
electrones libres o un exceso de huecos. Debido a ello existen dos
tipos de semiconductores dopados. Los semiconductores tipo N y
tipo P
Semiconductor tipo N
EI silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se
llama semiconductor tipo N, donde n hace referencia a negativo. En
Figura 38 El semiconductor tipo N
tiene muchos electrones libres
Figura 37 Estructura atmica del Silicio y el Germanio


la Figura 39 se muestra un semiconductor tipo n.
Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo N, reciben el nombre de
portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.
Semiconductor tipo P
El silicio ha sido dopado con impurezas trivalentes se llama
semiconductor tipo P, donde la p hace referencia a positivo. La Figura
41 representa a un semiconductor tipo P. Como l nmero d huecos
supera al nmero de electrones libres, los huecos son los portadores
mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios.
Al aplicarse una tensin, los electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la derecha. En la Figura 42, los huecos que llegan al extremo
derecho del cristal se re combinan con los electrones libres del circuito externo.
En el diagrama de la Figura 43 hay tambin un flujo de portadores minoritarios. Los electrones
libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores
minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito.
1.3.2 Dispositivos semiconductores
Los semiconductores tipo p y tipo n separados no tienen mucha utilidad, pero si un cristal se dopa
de tal forma que una mitad sea tipo N y la otra mitad de tipo P, esa unin PN tiene unas
propiedades muy tiles y entre otras cosas forman los "Diodos".
El tomo pentavalente en un cristal de silicio (Si) produce un
electrn libre y se puede representar como un signo "+"
encerrado en un circulo y con un punto relleno (que sera el electrn) al
lado.
El tomo trivalente sera un signo "-" encerrado en un circulo y
con un punto sin rellenar al lado (que simbolizara un hueco).
La unin de las regiones p y n ser como se observa en la figura 44. Al juntar las regiones tipo p y
tipo n se crea un "Diodo de unin" o "Unin PN".
Unin PN polarizada en directo
Si se polariza la unin PN en sentido directo, es decir, el polo positivo de la pila a la regin P y el
polo negativo a la regin N, la tensin U de la pila contrarresta la barrera de potencial creada
por la distribucin espacial de cargas en la unin, desbloquendola, y apareciendo una circulacin
de electrones de la regin N a la regin P y una circulacin de huecos en sentido contrario.
Tenemos as una corriente elctrica de valor elevado, puesto que la unin PN se hace conductora,
presentando una resistencia elctrica muy pequea. El flujo de electrones se mantiene gracias a la
pila que los traslada por el circuito exterior circulando con el sentido elctrico real, que es
contrario al convencional establecido para la corriente elctrica.
Figura 40 El semiconductor
tipo P tiene muchos huecos.
Figura 44 Unin PN


Unin PN polarizada en inverso
Si se polariza la unin PN en sentido inverso, es decir, el polo positivo de la pila a la regin N y el
polo negativo a la regin P (figura 6), la tensin U de la pila ensancha la barrera de potencial
creada por la distribucin espacial de cargas en la unin, produciendo un aumento de iones
negativos en la regin P y de iones positivos en la regin N, impidiendo la circulacin de electrones
y huecos a travs de la unin. La unin PN se comporta de una forma asimtrica respecto de la
conduccin elctrica; dependiendo del sentido de la conexin, se comporta corno un buen
conductor (polarizada en directo) o como un aislante (polarizada en inverso).
1.3.2.1 Diodos
Los diodos constan de dos partes, una llamada N y la
otra llamada P, separados por una juntura llamada barrera
o unin. Esta barrera o unin es de 0.3 voltios en el diodo
de germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo
de silicio.
El diodo al no ser polarizado tiene las siguientes
caractersticas.

a) Zona de deplexin
Al haber una repulsin mutua, los electrones
libres en el lado n se dispersan en cualquier
direccin. Algunos electrones libres se
difunden y atraviesan la unin, cuando un
electrn libre entra en la regin p se convierte
en un portador minoritario y el electrn cae en
un hueco, el hueco desaparece y el electrn
libre se convierte en electrn de valencia.
Cuando un electrn se difunde a travs de la unin crea un par de iones, en el lado n con carga
positiva y en el p con carga negativa.
Las parejas de iones positivo y negativo se
llaman dipolos, al aumentar los dipolos la
regin cerca de la unin se vaca de
portadores y se crea la llamada "Zona de
deplexin".
b) Barrera de potencial
Los dipolos tienen un campo elctrico
entre los iones positivo y negativo, y al
Figura 45 Smbolo del Diodo y Estructura interna
Figura 46 Zona de deplexin
Figura 47 Barrera de potencial


entrar los electrones libres en la zona de deplexin, el campo elctrico trata de devolverlos a la
zona n. La intensidad del campo elctrico aumenta con cada electrn que cruza hasta llegar al
equilibrio.
El campo elctrico entre los iones es equivalente a una diferencia de potencial llamada "Barrera de
Potencial" que a 25
0
C tiene un valor de:
- 0.3 V para diodos de Ge.
- 0.7 V para diodos de Si.
Polarizacin directa
Si el terminal positivo de la fuente est conectado al material tipo p y el terminal negativo de la
fuente est conectado al material tipo n, diremos que estamos en "Polarizacin Directa".
La conexin en polarizacin directa tendra esta forma:

Figura 48 Polarizacin Directa
En este caso tenemos una corriente que circula con facilidad, debido a que la fuente obliga a que
los electrones libres y huecos fluyan hacia la unin. Al moverse los electrones libres hacia la unin,
se crean iones positivos en el extremo derecho de la unin que atraern a los electrones hacia el
cristal desde el circuito externo.
As los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluir hacia el
extremo derecho del cristal. El sentido de la corriente lo tomaremos siempre contrario al del
electrn.


Figura 49 Polarizacin Directa: electrones fluyendo
Lo que le sucede al electrn: Tras abandonar el terminal negativo de la fuente entra por el
extremo derecho del cristal. Se desplaza a travs de la zona n como electrn libre.
En la unin se recombina con un hueco y se convierte en electrn de valencia. Se desplaza a travs
de la zona p como electrn de valencia. Tras abandonar el extremo izquierdo del cristal fluye al
terminal positivo de la fuente.
Polarizacin inversa
Se invierte la polaridad de la fuente de continua, el diodo se polariza en inversa, el terminal
negativo de la batera conectado al lado p y el positivo al n, esta conexin se denomina
"Polarizacin Inversa".
En la siguiente figura se muestra una conexin en inversa:

Figura 50 Polarizacin Inversa
El terminal negativo de la batera atrae a los huecos y el terminal positivo atrae a los electrones
libres, as los huecos y los electrones libres se alejan de la unin y la z.c.e. se ensancha.
A mayor anchura de la z.c.e. mayor diferencia de potencial, la zona de deplexin deja de aumentar
cuando su diferencia de potencial es igual a la tensin inversa aplicada (V), entonces los electrones
y huecos dejan de alejarse de la unin.
z.c.e.: Zona de Carga
Espacial o zona de
deplexin (W).


A mayor la tensin inversa aplicada mayor ser la z.c.e.

Figura 51 Flujo de electrones en la polarizacin Inversa
Existe una pequea corriente en polarizacin inversa, porque la energa trmica crea
continuamente pares electrn-hueco, lo que hace que haya pequeas concentraciones de
portadores minoritarios a ambos lados, la mayor parte se recombina con los mayoritarios pero los
que estn en la z.c.e. pueden vivir lo suficiente para cruzar la unin y tenemos as una pequea
corriente.
La zona de deplexin empuja a los electrones hacia la derecha y el hueco a la izquierda, se crea as
una la "Corriente Inversa de Saturacin"(IS) que depende de la temperatura.

Adems hay otra corriente "Corriente Superficial de Fugas" causada por las impurezas del cristal y
las imperfecciones en su estructura interna. Esta corriente depende de la tensin de la pila (V
VP).

Entonces la corriente en inversa (I IR) ser la suma de esas dos corrientes:

Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican, existe un lmite para
la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de
destruirlo.
Veamos un ejemplo:


A la tensin en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensin de Ruptura" (VRuptura). A
partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha ocurrido el "Efecto
Avalancha" o "Ruptura por Avalancha". Al Efecto Avalancha se le conoce tambin como Ruptura
por Avalancha Multiplicacin por Avalancha
Efecto Avalancha
Aumenta la tensin inversa y con ella la zona de deplexin.

Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Figura 52 Efecto Avalancha
Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y estos
electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el electrn y
rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Ec es tan grande que al chocar


cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn incidente sale con menos
velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre obtenemos dos electrones libres.
Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un enlace
covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por Avalancha.
Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande (-100 mA).
Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar a esa IR.
Efecto Zener
Este es otro efecto que puede estropear el diodo, y es muy parecido al anterior. Se suele dar en
diodos muy impurificados, diodos con muchas impurezas.

Figura 53 Estructura interna de un diodo rectificador y un diodo zener
Al tener la z.c.e. muy pequea y seguimos teniendo la misma tensin (0.7 V), tenemos muy juntos
los tomos de impurezas teniendo as ms carga en menos espacio.
En esta situacin se crea un campo elctrico muy intenso. Y el efecto es como la carga de un
condensador.

Si se polariza en inversa se ensancha la z.c.e.
Qu ocurre en la z.c.e.?


A aumentado mucho E (Campo Elctrico), por ejemplo para los 3 V llega a 300.000 V/cm y se da el
"Efecto Zener": Ahora la F, fuerza debida al campo elctrico, es capaz de arrancar el electrn y lo
hace libre. Este campo elctrico intenso arranca muchos electrones de esta forma dando lugar a
una corriente grande que destruye el Diodo.
Veamos en que diodos se dan estos 2 efectos:
Efecto Avalancha (Ruptura por avalancha)
Diodo Rectificador VR = - 50 V (tensiones grandes).
Diodo de Avalancha VR = - 6 V, - 7 V, - 8 V... A veces le llama Diodo Zener aunque no sea un Zener
en s.
Efecto Zener (Ruptura Zener)
Diodo Zener VR = - 4 V, - 3 V, - 2 V... A veces puede ocurrir este efecto en otro tipo de diodos que
no sean Zener, pero tienen que estar muy impurificados. Los Diodos Zener estn especialmente
preparados para no estropearse. Entre - 4 V y - 6 V se pueden dar los 2 fenmenos a la vez
(Avalancha y Zener).

Figura 54 Mapa mental del diodo semiconductor
1.3.2.1.1 LED


El LED es un tipo especial de diodo, que trabaja como un diodo comn,
pero que al ser atravesado por la corriente elctrica, emite luz. Existen
diodos LED de varios colores que dependen del material con el cual
fueron construidos. Hay de color rojo, verde, amarillo, mbar, infrarrojo,
entre otros.
Cuando un led se encuentra en polarizacin directa, los
electrones pueden recombinarse con los huecos en el
dispositivo, liberando energa en forma de fotones. Este
efecto es llamado electroluminiscencia y el color de la luz
(correspondiente a la energa del fotn) se determina a partir
de la banda de energa del semiconductor.
Elctricamente el diodo LED se comporta igual que un diodo
de silicio o germanio. Debe de escogerse bien la corriente que
atraviesa el LED para obtener una buena intensidad luminosa
y evitar que este se pueda daar. El LED tiene un voltaje de
operacin que va de 1.5 V a 2.2 voltios aproximadamente y la
gama de corrientes que debe circular por l est entre los 10
y 20 miliamperios (mA) en los diodos de color rojo y de entre
los 20 y 40 miliamperios (mA) para los otros LEDs.

Los diodos LED tienen enormes ventajas sobre las lmparas indicadoras comunes, como su bajo
consumo de energa, su mantenimiento casi nulo y con una vida aproximada de 100,000 horas.
El diodo LED debe ser protegido. Una pequea cantidad de corriente en sentido inverso no lo
daar, pero si hay picos inesperados puede daarse. Una forma de protegerlo es colocar en
paralelo con el diodo LED pero apuntando en sentido opuesto un diodo de silicio comn.
Hoy en da, se estn desarrollando y empezando a comercializar leds con prestaciones muy
superiores a las de hace unos aos y con un futuro prometedor en diversos campos, incluso en
aplicaciones generales de iluminacin. Como ejemplo, se puede destacar que Nichia
Corporation ha desarrollado leds de luz blanca con una eficiencia luminosa de 150 lm/W,
utilizando para ello una corriente de polarizacin directa de 20 miliamperios (mA). Esta eficiencia,
comparada con otras fuentes de luz solamente en trminos de rendimiento, es aproximadamente
1,7 veces superior a la de la lmpara fluorescente con prestaciones de color altas (90 lm/W) y
aproximadamente 11,5 veces la de una lmpara incandescente(13 lm/W). Su eficiencia es incluso
ms alta que la de la lmpara de vapor de sodio de alta presin (132 lm/W), que est considerada
como una de las fuentes de luz ms eficientes.
Tarea. Investiga sobre los OLEDS
Figura 55 Smbolo del LED
Figura 56 Estructura de un LED


1.3.2.1.2 Rectificadores
Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre
diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una
seal de corriente alterna.
Si se aplica al diodo una tensin de
corriente alterna durante los medios ciclos
positivos, se polariza en forma directa; de
esta manera, permite el paso de la
corriente elctrica. Pero durante los
medios ciclos negativos, el diodo se
polariza de manera inversa; con ello, evita
el paso de la corriente en tal sentido.
Durante la fabricacin de los diodos
rectificadores, se consideran tres factores:
la frecuencia mxima en que realizan
correctamente su funcin, la corriente
mxima en que pueden conducir en
sentido directo y las tensiones directa e
inversa mximas que soportarn.
Una de las aplicaciones clsicas de los diodos
rectificadores, es en las fuentes de alimentacin;
aqu, convierten una seal de corriente alterna en
otra de corriente directa.
Cuando usamos un diodo en un circuito se deben
tener en cuenta las siguientes consideraciones (a
partir de las hojas de caractersticas suministradas
por el fabricante):
1. La tensin inversa mxima aplicable al componente, repetitiva o no (V
RRR mx
o V
R mx
,
respectivamente) ha de ser mayor (del orden de tres veces) que la mxima que este va a
soportar.
2. La corriente mxima en sentido directo que puede atravesar al componente, repetitiva o
no (I
FRM mx
e I
F mx
respectivamente), he de ser mayor (del orden del doble) que la mxima
que este va a soportar.
3. La potencia mxima que puede soportar el diodo (potencia nominal) ha de ser mayor (del
orden del doble) que la mxima que este va a soportar.

Figura 58 Curva caracterstica del diodo
Figura 57 Smbolo y forma fsica


1.3.2.1.3 Zener
El diodo zener es un tipo especial de diodo, que a diferencia del
funcionamiento de los diodos comunes, como el diodo rectificador (en
donde se aprovechan sus caractersticas de polarizacin directa y
polarizacin inversa) siempre se utiliza polarizado inversamente.
En este caso la corriente circula en contra de la flecha que representa el diodo. Si el diodo zener
se polariza en sentido directo se comporta como un diodo rectificador comn. Cuando el diodo
zener funciona polarizado inversamente mantiene entre sus terminales una tensin de valor
constante.
Tericamente no se diferencia mucho del diodo ideal, aunque la filosofa de
empleo es distinta: el diodo zener se utiliza para trabajar en la zona de ruptura,
ya que mantiene constante la tensin entre sus terminales (tensin zener, VZ).
Los parmetros comerciales del diodo zener son los mismos que los de un diodo
normal, junto con los siguientes: VZ: Tensin de zener , IZM: Corriente mxima en inversa. El
zener es un dispositivo de tres estados operativos:
Conduccin en polarizacin directa: Como en un diodo normal.
Corte en polarizacin inversa: Como en un diodo normal.
Conduccin en polarizacin inversa: Mantiene constante V (igual a VZ), con una corriente
entre 0 y IZM.
Cuando el diodo esta polarizado inversamente, una pequea corriente circula por l, llamada
corriente de saturacin Is, esta corriente permanece relativamente constante mientras
aumentamos la tensin inversa hasta que el valor de sta alcanza Vz, llamada tensin Zener (que
no es la tensin de ruptura zener), para la cual el diodo entra en la regin de colapso. La corriente
empieza a incrementarse rpidamente por el efecto avalancha.
En esta regin pequeos cambios de tensin producen grandes cambios de corriente. El diodo
zener mantiene la tensin prcticamente constante entre sus extremos para un amplio rango de
corriente inversa. Obviamente, hay un drstico cambio de la resistencia efectiva de la unin PN.

Figura 61 Caracterstica I-V de un diodo Zener en polarizacin directa e inversa.
Figura 59 El Diodo Zener
Figura 60 smbolo
diodo Zener


Si ahora vamos disminuyendo la tensin inversa se
volver a restaurar la corriente de saturacin Is, cuando
la tensin inversa sea menor que la tensin zener. El
diodo podr cambiar de una zona a la otra en ambos
sentidos sin que para ello el diodo resulte daado, esto
es lo que lo diferencia de un diodo de unin como el que
estudiamos en la prctica anterior y es lo que le da al
diodo zener su caracterstica especial.
El progresivo aumento de la polarizacin inversa hace
crecer el nivel de corriente y no debe sobrepasarse un
determinado nivel de tensin especificado por el
fabricante pues en caso contrario se daara el diodo,
adems siempre debemos tener en cuenta la mxima
potencia que puede disipar el diodo y trabajar siempre
en la regin de seguridad.
Caracterizacin del Zener
El diodo zener viene caracterizado por:
1. Tensin Zener Vz.
2. Rango de tolerancia de Vz. (Tolerancia: C: 5%)
3. Mxima corriente Zener en polarizacin inversa Iz.
4. Mxima potencia disipada.
5. Mxima temperatura de operacin del zener.

Aplicacin: Regulador Zener.
Una de las aplicaciones ms usuales de los diodos zener es su utilizacin como reguladores de
tensin. La figura muestra el circuito de un diodo usado como regulador.

Figura 63 Circuito Regulador

Figura 62 Caracterstica I-V de un diodo Zener


Este circuito se disea de tal forma que el diodo zener opere en la regin de ruptura,
aproximndose as a una fuente ideal de tensin. El diodo zener est en paralelo con una
resistencia de carga R
L

y se encarga de mantener constante la tensin entre los extremos de la
resistencia de carga (V
OUT
=V
Z
), dentro de unos lmites requeridos en el diseo, a pesar de los
cambios que se puedan producir en la fuente de tensin V
AA
, y en la corriente de carga I
L
.
Analicemos a continuacin el funcionamiento del circuito. Consideremos primero la operacin del
circuito cuando la fuente de tensin proporciona un valor V
AA
constante pero la corriente de carga
varia. Las corrientes I
L

= V
Z
/ R
L

e I
Z

estn ligadas a travs de la ecuacin:

Ecuacin 1
y para las tensiones:

Ecuacin 2
Por lo tanto, si V
AA

y V
Z

permanecen constantes, V
AA

debe de serlo tambin (V
AA
= I
T
R). De esta
forma la corriente total I
T
queda fijada a pesar de las variaciones de la corriente de carga. Esto
lleva a la conclusin de que si I
L
aumenta, I
Z

disminuye y viceversa (debido a la ecuacin (1)). En
consecuencia V
Z
no permanecer absolutamente constante, variar muy poco debido a los
cambios de I
Z

que se producen para compensar los cambios de I
L
.
Si ahora lo que permanece constante es la corriente de carga y la fuente de tensin V
AA
vara, un
aumento de sta produce un aumento de I
T

y por tanto de I
Z

pues I
L

permanece constante, y lo
contrario si se produjera una disminucin de V
AA
. Tendramos lo mismo que antes, una tensin de
salida prcticamente constante, las pequeas variaciones se produciran por las variaciones de I
Z

para compensar las variaciones de V
AA
.

Diseo del Regulador Zener.
Es importante conocer el intervalo de variacin de la tensin de entrada (V
AA
) y de la corriente de
carga (I
L
) para disear el circuito regulador de manera apropiada. La resistencia R debe ser
escogida de tal forma que el diodo permanezca en el modo de tensin constante sobre el intervalo
completo de variables.
La ecuacin del nodo para el circuito de la figura 4 nos dice que:

Ecuacin 3
Para asegurar que el diodo permanezca en la regin de tensin constante (ruptura), se examinan
los dos extremos de las condiciones de entrada salida:



1. La corriente a travs del diodo I
Z

es mnima cuando la corriente de carga I
L
es mxima y
la fuente de tensin V
AA

es mnima.

2. La corriente a travs del diodo I
Z

es mxima cuando la corriente de carga I
L

es mnima y
la fuente de tensin V
AA

es mxima.

Cuando estas caractersticas de los dos extremos se insertan en la ecuacin (3), se encuentra:
Condicin 1:

Ecuacin 4
Condicin 2:

Ecuacin 5
Igualando las ecuaciones de la condicin 1 y 2, llegamos a que:

Ecuacin 6
En un problema prctico, es razonable suponer que se conoce el intervalo de tensiones de
entrada, el intervalo de corriente de salida y el valor de la tensin zener deseada. La ecuacin
(6) representa por tanto una ecuacin con dos incgnitas, las corrientes zener mxima y
mnima. Se encuentra una segunda ecuacin examinando la figura 5. Para evitar la porcin no
constante de la curva caracterstica una regla prctica que constituye un criterio de diseo
aceptable es escoger la mxima corriente zener 10 veces mayor que la mnima, es decir:

Ecuacin 7



Figura 64 Criterio de seleccin de I
Z
mx. e I
Z
mn.
La ecuacin se podr entonces reescribir de la siguiente manera:

Ecuacin 8
Resolviendo entonces para la mxima corriente zener, se obtiene:

Ecuacin 9
Ahora que se tiene la mxima corriente zener, el valor de R se puede calcular de
cualquiera de las ecuaciones (4) (5). No es suficiente con especificar el valor de R,
tambin se debe seleccionar la resistencia apropiada capaz de manejar la potencia
estimada. La mxima potencia vendr dada por el producto de la tensin por la
corriente, utilizando el mximo de cada valor.

Ecuacin 10
1.3.2.2 Transistores
El desarrollo de la electrnica y de sus mltiples aplicaciones fue posible gracias a la invencin del
transistor, ya que este super ampliamente las dificultades que presentaban sus antecesores,
las vlvulas. En efecto, las vlvulas, inventadas a principios del siglo XX, haban sido aplicadas
exitosamente en telefona como amplificadores y posteriormente popularizadas en radios y
televisores. Sin embargo, presentaban inconvenientes que tornaban impracticables algunas de
las aplicaciones.
Los transistores, desarrollados en 1947 por los fsicos W. Shockley, J. Bardeen y W. Brattain,
resolvieron todos estos inconvenientes y abrieron el camino que, junto con otras invenciones
como la de los circuitos integrados potenciaran el desarrollo de las computadoras.
La palabra transistor es el resultado de la unin y contraccin de dos expresiones del
idioma ingls, transference resistor que de alguna forma hacen mencin de las caractersticas
de dicho componente. Su desempeo es fundamentalmente el de una resistencia de transferencia
controlada por voltaje.
1.3.2.2.1 Bipolares
Los transistores estn constituidos por tres partes esenciales; se trata de un arreglo de tres capas
de material semiconductor: dos de un tipo de material a los lados de otra del material
complementario. Existen dos versiones principales de transistores, por el material que los
constituye: N P N, y P N P; cada una de las capas de material con caractersticas muy distintas a
las otra dos. Las diferencias son en dopado, tamao y forma.


Podemos visualizar a los transistores como dispositivos constituidos por dos diodos
encontrados, o pudiramos decir opuestos. Cabe aclarar que un transistor no se puede
sustituir con dos diodos encontrados u opuestos; la razn es que el mejor desempeo de
un transistor se logra cuando la base es muy delgada, y los efectos que se obtienen de esta
manera no se logran con dos diodos encontrados que se comportan en forma
independiente como diodos, y no como lo hace la doble unin del verdadero transistor.
Adems, se descubri que el tamao idneo de los bloques que formen al transistor deben
tener dimensiones muy especiales, cosa que no permite tener el arreglo de dos diodos
independientes, las dimensiones de los bloques emisor y colector son comparablemente ms
gruesos que el de la base, y el colector un poco ms grande que el emisor.

Figura 65 Los Transistores BJT, construccin, smbolo
A partir de este punto nos centramos en el estudio de los transistores bipolares NPN, siendo el
comportamiento de los transistores PNP totalmente anlogo.
El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora ms fuertemente dopada con
donadores de electrones, siendo su ancho intermedio entre el de la base y el colector. Su funcin
es la de emitir electrones a la base. La base es la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente
dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona ms ancha, y se encuentra dopado con
donadores de electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la base.
Condiciones de funcionamiento
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando el diodo B-E se
encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra polarizado en inversa. En esta
situacin gran parte de los electrones que fluyen del emisor a la base consiguen atravesar sta,
debido a su poco grosor y dbil dopado, y llegar al colector.
El transistor posee tres zonas de funcionamiento:


Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es transistor se comporta
como una pequea resistencia. En esta zona un aumento adicionar de la corriente de base no
provoca un aumento de la corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a un interruptor cerrado.
Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente de corriente,
determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos de la corriente de base corresponden
grandes aumentos de la corriente de colector, de forma casi independiente de la tensin entre
emisor y colector. Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente a mantener el circuito
base emisor abierto, en estas circunstancias la corriente de colector es prcticamente nula y por
ello se puede considerar el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.
Los transistores se usan en su zona activa cuando se emplean como amplificadores de seales. Las
zonas de corte y saturacin son tiles en circuitos digitales.
1.3.2.2.2 FET
Los transistores ms conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados as porque la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones pero
tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante
baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la
familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son
unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
Explicacin de la combinacin de portadores.
Puesto que hay una tensin positiva entre el drenador y el surtidor, los electrones fluirn desde el
surtidor al drenador (o viceversa segn la configuracin del mismo), aunque hay que notar que
tambin fluye una corriente despreciable entre el surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el
diodo formado por la unin canal puerta, esta polarizado inversamente.
En el caso de un diodo polarizado en sentido inverso, donde inicialmente los huecos fluyen hacia la
terminal negativa de la batera y los electrones del material N, fluyen hacia el terminal positivo de
la misma. Lo anteriormente dicho se puede aplicar al transistor FET, en donde, cuando se aumenta
VDS aumenta una regin con empobrecimiento de cargas libres.


Figura 66 Estructura del transistor FET
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, as como el
esquema de identificacin de los terminales. Tambin tendremos que conocer una serie de valores
mximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el
dispositivo. El parmetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crtico con la
temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la
temperatura, siendo a veces necesaria la instalacin de un radiador o aleta refrigeradora. Todos
estos valores crticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de caractersticas de los
distintos dispositivos.
Explicacin de sus elementos o terminales.
Un transistor de efecto campo (FET) tpico est formado por una barrita de material p n, llamada
canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material que forma con el
canal una unin p-n.
En los extremos del canal se hacen sendas conexiones hmicas llamadas respectivamente
sumidero (d-drain) y fuente (s-source), ms una conexin llamada puerta (g-gate) en el collar.

Figura 67 croquis de un FET con canal N
Fundamento de transistores de efecto de campo:
Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas
donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla.


Modelo de
transistor
FET canal n

Modelo de
transistor
FET canal p

Tabla 1.2 Modelo del transistor FET canal P y N
Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no
existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud
efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de
puerta).
Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):
ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se
comporta como una resistencia variable dependiente
del valor de VGS. Un parmetro que aporta el
fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo
para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el
transistor amplifica y se comporta como una fuente
de corriente gobernada por VGS.
ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula
(ID=0).
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus
papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo
simtrico).
La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que significa
que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.
Entre las principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIN PRINCIPAL VENTAJA USOS
Aislador o separador Impedancia de entrada alta y de Uso general, equipo de medida,
Figura 68 Zonas de funcionamiento del JFET


(buffer) salida baja receptores
Amplificador de RF Bajo ruido
Sintonizadores de FM, equipo
para comunicaciones
Mezclador
Baja distorsin de
intermodulacin
Receptores de FM y TV, equipos
para comunicaciones
Amplificador con CAG Facilidad para controlar ganancia
Receptores, generadores de
seales
Amplificador cascada Baja capacidad de entrada
Instrumentos de medicin,
equipos de prueba
Troceador Ausencia de deriva
Amplificadores de CC, sistemas
de control de direccin
Resistor variable por
voltaje
Se controla por voltaje
Amplificadores operacionales,
rganos electrnicos, controlas
de tono
Amplificador de baja
frecuencia
Capacidad pequea de
acoplamiento
Audfonos para sordera,
transductores inductivos
Oscilador Mnima variacin de frecuencia
Generadores de frecuencia
patrn, receptores
Circuito MOS digital Pequeo tamao
Integracin en gran escala,
computadores, memorias
Tabla 1.3 Aplicaciones de los transistores FET
1.3.2.2.3 MOSFET
MOSFET son las siglas de Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor. Consiste en un
transistor de efecto de campo basado en la estructura MOS. Es el transistor ms utilizado en la
industria microelectrnica. Prcticamente la totalidad de los procesadores comerciales estn
basados en transistores MOSFET.
Un transistor MOSFET consiste en un sustrato de material semiconductor dopado en el que,
mediante tcnicas de difusin de dopantes, se crean dos islas de tipo opuesto separadas por un
rea sobre la cual se hace crecer una capa de dielctrico culminada por una capa de conductor.
Los transistores MOSFET se dividen en dos tipos fundamentales dependiendo de cmo se haya
realizado el dopaje:
Tipo nMOS: Sustrato de tipo p y difusiones de tipo n.
Tipo pMOS: Sustrato de tipo n y difusiones de tipo p.
Las reas de difusin se denominan fuente (source) y drenador (drain), y el conductor entre ellos
es la puerta (gate).
El transistor MOSFET tiene tres estados de funcionamiento:


Estado de corte: Cuando la tensin de la puerta es idntica a la del sustrato, el MOSFET est en
estado de no conduccin: ninguna corriente fluye entre fuente y drenador. Tambin se llama
MOSFET a los aislados por juntura de dos componentes.
Conduccin lineal: Al polarizarse la puerta con una tensin negativa (pMOS) o positiva (nMOS), se
crea una regin de deplexin en la regin que separa la fuente y el drenador. Si esta tensin crece
lo suficiente, aparecern portadores minoritarios (electrones en pMOS, huecos en nMOS) en la
regin de deplexin que darn lugar a un canal de conduccin. El transistor pasa entonces a
estado de conduccin, de modo que una diferencia de potencial entre fuente y drenador dar
lugar a una corriente. El transistor se comporta como una resistencia controlada por la tensin de
puerta.
Saturacin: Cuando la tensin entre drenador y
fuente supera cierto lmite, el canal de conduccin
bajo la puerta sufre un estrangulamiento en las
cercanas del drenador y desaparece. La corriente
entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es
debido al campo elctrico entre ambos, pero se hace
independiente de la diferencia de potencial entre
ambos terminales.
Figura 69 Smbolo del transistor MOSFET
Las aplicaciones de MOSFET ms comunes son:
La principal aplicacin de los MOSFET est en los circuitos integrados, P-MOS, N-MOS Y
C-MOS, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:
Consumo en modo esttico muy bajo.
Tamao muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
Gran capacidad de integracin debido a su reducido tamao.
Funcionamiento por tensin, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de
los nanos amperios.
Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, con el ahorro de
superficie que conlleva.
La velocidad de conmutacin es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
Cada vez se encuentran ms en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y
baja potencia.
A continuacin, en la figura siguiente se observa un breve resumen de los smbolos de los
transistores existentes hasta la actualidad.

Transistor MOSFET de
empobrecimiento
canal N.

Transistor MOSFET de
empobrecimiento
canal P.


Figura 70 Transistores smbolos: a - bipolar, b - FET, c - MOSFET, d - dual gate MOSFET,

Figura 71 Principales Empaquetamiento de semiconductores


1.3.2.3 Tiristores
Los tiristores son dispositivos especialmente populares en Electrnica de Potencia. Son sin duda
los dispositivos electrnicos que permiten alcanzar potencias ms altas, son dispositivos
realmente robustos. En 1956 se desarrollo el primer Tiristor Bell Telephoned Laboratory.
Inicialmente fue llamado Transistor PNPN (hoy conocido como SCR).
El tiristor es un conmutador biestable, es decir, es el equivalente electrnico de
los interruptores mecnicos; por tanto, es capaz de dejar pasar plenamente o bloquear por
completo el paso de la corriente sin tener nivel intermedio alguno, aunque no son capaces de
soportar grandes sobrecargas de corriente. Este principio bsico puede observarse tambin en
el diodo Shockley.
El diseo del tiristor permite que ste pase rpidamente a encendido al recibir un pulso
momentneo de corriente en su terminal de control, denominada puerta (o en ingls, gate)
cuando hay una tensin positiva entre nodo y ctodo, es decir la tensin en el nodo es mayor
que en el ctodo. Solo puede ser apagado con la interrupcin de la fuente de voltaje, abriendo el
circuito, o bien, haciendo pasar una corriente en sentido inverso por el dispositivo. Si se polariza
inversamente en el tiristor existir una dbil corriente inversa de fugas hasta que se alcance el
punto de tensin inversa mxima, provocndose la destruccin del elemento (por avalancha en la
unin).
Para que el dispositivo pase del estado de bloqueo al estado activo, debe generarse una corriente
de enganche positiva en el nodo, y adems debe haber una pequea corriente en la compuerta
capaz de provocar una ruptura por avalancha en la unin J2 para hacer que el dispositivo
conduzca. Para que el dispositivo siga en el estado activo se debe inducir desde el nodo una
corriente de sostenimiento, mucho menor que la de enganche, sin la cual el dispositivo dejara de
conducir.
A medida que aumenta la corriente de puerta se desplaza el punto de disparo. Se puede controlar
as la tensin necesaria entre nodo y ctodo para la transicin OFF -> ON, usando la corriente de
puerta adecuada (la tensin entre nodo y ctodo dependen directamente de la tensin de puerta
pero solamente para OFF -> ON). Cuanto mayor sea la corriente suministrada al circuito de puerta
IG (intensidad de puerta), tanto menor ser la tensin nodo-ctodo necesaria para que el tiristor
conduzca.
Tambin se puede hacer que el tiristor empiece a conducir si no existe intensidad de puerta y la
tensin nodo-ctodo es mayor que la tensin de bloqueo.
Formas de activar a un tiristor.
Luz: Si un haz de luz incide en las uniones de un tiristor, hasta llegar al mismo silicio, el nmero de
pares electrn-hueco aumentar pudindose activar el tiristor.
Corriente de Compuerta: Para un tiristor polarizado en directa, la inyeccin de una corriente de
compuerta al aplicar un voltaje positivo entre compuerta y ctodo lo activar. Si aumenta esta


corriente de compuerta, disminuir el voltaje de bloqueo directo, revirtiendo en la activacin del
dispositivo.
Trmica: Una temperatura muy alta en el tiristor produce el aumento del nmero de pares
electrn-hueco, por lo que aumentarn las corrientes de fuga, con lo cual al aumentar la diferencia
entre nodo y ctodo, y gracias a la accin regenerativa, esta corriente puede llegar a ser 1, y el
tiristor puede activarse. Este tipo de activacin podra comprender una fuga trmica,
normalmente cuando en un diseo se establece este mtodo como mtodo de activacin, esta
fuga tiende a evitarse.
Alto Voltaje: Si el voltaje directo desde el nodo hacia el ctodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo, se crear una corriente de fuga lo suficientemente grande para que se inicie la
activacin con retroalimentacin. Normalmente este tipo de activacin puede daar el dispositivo,
hasta el punto de la destruccin del mismo.
dv/dt: Si la velocidad en la elevacin del voltaje nodo-ctodo es lo suficientemente alta, entonces
la corriente de las uniones puede ser suficiente para activar el tiristor. Este mtodo tambin puede
daar el dispositivo.
Aplicaciones.
Normalmente son usados en diseos donde hay corrientes o voltajes muy grandes, tambin son
comnmente usados para controlar corriente alterna donde el cambio de polaridad de la corriente
revierte en la conexin o desconexin del dispositivo. Se puede decir que el dispositivo opera de
forma sncrona cuando, una vez que el dispositivo est abierto, comienza a conducir corriente
en fase con el voltaje aplicado sobre la unin ctodo-nodo sin la necesidad de replicacin de la
modulacin de la puerta. En este momento el dispositivo tiende de forma completa al estado de
encendido. No se debe confundir con la operacin simtrica, ya que la salida es unidireccional y va
solamente del ctodo al nodo, por tanto en s misma es asimtrica.
Los tiristores pueden ser usados tambin como elementos de control en controladores accionados
por ngulos de fase, esto es una modulacin por ancho de pulsos para limitar el voltaje en
corriente alterna.
En circuitos digitales tambin se pueden encontrar tiristores como fuente de energa o potencial,
de forma que pueden ser usados como interruptores automticos magneto-trmicos, es decir,
pueden interrumpir un circuito elctrico, abrindolo, cuando la intensidad que circula por l se
excede de un determinado valor. De esta forma se interrumpe la corriente de entrada para evitar
que los componentes en la direccin del flujo de corriente queden daados. El tiristor tambin se
puede usar en conjunto con un diodo Zener enganchado a su puerta, de forma que cuando el
voltaje de energa de la fuente supera el voltaje zener, el tiristor conduce, acortando el voltaje de
entrada proveniente de la fuente a tierra, fundiendo un fusible.
La primera aplicacin a gran escala de los tiristores fue para controlar la tensin de entrada
proveniente de una fuente de tensin, como un enchufe, por ejemplo. A comienzo de los 70 se


usaron los tiristores para estabilizar el flujo de tensin de entrada de los receptores
de televisin en color.
Se suelen usar para controlar la rectificacin en corriente alterna, es decir, para transformar esta
corriente alterna en corriente continua (siendo en este punto los tiristores onduladores o
inversores), para la realizacin de conmutaciones de baja potencia en circuitos electrnicos.
Otras aplicaciones comerciales son en electrodomsticos (iluminacin, calentadores, control de
temperatura, activacin de alarmas, velocidad de ventiladores), herramientas elctricas (para
acciones controladas tales como velocidad de motores, cargadores de bateras), equipos para
exteriores (aspersores de agua, encendido de motores de gas, pantallas electrnicas...)
1.3.2.3.1 SCR
El miembro ms importante de la familia de los tiristores es el tiristor
de tres terminales, conocido tambin como el rectificador controlado
de silicio o SCR. Este dispositivo lo desarroll General Electric en 1958
y lo denomin SCR. El nombre de tiristor lo adopt posteriormente la
Comisin Electrotcnica Internacional (CEI). En la figura siguiente se
muestra el smbolo de un tiristor de tres terminales o SCR.
Tal como su nombre lo sugiere, el SCR es un rectificador controlado o diodo. Su caracterstica
voltaje-corriente, con la compuerta de entrada en circuito abierto, es la misma que la del diodo
PNPN. Lo que hace al SCR especialmente til para el control de motores en sus aplicaciones es que
el voltaje de ruptura o de encendido puede ajustarse por medio de una corriente que fluye hacia
su compuerta de entrada. Cuanto mayor sea la corriente de la compuerta, tanto menor se vuelve
VBO. Si se escoge un SCR de tal manera que su voltaje de ruptura, sin seal de compuerta, sea
mayor que el mayor voltaje en el circuito, entonces, solamente puede activarse mediante la
aplicacin de una corriente a la compuerta. Una vez activado, el dispositivo permanece as hasta
que su corriente caiga por debajo de IH. Adems, una vez que se dispare el SCR, su corriente de
compuerta puede retirarse, sin que afecte su estado activo. En este estado, la cada de voltaje
directo a travs del SCR es cerca de 1.2 a 1.5 veces mayor que la cada de voltaje a travs de un
diodo directo-oblicuo comn.

Figura 73 Estructura interna y curva caracterstica del SCR
Figura 72 Smbolo del SCR.


Los tiristores de tres terminales o SCR son, sin lugar a dudas, los dispositivos de uso ms comn en
los circuitos de control de potencia. Se utilizan ampliamente para cambiar o rectificar aplicaciones
y actualmente se encuentran en clasificaciones que van desde unos pocos amperios hasta un
mximo de 3,000 A.
Un SCR.
1. Se activa cuando el voltaje V
D
que lo alimenta excede V
BO

2. Tiene un voltaje de ruptura V
BO
, cuyo nivel se controla por la cantidad de corriente i
G
, presente
en el SCR
3. Se desactiva cuando la corriente i
D
que fluye por l cae por debajo de I
H

4. Detiene todo flujo de corriente en direccin inversa, hasta que se supere el voltaje mximo
inverso.

Figura 74 control de fase usando un SCR
1.3.2.3.2 SCS
Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de
puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS (Silicon Controlled Switch) se suele
utilizar en rangos de potencia menores que el SCR.

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse
ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que
presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y
corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.
En ella se observa que mantiene la estructura de un tiristor convencional, al que se ha aadido una
puerta adicional conectada a P
2
. Su funcionamiento es muy similar al de un tiristor convencional,
pero con las siguientes diferencias:


Permite su disparo mediante un impulso de corriente negativa (saliente) en el terminal de
puerta G
2
.
Permite su bloqueo (apagado) mediante un impulso de corriente de puerta positiva
(entrante) en G
2
.
En lo referente a la sensibilidad de disparo, sta es mucho mayor en la puerta de ctodo (G
1
) que
en la de nodo (G
2
). As, el disparo por la puerta de ctodo requiere una corriente del orden de
2 mA, en tanto que la de nodo necesita 2 mA. El disparo por la puerta de nodo se produce por
un fenmeno simtrico al disparo por la puerta de ctodo, en la que los papeles de electrones y
huecos se han intercambiado. As, el disparo por G1inyecta huecos y el disparo por G
2
inyectan
electrones.
El bloqueo por impulso positivo en G
2
se basa en la polarizacin inversa a que queda sometida la
unin P
1
N
1
, que deja automticamente de conducir. Tambin es posible el bloqueo por impulso
negativo en G
1
, pero se necesita una resistencia exterior que limite la intensidad de nodo a un
valor adecuado. La intensidad de nodo mxima es estos semiconductores no suele pasar de 1 A.

Figura 75 Estructura, smbolo y curva caracterstica de un SCS.
1.3.2.3.3 DIAC
Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales
que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.
La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del DIAC, que funciona como
un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer
disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento I
H
. Las partes izquierda y
derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.
Podemos decir que es un interruptor que se cierra por tensin (Tensin de ruptura) y permanece
cerrado hasta que la corriente por el pase por cero (corriente de mantenimiento).


1.3.2.3.4 TRIAC
Es un dispositivo que se comporta como dos SCR conectados en contraposicin, con una
compuerta de paso comn; puede ir en cualquier direccin desde el momento en que el voltaje de
ruptura se sobrepasa. El smbolo del TRIAC se ilustra en la figura siguiente. El voltaje de ruptura en
un TRIAC disminuye si se aumenta la corriente de compuerta, en la misma forma que lo hace en
un SCR, con la diferencia que un TRIAC responde tanto a los impulsos positivos como a los
negativos de su compuerta. Una vez encendido, un TRIAC permanece as hasta que su corriente
cae por debajo de I
H
.

Figura 77 Smbolo, estructura y curva caracterstica del TRIAC
A continuacin en la figura siguiente se observa una aplicacin como control de fase con un TRIAC,
los TRIAC, se pueden disparar tanto con corrientes positivas y negativas.
Figura 76 Construccin bsica y smbolo del DIAC


Figura 78 Control de fase con un TRIAC
La diferencia del control de fase por SCR, era en que por SCR solamente se poda controlar un
ngulo de disparo menor a 90
o
y en el caso del TRIAC, se puede realizar el control de tanto el
semiciclo positivo como el negativo. El ngulo de disparo es controlado por la corriente de gate
que se est suministrando.

Figura 79 control de un TRIAC usando a un DIAC
En el control del TRIAC por el DIAC, la diferencia consiste en que el DIAC es un interruptor por
diferencia de voltaje, el DIAC ms utilizado es el DB3, el cual cuando exista una diferencia de
voltaje alrededor de los 30V, entonces se disparara el TRIAC. Logrando as utilizar altos voltajes o
los voltajes suministrados de 120 VAC.

A continuacin se muestra una tabla en la cual se encuentra la mayora de los tiristores, en la que
se relacionan el tipo si es unidireccional o bidireccional, el numero de terminales, su nombre
oficial, su smbolo, su estructura interna, la forma en que se dispara, los valores mximos
disponibles, principales aplicaciones, su curva caracterstica corriente tensin, y su circuito
equivalente.



Tipo
No.
termi
nales
Nombre
oficial
Nombre
comn
Sm-
bolo
Estruct
ura
interna
Disparo
principal
mediante
Valores
mximos
disponibles
Principales
caractersticas
Caracterstica
corriente-
tensin.
Circuito
equivalente
U
n
i
d
i
r
e
c
c
i
o
n
a
l

2

(
d
i
o
d
o
)

Tiristor
diodo de
bloqueo
inverso
Diodo de
cuatro capas
Shockley

Tensin
mas alta
que la de
ruptura del
nodo
400v
Disparador SCR
circuitos de
temporizacin
generadores de
impulso

300 A pico
de impulso
3

(
t
r
o
d
o
)

Tiristor
trodo de
bloqueo
inverso
Rectificador
controlado
de silicio
(SCR)

Seal de
puerta
1800V
Conversin de
potencia sustituyendo
a dispositivos
electromecnicos de
control de velocidad
de motor, control de
fase de conmutacin.

550 A
media
__
SCR con
puerta
amplificador
a

Seal de
puerta
1200V
Inversores y
troceadores

110A
Tiristor
trodo de
bloqueo
inverso
SCR activado
por luz
LASCR

Seal de
puerta y/o
radiacin
200V
Monitores de
posicin.
Interruptores
estticos.
Interruptores de
lmite. Circuitos
disparadores.
Controles
fotoelctricos.

1 A
medio
Tiristor
de desco-
nexin.
Conmutador
con control
de puerta
(CGS)

La seal de
puerta
conmutada
GCS tanto
en corte
como en la
conduccin
500V Conmutadores de CC.
Inversores,
troceadores circuitos
lgicos.
Igual al SCR

10A
__
Conmutador
unilateral de
silicio (SUS)

Tensin
ms alta
que la de
ruptura o
seal de
puerta
10V
Circuitos de
temporizacin,
disparadores, detector
de umbral.

0.2A
4

(
t
e
t
r
o
d
o
)
Tiristor
tetrodo
de
bloqueo
inverso
Conmutador
controlado
de silicio
(SCS)

Seal de
puerta en
cualquiera
de ellas
200V
Excitadores de
lmparas, circuitos
lgicos, contadores,
circuitos de deteccin,
alarma
Igual al SCR

1 A
medio
B
i
d
i
r
e
c
c
i
o
n
a
l

2

(
D
I
O
D
O
)

Tiristor
diodo
bidireccio
nal
DIAC

Tensin
ms alta
que la de
ruptura en
cualquier
direccin
400V Proteccin de
sobretensin en
disparo de TRIAC,
control de fase en CA

60A
eficaces
3

(
t
r
i
o
d
o
)

Tiristor
trodo
bidireccio
nal
TRIAC

Seal de
puerta
1000V
Conmutacin y control
de fase de suministro
de C.A. de 60Hz tal
como en motores y
calefactores de C.A.

200A
eficaces
4

(
t
e
t
r
o
d
o
)

__
Conmutador
bilateral de
Silicio (SBS)

Dos
estructu-
ras SUS
en
antipara-
lelo
Tensin
ms alta
que la de
ruptura en
cualquier
direccin o
seal de
puerta.
10V
Detector de umbral,
disparador de TRIAC.

0.2 A



1.3.3 Tcnicas de diseo con semiconductores
Las tcnicas de diseo de los semiconductores se abordaron en la seccin del diseo de los
materiales N y P,
1.3.4 Aplicaciones con semiconductores
A partir de la dcada de 1950, los dispositivos semiconductores conocidos tambin como
dispositivos de estado slido remplazaron los tubos electrnicos de la industria tradicional. Por la
enorme reduccin de tamao, consumo de energa y costo, acompaada de una mucha mayor
durabilidad y confiabilidad, los dispositivos semiconductores significaron un cambio revolucionario
en las telecomunicaciones, la computacin, el almacenamiento de informacin, etc.
Desde el punto de vista de su forma de operacin, el dispositivo semiconductor ms simple y
fundamental es el diodo; todos los dems dispositivos pueden entenderse en base a su
funcionamiento.
Las aplicaciones de los semiconductores son bastas, en la siguiente tabla se muestra algunas de
las aplicaciones que se pueden construir con ellos.
dispositivos Aplicaciones
Diodo
Conversin de la corriente alterna en continua, proceso que se llama rectificacin.
Las clulas solares, que convierten la energa luminosa en energa elctrica.
Emisores de luz (LEDs) que se utilizan corrientemente en las pantallas de relojes
digitales y calculadoras.
Regulador de voltaje y corriente.
Compuertas lgicas AND, OR, NOT.
Opto acopladores.
Transistores
Amplificadores de corriente
Interruptores. Se suele utilizar en unidades de procesamiento central de
computadoras por su rpida respuesta a la conmutacin.
Compuertas lgicas AND, OR, NOT.
FET. Utilizados frecuentemente para almacenar informacin en la memoria de los
ordenadores.
Otros
Termistores: se basan en la propiedad de que la conductividad depende de la
temperatura para medir dicha temperatura. Tambin se usan en otros
dispositivos, como en alarmas contra incendio.
Transductores de presin: al aplicar presin a un semiconductor, los tomos son
forzados a acercarse, el gap de energa se estrecha y la conductividad aumenta.
Midiendo la conductividad, se puede conocer la presin.
1.3.4.1 Rectificadores
Uno de los usos ms importantes de estos diodos de unin p-n es convertir corriente alterna en
corriente continua, lo que se conoce como rectificacin. Dependiendo de las caractersticas de la
alimentacin en corriente alterna que emplean, se les clasifica en monofsicos, cuando estn
alimentados por una fase de la red elctrica, o trifsicos cuando se alimentan por tres fases.


Atendiendo al tipo de rectificacin, pueden ser de media onda, cuando slo se utiliza uno de los
semiciclos de la corriente, o de onda completa, donde ambos semiciclos son aprovechados.
Rectificador de media onda
El tipo ms bsico de rectificador es el rectificador monofsico de media onda, constituido por un
nico diodo entre la fuente de alimentacin alterna y la carga.

Figura 80 Circuito rectificador de media onda y sus formas de onda
Rectificador de onda completa.
Un rectificador de onda completa convierte la totalidad de la forma de onda de entrada en una
polaridad constante (positiva o negativa) en la salida, mediante la inversin de las porciones
(semiciclos) negativas (o positivas) de la forma de onda de entrada. Las porciones positivas (o
negativas) se combinan con las inversas de las negativas (positivas) para producir una forma de
onda parcialmente positiva (negativa).
Rectificador de onda completa mediante dos diodos con transformador de punto medio

Figura 81 Circuito rectificador de doble onda, seal de entrada, circuito y salida de la seal
El transformador convierte la tensin alterna de entrada en otra tensin alterna del valor deseado,
esta tensin es rectificada durante el primer semiciclo por el diodo D1 y durante el segundo
semiciclo por el diodo D2, de forma que a la carga R le llega una tensin continua pulsante muy
impura ya que no est filtrada ni estabilizada. En este circuito tomamos el valor de potencial 0
tierra en la toma intermedia del transformador.
Rectificador de onda completa tipo puente.
El circuito conocido como rectificador en puente de Winstone, no requiere de transformador con
derivacin central. Sin embargo en este se hacen necesario 4 diodos en comparacin con los dos
del rectificador de onda completa.


El circuito rectificador en puente opera as: Durante los semiciclos positivos del voltaje de entrada
vs la corriente es conducida a travs del diodo D1, el resistor R y el diodo D2 (por ser positivo).
Entre tanto los diodos D3 y D4 estn polarizados inversamente.
Consideremos la situacin durante los ciclos negativos del voltaje de entrada. El voltaje secundario
vs ser negativo y entonces -vs ser positivo, forzando la corriente a circular por D3, R y D4; entre
tanto los diodos D1 y D2 estarn polarizados inversamente. Cabe anotar que durante los dos ciclos
la corriente circula por R en la misma direccin y por tanto v0 siempre ser positivo.
Este circuito posee una deficiencia que es la generacin de una tierra virtual de vida a la conexin
que posee adems sabemos que este circuito decremento el valor de la salida no en solo 0.7
voltios, debido a la conexin que posee en serie este circuito.
Si una de las terminales de la fuente se aterriza, ninguna de las terminales del resistor de carga se
puede aterrizar; de lo contrario provocara un lazo de tierra, que eliminara uno de los diodos. Por
tanto es necesario introducir un transformador a este circuito para aislar entre s las dos tierras. En
la figura siguiente podemos ver un rectificador de onda completa en puente:

Figura 82 Circuito rectificador de onda completa
Durante el semiciclo positivo de la tensin de la red, los diodos D1 y
D3 conducen, esto da lugar a un semiciclo positivo en la resistencia de
carga.
Los diodos D2 y D4 conducen durante el semiciclo negativo, lo que
produce otro semiciclo positivo en la resistencia de carga.
El resultado es una seal de onda completa en la resistencia de
carga.
Hemos obtenido la misma onda de salida VL que en el caso anterior.
La diferencia ms importante es que la tensin inversa que tienen
que soportar los diodos es la mitad de la que tienen que soportar los
diodos en un rectificador de onda completa con 2 diodos, con lo que
se reduce el coste del circuito.
Mediante el uso de 4 diodos en vez de 2, este diseo elimina la necesidad de la conexin
intermedia del secundario del transformador. La ventaja de no usar dicha conexin es que la
tensin en la carga rectificada es el doble que la que se obtendra con el rectificador de onda
completa con 2 diodos.


1.3.4.2 Amplificadores
El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una
cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregar por otra (emisor) , una cantidad
mayor a sta, en un factor que se llama amplificacin. Este factor se llama (beta) y es un dato
propio de cada transistor. Entonces:

- I
c
(corriente que pasa por el colector) es igual a (factor de amplificacin) por I
B
(corriente
que pasa por la base).
- I
E
(corriente que pasa por el emisor) es del mismo valor que I
C
, slo que, la corriente en un
caso entra al transistor y en el otro caso sale de l, o viceversa.
Segn la frmula anterior las corrientes no dependen del voltaje que alimenta el circuito (Vcc),
pero en la realidad si lo hace y la corriente I
B
cambia ligeramente cuando se cambia Vcc. Ver figura
a), En el segundo grfico las corrientes de base (I
B
) son ejemplos para poder entender que a ms
corriente la curva es ms alta.

Figura 83 a) relacin IC, IB y VCE. b) regiones del transistor.
1.3.4.3 Conmutadores
Cuando un transistor se utiliza como interruptor o switch, la corriente de base debe tener un valor
para lograr que el transistor entre en corte y otro para que entre en saturacin
Un transistor en corte tiene una corriente de colector (Ic) mnima (prcticamente igual a cero) y un
voltaje colector emisor VCE) mximo (casi igual al voltaje de alimentacin). Ver la zona verde en la
figura anterior.
Un transistor en saturacin tiene una corriente de colector (Ic) mxima y un voltaje
colector emisor (VCE) casi nulo (cero voltios). Ver zona en azul en el grfico
Para lograr que el transistor entre en corte, el valor de la corriente de base debe ser bajo o mejor
an, cero.
Para lograr que el transistor entre en saturacin, el valor de la corriente de base debe calcularse
dependiendo de la carga que se est operando entre encendido y apagado (funcionamiento
de interruptor)


Si se conoce cul es la corriente que necesita la carga para activarse,
se tiene el valor de corriente que habr de conducir
el transistor cuando este en saturacin y con el valor de la fuente de
alimentacin del circuito, se puede obtener la recta de carga. Ver
grfico
Esta recta de carga confirma que para que el transistor funcione en
saturacin, Ic debe ser mximo y VCE mnimo y para que est
en corte, Ic debe ser el mnimo y VCE el mximo.
1.3.4.4 Fuentes de voltaje
Todo dispositivo que crea una diferencia de potencial se conoce como una fuente de voltaje.
Las celdas o pilas secas, las pilas hmedas y los generadores son capaces de mantener un flujo
constante. En las pilas secas y en las hmedas la energa que se desprende de una reaccin
qumica que se lleva a cabo dentro de la pila se transforma en energa elctrica. Los generadores
por su parte convierten energa mecnica en energa elctrica. La energa potencial elctrica, sea
cual sea el mtodo empleado en su produccin, est disponible en las terminales de la pila o
generador. La energa potencial por coulomb de carga disponible para los electrones que se
desplazan entre las terminales es el voltaje (llamado a veces fuerza electromotriz, o fem). El
voltaje proporciona la presin elctrica necesaria para desplazar los electrones entre las
terminales de un circuito.
Una fuente de voltaje es cualquier dispositivo o sistema que produce una fuerza electromotriz
entre sus terminales o deriva un voltaje secundario fuente primaria de la fuerza electromotriz. Una
fuente primaria del voltaje puede proveer energa a un circuito mientras que una
fuente secundaria del voltaje disipa energa de un circuito.
Un ejemplo de una fuente primaria es un campo comn batera mientras que un ejemplo de una
fuente secundaria es a regulador de voltaje. En teora elctrica del circuito, una
fuente del voltaje es dual de a fuente actual.
Fuentes ideales del voltaje
FUENTES INDEPENDIENTES Sus caractersticas no dependen de ninguna otra variable de red,
aunque pueden variar con el tiempo Existe solamente en modelos
matemticos de circuitos.
Fuente de tensin o voltaje. Aquella en la que el valor de su voltaje es independiente del
valor o direccin de la corriente que lo atraviesa. Impone el voltaje en sus bornes, pero la
corriente que lo atraviesa estar impuesta por la red o circuito al que est conectado.
Anular un generador de voltaje ideal es sustituirlo por un cortocircuito, o bien, la
resistencia interna de un generador ideal de voltaje es nula.
Fuente de corriente Son aquellas en las que el valor y la direccin de la corriente que
circula a travs de ella es independiente del valor y polaridad del voltaje en sus terminales.
Impone la corriente de rama, pero el voltaje en sus bornes estar impuesto por la red a la
Figura 84 Recta de carga del
transistor como interruptor o
conmutador


que est conectado. Anular un generador de corriente ideal es sustituirlo por un circuito
abierto; su resistencia interna es infinita (conductancia nula).
FUENTES DEPENDIENTES O CONTROLADAS Cuando el voltaje a travs de una fuente ideal
del voltaje es determinado por otro voltaje o corriente en un circuito, se llama dependiente o
fuente controlada del voltaje.
Se pueden construir fuentes de voltaje variables, a partir de los denominados reguladores de
voltaje, algunos de ellos se encuentran para voltajes de 5V, 9V, 12V, 15V, hasta 27V, tanto con
valores positivos que serian 78XX y valores negativos con 79XX, donde la XX representa el voltaje
que entregaran a la salida regulada. Un ejemplo seria el 7805, que es un regulador de +5V y 7912
sera un regulador de -12V.
1.4 Amplificadores operacionales
El Amplificador Operacional como CI, introducido por el fabricante Fairchild en 1968 (A741), se
convirti en el estndar de la industria.
El Amplificador Operacional es un amplificador de voltaje con ganancia de voltaje
extremadamente alta. Mientras ms elevada sea la ganancia, es mejor, ya que un Amp. Op. Ideal
tendra una ganancia infinitamente grande.
AO-741, ganancia tpica 200x103 (200 V/mV)
AO-77, ganancia tpica 12x106 (12 V/V)
La figura muestra el smbolo y el circuito equivalente del Amplificador Operacional. Los
parmetros de Lazo Abierto estn dados como:
rd: resistencia diferencial de entrada.
a: ganancia de voltaje, sin carga.
ro: resistencia de salida.
Para el AO-741, rd= 2 M , ro= 75 , a= 200 V/mV.
Se tiene un voltaje diferencial de entrada, expresado como:

El Amp. Op. slo responde a la diferencia entre sus voltajes de entrada, no a los valores
individuales en sus terminales Inversor () y No Inversor (+). En consecuencia, los AO se llaman
amplificadores de diferencia. As, la ganancia sin carga est dado como:

Figura 85 smbolo y circuito equivalente


Un amplificador de voltaje ideal, presenta las siguientes condiciones:
Ganancia de Lazo Abierto infinita, a .
(note que, cuando a, se obtiene v
D
v
o
/0, pero en forma tal que el producto av
D
es diferente de cero e igual a v
o
).
Resistencia diferencial, rd = .
Resistencia de salida, ro = 0.
Corrientes por las entrada Inversora y No Inversora, i
P
= i
N
= 0.
El Modelo ideal del Amplificador Operacional, aunque sea un
concepto, permite obtener resultados muy cercanos y en
concordancia con respecto a un Amplificador Operacional Real, lo
que a su vez permite centrarse slo en el papel del Amplificador
Operacional, simplificando el anlisis en una primera etapa y luego
incorporar las caracterstica no ideales de un modelo ms realista.

Figura 87 Smbolos y encapsulados del amplificador operacional
Las alimentaciones de un amplificador suelen ser iguales en magnitud y tienen como valores
tpicos +/-5V, +/-9V, +/-12V, +/-15V, +/-18V, +/-22V. La salida puede tener valores mximos algo
inferiores que las tensiones de alimentacin. Por tanto se elegir la alimentacin en funcin de las
disponibilidades y de los niveles de seal necesarios en la salida del amplificador operacional.

Los Operacionales se suelen utilizar con realimentacin ya que esto hace que podamos controlar
su ganancia. Como veremos la ganancia en lazo cerrado no dependa nada ms que del circuito
Figura 86 Modelo ideal del
OPAM


externo aplicado. Segn como sea este circuito tendremos varias configuraciones de amplificador.
Estas configuraciones las estaremos analizando a continuacin.
1.4.1 Configuraciones
Existen diferentes configuraciones que se pueden realizar con los amplificadores operacionales, las
configuraciones ms bsicas son dos, que a partir de ellas surgen configuraciones ms complejas,
estas son el amplificador inversor y el no inversor, que a continuacin se analizaran.

Amplificador no inversor.

Figura 88 Amplificador no inversor
Por inspeccin, el voltaje en el terminal No Inversor, V
P
, es igual a la tensin de entrada V
I
. As:

El voltaje en el terminal Inversor, V
N
, aplicando divisor de tensin, es:

El voltaje en el terminal Inversor, V
N
, representa una fraccin de V
O
. En consecuencia, la funcin de
la malla resistiva es crear retroalimentacin negativa alrededor del Amplificador Operacional.
Sustituyendo V
N
y V
P
, en la ecuacin
, se obtiene:
)
Simplificando trminos y despejando la relacin V
o
/ V
I
, que se designa como AV, ganancia de
tensin del circuito con AO, se tiene:
)
(



Note que AV, la ganancia de tensin del circuito con amplificador operacional ganancia de lazo
cerrado, es diferente a la ganancia a del amplificador operacional bsico ganancia de lazo
abierto. Esto es as, aunque comparten la misma salida V
O
, tienen entradas diferentes, V
I
y V
D
,
respectivamente.
Observe que si a ,
) idealmente.
De esta forma, la ganancia de lazo cerrado, AV, se vuelve independiente de la ganancia de lazo
abierto, a, y su valor lo establece de manera exclusiva la razn de las resistencias externas, R
2
/R
1
.

El amplificador No Inversor debe presentar una resistencia de entrada,
, y una resistencia de
salida,
. Estas resistencias se denominan de lazo cerrado. Para el modelo simplificado del

circuito equivalente del amplificador No Inversor ideal, puede establecerse que,
, debido a
que la terminal de entrada no inversora aparece como un circuito abierto, y
porque la
salida proviene directamente de la fuente
.

Figura 89 Amplificador no inversor, circuito equivalente
Ejercicios de diseo de un amplificador no inversor.
1. Para un circuito amplificador No Inversor, sean V
I
= 1V, R
1
= 2K , y R
2
= 18K . Encuentre el
voltaje de salida V
O
, si:
) (
)

2. Proponga y dibuje un circuito amplificador No Inversor ideal, con una ganancia AV de:
a) AV = 2
b) AV = 13
c) ganancia variable entre 1 < A
V
< 11.

3. Para un amplificador No Inversor ideal, si R1=50K, R2= 200K, con una seal de entrada
sinusoidal de V
I
= 2 V pico y f = 1KHz (simule en Multisim), obtenga:
a) Cul es el valor pico del voltaje de salida del circuito?
b) Dibuje el circuito y las seales de entrada y salida en fase correcta.

a) a = 100
b) a = 10,000
c) a = 1, 000,000


El amplificador inversor.
Observando el circuito equivalente de la figura, el voltaje en el terminal No Inversor, v
P
, es
igual a cero. v
P
= 0. Aplicando Superposicin, se obtiene el voltaje en el terminal Inversor, v
N
,:

Figura 90 Amplificador Inversor
Sustituyendo v
N
y v
P
, en la ecuacin v
o
= a(v
P
- v
N
) , se obtiene:

)

Nuevamente, la red resistiva proporciona retroalimentacin negativa alrededor del Amplificador
Operacional. Simplificando trminos y despejando la relacin A
V
= v
o
/v
I
, la ganancia de tensin de
lazo cerrado, del circuito con AO, se tiene:

) (
)
Note que si la ganancia de lazo abierto, a , A
V
= (R
2
/R
1
) , idealmente. Es decir, la ganancia de
lazo cerrado, A
V
, se vuelve independiente de la ganancia de lazo abierto, a, y su valor lo establece
de manera exclusiva la razn de las resistencias externas, R
2
/R
1
.
La Ganancia A
V
es negativa, lo que indica que la polaridad de v
o
ser opuesta a la de v
I
. (Cambio de
fase de 180).
Para el modelo simplificado del circuito equivalente del amplificador Inversor ideal, la resistencia
de entrada, R
i
= R
1
, dado el cortocircuito virtual entre los terminales de entrada Inversor y No
Inversor. Luego, la resistencia de salida, R
o
= 0 ya que la salida proviene directamente de la fuente
dependiente a v
D
.


Figura 91 "corto circuito" en los amplificadores operacionales.
Cuando se opera el amplificador Operacional con retroalimentacin negativa, en el lmite de la
ganancia de lazo abierto, a , el valor de su voltaje diferencia v
D
= v
o
/a se aproxima a cero,
haciendo que v
N
se aproxime a v
P
. (v
N
= v
P
v
D
= v
P
v
o
/a).
Esta propiedad hace que las terminales de entrada aparezcan como si hubieran hecho corto
juntas, aunque en realidad no lo hicieron. Tambin, se sabe que un Amp. OP. Ideal no establece
corriente en sus terminales de entrada, por lo que este aparente corto no conduce corriente.
As, para propsitos de voltaje, el puerto de entrada aparece como un cortocircuito, pero para
propsitos de corriente aparece como un circuito abierto. De aqu la denominacin cortocircuito
virtual.

Ejercicios con el amplificador inversor.
a) Proponga y dibuje un circuito amplificador Inversor ideal, con una ganancia AV de:
a) AV = 2
b) AV = 10
c) Ganancia variable entre 1 > A
V
> 10.

1.4.1.1 Seguidor unitario
Si se hace R
1
= y R
2
= 0, en el amplificador No Inversor, se convierte en el amplificador de
ganancia unitaria, o seguidor de voltaje. Su principal aplicacin es como acople de Impedancia,
puesto que en la entrada se presenta como un circuito abierto y en la salida se ve un cortocircuito
hacia una fuente de valor v
o
= v
I
.

Figura 92 Smbolo y estructura interna del seguidor de voltaje


El voltaje en el terminal No Inversor es igual al voltaje de la fuente de entrada, v
P
= v
I
. Adems,
voltaje en el terminal Inversor es igual al voltaje de salida, v
N
= v
o
. Sustituyendo v
N
y v
P
, en la
ecuacin v
o
= a (v
P
- v
N
), se obtiene:

Despejando para obtener la relacin v
o
/v
I
.

Los parmetros de lazo cerrado son: A
V
=1, R
i
= y R
o
= 0.
1.4.1.2 Comparador
En un circuito electrnico, se llama comparador a un amplificador
operacional en lazo abierto (sin realimentacin entre su salida y su
entrada) y suele usarse para comparar una tensin variable con
otra tensin fija que se utiliza como referencia.

Figura 94 Comparador polarizado

El comparador estar alimentado por dos fuentes de corriente continua (+Vcc, -Vcc). El
comparador hace que, si la tensin en la entrada no inversora (+) es mayor que la tensin
conectada entrada inversora (-) la salida ser igual a +Vcc. En caso contrario, la salida tendr una
tensin -Vcc.
La tensin de las entradas no puede salirse del rango fijado por la alimentacin y la tensin de la
salida no puede superar la tensin de alimentacin positiva ni bajar por debajo de la de
alimentacin negativa.
Figura 93 Comparador


Sin embargo existen seales que no son tan suaves, es decir que tienen ruido tal es el caso de la
capturada por un micrfono, al intentar comparar esta seal, lo que podra pasar es que se
presentaran ciertos rebotes, es decir, fluctuaciones entre +v
cc
y v
cc
. Tal y como se observan en la
siguiente figura.

Para evitar tener estos rebotes, se construye un comparador por histresis que la diferencia
consiste en que este cuenta con una retroalimentacin positiva, para evitar este tipo de rebotes.
Cabe mencionar que el valor de la resistencia R
2
debe ser mucho menor que R
1
. (R
2
<< R
1
).



1.4.1.3 Sumador
El Amplificador Sumador puede tener varias Entradas y una Salida.

Figura 95 El OPAM como Sumador
Se observa que con el concepto de tierra virtual las corrientes de entrada son proporcionales en
forma lineal a las fuentes de voltajes correspondientes. Se impide que las fuentes interacten
entre s, mostrando un comportamiento independiente. Para obtener la relacin entre la Salida y
las Entradas, la corriente total que entra al nodo de la tierra virtual es igual a la que sale del nodo.

Despejando v
0
, se obtiene que la salida es la suma ponderada de las entradas:
)



Si R
1
= R
2
= R
3
, entonces:

Si todas las resistencias son iguales, el circuito produce la suma (invertida) de sus entradas:

Como la salida viene directamente de la fuente dependiente dentro del Amp. Op., se tiene que:
R
0
= 0. Luego, debido a la tierra virtual la resistencia de entrada,
R
ik
(k= 1, 2, 3) vista por la fuente v
k
es igual a la resistencia correspondiente R
k
.

Ejercicios de Sumador
a) Proponga un circuito, utilizando un amplificador sumador, que cumpla con la siguiente
relacin:
.

Si todas las seales de entrada son Sinusoidales de la misma frecuencia, con amplitudes
mximas de v
1
= 100mV, v
2
= 150mV y v
3
= 200mV, dibuje en fase correcta las seales de
entrada y salida. (simule).

b) Proponga un circuito, utilizando un amplificador sumador, que cumpla con la siguiente
relacin:

Donde:
o El voltaje DC debe tomarse de la fuente de alimentacin V
cc
= 15V.
o No debe utilizar fuentes adicionales.
o Nivel de voltaje (offset) de DC: 5V
o V
I
: pequea seal de funcin sinusoidal.

c) Para un circuito amplificador sumador, de dos entradas con todas las resistencias del
mismo valor, dibuje en fase correcta las seales de entrada y salida para cada uno de los
siguientes casos: (simule).

a) v
1
: voltaje pico 1V, frecuencia 20 Hz. v
2
: voltaje pico 1V, frecuencia 30 Hz

b) v
1
: voltaje pico 2V, frecuencia 20 Hz. v
2
: voltaje pico 1V, frecuencia 2 KHz.



1.4.1.4 Restador
El Amplificador de Diferencias tiene Dos entradas y una Salida. Es posible encontrar el voltaje de
salida, v
o
, por medio del principio de Superposicin como:

v
o1
: voltaje de salida, v
o
, debido a la
fuente v
1
con v
2
igual a cero.
v
o2
: voltaje de salida, v
o
, debido a la
fuente v
2
con v
1
igual a cero.

Si se hace: v
2
= 0, v
P
= 0

Se obtiene un circuito que acta como un amplificador Inversor con respecto a v
1
. Por tanto:
Resistencia de entrada vista por la fuente v

1
.
Al hacer:

Se logra que el circuito acte como un amplificador No Inversor con respecto a v
P
. Por tanto:
) (
Resistencia de entrada vista por la fuente v

2
.
Ordenando trminos para obtener, v
o
, la salida se presenta como una combinacin lineal de las
entradas:

Si los pares de resistencias R
3
/R
4
= R
1
/R
2
, tienen razones iguales, entonces el voltaje de salida, v
o

se simplifica como:

Ejercicio del amplificador de diferencia o restador.
Proponga un circuito tal que cumpla con la siguiente relacin:

Con: R
i 1
= R
i 2
= 100K.

Figura 96 Restador o substractor


1.4.1.5 Diferenciador
En la salida (V
0
) se obtiene la derivada de la seal de entrada (v
i
), respecto al tiempo, multiplicada
por una constante. El circuito se basa en un inversor, en el que R
1
se ha sustituido por un
condensador. La relacin entrada-salida del circuito diferenciador se obtiene haciendo i
C
= i
R
, as:

El circuito produce una salida que es proporcional a la derivada del tiempo de la entrada. La
constante de proporcionalidad est dada por R y C.

Figura 97 Diferenciador
1.4.1.6 Integrador
La salida es el producto de una constante por la integral de la seal de entrada. La relacin
entrada-salida del circuito Integrador se obtiene haciendo i
R
= i
C
, as:

1.4.1.7 Amplificador logartmico.
Su salida es no lineal, es proporcional al logaritmo neperiano de la seal de entrada. Se basa en la
relacin exponencial existente entre la corriente y la tensin en una unin PN

Figura 99 Amplificador logartmico con diodo rectificador y transistor
Figura 98 Integrador


Relacin exponencial:

)
I
0
: corriente inversa de saturacin.
V
T
: K T/q [K: constante de Boltzman (1.38 x 10
-23
J/K), T: temperatura absoluta en grados Kelvin,
Q : carga del electrn (1.602 x10
-19
C).
V : Cada de tensin entre nodo y ctodo.

Tomando logaritmo neperiano.
(

Si I = V
i
/ R
)

En cuanto al circuito utilizando un transistor

)
La ventaja de utilizar un transistor es su propiedad amplificadora.
Para conseguir el amplificador antilogaritmo se intercambian el diodo por la resistencia y
viceversa.

Figura 100 Anti logartmico
)



1.4.1.8 Multiplicador
Para poder construir un multiplicador hay que basarse en las propiedades de los logaritmos.

[ ]

Figura 101 Multiplicador
1.4.1.9 Divisor
(
)
* (
)+

Figura 102 Divisor



1.4.2 Aplicaciones
Las aplicaciones que pueden tener los amplificadores operacionales son bastas, como ya se
analizo en sus configuraciones, a dems de estas, se pueden construir, convertidores de corriente-
voltaje y viceversa, convertidores de frecuencia- voltaje y viceversa, filtros pasa bajas, filtro pasa
altas, limitadores y rectificadores de media onda, osciladores de relajacin, convertidor anlogo
digital y digital a anlogo, entre otros dispositivos.



Unidad 2. Electrnica Digital
Uno de los grandes retos del hombre es el de manipular, almacenar, recuperar y transportar la
informacin que tenemos del mundo en el que vivimos, lo que nos permite ir progresando poco a
poco, cada vez con ms avances tecnolgicos que facilitan nuestra vida y que nos permiten
encontrar respuestas a preguntas que antes no se podan responder.
Con la aparicin de la electrnica las posibilidades para desarrollar esas capacidades aumentaron
considerablemente. La electrnica digital, lo que realiza es convertir estas seales que existen en
nmeros.
Existe un teorema matemtico (teorema de muestreo de Nyquist) que nos garantiza que cualquier
seal se puede representar mediante nmeros, y que con estos nmeros se puede reconstruir la
seal original.
De esta manera, una seal digital, es una seal que est descrita por nmeros. Es un conjunto de
nmeros. Y la electrnica digital es la que trabaja con seales digitales, o sea, con nmeros. Son
los nmeros los que se manipulan, almacenan, recuperan y transportan.
Si analizamos un ordenador, que es un sistema digital, podemos escuchar msica o ver pelculas.
La informacin que est almacenada en el disco duro son nmeros.

Figura 103 Sistema Digital
En la figura se muestra un sistema digital. La seal acstica se convierte en una seal elctrica, y a
travs de un convertidor analgico-digital se transforma en nmeros, que son procesados por un
circuito digital y finalmente convertidos de nuevo en una seal electrnica, a travs de un
convertidor digital-analgico, que al atravesar el altavoz se convierte en una seal acstica.
El utilizar circuitos y sistemas que trabajen slo con nmeros tiene una ventaja muy importante:
se pueden realizar manipulaciones con independencia de la seal que se est introduciendo:
datos, voz, vdeo... Un ejemplo muy claro es internet. Internet es una red digital, especializada en
la transmisin de nmeros. Y esos nmeros pueden ser datos, canciones, vdeos, programas, etc.
La red no sabe qu tipo de seal transporta, slo ve nmeros


2.1. Tablas de verdad y compuertas lgicas
Una Tabla de verdad es un medio para describir la manera en que la salida de un circuito lgico
depende de los niveles lgicos que haya en la entrada del circuito. La figura ilustra una tabla de
verdad para un tipo de circuito lgico de dos entradas. La tabla enumera todas las combinaciones
posibles de niveles lgicos que se encuentren en las entradas A y B con su nivel de salida
correspondiente x. La primera entrada en la tabla muestra que cuando A y B estn en el nivel 0, la
salida x esta en el nivel o estado 1, de manera que A=0 y B=1, la salida x se convierte en 0. En
forma anloga, en la tabla se muestra que ocurre al estad de salida con cualquier grupo de
condiciones de entrada.

A B X
0 0 1
0 1 0
1 0 1
1 1 0
Figura 104 Tabla de Verdad para un circuito de dos entradas.
Las computadoras digitales utilizan el sistema de nmeros binarios, que tiene dos dgitos 0 y 1. Un
dgito binario se denomina un bit. La informacin est representada en las computadoras digitales
en grupos de bits. Utilizando diversas tcnicas de codificacin los grupos de bits pueden hacerse
que representen no solamente nmeros binarios sino tambin otros smbolos discretos
cualesquiera, tales como dgitos decimales o letras de alfabeto. Utilizando arreglos binarios y
diversas tcnicas de codificacin, los dgitos binarios o grupos de bits pueden utilizarse para
desarrollar conjuntos completos de instrucciones para realizar diversos tipos de clculos.
La informacin binaria se representa en un sistema digital por cantidades fsicas denominadas
seales, Las seales elctricas tales como voltajes existen a travs del sistema digital en cualquiera
de dos valores reconocibles y representan una variable binaria igual a 1 o 0. Por ejemplo, un
sistema digital particular puede emplear una seal de 3 volts para representar el binario "1" y 0.5
volts para el binario "0". La siguiente ilustracin muestra un ejemplo de una seal binaria.
La lgica binaria tiene que ver con variables binarias y con operaciones que toman un sentido
lgico. La manipulacin de informacin binaria se hace por circuitos lgicos que se denominan
Compuertas Lgicas.
Las compuertas son bloques del hardware que producen seales en binario 1 0 cuando se
satisfacen los requisitos de entrada lgica. Las diversas compuertas lgicas se encuentran
comnmente en sistemas de computadoras digitales. Cada compuerta tiene un smbolo grfico
diferente y su operacin puede describirse por medio de una funcin algebraica. Las relaciones
entrada - salida de las variables binarias para cada compuerta pueden representarse en forma
tabular en una tabla de verdad.
Salidas
Entradas


2.1.1 NOT, OR y AND
Compuerta NOT.
El circuito NOT es un inversor que invierte el nivel lgico de una seal binaria.
Produce el NOT, o funcin complementaria. El smbolo algebraico utilizado para
el complemento es una barra sobra el smbolo de la variable binaria.
Si la variable binaria posee un valor 0, la compuerta NOT cambia su estado al
valor 1 y viceversa. El crculo pequeo en la salida de un smbolo grfico de un
inversor designa un inversor lgico. Es decir cambia los valores binarios 1 a 0 y
viceversa.
Compuerta OR.
La compuerta OR produce la funcin sumadora, esto es, la salida es 1 si la
entrada A o la entrada B o ambas entradas son 1; de otra manera, la salida es 0.
El smbolo algebraico de la funcin OR (+), es igual a la operacin de aritmtica
de suma.
Las compuertas OR pueden tener ms de dos entradas y por definicin la salida
es 1 si cualquier entrada es 1.
Compuerta AND.
La compuerta AND produce la multiplicacin lgica AND, esto es, la salida es 1 si
la entrada A y la entrada B estn ambas en el binario 1; de otra manera, la salida
es 0.
Estas condiciones tambin son especificadas en la tabla de verdad para la
compuerta AND. La tabla muestra que la salida x es 1 solamente cuando ambas
entradas A y B estn en 1. El smbolo de operacin algebraico de la funcin AND
es el mismo que el smbolo de la multiplicacin de la aritmtica ordinaria (*).
Las compuertas AND pueden tener ms de dos entradas y por definicin, la
salida es 1 si todas las entradas son 1.
2.1.2 Otras (NOR, NAND, XOR, etc.)
Compuerta NOR.
La compuerta NOR es el complemento de la compuerta OR y utiliza el smbolo
de la compuerta OR seguido de un crculo pequeo (quiere decir que invierte la
seal). Las compuertas NOR pueden tener ms de dos entradas, y la salida es
siempre el complemento de la funcin OR.


Actividad de aprendizaje: Investigar la estructura interna de todas las compuertas lgicas,
numero de parte con el cual se identifica
Compuerta NAND.
Es el complemento de la funcin AND, como se indica por el smbolo grfico,
que consiste en una compuerta AND seguida por un pequeo crculo (quiere
decir que invierte la seal).
La designacin NAND se deriva de la abreviacin NOT - AND. Una designacin
ms adecuada habra sido AND invertido puesto que es la funcin AND la que
se ha invertido.
Las compuertas NAND pueden tener ms de dos entradas, y la salida es
siempre el complemento de la funcin AND.
Compuerta XOR (OR exclusivo)
La compuerta OR vista anteriormente realiza la operacin lgica correspondiente al
O inclusivo, es decir, una o ambas de las entradas deben estar en 1 para que la
salida sea 1. Un ejemplo de esta compuerta en lenguaje coloquial seria Maana ir
de compras o al cine. Basta con que vaya de compras o al cine para que la
afirmacin sea verdadera. En caso de que realice ambas cosas, la afirmacin
tambin es verdadera. Aqu es donde la funcin XOR difiere de la OR: en una
compuerta OR la salida ser 0 siempre que las entradas sean distintas entre s. En el
ejemplo anterior, si se tratase de la operacin XOR, la salida seria 1 solamente si
fuimos de compras o si fuimos al cine, pero 0 si no fuimos a ninguno de esos
lugares, o si fuimos a ambos.
Compuerta NXOR (No O Exclusivo)
No hay mucho para decir de esta compuerta. Como se puede deducir de
los casos anteriores, una compuerta NXOR no es ms que una XOR con su
salida negada, por lo que su salida estar en estado alto solamente
cuando sus entradas son iguales, y en estado bajo para las dems
combinaciones posibles.

2.1.3 Expresiones booleanas
Las expresiones booleanas, cuyo nombre se debe a George Boole (18151864). Las expresiones
booleanas son utilizadas con frecuencia en distintos lenguajes de programacin. Una expresin
booleana es la interpretacin de un Logigrama, es decir, es una funcin lgica.
Por ejemplo si tenemos una compuerta AND de dos entradas en donde las entradas son A, B y la
salida esta denotada por la letra X. Se puede concluir la siguiente expresin booleana: ;


as como si fuera una OR, seria , y as para expresar la salida de una compuerta NOT
donde la entrada es A, ser
. As de una expresin booleana podremos pasar a un

Logigrama y viceversa.
Ejemplo: con la siguiente expresin lgica, A(BC + AC) + BC , se puede construir el siguiente
Logigrama .

Figura 105 Logigrama de la funcin A(BC + AC) + BC
A dems de poder construir el Logigrama se puede construir su tabla de verdad la cual consiste en
lo siguiente:
Entradas Salidas
# A B C AC BC BC+AC A(BC+AC) A(BC+AC)+BC
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 1 0 0 0 0 0
2 0 1 0 0 0 0 0 0
3 0 1 1 0 1 1 0 1
4 1 0 0 0 0 0 0 0
5 1 0 1 1 0 1 1 1
6 1 1 0 0 0 0 0 0
7 1 1 1 1 1 1 1 1

Actividad de aprendizaje: Convierte los siguientes logigramas a expresin booleana y viceversa

1.

2.

3.

1
2
3
4
5
6
1
2
3
4
5
6
A(BC + AC)
Entradas
A B C
A
B
C
C
AC
BC
BC + AC
4
5
6
A(BC + AC) + BC
BC


2.2 Diseo de circuitos combinacionales.
Los circuitos lgicos se clasifican en dos tipos, combinacional y secuencial. Un circuito lgico
combinacional es aquel cuyas salidas dependen solamente de sus entradas actuales. Sin
embargo, las salidas de un circuito secuencial dependen no slo de sus entradas actuales. Sino
tambin de la secuencia anterior de las entradas, quizs arbitrariamente lejos en el pasado. Este
tipo de circuitos se analizaran en el apartado 2.3.
Un circuito combinacional puede contener una cantidad arbitraria de compuertas lgicas e
inversores pero no lazos de retroalimentacin. Un lazo de retroalimentacin es la trayectoria de
una seal en un circuito que permite que la salida de una compuerta se propague de regreso hacia
la entrada de esa misma compuerta; un lazo de esa naturaleza generalmente crea un
comportamiento secuencial en el circuito.
En el anlisis de un circuito combinacional comenzamos con un diagrama lgico y procedemos
hasta una descripcin formal de la funcin que realiza el circuito, tal como una tabla de verdad o
una expresin lgica. En la sntesis hacemos lo contrario, comenzamos con una descripcin formal
y procedemos hasta un diagrama lgico.

El problema del diseo o sntesis consiste en determinar un circuito que cumpla con unas
determinadas especicaciones, tanto de comportamiento como de funcionalidad. Este problema
se puede dividir en dos partes:
Obtencin de la funcin de conmutacin que cumpla la funcionalidad deseada.
Obtencin de los circuitos que implementa dicha funcin con el comportamiento deseado.

Actividad de Aprendizaje: Realizar las siguientes conversiones numricas entre los diferentes
sistemas numricos:
1.
3.

2.
4.

El diseo de circuitos lgicos es un superconjunto de la sntesis, puesto que en un
problema de diseo real por lo regular comenzamos con una descripcin informal (de
palabra o pensamiento) del circuito. Con frecuencia la parte ms desafiante y creativa
del diseo es formalizar la descripcin del circuito, definiendo las seales de entrada y
salida del circuito y especificando su comportamiento funcional por medio de tablas de
verdad y ecuaciones. Una vez que hemos creado la descripcin formal del circuito,
podemos habitualmente seguir un procedimiento de sntesis "prctico" para obtener
un diagrama lgico para un circuito con el comportamiento funcional requerido. El
material de esta unidad es la base para los procedimientos "prcticos" o "para
ponerse a trabajar", ya sea si el trabajo se hace a mano o por computadora. La ltima
unidad se describe un lenguaje de diseo real, VHDL. Cuando creamos un diseo
utilizando este lenguaje, un programa de computadora puede realizar los pasos de la
sntesis por nosotros.
S
i
n
t
e
s
i
s

V
s

D
i
s
e
o



2.2.1 Metodologa de diseo
La obtencin de la funcin de conmutacin a partir de unas especicaciones no tiene una
metodologa establecida sino que depende de la pericia del diseador y de la precisin de las
especicaciones dadas. Consideremos el siguiente ejemplo para observar la metodologa.
Vamos a considerar el diseo del sistema mostrado en la figura. Se trata de un sistema que maneje
el estado de operacin de una lnea de montaje que dispone de dos sensores: peso en la cinta (A),
y fin de la cinta (B). El sistema debe ser tal que los motores deben actuar siempre y cuando haya
algo en la cinta. La funcin de conmutacin que cumpla estas especicaciones puede ser la
mostrada en la misma figura, es decir, exista un peso sobre la cinta (A=1) y no haya llegado al final
(B=0).

Figura 106 Ejemplo de un problema de diseo
1. Identificar el nmero de entradas y salidas. El primer paso a seguir es la construccin de la
tabla de verdad, la cual menciona que tendr dos entradas una que indicara el peso en la
cinta (A) y otra que indicara el fin de la cinta (B).
2. Identificar las posibles combinaciones. Las posibles combinaciones que tendr esta tabla de
verdad sean
donde n es el nmero de entradas. Para este caso son dos entradas, por lo
tanto es
; son 4 combinaciones posibles.

3. Identificar el comportamiento de la salida. La nica forma, en que
debe encender el motor es en la condicin cuando A=1 y B=0. Por lo
tanto se busca esta combinacin de las entradas y se marca la salida
Y como uno o encendido y las dems como apagado o cero.
4. Elaborar la tabla de verdad. En esta seccin se crea la verdad, del
anlisis de los otros tres puntos, quedando de la siguiente manera.
5. Describe su funcin lgica. El siguiente paso es elaborar su funcin lgica, esta se puede
construir a partir del enunciado o por medio de la tabla de verdad, quedando de la siguiente
forma,
, ya que tienen que suceder las dos condiciones para que se encienda, se
utiliza una compuerta lgica AND, y la
entrada B se observa que debe estar en cero
lo que se traduce en una NOT.
6. Construccin del Logigrama. El ltimo paso
es la construccin del Logigrama la cual se
procede a partir de la funcin lgica.

Entrada Salida
A B Y
0 0 0
0 1 0
1 0 1
1 1 0
Y
9
10
8
Entradas
A B
1 2
Figura 107 Logigrama del circuito


7. Construccin del circuito topolgico
En esta seccin se realizan las conexiones de cmo se realizara la construccin del circuito en el
Protoboard, para eso nos basamos en el Simulador de Construccin de Circuitos Digitales con
Escenarios Virtuales y Tutoriales Interactivos.

Figura 108 Circuito Topolgico

2.2.2 Minitrminos y Maxitrminos.
Una funcin del lgebra de Boole es una variable binaria cuyo valor es igual al de una expresin
algebraica en la que se relacionan entre si las variables binarias por medio de las operaciones
bsicas. Producto lgico, suma lgica e inversin. Se representa una funcin lgica por la
expresin f(a, b, c,. . . ,); el valor lgico de f, depende de las variables a, b, c. . .
Se llama trmino cannico de una funcin lgica a todo producto o suma en la cual aparece todas
las variables en su forma directa o inversa una sola vez. Al primero de ellos se les llama producto
cannico (mini trminos) y al segundo suma cannica (maxi trminos).
Forma cannica suma de productos (Minitrminos)
Es aquella constituida exclusivamente por trminos cannicos productos (Minitrminos) sumados
que aparecen una sola vez.
Ejemplo:
Para simplicar la escritura en forma de suma de productos, se utiliza una notacin especial. A
cada minitrmino se le asocia un nmero binario de n bits resultantes de considerar como 0 las
variables complementadas y como 1 las variables no complementadas. As por ejemplo el
minitrmino corresponde a la combinacin x = 0, y = 0, z = 1 que representa el nmero
binario 001, cuyo valor decimal es 1. Este minitrmino se identica entonces como m1.


De esta forma la funcin:
Se puede expresar como: que quiere decir la sumatoria de los
minitrmino 1, 4, 5, 6, 7.
Forma cannica producto de sumas (Maxitrminos)
Es aquella constituida exclusivamente por trminos cannicos sumas (maxitrminos) multiplicados
que aparecen una sola vez.
Ejemplo:
Anlogamente al caso anterior, se puede simplicar la expresin de la funcin, indicando los
maxitrminos. Sin embargo, en este caso se hace al contrario que antes. A cada maxitrmino se le
asocia un nmero binario de n bits resultantes de considerar como 1 las variables
complementadas y como 0 las variables no complementadas. As por ejemplo el maxitrmino
corresponde a combinacin x = 0, y = 0, z = 0 que representa el nmero binario 000,
cuyo valor decimal es 0. A este maxitrmino se identica entonces como M0. De esta forma, la
funcin:
Se puede expresar como: que quiere decir el producto de los
maxitrminos 0, 2, 3.
Trminos Dont Care
La especicacin bsica de una funcin de conmutacin (funcin booleana) es la tabla de verdad,
que muestra la lista de todas las combinaciones posibles de las variables y el valor que asumir la o
las salidas para todas esas combinaciones. Hasta ahora se ha supuesto que los valores de verdad
se especican estrictamente para todas las
combinaciones de entradas posibles, siendo n el

nmero de variables de entrada. Sin embargo, no siempre es as. Existe la posibilidad que ciertas
combinaciones de entrada, debido a restricciones externas, no se produzcan nunca. Esto no quiere
decir que si estas entradas prohibidas se producen, el circuito no responde de alguna forma, de
hecho cualquier circuito de conmutacin responde de alguna forma a cualquier entrada. Sin
embargo, dado que la entrada no puede ocurrir nunca, no importa si el circuito responde a la
salida con un cero o con un uno a esta combinacin de entrada prohibida. Cuando se presentan
estas situaciones se dice que la salida es NO IMPORTA (Dont care en ingls). Esto se indica en la
tabla de verdad y en el mapa de Karnaugh correspondiente con una d en lugar del 1 o 0.
Ejemplo:
La figura muestra cuatro interruptores que son parte de la circuitera de control de una maquina
copiadora. Los interruptores se encuentran en distintos puntos a lo largo del camino que recorre
el papel dentro de la maquina copiadora. Cada interruptor est normalmente abierto y, cuando el
papel pasa sobre el interruptor, este se cierra. Es imposible que los interruptores S
1
y S
4
se
cierren al mismo tiempo. Disee un circuito lgico que genere una salida ALTO cada vez que dos o


ms interruptores estn cerrados al mismo tiempo. Utilice el mapa de K y aproveche las ventajas
que ofrecen las condiciones no importa.

2.2.3 Tcnicas de simplificacin
Mtodo algebraico.
Para la simplicacin por este mtodo no slo basta con conocer todas las propiedades y
teoremas del lgebra de Boole, adems se debe desarrollar una cierta habilidad lgico
matemtica.
Se comienza simplicando la siguiente funcin:

Observando cada uno de los sumandos se puede ver que hay factores comunes en los sumandos
2do, con 5to y 4to con 5to que conllevan a la simplicacin. Luego:

El trmino 5to se ha tomado dos veces, de acuerdo con el teorema 3 visto anteriormente a + a = a,
y aplicando el teorema 6 tambin ya descrito se tiene:

Repitiendo nuevamente el proceso:

Como se puede apreciar, el mtodo algebraico no resulta cmodo y lo que es peor, una vez
simplicada una ecuacin pueden quedar serias dudas acerca de si se ha conseguido simplicarla
al mximo. El mtodo grco resuelve estos inconvenientes.
{

}
*S1 y S4 nunca se cierran al
mismo tiempo


2.2.3.1 Teoremas y postulados del algebra de Boole
El lgebra de Boole, fue presentada originalmente por el ingls George Boole, en el ao de 1854
en su artculo "An Investigation of the Laws of Thoght ... ", sin embargo, las primeras aplicaciones a
circuitos de conmutacin fueron desarrolladas por Claude Shannon en su tesis doctoral "Anlisis
simblico de los circuitos de conmutacin y rels" hasta 1938. Los diversos teoremas y postulados
nos servirn para simplificar las expresiones y los circuitos lgicos.

POSTULADOS DEL LGEBRA DE BOOLE
Postulado 1. Definicin. El lgebra booleana es un sistema algebraico definido en un
conjunto B, el cual contiene dos o ms elementos y entre los cuales se definen dos
operaciones denominadas "suma u operacin OR" y "producto o multiplicacin u
operacin AND" , las cuales cumplen con las siguientes propiedades:
Postulado 2. Existencia de Neutros. Existen en B el elemento neutro de la suma,
denominado O y el neutro de la multiplicacin, denominado 1, tales que para cualquier
elemento x de s:
(a) (b)
Postulado 3. Conmutatividad. Para cada x, y en B:
(a) (b)
Postulado 4. Asociatividad. Para cada x, y, z en B:
(a) (b)
Postulado 5. Distributividad. Para cada x, y, z en B:
(a) (b)
Postulado 6. Existencia de Complementos. Para cada x en B existe un elemento nico
denotado (tambin denotado x), llamado complemento de x tal que
(a) (b)


Teoremas del algebra Boole
A continuacin se presenta un conjunto de resultados fundamentales; pero basados en los
postulados del 1 al 6 presentados en la seccin 4.1 y que por lo tanto son vlidos para cualquier
lgebra de Boole. Estos resultados son presentados a manera de Teoremas y junto con los seis
postulados representan las reglas del juego para cualquiera que desee trabajar con el lgebra
booleana.
La manera de demostrar los teoremas siguientes se puede basar en ideas intuitivas producto de la
familiaridad con algn lgebra booleana en particular, (en diagramas de Venn, o bien, en circuitos
con switches o en tablas de verdad) con la nica condicin de que se respete al pie de la letra los 6
postulados fundamentales. En estas notas slo se usan razonamientos basados en los seis
postulados.
Antes de presentar los teoremas es conveniente mencionar el siguiente principio que se deriva
directamente de la manera en que fueron presentados los seis postulados fundamentales, es
decir, del hecho de que cada postulado tiene dos incisos los cuales son duales uno del otro. O
Principio de Dualidad. Si una expresin booleana es verdadera, su expresin dual tambin lo es. O
Expresiones duales. Dos expresiones se dicen duales una de la otra, si una se puede obtener de la
otra cambiando las operaciones por y viceversa y cambiando los O's por 1 's y viceversa.
Ejemplo.
La expresin es dual de la expresin , Todas las expresiones de los incisos (a)
de los postulados del lgebra booleana son duales de las expresiones de los incisos (b)
correspondientes. Por lo tanto, de acuerdo al principio de dualidad demostrar slo un inciso de los
siguientes teoremas y automticamente el inciso dual quedar demostrado.
Teorema 1. Multiplicacin por cero
a) b)
Demostracin del inciso (a) Explicacin:
0, es el neutro de la suma
=
el producto de una variable por su complemento da 0

=
distributividad

una variable ms el neutro no se altera

una variable por su complemento da 0


Notacin. De aqu en adelante, el smbolo de multiplicacin () se omitir en ocasiones por
comodidad, as por ejemplo AB se escribir AB, o bien, (A+B)(C+D) se escribir (A+B)(C+D) siendo
diferente de A+BC+D, lo cual se escribir A+BC+D.
Teorema 2. Absorcin
a)
b)
Demostrando el inciso (a) Explicacin:
1 es el neutro del producto
distributividad
Teorema 1
es el neutro del producto
Este teorema se puede usar en diversos casos de simplificacin, basta con usar identificar en una
suma, una expresin que se repite primero en forma aislada y luego multiplicando a otra
expresin. Ejemplos:
La expresin por absorcin es igual a
La expresin
por absorcin es igual con

etc.
Teorema 3. Cancelacin
a)

b)


distributividad
la suma de una variable con su complemento es 1
1 es el neutro del Producto
Este teorema se puede usar en la simplificacin de expresiones cuando encontramos una
expresin sumada con su complemento multiplicado por otra expresin (o el dual). Ejemplos:
La expresin
por cancelacin es igual a



La expresin

La expresin

Teorema 4. Cancelacin
a)

b)


distributividad
la suma de una variable con su complemento es 1
1 es el neutro del producto
Para usar este resultado hay que identificar dos trminos que tienen un factor comn y el trmino
que no es comn en una de ellas es el complemento del de la otra. Ejemplos:
La expresin
, por cancelacin es igual a

La expresin
, por cancelacin es igual a

Teorema 5. Idempotencia
a) b)
La demostracin del inciso (b) de este teorema es inmediata del teorema de absorcin, ya que

Este teorema implica que cuando existen trminos semejantes en una expresin, basta con
escribir uno de ellos, o bien, que un trmino puede "desdoblarse" tantas veces como se quiera.
Obsrvese que tambin esto implica que
para cualquier nmero n entero positivo.

Ejemplos:
La expresin por idempotencia es igual a
Teorema 6. Consenso
a)

b)



Es el neutro de la multiplicacin

Distributividad

Conmutatividad y asociatividad

Absorcin
La clave para usar este teorema es encontrar dos trminos que contengan una expresin en uno
afirmada y en otro negada, anotar los trminos con los que estn multiplicando uno y otro y
buscar otro elemento que sea la multiplicacin de estos ltimos dos, ste ltimo elemento es el
que se puede eliminar. Ejemplos:
La expresin
por consenso es igual a

La expresin
por consenso es igual a

Teorema 7. Teorema de De Morgan
a)
b)

Demostracin del inciso (a): Para demostrar este teorema hay que recordar las dos propiedades
que cumple el complemento
de una expresin , es decir:

i)
(sumados nos da uno) ii)
(multiplicados nos da cero)

As, para demostrar el inciso (a) se demostrar que es el complemento de A.B, para ello
se har en dos partes:
i) sumando: Explicacin:

Por conmutatividad

Por cancelacin

propiedad del complemento

por Teorema 1
ii) multiplicando Explicacin:

Por distributividad
propiedad del complemento
idempotencia


El teorema de De Morgan se puede generalizar al caso de ms de dos variables booleanas, por
ejemplo, para 3 variables, tenemos que
, en forma
similar,
, y as sucesivamente para ms de tres

variables.
Otros teoremas: A continuacin se presentan dos teoremas ms sin demostracin, es un buen
ejercicio el intentar dicha demostracin.
Teorema 8. Involucin
a)

Teorema 9. Complementos de los neutros
a)
b)

Ejemplos de simplificacin de expresiones booleanas
Los 6 postulados fundamentales, junto con los teoremas anteriores conforman las herramientas
bsicas de simplificacin y manipulacin de expresiones booleanas, a continuacin se ilustra su
uso con algunos ejemplos. Ejemplo: Simplificar las siguientes expresiones
1.- Distribuyendo el factor A en el parntesis:
, conmutando y aplicando idempotencia:
, usando absorcin:

2.-
Usando el Teorema de De Morgan:

, por De Morgan nuevamente e involucin:

, distribuyendo:

, como
es cero, y por idempotencia:

, por absorcin:

3.-
Por el teorema de De Morgan:

, nuevamente:


, distribuyendo el primero con el tercer factor:

, distribuyendo nuevamente

, por absorcin:

.

Ejercicios de simplificacin.
1)

2)

3)

4)

2.2.3.2 Mapas Karnaugh
Si se quiere realizar ecazmente la simplicacin de las funciones de conmutacin se debe contar
con un mtodo sistemtico que proporcione un camino para lograr el objetivo de manera segura,
un mtodo de este tipo son los mapas de Karnaugh, que pueden ser aplicados en funciones de
conmutacin hasta de seis variables.
Los mapas de Karnaugh no son ms que una extensin de los conceptos de las tablas de verdad,
diagramas de Venn y Minitrminos, lo que se evidencia en la transformacin de un diagrama de
Venn en un mapa de Karnaugh. Se considera un diagrama de Venn (figura a) de dos variables A y B
representadas mediante las subdivisiones del conjunto universal.


Figura 109 Diagrama de Venn y mapa de Karnaugh equivalente para dos variables
En la figura b se observan las subdivisiones ajenas nicas del diagrama de Venn representadas por
las intersecciones: AB, AB; AB; A B; siendo estas ltimas no ms que los Minitrminos de dos
variables: m0, m1, m2, m3 (figura c). Se puede ajustar las reas del diagrama de Venn de manera
que todas sean iguales conservando la caracterstica de que las reas adyacentes en el diagrama
de Venn tambin lo son en la figura d, pero ahora una mitad del diagrama representa a la variable
A y la otra mitad a la variable B. Puesto que cada cuadrado representa un minitrmino se puede
omitir la letra m y dejar slo el subndice (figura e) siendo esta una forma del mapa de Karnaugh.
En la figura f se puede observar otra forma del mapa de Karnaugh en el que la asociacin de un
cuadrado de un mapa con una variable en particular, por ejemplo A, se indica como 0 para A y 1
para A.
Es de notar la correspondencia de los mapas de Karnaugh con las tablas de verdad ya que por cada
minitrmino existe una fila en la tabla de verdad, mientras que en el diagrama existe un cuadrado;
esta observacin se extiende tambin para los maxitrminos.
Para simplicar una funcin lgica por el mtodo de Karnaugh se llevan a cabo los siguientes
pasos:
1. Se dibuja el diagrama correspondiente al nmero de variables de la funcin a simplicar.
2. 2. Se coloca un 1 en los cuadros correspondientes a los trminos cannicos que forman
parte de la funcin en el caso de los minitrmino, mientras que cuando se trabaja con
maxitrminos se pone un 0.
3. Se agrupan mediante lazos los 1 de casillas adyacentes siguiendo estrictamente las
siguientes reglas:


a) Dos casillas son adyacentes cuando se diferencian nicamente en el estado de una
sola variable.
b) Cada lazo debe contener el mayor nmero de 1 posibles, siempre que dicho nmero
sea potencia de 2 (1, 2, 4, etc.).
c) Los lazos pueden quedar superpuestos y no importa que haya cuadrculas que
pertenezcan a dos o ms lazos diferentes.
d) Se debe tratar de conseguir el menor nmero de lazos con el mayor nmero de 1
posibles.
4. La funcin simplicada tendr tantos trminos como lazos posea el diagrama. Cada
trmino se obtiene eliminando la o las variables que cambien de estado en el mismo lazo.

Ejemplo. Para aclarar la teora descrita anteriormente se realizan dos simplicaciones de una
misma funcin a partir de sus dos formas cannicas.

Minitrminos (posicin de 1s)

Maxitrminos (posicin de 0s)

Figura 110 mapa de Karnaugh de la funcin por Minitrminos

Figura 111 mapa de Karnaugh de la funcin por maxitrminos
Entradas Salida
# A B C Y
0 0 0 0 1
1 0 0 1 0
2 0 1 0 1
3 0 1 1 1
4 1 0 0 1
5 1 0 1 0
6 1 1 0 0
7 1 1 1 1


La funcin simplicada tiene tres sumandos en un caso y dos productos en el otro. Al examinar el
mapa de Karnaugh correspondiente a la suma de productos, se observa que en el lazo 1 cambia la
variable A (en la celda 0 es negada y en la 4 directa), en el lazo 2 es la C y en el lazo 3 vuelve a ser A.
Teniendo en cuenta que en el caso de los minitrminos una variable negada corresponde a 0 y una
variable directa corresponde a 1, por lo tanto, la ecuacin simplicada es:

Razonando de modo similar en el mapa de productos de sumas, con la salvedad que en el caso de
los maxitrminos una variable negada corresponde a 1 y una variable directa corresponde a 0, se
obtiene:

Al igual que en la tabla de verdad los trminos dont care se representan en el mapa de Karnaugh
con una d y se utiliza como un comodn, ya que puede hacerse valer como un 0 o 1 segn convenga
a la hora de minimizar. Cuando se quiere simplicar una funcin utilizando mapas de Karnaugh,
estas condiciones de dont care ayudan a formar grupos de "unos" ms grandes que generan
trminos con productos menores.

De la tabla de verdad se obtiene el mapa de Karnaugh, colocando los 1 y las d.

Figura 112 Mapas de Karnaugh con terminos don't care
Se muestra la diferencia de tomar las d en el proceso de agrupacin como ms convenga para la
minimizacin. Ya que las combinaciones indicadas con d no importan, porque nunca van a estar
presentes, se toman como 1 o 0 si ayudan a obtener un menor nmero de trminos o trminos con
menos literales.


Figura 113 Minimizacion sin la utilizacion de los terminos don't care
Sin incluir los trminos dont care la funcin seria:

Figura 114 Minimizacion incluyendo los terminos don't care
Al incluir los trminos dont care en la simplicacin se obtiene:

2.2.4 Implementacin y aplicacin de circuitos combinacionales
La implementacin de un sistema combinacional consiste en traducir el enunciado de un
problema concreto a variables y funciones booleanas cuya tabla de verdad permita encontrar un
circuito lgico. Usando lgebra de Boole es posible obtener una gran variedad de equivalencias
entre smbolos de puertas lgicas y diagramas de alambrado de circuitos lgicos. a continuacin se
muestran slo algunas equivalencias sencillas:

Figura 115 Equivalencias de compuertas lgicas


Solamente hay que recordar los smbolos y su tabla de verdad, la cual se observa en la siguiente
figura.

Figura 116 Smbolo de las compuertas lgicas y su tabla de verdad
Empleando la expresin lgica de la funcin que realiza, se puede construir el circuito lgico, para
realizar esto se va escribiendo a la salida de cada puerta lgica la expresin correspondiente en
trminos de las entradas. Ejemplo elaborar el circuito lgico para la siguiente expresin

.

Figura 117 Circuito Lgico de la expresin

Aplicaciones de los circuitos combinacionales
Multiplexores
Codificadores
Decodificadores y Demultiplexores
Decodificadores excitadores.
Generadores comprobadores de
paridad
Comparadores Binarios
Circuitos sumadores
Circuitos restadores.


Codificadores y Decodificadores.
La mayora de los decodificadores aceptan un cdigo de entrada de N bits y produce un estado
ALTO (o BAJO) en una y solo una lnea de salida. En otras palabras, podemos decir que un
decodificador identifica, reconoce o bien detecta un cdigo especfico.
Lo opuesto a este proceso de decodificacin se denomina codificacin y es realizado por un
circuito lgico que se conoce como codificador Un codificador tiene varias lneas de entrada, slo
una de las cuales se activa en un momento dado, y produce un cdigo de salida de N bits, segn la
entrada que se active.
La figura es el diagrama general de un codificador con M entradas y N salidas. Aqu las entradas
son activas en ALTO, lo cual significa que normalmente son BAJAS.

Figura 118 Codificador
Un ejemplo de un codificador es el codificador de 8 entradas a 3 salidas (
)

Figura 119 Codificador de octal a binario.
ENTRADAS SALIDAS
A'
0
A'
1
A'
2
A'
3
A'
4
A'
5
A'
6
A'
7
O
2
O
1
O
0

x
x
x
x
x
x
x
x
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
1
1
1
1
1
1
1
1
0
0
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
0
1


Decodificador
Un decodificador es un circuito lgico que acepta un conjunto de entradas que representan
nmero binarios y que activan solamente la salida que corresponde a dicho dato de entrada.
En otras palabras, un decodificador mira a sus entradas, determina que numero binario est
presente y activa la salida correspondiente a dicho nmero. Todas las otras salidas permanecern
inactivas.

Figura 120 Decodificador de dos entradas a 4 salidas
Multiplexor
Un multiplexor o selector de datos es un circuito lgico que acepta varias entradas de datos y
permite slo a una de ellas alcanzar la salida.
La direccin deseada de los datos de entrada hacia la salida es controlada por entradas de
SELECCIN (que algunas veces se conocen como entradas de DIRECCIN).
La figura muestra el diagrama funcional de un multiplexor general (MUX). En este diagrama las
entradas y salidas se trazan como flechas anchas en lugar de lneas; esto indica que stas pueden
ser una o ms lneas de seales.

Figura 121 Multiplexores de

Demultiplexador
Un multiplexor toma varias entradas y transmite una de ellas a la salida. Un De multiplexor efecta
la operacin contraria; toma una sola entrada y la distribuye en varias salidas. En otras palabras,
el demultiplexor toma una fuente de datos de entrada y la distribuye selectivamente a uno de N
canales de salida, igual que un interruptor de posiciones mltiples. En la figura siguiente se
observa un demultiplexor de cuatro salidas.


Figura 122 Demultiplexor de cuatro salidas.
Comparadores de magnitud.
Es un circuito combinacional que compara dos cantidades binarias de entrada y genera salidas que
indican qu palabra tiene la mayor magnitud, Menor magnitud o si son iguales.
Un ejemplo de comparador de magnitud es el 74HC85, 74LS05 7485. El cual es un comparador
de 4 bits.
Los comparadores de magnitud comparan dos nmeros binarios sin signo de cuatro bits cada uno.
Uno de ellos es la palabra A, y el otro la palabra B. En este caso, las palabras A y B representan
cantidades numrica.

Figura 123 Comparador de Magnitud de 4 bits



Circuitos sumadores. Un sumador es un circuito lgico que calcula la operacin suma. En
los computadores modernos se encuentra en lo que se denomina Unidad aritmtico lgica (ALU).
Generalmente realizan las operaciones aritmticas en cdigo binario decimal o BCD exceso 3, por
regla general los sumadores emplean el sistema binario. En los casos en los que se est empleando
un complemento a dos para representar nmeros negativos el sumador se convertir en un
sumador-substractor (Adder-subtracter).
Las entradas son A, B, Cin; A y B, son la entrada de bits y Cin es la entrada de acarreo. Por otra
parte, la salida es S y Cout es la salida de acarreo.
En la siguiente tabla muestra los resultados de este circuito.

a forma de las funciones para el acarreo y la suma respectivamente son:

Tambin se puede poner la salida S en funcin de C1:

Figura 124 Tabla de verdad, Logigrama y ecuaciones de un sumador
Circuito Restador.
Se realizan mediante sumadores, ya que la resta de dos nmeros es la suma de uno con el
negativo del otro.

Figura 125 semirestador

Entrada Salida
A B C
0
C
1
S
0 0 0 0 0
0 0 1 0 1
0 1 0 0 1
0 1 1 1 0
1 0 0 0 1
1 0 1 1 0
1 1 0 1 0
1 1 1 1 1


2.3 Lgica secuencial
A diferencia de los sistemas combinacionales, en los sistemas secuenciales, los valores de las
salidas, en un momento dado, no dependen exclusivamente de los valores de las entradas en
dicho momento, sino tambin dependen del estado interno. El sistema secuencial ms simple es el
biestable, de los cuales, el de tipo D (o cerrojo) es el ms utilizado actualmente.
La mayora de los sistemas secuenciales estn gobernados por seales de reloj. A stos se los
denomina "sncronos" o "sincrnicos", a diferencia de los "asncronos" o "asincrnicos" que son
aquellos que no son controlados por seales de reloj.
En todo sistema secuencial se encuentra:
Un conjunto finito, n, de variables de entrada

Un conjunto finito, m, de estados internos, de aqu que los estados secuenciales tambin
sean denominados autmatas finitos. Estos estados proporcionan m variables internas

Un conjunto finito, p, de funciones de salida

Los biestables y los ip ops son los bloques constitutivos de la mayora de los circuitos
secuenciales. Los sistemas digitales tpicos usan biestables y ip ops que son dispositivos
preempaquetados y especicados de manera funcional en un circuito integrado estndar. En el
ambiente ASIC (Application Specic Integrated Circuit), los biestables y los ip ops son celdas
tpicamente predenidas especicadas por el vendedor de ASIC. Sin embargo, dentro de un IC
Integrated Circuit) estndar o un ASIC, cada biestable o ip op est diseado como un circuito
secuencial retroalimentado mediante compuertas lgicas individuales y lazos de
retroalimentacin.
2.3.1 FLIP-FLOP con compuertas.
BIESTABLE S-R
Un biestable S-R (set-reset) basado en compuertas NOR tiene dos entradas, S y R y dos salidas, Q y
Q , donde Q es el complemento de Q.
Si S y R son ambos cero, el circuito se comporta como un
elemento biestable; se tiene un lazo de retroalimentacin que
retiene uno de los estados lgicos, Q = 0 o Q = 1; S o R pueden
ser excitados para forzar al lazo de retroalimentacin al estado
deseado. S inicia (set) o preinicia la salida Q a 1; R despeja
(reset) o aclara la salida Q a 0. Luego que se nieguen las
entradas S y R, el biestable permanece en el estado al que fue
forzado. La figura describe el comportamiento funcional de un
biestable S-R para una secuencia tpica de entradas. Un posible
diseo para el biestable S-R con compuertas NOR podra ser el mostrado en la figura.
Figura 126 Biestable S-R con dos
compuertas NOR


En la tabla se observa que el estado siguiente para las entradas de R = S = 1 no es permitido, esto
es, por que las salidas Q y su complemento Q' toman el valor de 0, lo cual crea entre las
compuertas una condicin de competencia y, dependiendo de la estructura fsica de stas, no se
puede asegurar el valor de la salida. Por tal razn la combinacin R = S = 1 no est permitida para
este sistema.
La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del biestable S-R es la siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar las entradas S, R y Q(t) en la ecuacin
anterior, son mostrados en la tabla 8.1, y la relacin que existe entre el estado presente y el
estado futuro se observa en la tabla 8.2

Figura 128 Diagrama de estados Biestables S-R
BIESTABLE S-R CON HABILITACIN
Un biestable S-R o S-R es sensible a sus entradas S y R en todo momento. Sin embargo, puede
modificarse fcilmente para crear un dispositivo que sea sensible a estas entradas slo cuando
este activa una entrada de habilitacin C. Tal biestable S-R con habilitacin se muestra en la figura
8.4, adems como se observa en la tabla 8.3, el circuito se comporta como un biestable S-R
cuando C est en 1 y retiene su estado previo cuando C est en 0. Si S y R son 1 cuando C cambia
de 1 a 0, el circuito se comporta como un biestable S-R en el que S y R se niegan simultneamente;
el siguiente estado es impredecible y la salida puede llegar a ser metaestable.
Tabla 2.2 Tabla de excitacin para el
Biestable S-R
Tabla 2.1 Tabla de transicin para el Biestable S-R
Figura 127 Smbolo Biestable S-R


Un posible diseo para el biestable S-R con habilitacin utilizando compuertas NAND se muestra
en la figura.

Figura 129 Biestable S-R con habilitacin con compuertas NAND
La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del biestable S-R con habilitacin es
la siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar las entradas S, R, C y Q(t) en la ecuacin
anterior, son mostrados en la tabla 8.3, y la relacin que existe entre el estado presente y el
estado futuro se observa en la tabla.

Tabla 2.3 Tabla de transicin para el Biestable S-R con habilitacin.

Tabla 2.4 Tabla de excitacin para el Biestable S-R con habilitacin
El diagrama de estados mostrado en la gura, hace referencia al comportamiento de la tabla de
excitacin.


Figura 130 Diagrama de estados Biestable S-R con habilitacin
El smbolo que representa el biestable S-R con habilitacin se muestra en la figura.

Figura 131 Biestable S-R con habilitacin
BIESTABLE D
Los biestables S-R son tiles en especicaciones de control, donde se piensa, a menudo, en
trminos de poner en 1 al biestable en respuesta a alguna condicin y ponerlo en 0 cuando esta
cambia; as, se controlan las entradas de inicio y despeje de manera algo independiente. Sin
embargo, a menudo se necesitan biestables simplemente para almacenar bits de informacin:
cada bit de informacin se presenta en una lnea de informacin y se necesita almacenarlo en
alguna parte. Un biestable D puede usarse para tal aplicacin.
El diagrama lgico del biestable D es reconocible como un biestable S-R con habilitacin, con el
agregado de un inversor para generar las entradas S y R de la nica entrada D (dato). Esto elimina
la situacin molesta de los biestables S-R, donde S y R pueden estar en 1 simultneamente. La
entrada de control de un biestable D, etiquetada C, se conoce como ENABLE, CLK o G y est activa
en baja en algunos diseos de biestables D.
Un posible diseo para el biestable D utilizando compuertas NAND se muestra en la gura

Figura 132 Biestable D con compuertas NAND



La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del biestable D es la siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar las entradas D, C, y Q(t) en la ecuacin
anterior, son mostrados en la tabla de transicin del Biestable D , y la relacin que existe entre el
estado presente y el estado futuro se observa en la tabla de excitacin para el Biestable D.

Tabla 2.5 Tabla de transicin del Biestable D

Tabla 2.6 Tabla de excitacin para el Biestable D
El diagrama de estados mostrado en la figura hace referencia al comportamiento de la tabla de
excitacin.

Figura 133 Diagrama de estados Biestable D
El smbolo que representa el biestable D se muestra en la figura.

Figura 134 Biestable D



2.3.2 FLIP-FLOP JK, SR, D
Los ip ops son utilizados en circuitos que requieren de una realimentacin o de una memoria, y
la utilidad de estos radica en que realizan el cambio a un estado siguiente en sincronismo con los
pulsos de una seal de reloj, lo que no ocurre con los biestables. Es por esto que nace la necesidad
de tener ip ops, ya que se pueden presentar cambios en el sistema de acuerdo con las entradas,
pero al mismo tiempo con una seal de reloj.
Flip op S-R maestro/esclavo
Se indic antes que los biestables S-R son tiles en aplicaciones de control, donde se pueden
tener condiciones independientes para iniciar (poner en 1) y despejar (poner en 0) un bit de
control. Si se supone que el bit de control slo cambia en ciertos momentos con respecto a una
seal de reloj, entonces se necesita un ip-op S-R que, a semejanza de un biestable D, slo
cambia sus salidas con cierto borde de la seal de reloj.
Al igual que un biestable D, el ip op S-R slo cambia sus salidas en el borde descendente de la
seal de control C. Sin embargo, el nuevo valor de salida depende de los valores de entrada, no
slo durante el anco descendente, sino durante todo el intervalo en el que C est ALTO previo al
anco descendente.
Un posible diseo para el ip op S-R maestro/esclavo utilizando biestables S-R se muestra en la
gura

Figura 135 Flip op S-R maestro/esclavo usando Biestables S-R

La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del ip op S-R maestro/esclavo es
la siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar las entradas S, R, y Q(t) en la ecuacin
anterior, son mostrados en la tabla de transicin, y la relacin que existe entre el estado presente
y el estado futuro se observa en la tabla de excitacin.


Tabla 2.7 Tabla de transicin del ip op S-R maestro/esclavo

Tabla 2.8 Tabla de excitacin del ip op S-R maestro/esclavo.
El diagrama de estados mostrado en la gura, hace referencia al comportamiento de la tabla de
excitacin.

Figura 136 Diagrama de estados ip op S-R maestro/esclavo
El smbolo que representa el ip op S-R maestro/esclavo se muestra en la gura.

Figura 137 Smbolo ip op S-R maestro/esclavo.
Flip op J-K maestro/esclavo
El problema de qu hacer cuando S y R estn activas simultneamente se resuelve con un ip op
J-K maestro/esclavo. Las entradas J y K son anlogas a S y R; sin embargo, el hecho de que J est
activo, activa la entrada S del biestable maestro slo si la salida Q del ip op es 1 en ese
momento (o sea, Q es 0), y al activar K, se activa la entrada R del biestable maestro slo si Q es 1


en ese momento. Por lo tanto, si J y K estn activas simultneamente el ip op pasa al estado
opuesto de su estado presente.
Un posible diseo para el ip op J-K maestro/esclavo empleando biestables S-R se muestra en la
gura.

Figura 138 Flip op J-K mestro/esclavo empleando Biestables S-R
La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del ip op S-R maestro/esclavo es
la siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar las entradas J, K, y Q(t) en la ecuacin
anterior, son mostrados en la tabla de transicin, y la relacin que existe entre el estado presente
y el estado futuro se observa en la tabla de excitacin.

Tabla 2.9 Tabla de transicin para el ip op J-K maestro/esclavo

Tabla 2.10 Tabla de excitacin del ip op J-K maestro/esclavo
El diagrama de estados mostrado en la gura siguiente hace referencia al comportamiento de la
tabla de excitacin.


Figura 139 Diagrama de estados ip op J-K maestro/esclavo
El smbolo que representa el ip op J-K maestro/esclavo se muestra en la gura.

Figura 140 Smbolo ip op J-K maestro/esclavo
Flip op D maestro/esclavo
Un ip op D disparado por anco positivo combina un par de biestables D, para crear un circuito
que muestre sus entradas D y cambie sus salidas Q y Q slo en el borde de ascenso de una seal C
de control. Al primer biestable se le conoce como el maestro; est abierto y sigue la entrada
cuando C est bajo. Cuando C pasa a alto, el biestable maestro cierra y su salida se transere al
segundo biestable, llamado el biestable esclavo. El biestable est abierto todo el tiempo que C
est alto, aunque cambia al inicio de este intervalo, debido a que el biestable maestro se cierra y
no cambia durante el resto del intervalo.
Un posible diseo para el ip op D maestro/esclavo hacienco uso de biestables D se muestra en
la gura.

Figura 141 Flip op D maestro/esclavo utilizando Biestables D
La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del ip op D maestro/esclavo es la
siguiente:

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar la entrada D en la ecuacin anterior, son
mostrados en la tabla de transicin, y la relacin que existe entre el estado presente y el estado
futuro se observa en la tabla de excitacin.


Tabla 2.11Tabla de transicin para el ip op D maestro/esclavo

Tabla 2.12 Tabla de excitacin del ip op D
tabla de excitacin del flip flop D.

Figura 142 Diagrama de estados ip op D maestro/esclavo
El smbolo que representa el ip op D maestro/esclavo se muestra en la gura.

Figura 143 Smbolo ip op D maestro/esclavo
Flip op T
Un Flip op T, es el mismo Flip op J-K con sus entradas equivalente J = K. Este Flip op T tiene el
comportamiento de una funcion toggle, cuando el valor T toma el estado logico 1 y retendr el
estado actual si el valor de la entrada es 0.
Un posible diseo para el ip op T haciendo uso de un ip op J-K se muestra en la gura

Figura 144 Flip op T empleando Flip op J-K


La ecuacin caracterstica que representa el comportamiento del ip op T es la siguiente.

Los resultados obtenidos del estado futuro al evaluar la entrada T, Q(t) en la ecuacin anterior,
son mostrados en la tabla de transicion, y la relacin que existe entre el estado presente y el
estado futuro se observa en la tabla de excitacin.

Figura 145 Tabla de transicin para el ip op T

Figura 146 Tabla de excitacin del ip op T
tabla de excitacin.

Figura 147 Diagrama de estados ip op T
El smbolo que representa el ip op T se muestra en la gura

Figura 148 Smbolo ip op T



2.3.3 Diseo de circuitos secuenciales
El procedimiento para el diseo de circuitos secuenciales es ms laborioso que el de anlisis, ya
que intervienen ms factores tales como: interpretacin correcta del diseo, tipo de flip-flop a
emplear, asignacin de estados, etc.
Los circuitos secuenciales de acuerdo a su funcionamiento pueden clasificarse como:
Detectores de secuencias de cdigo.
Contadores estndar y registros.
Generadores de cdigo secuencial.
Controladores de sistemas multi entradas.
Con respecto al tipo de flip-flop empleado al diseo, cabe mencionar que para el caso de
contadores de anillo y registros se prefiere el flip-flop D. El tipo T es la mejor eleccin si lo que se
va a disear es un circuito contador. El JK es un flip-flop de uso general y puede usarse para
cualquier diseo secuencial. A continuacin se enumeran los pasos requeridos para un el diseo
de un circuito secuencial.
1) Recibir las especificaciones del diseo.
2) Analizar detenidamente las especificaciones para entender la conducta operativa del
circuito que se quiere disear (punto crtico).
3) Hacer un diagrama a bloques mostrando todas las entradas y salidas.
4) Desarrollar un diagrama de estados primitivo.
5) Desarrollar una tabla de estados a partir del diagrama de estados primitivos y eliminar los
posibles estados redundantes o equivalentes. Entendiendo por estos ltimos todos
aquellos estados en los que para entradas iguales tengan el mismo estado siguiente y la
misma salida
6) Elaborar un diagrama de estados simplificado.
7) Hacer la asignacin de estados de acuerdo a las siguientes reglas.
Regla 0: El estado inicial del circuito debe asignarse a la celda 0 del mapa.
Regla 1: Estados que tengan iguales estados siguientes para una condicin de entrada,
debern tener asignaciones que puedan ser agrupadas en celdas lgicamente adyacentes.
Regla 2: Estados que sean el estado siguiente de un estado dado, debern tener
asignaciones que puedan ser agrupados en celdas lgicamente adyacentes.
Regla 3: Estados que tengan salidas idnticas debern ser agrupados en celdas
lgicamente adyacentes.
8) Si existiera alguna discrepancia, se deber dar preferencia a las condiciones de adyacencia
que ocurran ms de una vez y a las que estn impuestas por las reglas 1 y 3.
9) La asignacin adecuada de estados nos simplificar el diseo del circuito.
10) Construir una tabla de estados utilizando la asignacin elegida.
11) Hacer los mapas de Karnaugh utilizando la tabla de estados, para la lgica del
decodificador de prximo estado.
12) Hacer la eleccin de los elementos de memoria.


13) Desarrollar la lgica del decodificador de salida.
14) Hacer el diagrama lgico del diseo.
2.3.4 Aplicacin de circuitos secuenciales
Como ya hemos comentado, los sistemas secuenciales forman un conjunto de circuitos muy
importantes en la vida cotidiana. En cualquier elemento que sea necesario almacenar algn
parmetro, es necesario un sistema secuencial. As, cualquier elemento de programacin (o lo que
es lo mismo, con ms de una funcin) necesita un sistema secuencial.
Los Flips-flops son utilizados para hacer contadores, registros, son las bases de las memorias
actuales, aunque ya no los tengan fsicamente incorporados.
Los contadores son circuitos secuenciales que cambian de estado ante cambio de una seal de
entrada evolucionando cclicamente entre un nmero concreto de estados. En los contadores
sncronos la seal que marca el cambio de estado es, bsicamente, la seal de reloj. Existen muy
variados tipos de contadores para aplicaciones muy diversas aplicaciones.
En su visin bsica un registro paralelo de n bits realiza la misma funcin que el biestable D para 1
bit, es decir, ante pulso de reloj cambia el estado para que refleje el valor de un conjunto de
entradas. Dicho estado se mantiene hasta el siguiente pulso de reloj. En la Figura siguiente se
presenta un registro paralelo de 4 bits, ante flanco descendente de reloj, las variables de estado (y
salida) Q0 a Q3 toman los valores de las entradas D0 a D3.
A modo de ejemplo, expondremos el caso de una mquina de refrescos. En esta mquina iremos
introduciendo monedas hasta alcanzar o sobrepasar el valor del refresco que deseamos sacar. Por
lo tanto, en este sistema se debe almacenar una serie de datos, como pueden ser:
Los precios de los productos ofertados.
Estado de existencia de los mismos.
Cantidad de dinero que hayamos introducido en la mquina hasta el momento.
As, vemos que es necesario almacenar temporalmente una serie de datos, por lo que nos
encontramos ante un sistema secuencial.
2.4 Familias lgicas
Las clulas fundamentales en los circuitos digitales son las puertas lgicas descritas en la unidad
anterior. Existen una gran variedad de tecnologas que permiten la realizacin fsica de estas
puertas. Aunque ciertamente se pueden construir puertas lgicas usando dispositivos neumticos,
hidrulicos y electromecnicos, en este curso se aborda principalmente el uso de dispositivos
electrnicos, y ms especialmente los dispositivos integrados, ms que los discretos.
La Lgica con transistores discretos tiene grandes desventajas, especialmente porque cuando se
acoplan puertas en seguida de otra, las corrientes que se establecen no son siempre las mismas y
cuando la red se hace grande se pueden tener grandes desequilibrios de corriente. Lo que puede


llegar a hacer que las puertas no funcionen como se espera. Adems, el espacio ocupado es
grande y la velocidad de respuesta no es ptima.
Por lo anterior al final de la dcada de los 60's y principios de los 70's los mdulos discretos fueron
reemplazados por circuitos integrados. A continuacin se describirn cinco tipos de familias de
circuitos integrados, que por su aparicin en orden cronolgico stas son:
DL (Lgica Diodo)
RTL (Lgica Resistencia-Transistor)
DTL (Lgica Diodo-Transistor)
HTL (Lgica de alto umbral)
ECL (Lgica de Acoplamiento de Emisor)
TTL (Lgica Transistor-Transistor)
MOS (Semiconductor xido Metal)
o PMOS (MOS tipo-P)
o NMOS (MOS tipo-N)
o CMOS (MOS Complementario)
o BiCMOS (CMOS Bipolar)
IIL I
2
L (Lgica Inyeccin Integrada)

2.4.1 TTL
En los componentes fabricados con tecnologa TTL los elementos de entrada y salida del
dispositivo son transistores bipolares. Aunque la tecnologa TTL tiene su origen en los estudios de
Sylvania, fue Signetics la compaa que la populariz por su mayor velocidad e inmunidad al ruido
que su predecesora DTL, ofrecida por Fairchild Semiconductor y Texas Instruments,
principalmente. Texas Instruments inmediatamente pas a fabricar TTL, con su familia 74xx que se
convertira en un estndar de la industria. Sus caractersticas son las siguientes:
Su tensin de alimentacin caracterstica se halla comprendida entre los 4,75v y los 5,25V
(como se ve un rango muy estrecho).
Los niveles lgicos vienen definidos por el rango de tensin comprendida entre 0,2V y 0,8V
para el estado L (bajo) y los 2,4V y Vcc para el estado H (alto).
La velocidad de transmisin entre los estados lgicos es su mejor base, si bien esta
caracterstica le hace aumentar su consumo siendo su mayor enemigo. Motivo por el cual
han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, LS, S, etc y ltimamente los CMOS:
HC, HCT y HCTLS. En algunos casos puede alcanzar poco ms de los 250 MHz.
Las seales de salida TTL se degradan rpidamente si no se transmiten a travs de circuitos
adicionales de transmisin (no pueden viajar ms de 2 m por cable sin graves prdidas).
TTL trabaja normalmente con 5V.


Los circuitos de tecnologa TTL se prefijan normalmente con el nmero 74 (54 en las series
militares e industriales). A continuacin un cdigo de una o varias cifras que representa la familia y
posteriormente uno de 2 a 4 con el modelo del circuito.
Con respecto a las familias cabe distinguir:
TTL : Serie estndar
TTL-L (low power) : Serie de bajo consumo
TTL-S (schottky) : Serie rpida (usa diodos Schottky)
TTL-AS (advanced schottky) : Versin mejorada de la serie anterior
TTL-LS (low power schottky) : Combinacin de las tecnologas L y S (es la familia ms
extendida)
TTL-ALS (advanced low power schottky) : Versin mejorada de la serie LS
TTL-F (FAST : fairchild advanced schottky)
TTL-AF (advanced FAST) : Versin mejorada de la serie F
TTL-HCT (high speed C-MOS) : Serie HC dotada de niveles lgicos compatibles con TTL
TTL-G (GHz C-MOS) : GHz ( From PotatoSemi)
La tecnologa TTL se caracteriza por tener tres etapas, siendo la primera la que le nombra:
Etapa de entrada por emisor. Se utiliza un transistor multiemisor en lugar de la matriz de
diodos de DTL.
Separador de fase. Es un transistor conectado en emisor comn que produce en su
colector y emisor seales en contrafase.
Driver. Est formada por varios transistores, separados en dos grupos. El primero va
conectado al emisor del separador de fase y drenan la corriente para producir el nivel bajo
a la salida. El segundo grupo va conectado al colector del divisor de fase y produce el nivel
alto.
Esta configuracin general vara ligeramente entre dispositivos de cada familia, principalmente la
etapa de salida, que depende de si son bferes o no y si son de colector abierto, tres
estados (ThreeState), etc. Mayores variaciones se encuentran entre las distintas familias: 74N, 74L
y 74H difieren principalmente en el valor de las resistencias de polarizacin, pero la mayora de los
74LS (y no 74S) carecen del transistor multiemisor caracterstico de TTL. En su lugar llevan una
matrz de diodos Schottky (como DTL). Esto les permite aceptar un margen ms amplio de
tensiones de entrada, hasta 15V en algunos dispositivos, para facilitar su interface con CMOS.
Tambin es bastante comn, en circuitos conectados a buses, colocar un transistor PNP a la
entrada de cada lnea, para disminuir la corriente de entrada y as cargar menos el bus. Existen
dispositivos de interface que integran impedancias de adaptacin al bus para disminuir las
reflexiones u aumentar la velocidad.
A la familia inicial 7400, o 74N, pronto se aadi una versin ms lenta pero de bajo consumo,
la 74L y su contrapartida rpida, la 74H, que tena la base de los transistores dopada con oro para
producir centros de recombinacin y disminuir la vida media de los portadores minoritarios en la


base. Pero el problema de la velocidad proviene de que es una familia saturada, es decir, los
transistores pasan de corte a saturacin. Pero un transistor saturado contiene un exceso de carga
en su base que hay que eliminar antes de que comience a cortarse, prolongando su tiempo de
respuesta. El estado de saturacin se caracteriza por tener el colector a menos tensin que la
base. Entonces un diodo entre base y colector, desva el exceso de corriente impidiendo la
introduccin de un exceso de cargas en la base. Por su baja tensin directa se utilizan diodos de
barrera Schottky. As se tienen las familias 74S y74LS, Schottky y Schottky de baja potencia. Las
74S y 74LS desplazaron por completo las 74L y 74H, debido a su mejor producto retardo -
consumo. Mejoras en el proceso de fabricacin condujeron a la reduccin del tamao de los
transistores que permiti el desarrollo de tres familias nuevas: 74F (FAST: Fairchild Advanced
Schottky Technology) de Fairchild y 74AS (Advanced Schottky) y 74ALS (Advanced Low Power
Schottky) de Texas Instruments. Posteriormente, National Semiconductor redefini la 74F para el
caso de bferes e interfaces, pasando a ser 74F(r).
Adems de los circuitos LSI y MSI descritos aqu, las tecnologas LS y S tambin se han empleado
en:
Microprocesadores, como el 8X300, de Signetics, la familia 2900 de AMD y otros.
Memorias RAM
Memorias PROM
PAL, Programmable Array Logic, consistente en una PROM que interconecta las entradas y
cierto nmero de puertas lgicas.
2.4.2 ECL
Pertenece a la familia de circuitos MSI implementada con tecnologa bipolar; es la ms rpida
disponible dentro de los circuitos de tipo MSI. La primera familia con diseo ECL, la ECL I, apareci
en el ao 62 con las primeras familias de circuitos integrados. Ya en aquella poca se trataba de la
familia ms rpida (un retardo de propagacin tpico de 8ns.), y tambin, era ya, la que ms
disipaba.
En la actualidad puede parecer que 8 ns es mucho cuando hay circuitos CMOS que con un
consumo muy bajo (sobre todo esttico) superan con creces esta prestacin, pero en realidad la
tecnologa ECL tambin ha evolucionado tanto en diseo como en fabricacin, y en la actualidad
se consiguen retardos netamente inferiores al nanosegundo, con un consumo alto pero no
desorbitado.
Como familia bipolar que es, el margen de ruido no es bueno. En este caso no slo es reducido en
margen a nivel bajo, sino que tambin lo es el margen a nivel alto. Esto es consecuencia de la
reducida excursin lgica. Y la razn es que para conseguir velocidad deben variar poco los valores
de tensin.
El principio que gua a la familia es tratar de evitar a toda costa que los transistores que configuran
el circuito entren en saturacin. Por lo que las conmutaciones sern entre corte (o casi corte) y
conduccin. Por lo tanto siempre vamos a tener transistores conduciendo, con lo que el consumo


es continuo. Es decir no slo hay picos de corriente en las transiciones, sino que siempre
tendremos un consumo apreciable en el circuito. Por otro lado la presencia de corrientes
significativas en el circuito en todo momento, hace que el fan-out sea bueno.
Es la forma de lgica ms rpida, ya que los dispositivos activos se las arreglan para trabajar fuera
de la saturacin. Tambin se hace aun mucho ms rpida haciendo que las variaciones de seal
lgicas sean aun menores (Dt=800mV), eso hace que el tiempo de carga y descarga de C de carga y
parasitas sean aun menores...
El circuito ECL se basa en el uso de un interruptor de direccin de corriente, que se puede
construir con un par diferencial, que se polariza con un voltaje Vr y de corriente I cte ambos. La
naturaleza diferencial del circuito lo hace menos susceptible a captar ruido.
A diferencia de otras tecnologas (TTL, NMOS, CMOS), la ECL se alimenta con el positivo (Vcc)
conectado a masa, siendo la alimentacin entre 0 y -5'2V, habitualmente. Algunas familias
permiten que V
EE
sea -5V, para compartir la alimentacin con circuitos TTL.
Existen 2 formas conocidas, la ECL 100k y la ECL 10K, la 100k es ms rpida pero consume mayor
corriente. Adems de las familias lgicas ECL I, ECL II, ECL III, ECL10K y ECL100K, la tecnologa ECL
se ha utilizando en circuitos LSI:
Matrices lgicas
Memorias (Motorola, Fairchild)
Microprocesadores (Motorola, F100 de Ferranti)
Para mejorar las prestaciones de la tecnologa CMOS, la ECL se incorpora en ciertas
funciones crticas en circuitos CMOS, aumentando la velocidad, pero manteniendo bajo el
consumo total.
2.4.3 MOS
Estas familias, son aquellas que basan su funcionamiento en los transistores de efecto de campo o
MOSFET. Estos transistores se pueden clasificar en 2 tipos, segn el canal utilizado:
NMOS: se basa nicamente en el empleo de transistores NMOS para obtener una funcin
lgica. Su funcionamiento de la puerta lgica es el siguiente: cuando la entrada se
encuentra en el caso de un nivel bajo, el transistor NMOS estar en su zona de corte, por
lo tanto, la intensidad que circular por el circuito ser nula y la salida estar la tensin de
polarizacin (un nivel alto); y cuando la entrada se encuentra en el caso de que est en un
nivel alto, entonces el transistor estar conduciendo y se comportar como interruptor, y
en la salida ser un nivel bajo.

PMOS: El transistor MOS se puede identificar como un interruptor controlado por la
tensin de la puerta, V_G, que es la que determinar cundo conduce y cuando no.



Algunas de las ventajas que tiene la tecnologa MOS, sobre las anteriores son:
Bajo consumo
Alta densidad de integracin
2.4.4 CMOS
Es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su principal
caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y
tipo nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es
nicamente el debido a las corrientes parsitas.
En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa CMOS.
Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos otros
tipos de circuitos integrados digitales cuyo consumo es considerablemente bajo.
En un circuito CMOS, la funcin lgica a sintetizar se implementa por duplicado mediante dos
circuitos: uno basado exclusivamente en transistores pMOS (circuito de pull-up), y otro basado
exclusivamente en transistores nMOS (circuito de pull-down). El circuito pMOS es empleado para
propagar el valor binario 1 (pull-up), y el circuito nMOS para propagar el valor binario 0 (pull-
down). Vase la figura. Representa una puerta lgica NOT o inversor.
Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su
fuente conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de
la puerta lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin.
Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su
fuente conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por lo tanto a la
salida de la puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no
conduccin.
Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una seal
degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico inicial 0 1,
siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda tolerar.
Ventajas
La familia lgica tiene una serie de ventajas que la hacen superior a otras en la fabricacin
de circuitos integrados digitales:
El bajo consumo de potencia esttica, gracias a la alta impedancia de entrada de los
transistores de tipo MOSFET y a que, en estado de reposo, un circuito CMOS slo
experimentar corrientes parsitas. Esto es debido a que en ninguno de los dos estados
lgicos existe un camino directo entre la fuente de alimentacin y el terminal de tierra, o
lo que es lo mismo, uno de los dos transistores que forman el inversor CMOS bsico se
encuentra en la regin de corte en estado estacionario.


Gracias a su carcter regenerativo, los circuitos CMOS son robustos frente a ruido o
degradacin de seal debido a la impedancia del metal de interconexin.
Los circuitos CMOS son sencillos de disear.
La tecnologa de fabricacin est muy desarrollada, y es posible conseguir densidades de
integracin muy altas a un precio mucho menor que otras tecnologas.
Algunos de los inconvenientes son los siguientes:
Debido al carcter capacitivo de los transistores MOSFET, y al hecho de que estos son
empleados por duplicado en parejas nMOS-pMOS, la velocidad de los circuitos CMOS es
comparativamente menor que la de otras familias lgicas.
Son vulnerables a latch-up: Consiste en la existencia de un tiristor parsito en la estructura
CMOS que entra en conduccin cuando la salida supera la alimentacin. Esto se produce
con relativa facilidad debido a la componente inductiva de la red de alimentacin de los
circuitos integrados. Generalmente es suficiente con espaciar contactos de sustrato y
pozos de difusin con suficiente regularidad, para asegurarse de que est slidamente
conectado a masa o alimentacin.
Segn se va reduciendo el tamao de los transistores, las corrientes parsitas empiezan a
ser comparables a las corrientes dinmicas (debidas a la conmutacin de los dispositivos).

Figura 149 Comparacin entre las familias lgicas.


Algunas aplicaciones de las familias lgicas:
La familia TTL tiene una lista extensa de funciones digitales y es comnmente la familia
lgica ms popular.
La ECL se usa en sistemas que requieren operaciones de alta velocidad.
Los MOS e I
2
L se usan en circuitos que requieren alta densidad de componentes y
La CMOS se usa para sistemas que requieren bajo consumo de energa.
2.4.5 Bajo voltaje (LVT, LV, LVC, ALVC)
Caractersticas
Diseadas para trabajar con VCC pequea sin perder capacidad de carga ni empeorar los
tiempos de propagacin.
Hay varias subfamilias: LV, LVC, ALVC, LVT, ALVT
La tensin de alimentacin tpica es VCC = 3,3V => pero las hay de tensiones de
alimentacin menores
Cada una de las familias tiene unos determinados circuitos de proteccin a la entrada y a
la salida.
La otra solucin, ms adecuada, pasa por utilizar familias lgicas especialmente diseadas para
funcionar con tensiones de alimentacin reducidas, sin que ello suponga una prdida de capacidad
de carga ni incremento de los tiempos de propagacin. Estas familias lgicas son conocidas como
familias lgicas de baja tensin (low voltage logic families). Dentro de las familias lgicas de baja
tensin se encuentran: LV, LVC, ALVC, LVT, ALVT, AVC, LVQ, (algunos ejemplos de estos circuitos
son: 74LV165, 74LVC14, 74ALVCH16272, 74LVT18502, etc.).
Cada una de estas familias presenta caractersticas de velocidad, margen de tensin de
alimentacin, etc. diferentes. En la tabla 2 se resumen las caractersticas ms destacables para
cuatro de estas familias (LV, LVC, ALVC, LVT), clasificadas de izquierda a derecha en orden
creciente de velocidad de conmutacin.
Obsrvese que el margen de tensiones en el que pueden funcionar, garantizando un correcto
funcionamiento, va desde 2.3 a 3.6V, siendo una tensin tpica de alimentacin 3.3V. Las familias
LV, LVC y ALVC estn realizadas con tecnologa CMOS y la familia LVT con tecnologa BiCMOS.
Por tanto, las caractersticas de estas familias tienen cierta similitud con sus homlogas
alimentadas con 5.0V. As, para las familias LV, LVC y ALVC con alimentaciones en el rango de 2.7-
3.6V, se cumple:
V
OH
=Vcc -0.2V
V
OL
=0.2V
V
IHmn
=2.0V
V
ILmx
=0.8V
V
TH
=0.5AVcc (tensin umbral)


Tabla 2.13 Caractersticas ms importantes de familias lgicas de baja tensin
Hemos de advertir que algunos fabricantes llegan a dar, en las caractersticas de sus circuitos,
como tensin mnima de alimentacin hasta 1.0V para algunas familias. Pero se ha de tener en
cuenta que esto supone una reduccin notable de las prestaciones de los circuitos y no garantiza
la compatibilidad con otras familias.



Unidad 3. Convertidores
Muchos equipos y dispositivos modernos requieren procesar las seales analgicas que reciben y
convertirlas en seales digitales para poder funcionar. Un ejemplo de esto son las grabadoras de
sonido, las cuales capturan el sonido a travs de un micrfono el cual convierte las ondas sonoras
en una seal elctrica analgica para despus ser convertida por un ADC (convertidor anlogo
digital) a una serie de bits, los cuales sern almacenados por un ordenador, a la hora de reproducir
el sonido, es requerido un convertidor digital anlogo (DAC), el cual convierte los bits en una seal
analgica y conectado a una bocina reproducir el sonido.
SEAL ELCTRICA ANALGICA
Seal elctrica analgica es aquella en la que los valores de la tensin o voltaje varan
constantemente en forma de corriente alterna, incrementando su valor con signo elctrico
positivo (+) durante medio ciclo y disminuyndolo a continuacin con signo elctrico negativo ()
en el medio ciclo siguiente. El cambio constante de polaridad de positivo a negativo provoca que
se cree un trazado en forma de onda senoidal. Por tanto, una onda elctrica de sonido puede
tomar infinidad de valores positivos y negativos (superiores e inferiores), dentro de cierto lmite de
voltaje positivo o negativo, representados siempre dentro de una unidad determinada de tiempo,
generalmente medida en segundos.

Figura 150 seal elctrica analgica
Representacin grfica de una onda senoidal o sinusoidal alterna con una frecuencia de 3 Hz
(Hertz) o ciclos por segundo. Cada ciclo est formado por:
amplitud de onda (A), siendo positiva (+) cuando la sinusoide alcanza su mximo valor de
tensin o voltaje de pico (por encima de 0 volt) y negativa () cuando decrece (por
debajo de 0 volt).

El valor mximo que toma la seal elctrica de una onda sinusoidal recibe el nombre de
cresta o pico (P), mientras que el valor mnimo o negativo recibe el nombre de
vientre o valle (V).

La distancia existente entre una cresta o pico y el otro, o entre un valle o vientre y el otro
se denomina perodo (T).



Una vez aclaradas las diferencias bsicas entre la tecnologa analgica y la digital, veamos ahora
cmo se efecta el proceso de conversin de una tecnologa a otra.
Para realizar esa tarea, el conversor ADC (Analog-to-Digital Converter - Conversor Analgico
Digital) tiene que efectuar los siguientes procesos:
1. Muestreo de la seal analgica.
2. Cuantizacin de la propia seal
3. Codificacin del resultado de la cuantizacin, en cdigo binario.

Muestreo de la seal analgica

Representacin grfica de medio ciclo positivo (+) ,
correspondiente a una seal elctrica analgica de sonido,
con sus correspondientes armnicos. Como se podr
observar, los valores de variacin de la tensin o voltaje
en esta sinusoide pueden variar en una escala que va de
0 a 7 volt.

Para convertir una seal analgica en digital, el primer
paso consiste en realizar un muestreo (sampling) de sta,
o lo que es igual, tomar diferentes muestras de tensiones
o voltajes en diferentes puntos de la onda senoidal. La frecuencia a la que se realiza el muestreo se
denomina razn, tasa o tambin frecuencia de muestreo y se mide en kilo Hertz (kHz). En el caso
de una grabacin digital de audio, a mayor cantidad de muestras tomadas, mayor calidad y
fidelidad tendr la seal digital resultante.

Durante el proceso de muestreo se asignan valores numricos equivalentes a la tensin o voltaje
existente en diferentes puntos de la sinusoide, con la finalidad de realizar a continuacin el
proceso de cuantizacin.

Las tasas o frecuencias de muestreo ms utilizadas para audio digital son las siguientes:

24 000 muestras por segundo (24 kHz)
44 100 muestras por segundo (44,1 kHz) (Calidad de CD)

Para realizar el muestreo (sampling) de una seal elctrica analgica y convertirla despus en
digital, el primer paso consiste en tomar valores discretos de tensin o voltaje a intervalos
regulares en diferentes puntos de la onda senoidal.

Figura 151 Muestreo de la seal
analgica


Por tanto, una seal cuyo muestreo se realice a 24 kHz, tendr menos calidad y fidelidad que otra
realizada a 48 kHz. Sin embargo, mientras mayor sea el nmero de muestras tomadas, mayor ser
tambin el ancho de banda necesario para transmitir una seal digital, requiriendo tambin un
espacio mucho mayor para almacenarla en un CD o un DVD.

En la grabacin de CDs de msica, los estudios de sonido utilizan un estndar de muestreo de 44,1
kHz a 16 bits. Esos son los dos parmetros requeridos para que una grabacin digital cualquiera
posea lo que se conoce como calidad de CD.

CONDICIN DE NYQUIST

El ingeniero sueco Harry Nyquist formul el siguiente teorema para obtener una grabacin digital
de calidad:

La frecuencia de muestreo mnima requerida para realizar una grabacin digital de calidad, debe
ser igual al doble de la frecuencia de audio de la seal analgica que se pretenda digitalizar y
grabar. Este teorema recibe tambin el nombre de Condicin de Nyquist.

Es decir, que la tasa de muestreo se debe realizar, al menos, al doble de la frecuencia de los
sonidos ms agudos que puede captar el odo humano que son 20 mil hertz por segundo (20
kHz). Por ese motivo se escogi la frecuencia de 44,1 kHz como tasa de muestreo para obtener
calidad de CD, pues al ser un poco ms del doble de 20 kHz, incluye las frecuencias ms altas
que el sentido del odo puede captar.

Cuantizacin de la seal analgica

Una vez realizado el muestreo, el siguiente paso es la
cuantizacin (quantization) de la seal analgica. Para esta
parte del proceso los valores continuos de la sinusoide se
convierten en series de valores numricos decimales discretos
correspondientes a los diferentes niveles o variaciones de
voltajes que contiene la seal analgica original.

Por tanto, la cuantizacin representa el componente de
muestreo de las variaciones de valores de tensiones o voltajes
tomados en diferentes puntos de la onda sinusoidal, que
permite medirlos y asignarles sus correspondientes valores en
el sistema numrico decimal, antes de convertir esos valores
en sistema numrico binario.

Codificacin de la seal en cdigo binario
Figura 152 Proceso de cuantizacin
(quantization) de la seal elctrica
analgica para su conversin en seal
digital.


Despus de realizada la cuantizacin, los valores de las tomas de voltajes se representan
numricamente por medio de cdigos y estndares previamente establecidos. Lo ms comn es
codificar la seal digital en cdigo numrico binario.

La codificacin permite asignarle valores numricos binarios equivalentes a los valores de
tensiones o voltajes que conforman la seal elctrica analgica original.

En este ejemplo grfico de codificacin, es posible observar cmo se ha obtenido una seal digital
y el cdigo binario correspondiente a los niveles de voltaje que posee la seal analgica.

La siguiente tabla muestra los valores numricos
del 0 al 7, pertenecientes al sistema decimal y sus
equivalentes en cdigo numrico binario. En esta
tabla se puede observar que utilizando slo tres
bits por cada nmero en cdigo binario, se
pueden representar ocho niveles o estados de
cuantizacin.

Tabla 3.1 Estados de cuantizacin.

Y en esta otra tabla se puede
ver la sustitucin que se ha
hecho de los valores
numricos correspondientes
a los voltajes de las
muestras tomadas de la
seal analgica utilizada
como ejemplo y su
correspondiente conversin
a valores en cdigo binario.

Tabla 3.2 tabla de sustitucin de voltaje cdigo binario

Valores en volt en
Sistema Decimal
Conversin a
Cdigo Binario
0 000
1 001
2 010
3 011
4 100
5 101
6 110
7 111
Valor de los voltajes de la seal
analgica del ejemplo
Conversin a Cdigo
Binario
0 000
2 010
3 011
4 100
6 110
7 111
7 111
5 101
4 100
3 011
0 000


3.1 Analgico / Digital A/D
En la automatizacin e instrumentacin industrial, se producen seales analgicas que varan
constantemente, con variaciones que pueden ser muy rpidas o lentas. Estas seales no son
fciles de tratar, como sumar almacenar, comparar etc. Por lo que se recurre a estos dispositivos
en circuito integrado.
Realizan el paso de seales analgicas a digitales asignando a cada nivel de tensin un nmero
digital para ser utilizado
por el sistema de
procesamiento. Las
caractersticas
fundamentales de un
convertidor AD son la
precisin y la velocidad. En
el mbito industrial son
bastante comunes los
conversores de 4, 8, 10 y
12 bits aunque la
tendencia es a
convertidores de mayor
precisin (14 16 bits). La
velocidad de conversin
depende de las
necesidades de la aplicacin
pero hay que tener en
cuenta que est en contraposicin con la precisin. Por ltimo, un factor a tener en cuenta en la
eleccin de un convertidor AD es la tecnologa utilizada (aproximacin sucesiva, Flash, Pipeline,
Sigma-Delta) que depender de las necesidades de precisin y velocidad.
Los convertidores de este tipo se representan en un grafico de, voltaje de entrada analgica Vs.
Palabra en la salida digital, y esta palabra depender del nmero de bits del convertidor.

Figura 154 Smbolo ADC de 4 bits
Figura 153 Grafico de un CAD de 4 Bits


Conociendo el nmero de Bits, se puede encontrar el nmero mximo de palabras diferentes que
puede proporciona la salida digital.
La Resolucin es entonces =

Donde a = numero de bits. As que para un convertidor de 4 Bits en la salida a = 4 : Y sern 16
diferentes palabras incluyendo el cero.
Nota: Es el nmero de bits que tiene la palabra de salida del convertidor, y por tanto es el
nmero de pasos que admite el convertidor. As un convertidor de 8 bits slo podr dar a la salida
28 = 256 valores posibles.
Existe otra resolucin que se define como la razn de cambio del valor en el voltaje de entrada,
Vent. Que se requiere para cambiar en 1LSB la salida digital. Esto es cuando se conoce el valor de
Vin, a escala completa. El voltaje de entrada a escala completa Vin, es proporcionado por el
fabricante en sus hojas de especificaciones.
Entonces Vin es el valor mximo presente en la entrada anloga, para proporcionar UNOS lgicos
en todas las salidas de Bit digitales.

Restando solo la manera de encontrar una ecuacin de entrada salida, para facilitar rpidamente
la palabra digital, incluso en forma decimal, que entrega el convertidor.

Vent = voltaje anlogo presente en el instante
D = Valor decimal de la salida digital
Nota: La tensin de fondo de escala depende del tipo de convertidor, pero normalmente se fija a
nuestro gusto, en forma de una tensin de referencia externa, (aunque en algunos casos, como el
del convertidor ADC 0804 la tensin de fondo de escala es el doble de la tensin de referencia).
Por ejemplo, un convertidor de 8 bits con una tensin de fondo de escala de 2V tendr una
resolucin de:

En cambio, para el mismo convertidor, si cambiamos la tensin de referencia, y por tanto la de
fondo de escala, la resolucin ser de:



EJEMPLO:
Un convertidor analgico a digital de 4 bits, genera solamente unos cuando Vi = 2.55 V.
Encuentre la resolucin en sus dos formas, y su salida digital cuando Vi = 1.28V
a) Numero de salidas:
Salidas diferentes incluyendo 0000.

b) Resolucin :

c) Ecuacin:

CARACTERSTICAS BASICAS.
Impedancia de entrada
Rango de entrada
Nmero de bits
Resolucin
Tensin de fondo de escala
Tiempo de conversin
Error de conversin
Tiempo de conversin:
Es el tiempo que tarda en realizar una medida el convertidor en concreto, y depender de la
tecnologa de medida empleada. Evidentemente nos da una cota mxima de la frecuencia de la
seal a medir.
Este tiempo se mide como el transcurrido desde que el convertidor recibe una seal de inicio de
conversin (normalmente llamada SOC, Start of Conversin) hasta que en la salida aparece un
dato vlido.
Para que tengamos constancia de un dato vlido tenemos dos caminos:
Esperar el tiempo de conversin mximo que aparece en la hoja de caractersticas.
Esperar a que el convertidor nos enve una seal de fin de conversin.
Si no respetamos el tiempo de conversin, en la salida tendremos un valor, que dependiendo de la
constitucin del convertidor ser: Un valor aleatorio, como consecuencia de la conversin en
curso o el resultado de la ltima conversin


3.1.1 Tipos
Los convertidores A/D se pueden clasificar bsicamente en los siguientes tipos:

Aunque no son los nicos, s son los ms tpicos. Los que ms inters tienen por su aplicacin son
los marcados con asterisco (*). Dentro de cada grupo, la arquitectura interna es muy similar.
Escalera.
Consta de un D/A en el que la entrada es un
contador. La entrada RST al contador es la de
inicio de cuenta. El amplificador es un circuito
comparador. Su funcionamiento no es el de un
amplificador lineal, sino que est fabricado
para comparar V+ con V- como lo hace un
amplificador operacional, llevando al
amplificador a saturacin positiva o negativa.
Tiene con l dos diferencias: en primer lugar es
ms rpido y adems trabaja en niveles
compatibles con TTL. Es decir su forma de
trabajo es:
Si V+>V- sat. positiva y Vo=5V
Si V+<V- sat. negativa y Vo=0V

A/D
Realimentados
Escalera
Seguimiento
Aproximaciones
Sucesivas*
Integradores
Simple Rampa
Doble Rampa*
Tension de
frecuencia*
Paralelo
Figura 155 Convertidor ADC tipo escalera


Vamos a identificar en el A/D en escalera dado los elementos dados como bsicos en un A/D. En
primer lugar tiene una entrada analgica. La salida, digital, se toma a la salida del contador. La
seal de control SC es RST que pone a cero el contador y la seal EOC es la EC que da un flanco
descendente cuando termina la conversin.

El funcionamiento del A/D es el siguiente: Con la seal RST el contador se pone a 0 con lo que la
entrada del D/A tendr ese valor y as mismo la salida. Por tanto V-=0. Pero V+=VIN debe ser
mayor que cero, por lo que VIN>V- y el amplificador se satura positivamente por lo que la salida
Vo=5V=EOC. En esta situacin se habilita la puerta AND permitiendo el paso de un pulso de reloj
que obliga al contador a contar. En su salida tendr un LSB que saldr en analgico a la salida del
D/A. Si su valor es menor que VIN la salida del amplificador seguir siendo 5V, por lo que el
contador contar otra vez. Y as sucesivamente hasta que V->VIN. En ese momento la salida del
amplificador pasar a valer 0V inhabilitando la puerta. Por tanto, el contador recorrer, en cada
caso, todos los estados hasta que la salida del D/A supere la tensin de entrada. Dada la gran
precisin del amplificador nunca se dar la situacin de que sus dos entradas sean iguales.
Siempre estar saturado.

Este A/D tiene una pega y es el tiempo que tarda el circuito en hacer la conversin. Este tiempo
depende del valor de VIN ya que en cada caso habr que recorrer todos los estados desde 0. Si VIN
es alto, habr que recorrer muchos estados. El tiempo mximo cuando el contador recorre todos
los estados es:

Donde n es el numero de bits del contador t f
CLK
la frecuencia del reloj. Por tanto tarda ms cuanto
ms resolucin tenga el contador y menor sea la frecuencia del reloj.

Seguimiento.
En este circuito, la puerta se sustituye por el efecto de un contador ascendente descendente.

Figura 156 Convertidor ADC por seguimiento


Es especialmente til cuando la seal a medir no evoluciona muy rpido y queremos saber de
forma continuada el valor de VIN. es decir lee continuamente. En el circuito anterior, cada vez que
se quera hacer una lectura haba que empezar por el principio. Aqu, una vez que se ha alcanzado
el valor aproximado a la seal VIN el contador solo aumenta o disminuye sobre este valor. Hace un
seguimiento del seal. La seal SC, por tanto, es slo una RST que se conecta a la seal de
alimentacin para comenzar. Una vez que est contando no se necesita esta seal ya que la
cuenta es ininterrumpida. La forma de obtener la seal SC ser entonces:

Cuando se empieza a contar la cuenta se hace en sentido creciente y la salida del amplificador
estar en saturacin positiva hasta que la seal de entrada VIN sea menor que la salida del D/A. En
ese momento, la cuenta se hace decreciente para ajustar el valor.
Este desajuste puede ocurrir por dos causas: o bien la VIN est entre dos valores de salida del D/A
que tiene valores discretos (Valor de la entrada digital x VREF = Salida analgica), o bien se debe a
modificaciones de VIN.
Este tipo de circuito es el que se utilizara para medir temperatura permanentemente unida a un
panel digital. La salida va variando arriba o abajo segn como sea la lectura.
Aproximaciones sucesivas.
En este circuito, se sustituye el contador por un registro de
aproximaciones sucesivas (RAS). La idea de este circuito es
lograr llegar al valor final, sin tener que recorrer todos los
anteriores. Para ello, se pretende conocer en cada ciclo de
reloj el valor de un bit. En primer lugar el valor del bit ms
significativo Dn-1, despus el Dn-2 y as sucesivamente.
El mtodo consiste en colocar en primer lugar en el registro
el valor LHH...H. Si la VIN es superior a la salida del D/A en
ese caso, el amplificador lo detectar dando saturacin
positiva y un 1 en salida. Por tanto para alcanzar el valor
deseado tendr que incrementar el bit de mayor peso, es
decir darle el valor H. Si por el contrario, el amplificador
hubiese dado a la salida un 0, el bit estara en su valor
correcto.
Figura 157 Convertidor ADC por
aproximaciones sucesivas


Una vez conocido el valor de Dn-1 introducimos como dato digital el siguiente:
LHH...H y
comparamos la salida del D/A con VIN como se hizo en el caso anterior. De esta manera
conseguimos saber tambin el valor de
. Repitiendo este proceso en el tiempo conseguimos

obtener el valor buscado.

La principal ventaja que presenta este dispositivo frente a otros es que se necesita un ciclo de reloj
por cada bit. Por ello, para 12 bits slo son necesarios 12 ciclos de reloj. La base de este A/D es un
Registro de aproximaciones sucesivas, que est diseado a partir de un registro de desplazamiento
cuyo funcionamiento sea el siguiente:

0 1 1 1 1 1 1 1
2
0 1 1 1 1 1 1
3
0 1 1 1 1 1
4
0 1 1 1 1
5
0 1 1 1
6
0 1 1
7
0 1
8
0
9
, representa el ciclo de reloj. Como se observa el dato est disponible en el ciclo de reloj ,
uno ms que el nmero de bits del dato de salida. Si VIN > V0DAC entonces la saturacin del
comparador ser positiva y a la salida de ste tendremos V0 = 5V (un 1 lgico para TTL). Si VIN <
V0DAC entonces la saturacin ser negativa y v0 = 0V (un 0 lgico en TTL). Con esto vemos que la
salida del comparador, cuando evaluamos un bit, coincide con el valor correcto de ste. Por tanto,
la salida del comparador debe utilizarse como entrada del registro de desplazamiento antes
indicado.

Los tiempos de conversin son del orden de los s o de los centenares de ns ya que slo
necesitamos, para 12 bits, 13 ciclos de reloj y podemos utilizar frecuencias altas (de hasta MHz).
Los problemas que pueden presentar este tipo de convertidores son del tipo de problemas de
deriva, de OFFSET, de Vref, etc., que hacen que este tipo de convertidores no sean adecuados para
un nmero de bits superiores a los 14. Esto se debe a que el propio convertidor, y debido a los
problemas ya comentados, posee errores superiores a la resolucin que buscamos al aumentar el
nmero de bits. Este tipo de convertidores es el utilizado ms comnmente, salvo que deseemos
realizar pocas conversiones por segundo (5, 10, 30, etc.). Para conversiones de 1000, 2000 por
segundo es casi de uso obligatorio.



CONVERTIDORES DE INTEGRACIN

De simple rampa

Figura 158 Convertidor ADC de simple rampa
Se hace la conversin en un slo paso. Disponemos de un integrador y la tensin VIN debe ser
positiva (unipolar). Cuando SC=1, entonces:
1. Se cierra el interruptor cortocircuitando el condensador C, de manera que se descarga a
travs de la RON del interruptor.
2. Se resetea el contador colocndolo a cero.
3. La unidad de control permite que la seal de reloj llegue al contador. Para ello coloca a 1
la tercera entrada de la puerta AND.
Tras estos pasos el integrador
comienza en cero y como VIN
es positivo, la salida del
amplificador estar en
saturacin positiva. Con ello, a
la salida del comparador
tendremos un 1 lgico, lo cual
permitir que la seal de reloj
CLK alcance al contador. A
medida que se carga el
condensador aumenta el valor
de salida del integrador VI.
Esto continua igual hasta que
en un momento determinado
VIN es mayor o igual que VI lo que hace que el comparador se sature negativamente, y por tanto,
VC = 0. En ese momento el resultado de la puerta NAND es un uno lgico, con lo cual impedimos
que la seal CLK llegue al contador, terminando as el proceso de conversin.


Lo que se ha hecho ha sido convertir VIN en una magnitud de tiempo t y ese tiempo lo evaluamos
con un contador...

En el integrador tenemos:

En el instante de tiempo
==>
, sustituyendo...

despejando el nmero de pulsos n...

En donde se observa que el nmero de pulsos que tiene el contador al final de proceso es
directamente proporcional a VIN ya que todo lo dems es una constante. Con esto vemos que la
salida del contador es la salida del convertidor A/D. El factor de proporcionalidad depender de la
estructura del circuito.
El principal problema que presenta este tipo de convertidores es que la salida depende de muchos
factores, como: Vref, R, C y T. Por ello Vref y T deben ser muy estables en el tiempo para que la
conversin sea correcta. Los valores de RC no afectan mucho ya que su contribucin pueden dar
errores de ganancia fcilmente subsanables. La dependencia con el reloj, a travs de T, es ms
importante ya que la estabilidad del mismo debe ser siempre la misma "de por vida". Por ello, esta
estructura es muy simple y barata si prescindimos de las caractersticas extremas que necesitamos
para el reloj, esto hace que no se utilice esta estructura. Veamos ahora otra estructura que evita
este problema: doble rampa.
Doble rampa
El circuito es el de la figura

Figura 159 convertidor ADC de doble rampa


El sistema funciona en dos partes en el tiempo proporcionando dos rampas distintas.
a. La entrada es la seal analgica VA que se desea digitalizar. Dura un tiempo fijo tF.
b. Tiene como entrada -VREF y el tiempo es variable. Se supone VA>0.
Durante el primer perodo de tiempo la salida ser:

Ya que el condensador est descargado al comenzar la conversin mediante el interruptor que
tiene en paralelo.
En el segundo tramo, al conmutar la entrada sta se hace negativa lo que implica una pendiente
positiva. Sin considerar las condiciones inciales la salida sera:

y teniendo en cuenta las condiciones inciales:

La condicin de final de segunda rampa se tendr cuando la salida sea nula.

Se puede encontrar una expresin de esta ecuacin en la que, eliminando el tiempo, se
introduzcan los pulsos de reloj. Si f es la frecuencia de reloj, su perodo ser la inversa de la
frecuencia y se puede escribir

siendo
el nmero de pulsos en el contador transcurridos en un tiempo tx, tF

respectivamente.
Por tanto, en valores del contador la expresin ser
, depende de
externa y de
que es el nmero fijo de pulsos de reloj que se puede fijar

sin problema. La nica condicin a pedir al sistema es que el reloj debe tener una frecuencia
constante durante el tiempo de conversin.


Los convertidores de este tipo son lentos: unas 30-40 conversiones por segundo, es decir de 30-40
mseg lo cual permite que el oscilador se muy sencillo del tipo RC.
Este convertidor es til ya que adems de tener una dependencia baja de la salida con la entrada,
permite conseguir alta resolucin (24 bits o algo ms). Sin embargo esta alta resolucin puede
presentar problemas de deriva o offset que se resuelva mediante una tercera rampa (7109). Su
idea bsica es medir la deriva en la primera fase poniendo la entrada a cero y aadiendo esta
deriva mediante un sumador en el resto del circuito. Se aade, por tanto, un tiempo previo al
primero que es un ajuste de cero del A/D.
Por otra parte, si VA<0 se necesitar que VREF sea positiva. El 7109 permite ambos signos en la
entrada mediante un selector del signo de la tensin de referencia dependiendo del de la entrada.
Otra ventaja de este circuito es el bajo consumo por estar fabricado en tecnologa CMOS. Son
tambin bastante inmunes al ruido sobre todo al de alta frecuencia. Si, por ejemplo, se quiere
convertir una seal continua, si se observa sta detenidamente se ver que no tiene un nico valor
sino que oscila dentro de una banda de valores (tiene ruido).
Con un convertidor de integracin la conversin no es instantnea (del orden de 30 c/s), por ello al
integrar en el tiempo est promediando el valor de la seal. Si el perodo de conversin es un
mltiplo de la seal de ruido, conseguiremos que el valor obtenido coincida con el valor de la seal
constante y por tanto sin ruido, ya que la contribucin de los semiperiodos positivos del ruido es
la misma que la de los semiperiodos negativos.
Tensin-Frecuencia
En este tipo de convertidor se realiza una conversin de la seal analgica de entrada a
frecuencia, midindose despus el valor de la misma (antes la convertamos en tiempo). Este
circuito, por tanto, tendr dos partes bien distintas: la primera convierte la seal a frecuencia y la
segunda mide esa frecuencia. La primera parte del circuito ser:

Figura 160 Convertidor ADC por tensin-frecuencia



Est formada por un integrador y un comparador. El control detecta cuando VI es igual a VREF y en
ese momento cortocircuita, momentneamente, el condensador, comenzando as otro perodo de
integracin. El valor de Vi ser:

para (tiempo de integracin)
, sustituyendo en la expresin anterior:

El comportamiento, por tanto, de V
REF
y de V
0
se aprecia en la siguiente figura.

Se observa la salida de pulsos rectangulares en el comparador, se trata de una seal peridica.
Este perodo depender de dos cosas: T, tiempo de integracin y TD, tiempo de descarga del
condensador. Ver figura anterior. El perodo de la seal obtenida ser T + TD aunque como
consideraremos que el perodo es igual a T. Despejando de la expresin obtenida

anteriormente tenemos:
y la frecuencia
en donde observamos
que efectivamente la frecuencia es proporcional a
.
Una de las principales ventajas que presenta este convertidor es que posee una alta capacidad de
aislamiento, debido a que la salida ya es digital y con un optoacoplador, se consigue un
aislamiento completo y total. Por ello, si colocamos a la salida de nuestro conversor tensin-
frecuencia un optoacoplador obtendremos un convertidor A/D con aislamiento...



La segunda parte de este convertidor ser un frecuencmetro. Bsicamente consiste en contar el
nmero de pulsos que llegan a partir de un patrn de tiempo. Por tanto el convertidor completo
ser:

La salida del contador ser la salida del convertidor. En el tiempo tendremos:

Durante el tiempo TA el SAMPLE/HOLD estar en muestreo y durante TH estar en mantenimiento
y Vc vale 1, permitiendo que los pulsos lleguen al contador. Durante TH se habrn contado n
pulsos, siendo n = TH /T y como sabemos el valor de F=1/T

Como se aprecia el nmero de pulsos es proporcional a VIN.
Se trata de un circuito de bajo coste muy interesante para el caso de aislamiento. Tambin es
interesante para el caso de transmisin de informacin a larga distancia dado que la salida ya se
encuentra digitalizada y, por ejemplo, se puede multiplexar varias de ellas a travs un multiplexor
digital.



Convertidor paralelo
Se trata de un convertidor excepcionalmente rpido pero muy complejo desde el punto de vista
del circuito. Su estructura tiene dos partes. En el primer nivel aparecen un conjunto de
comparadores

Figura 161 convertidor ADC en paralelo
En donde, si el codificador tiene a la salida n niveles, necesitamos
comparadores a la entrada
(para 8 bits se necesitan 256 comparadores). Las tensiones de referencia son todas mltiplos de la
tensin del LSB. Por ejemplo, si tenemos 8 bits, con una tensin de 10 V, el LSB ser:

El funcionamiento de este comparador es simple: todos aquellos comparadores en los que
sea
mayor que su tensin de referencia estar en saturacin positiva mientras que los dems no. El
segundo nivel es un codificador que convierte las
entradas en salidas. Ahora conseguimos

que la conversin sea instantnea. Sus principales aplicaciones son en vdeo.
Hasta aqu hemos estudiado los mtodos de conversin ms habituales, aunque no los nicos.
Comercialmente existen tres convertidores que cubren el 99% de los que se utilizan: RAMPA
(particularmente triple rampa), APROXIMACIONES SUCESIVAS, y TENSIN/FRECUENCIA. Cundo
utilizar cada uno? Debemos fijarnos en la resolucin y en las caractersticas temporales.



3.1.2 Aplicaciones
Existen mltiples aplicaciones, ya que en cualquier sistema donde se quiera procesar, clasificar y
almacenar informacin del mundo real a travs de una computadora, ser necesario la
integracin de un convertidor anlogo digital. Algunos ejemplos de aplicacin son las
capturadoras de sonido, video, digitalizacin de imgenes, etc.
3.2 Digital / Analgico D/A
La estructura general que presenta un convertidor D/A es la siguiente:

Figura 162 Estructura general de un DAC
En donde el LATCH es necesario para que el valor digital de la entrada permanezca en sta el
tiempo necesario para que la conversin se lleve a cabo con normalidad. Sin embargo, no siempre
es sta la estructura necesaria. En algunas ocasiones los convertidores no poseen el LATCH, o por
el contrario no tienen el amplificador de salida, o la red de resistencias no tiene fuente de
alimentacin de referencia, etc., en esos casos habr que colocrselo externamente.
Nos centramos ahora en el estudio de la red de resistencias. Sabemos que el convertidor nos va a
facilitar una salida que ser proporcional al dato digital de entrada y a la tensin de referencia

Donde Dx es el valor digital normalizado a la unidad, y por tanto est comprendido en [0,1). Si
tenemos 8 bits para Dx, el valor mnimo ser
y Dx ser siempre un mltiplo de

este valor mnimo. Por tanto, los valores posibles son:
0, 1/256, 2/256, 3/256, ... , 255/256. Que se puede expresar en la forma...

Por tanto, D
x
tomar los valores comprendido en [0,(2
n
-1)/2
n
].


Por otro lado la tensin de referencia V
ref
debe cumplir dos condiciones: debe ser precisa (su valor
se debe conocer con mucha precisin) y debe ser estable frente al tiempo y frente a la
temperatura.
Para medir esa dependencia frente a la temperatura est el coeficiente de temperatura que nos
da la relacin entre V
ref
y la variacin de la temperatura (V
ref
/T). Para ello el valor del
coeficiente vendr en V/
0
C. Valores ms precisos son los dados en V/
0
C.
Estructura interna de los DAC

Resistencias Ponderadas

Figura 163 DAC por red de resistencias ponderadas
Es la estructura ms simple que se puede dar. Como se aprecia fcilmente se trata de un sumador
con un interruptor analgico en cada entrada de suma que permite aadirla o no.
Dependiendo de que el valor de V
REF
sea positivo o negativo, obtendremos a la salida una tensin -
+. Cada bit del dato digital actuar sobre un interruptor del circuito. As
acta sobre
sobre

, ... , y
sobre
. Con ello, la tensin a la salida V

0
se obtiene como , el


signo - es debido a que hemos supuesto en el dibujo que la tensin de referencia es positiva, y la
intensidad I ser la suma de las intensidades que circulen por cada rama...

El que exista o no intensidad por una rama determinada depender de que ese interruptor est
abierto o no, por ello...
)
El cual resulta proporcional a

y a
, como era de esperar. El principal problema que presenta

este circuito es que las resistencias van aumentando con respecto a la anterior en progresin
geomtrica, de manera que para 12 bits, la ltima debe ser 4096 veces mayor que la primera y
esto es un inconveniente importante.
Red de Resistencias R-2R
La primera red de este tipo recibe el nombre de red R-2R Invertida y tiene la siguiente estructura:

Figura 164 DAC por Red de resistencias R-2R
La estructura mostrada presenta una gran simetra en el conjunto de resistencias slo roto por
ambos extremos. En el izquierdo aparece una resistencia 2R y el derecho una fuente de tensin
Vref. Es importante resaltar el hecho de que todos lo extremos de las resistencias de 2R
conectados a un interruptor, poseen tensin nula (tierra), tanto si el interruptor est abierto como
si est cerrado: si est abierto (0) ==> est conectado a tierra directamente y si est a cerrado (1)
==> est conectado a una barra que llega al terminal inversor del amplificador que por tierra
virtual, tambin est a 0V. Con esto podemos ver que las dos primeras resistencias de 2R (las de


ms a la izquierda) se encuentran en paralelo, siendo la resistencia equivalente igual a R. Esta
resistencia equivalente (R) est en serie con la siguiente resistencia, cuyo valor tambin es R. Por
tanto el conjunto ser de 2R. Esta resistencia de 2R vuelve a estar en paralelo con la siguiente
resistencia de 2R y con ello se repite el proceso hasta llegar al final del circuito. Por tanto, en la
figura anterior se han sealado aqullos puntos del circuito donde la resistencia equivalente es R.
Si nos fijamos ahora en ese ltimo punto donde la resistencia equivalente es R y el resto del
circuito, el circuito que nos queda ser:

En total tenemos, otra vez, dos resistencias de 2R en paralelo. Por ello, la intensidad I generada en
la fuente de alimentacin se repartir por igual (I/2) entre las dos ramas. La intensidad (I/2) que
atraviesa la resistencia equivalente del resto del circuito, se encuentra con un trozo de circuito que
posee la misma estructura que vimos antes, es decir, dos resistencias de 2R otra vez en paralelo,
con lo cual la intensidad se vuelve a repartir por igual entre sus dos ramas (I/4). Este proceso se
repite hasta alcanzar a la ltima pareja de resistencias de 2R.
Con todo este montaje la tensin final que se obtiene a la salida del amplificador ser

Donde en ese sumatorio se incluirn las intensidades que llegan al amplificador debido a que el
interruptor correspondiente estar cerrado. Por tanto...
)
Que como vemos es la misma expresin que obtuvimos para el caso anterior. La principal ventaja
que presenta este circuito es que no tiene limitacin de bits, ya que su complejidad es la misma
con cualquier nmero de stos. Adems, slo se utilizan resistencias de valores R y 2R, lo cual es
fcil de fabricar, lo que resulta ms difcil es obtener resistencias de valores concretos y exactos.
Otra estructura R-2R es la que mostramos ahora que se denomina R-2R Normal


En ella la colocacin de las resistencias y sus valores coinciden con el caso visto anteriormente.
Las diferencias aparecen en la colocacin del amplificador y que en esta ocasin los extremos de
las resistencias 2R no estn ahora a tierra siempre: estarn a tierra cuando el interruptor est
abierto (0), cuando est cerrado (1) est conectado a una tensin Vref.
Ahora la tensin de salida V0 ser -IR. Para calcular el valor de la intensidad I vamos a ver la
contribucin de cada interruptor del circuito. Empezamos suponiendo que todos los interruptores
estn a cero salvo el que acta por la accin del MSB del dato de entrada, que supondremos que
est a 1. En ese caso los extremos de las resistencias 2R anteriores estarn todas a tierra, y por
tanto, tendremos algo parecido a lo ya visto en el caso anterior. Si calculamos el equivalente
Thevenin en el nodo A tenemos, teniendo en cuenta que todo el circuito anterior se reduce a R.

Este es el modelo equivalente para el MSB. Supongamos ahora que todos los interruptores estn a
cero, incluido el MSB, salvo el segundo ms significativo. Calculamos, de nuevo, su equivalente
Thevenin en el nodo A.



Primero calculamos el equivalente en B de las dos ramas de la izquierda y con l obtenemos el
equivalente total en A.
Si repetimos el proceso con los dems interruptores del circuito podemos ir obteniendo la
contribucin de cada uno de ellos: observamos que la resistencia Thevenin es en todos los casos
R
TH
=R y la tensin Thevenin V
TH
= V
ref
/8, V
ref
/16, V
ref
/32, etc. Con estos datos podemos calcular la
intensidad total como suma de las intensidades que aporta cada rama.
(
)
Que representa el comportamiento esperado.
Existen muchas variantes constructivas de los D/A, as por ejemplo, hay convertidores con salida
en tensin o con salida en intensidad, para ello slo es necesario quitar el amplificador que
usamos en la estructura anterior. Otras variaciones de estructura provienen de la utilizacin de
transistores bipolares npn como elementos de conmutacin en lugar de los interruptores
analgicos utilizados hasta ahora. En ese caso cada transistor posee la misma tensin de base
suministrada por Vref. Con una tensin de emisor VEE ms negativa que la tensin de colector
conseguimos que exista una corriente colector-emisor, que ser la misma para todos los
transistores utilizados (transistores gemelos). El peso con el que contribuye cada uno de ellos se
consigue mediante la red de resistencias, aunque en algunas ocasiones son los propios transistores
quienes proporcionan ese peso al ser transistores multiemisores.
La caracterstica fundamental de un D/A es la red de resistencias y el circuito de conmutacin.
Todo el resto: tensin de referencia, amplificador operacional, etc., puede no estar incluido en el
circuito correspondiente.
Parmetros caractersticos de los D/A
Estos parmetros nos van a permitir poder elegir el D/A ms adecuado a nuestras necesidades,
teniendo en cuenta que su comportamiento no es ideal en absoluto. Los errores que nos vamos a
encontrar sern debido a dos aspectos principalmente:
a) por ser un componente real
b) por disponer el dato digital de entrada de un nmero limitado de bits.
Resolucin
La resolucin de un D/A se puede considerar desde dos puntos de vista, desde la entrada o desde
la salida. Desde el punto de vista de la entrada la resolucin viene dada por el nmero de bits de la
palabra digital de entrada. Desde la salida se define la resolucin como el incremento de tensin a


la salida debido a dos cdigos sucesivos en la entrada. Se define un LSB, como debido al cambio
del bit LSB de la entrada, en la forma...

tambin se puede dar este valor en tanto por ciento.
Los D/A no tienen menos de 8 bits, aunque lo normal es de 12 bits. En algunas utilidades, como
puede ser en los compact disk y en alta fidelidad, se utilizan D/A de hasta 24 bits. Desde el punto
de vista dinmico es importante el tiempo de establecimiento.
Tiempo de establecimiento
Es el tiempo que transcurre desde que se produce un cambio en la entrada hasta que se obtiene la
salida correspondiente dentro de un rango de error definido. Ahora nos interesa el valor mximo
de este tiempo de establecimiento, que depender bsicamente de los interruptores analgicos o
de los transistores bipolares, en suma del circuito de conmutacin del sistema. Por ello, hacemos
variar a todos los elementos de conmutacin desde

y obtenemos valores que van de 1 a 100 s. Para convertidores de alta velocidad se alcanzan
valores de ns con conmutadores bipolares.
Otro tipo de informacin que facilitan los fabricantes sobre los D/A es el tipo de salida que
suministra el sistema: tensin o intensidad. Y tambin el cdigo digital de entrada: Gray, binario
natural, cdigo bipolar (complemento a 2, complemento a 1, signo-magnitud, etc.). El tipo de
salida que suministra: si es unipolar o bipolar es muy importante. Adems, en muchos D/A viene
incluida la Vref, en cuyo caso nos dan las caractersticas de la misma y cmo vara con respecto a la
temperatura.
Un aspecto importante a tener en cuenta en los D/A es su comportamiento estacionario. Existen
tres tipos de errores bsicos en ese caso:
error de cero o de offset
error de ganancia de span o de fondo de escala (FS)
error de linealidad
El error de cero:
es la diferencia entre la salida real del convertidor y la salida ideal para el cdigo 0000...0.


Este tipo de error es susceptible de subsanarse, es decir, un D/A se puede calibrar, de tal manera
que este error desaparezca. Para ello se coloca a la salida un sumador que aade, con signo
contrario, el error de cero detectado. Algunos D/A disponen de una entrada de calibracin. Este
error puede cambiar, con el tiempo y con la temperatura, ya que su salida V
0
depender de Vref
,por ello se debe calibrar el D/A en cada ocasin. En muchas ocasiones el fabricante nos
proporciona la tensin de referencia en el mismo circuito aunque no viene conectada por si nos
interesa conectarle otra de mejores prestaciones.
Error de ganancia:
Es la diferencia entre la salida real y la salida
ideal para el cdigo de entrada 1111...1,
cuando se ha compensado ya el error de cero.
Tambin es un error cancelable, se consigue
variando la pendiente de la lnea y esto se
consigue cambiando la ganancia del circuito.
Para ello aadimos un amplificador sumador inversor, de tal manera que primero ajustamos el
error de cero y segundo variamos el potencimetro Rn de manera que variamos la ganancia del
circuito hasta conseguir la adecuada...
Error de linealidad: es el mximo error entre la
salida real y la salida ideal cuando ya se han
compensado los errores de cero y de ganancia.
Este error no es compensable, por tanto en un
convertidor D/A siempre tendremos el error
de resolucin y el error de linealidad ya que no
se pueden compensar ninguno de los dos.
3.2.1 Tipos
Los convertidores D/A se pueden clasificar en tres grupos atendiendo al valor del error y del
tiempo de establecimiento:
1) De aplicacin general, con una resolucin de 8 a 12 bits y un tiempo de establecimiento en
torno a 1 s. Normalmente se utilizan de 12 bits.


2) De alta resolucin, cuando sta se encuentra entre 12 y 24 bits. Su error de linealidad es
muy pequeo, del orden de 0.0007%.
3) De alta velocidad, cuando su tiempo de establecimiento est en torno a los 5 ns.
3.2.2 Aplicaciones
Las aplicaciones ms significativas del DAC son;
En instrumentacin y control automtico, son la base para implementar diferentes tipos
de convertidores analgico digitales, as mismo, permiten obtener, de un instrumento
digital, una salida analgica para propsitos de graficacin, indicacin o monitoreo,
alarma, etc.

El control por computadora de procesos en la experimentacin, se requiere de una
interface que transfiera las instrucciones digitales de la computadora al lenguaje de los
actuadores del proceso que normalmente es analgico.

En comunicaciones, especialmente en cuanto se refiere a telemetra transmisin de
datos, se traduce la informacin de los transductores de forma analgica original, a una
seal digital, la cual resulta ms adecuada para la transmisin.

Tarea. Realiza una investigacin de las caractersticas que tiene el convertidor digital a utilizar. Por
ejemplo: AD558, DAC0808, DAC0810, etc



Unidad 4. Lenguajes HDL
Un lenguaje de descripcin de hardware (HDL, Hardware Description Language) permite
documentar las interconexiones y el comportamiento de un circuito electrnico, sin utilizar
diagramas esquemticos.
El flujo de diseo suele ser tpico:
1. Definir la tarea o tareas que tiene que hacer el circuito.
2. Escribir el programa usando un lenguaje HDL. Tambin existen programas de captura de
esquemas que pueden hacer esto, pero no son tiles para diseos complicados.
3. Comprobacin de la sintaxis y simulacin del programa.
4. Programacin del dispositivo y comprobacin del funcionamiento.
Un rasgo comn a estos lenguajes suele ser la independencia del hardware y la modularidad o
jerarqua, es decir, una vez hecho un diseo ste puede ser usado dentro de otro diseo ms
complicado y con otro dispositivo compatible.
4.1 Dispositivos lgicos programables
Un dispositivo lgico programable, o PLD (Programmable Logic Device), es un dispositivo
cuyas caractersticas pueden ser modificadas y almacenadas mediante programacin. El
dispositivo programable ms simple es el PAL (Programmable Array Logic). El circuito interno de
un PAL consiste en una matriz de conexiones, una matriz de compuertas AND y un arreglo de
compuertas OR. Una matriz de conexiones es una red de conductores distribuidos en filas y
columnas con un fusible en cada punto de interseccin, mediante la cual se seleccionan cuales
entradas del dispositivo sern conectadas al arreglo AND cuyas salidas son conectadas al arreglo
OR y de esta manera obtener una funcin lgica en forma de suma de productos.
En la figura se muestran los circuitos bsicos para la mayora de los dispositivos lgicos
programables.

Figura 165 Estructuras conmunmente utilizadas en PLD's



4.1.1 Tipos

Figura 166 Tipos de PLDs
4.1.2 Caractersticas
A continuacin se detallan los diferentes tipos de dispositivos lgicos programables:
Dispositivos lgicos programables simples (SPLDs), que incluyen a los PALs y GALs. Fueron
introducidos hace cerca de 30 aos y ahora son una parte muy pequea y en contraccin
del mercado de la lgica programable.
Dispositivos lgicos programables complejos (CPLDs). Conforman alrededor del 35% del
mercado. Heredan la estructura AND-OR de los PAL, ofreciendo mayor nmero de
entradas y salidas y una mayor conectividad interna. Pueden trabajar a alta velocidad,
pero tienen un alto consumo de potencia, adems que cuentan con pocos flip-flops,
relativamente.
Arreglos de compuertas programables en campo (FPGAs). Representan cerca del 60% del
mercado de la lgica programable. Cuentan con muchos flip-flops, adems de la lgica
configurable.

Existen dos subcategoras de los FPGAs:

FPGAs que utilizan fusibles para establecer la conectividad (configuracin) interna.
Como consecuencia estos dispositivos mantienen su configuracin cuando se desconecta
la alimentacin. Sin embargo, son programables solo una vez, lo cual tarda varios
minutos, motivo por el que no soportan la reconfiguracin. Adems, ofrecen una relativa
baja densidad de componentes.

FPGAs que utilizan memoria RAM esttica para mantener la configuracin interna
(SRAM-FPGAs). Esta es la familia ms exitosa hasta el momento, debido a que ofrece una
alta densidad de componentes, se configura en cuestin de milisegundos y puede ser
reconfigurada cuantas veces sea necesario. Tienen el inconveniente de que la
configuracin se pierde al desconectar la alimentacin, por lo que requieren
reprogramacin cada vez que sta se aplique.

PLDs
SPLDs
PALs
GALs
CPLDs
FPGAs
FPGAs por Fusibles
FPGAs por RAM


4.1.3 Fabricantes
Entre los principales fabricantes que existen de PLDs estan:
Altera
Cypress
Lattice
Philips
Texas Instruments
Xilinx

4.1.4 Pasos para el diseo con PLDs
El lenguaje VHDL es en principio independiente del
dispositivo programable que debamos utilizar. Puede
incluso utilizarse para hacer una simulacin sin hacer
referencia al CI programable. Adems, el lenguaje es
suficientemente flexible para que un mismo problema
admita diferentes codificaciones.
Sin embargo, no todas estas codificaciones darn los
mismos resultados en cuanto a prestaciones y uso de
recursos a la hora de programar un circuito dado.
Aunque los programas informticos permiten optimizar
el paso de un cdigo VHDL al fichero de programacin
de un CI programable, no podemos esperar en la
actualidad que la solucin encontrada sea la mejor.
Por otro lado, optimizar puede tener sentidos distintos.
Un diseador puede estar interesado en obtener la
mxima frecuencia de trabajo, o bien en reducir la
utilizacin de recursos del CI, de forma que quede
espacio para programar otras lgicas. Es tarea del
diseador ayudar a mano a que el resultado final sea
lo ms eficiente posible. Es ms, a veces la forma de
escribir el cdigo VHDL depende del dispositivo que se
use (por ejemplo si es una FPGA o un CPLD).
El ciclo de diseo se puede dividir, en general, en 3 fases:
especificacin, validacin, materializacin. En la
especificacin se introduce el diseo bien mediante
captura esquemtica, bien mediante un lenguaje de
Simulacin Funcional
Edicin de Esquemticos
o de texto
Verificacin Sintctica
OK
No
Si
Generacin del Net-
Line inicial
OK
No
Si
Eleccin del dispositivo
Sntesis y ajuste
Generacin de Net-
List
Simulacin estructural y
anlisis de tiempos
OK
No
Si
Configuracin o programacin
del dispositivo


descripcin hardware (HDL). El diseo debe verificarse
sintcticamente.

Con la generacin del netlist (sntesis) tenemos la descripcin de una serie de elementos lgicos
conectados y podemos pasar a realizar la validacin del diseo, mediante la simulacin. La
simulacin puede ser funcional, considerando los elementos como ideales (sin retrasos), o
estructural, en el que la herramienta informtica incorpora modelos ms elaborados de los
elementos lgicos que permiten realizar la simulacin incorporando retrasos. En este ltimo caso,
podemos abordar adems el anlisis de los tiempos de setup y de hold. La simulacin funcional es
ms rpida y se aconseja realizarla primero hasta que la lgica de nuestro diseo se compruebe.
Una vez que se ha realizado la simulacin funcional podemos pasar a la implementacin fsica, es
necesario una etapa de sntesis y ajuste (fitting) en el que el diseo se divide en elementos
asimilables a los recursos fsicos de nuestra PLC (sumas de productos, multiplexores, memoria
embebida).
Se puede observar en la figura que se pueden generar netlist tomando como base diferentes tipos
de elementos, por ejemplo, puertas elementales al inicio del diseo, o bien los elementos que
realmente se encuentran en un dispositivo programable, una vez que sabemos cul vamos a
utilizar.
Requerimientos y limitaciones.
En un diseo existen una serie de requerimientos previos como pueden ser:
- El diseo debe estar terminado en una cierta fecha.
- Debe funcionar correctamente, con el mnimo de material.
- Debe ser capaz de operar a una cierta frecuencia.
- No puede superar un cierto costo econmico.
- Debe ajustarse a un circuito ms complejo (limitaciones de espacio y compatibilidad).

El orden de los requerimientos puede ayudar a tomar decisiones. Por ejemplo, si la fecha lmite es
el requerimiento ms importante, el diseador no dedica ms tiempo a mejorar un diseo que ya
cumple el resto de requerimientos. Si la frecuencia de operacin es un parmetro ms crtico que
el coste, no se pierde tiempo intentando reducir el rea si las prestaciones ya son suficientes.
Es necesario tener en cuenta tambin las limitaciones de los CI programables:
- Nmero de salidas/entradas.
- Nmero de biestables.
- El nmero de trminos producto (o capacidad booleana).
- Las posibles combinaciones de reset/preset que admita.
- Los posibles esquemas de distribucin reloj.
- La capacidad de interconexin interna de seales.

A la hora de decidir entre una CPLD o una FPGA es importante tener en cuenta algunas


consideraciones. Las CPLDs proporcionan habitualmente las mejores prestaciones, pero tambin
contienen menos registros que las FPGAs.

Las CPLDs pueden implementar funciones ms complicadas en un slo pase (sin que la salida sea
realimentada al integrado) y en ellas el anlisis de tiempos es ms fcil. Las FPGAs son ms
flexibles en cuanto a la construccin de celdas lgicas en cascada debido a su granularidad ms
fina (celdas lgicas ms sencillas, pero en mayor nmero que en una CPLD, y con mayor capacidad
de conexin).
La optimizacin y el anlisis de tiempos son ms difciles en una FPGA.
Antes de elegir un dispositivo, es conveniente entender qu recursos necesita un diseo, su
funcionamiento, as como los objetivos de prestaciones, coste y otros. Con todos los
requerimientos en una lista, se pueden comparar las necesidades con lo que un dispositivo puede
ofrecer.
Finalmente, hay que contar por supuesto con un software adecuado y manejable.
Las etapas de sntesis y ajuste.
La sntesis (synthesis) es el proceso de crear las ecuaciones lgicas o las listas de nodos a partir del
cdigo VHDL. El proceso de ajuste (fitting) consiste en encontrar la manera de que esa lgica sea
realizada por un dispositivo programable. Una optimizacin especfica del dispositivo se puede dar
tanto en un proceso como en otro.
El trmino fitting se usa normalmente para referirse a CPLDs. El software de ajuste (fitter) se
encarga de repartir la lgica entre las macroceldas y de conectar y enviar las seales a travs de la
matriz de interconexiones. El anlogo en FPGA es el trmino de colocacin y conexionado (place
and routing), que es el proceso de determinar qu celdas lgicas sern utilizadas y cmo las
seales se transmitirn de una a otra.
El software de sntesis puede pasar al software de ajuste unas ecuaciones lgicas que indiquen
qu recursos se utilizarn, o puede pasar unas ecuaciones no optimizadas, siendo tarea del "fitter"
dicha optimizacin. Lo importante es que los programas de sntesis y ajuste estn bien acoplados,
es decir que el "fitter" reciba la informacin del algoritmo de sntesis de una forma que le permita
producir la mejor implementacin. Si el "fitter" no produce ninguna optimizacin, entonces el
proceso de sntesis debe pasar unas ecuaciones lgicas y una informacin de forma que el "fitter"
no tenga ms que situar la lgica.
4.2 Programacin de circuitos combinacionales con HDL
4.2.1 Por captura esquemtica
La captura esquemtica es un paso ms en el ciclo de diseo asistido de sistemas electrnicos
(EDA), en el que el diagrama o esquema del circuito electrnico es creado por un diseador.


Esto se hace de manera interactiva con la ayuda de una herramienta de captura de esquemas
tambin conocida como editor de esquemas.
Un boceto en papel es el primer paso en el diseo de un circuito electrnico real, despus
este es ingresado en un ordenador a travs de un editor de esquemas.
A pesar de la complejidad de los componentes modernos, la captura esquemtica es ms fcil hoy
de lo que ha sido aos atrs, esto es gracias a las herramientas software tipo CAD que han
facilitado grandemente su desarrollo.
4.2.2 Por tabla de verdad

4.2.3 Por ecuaciones booleanas
4.2.4 Por descripcin de comportamiento
4.3 Programacin de circuitos secuenciales con HDL
4.3.1 Por captura esquemtica
4.3.2 Por tabla de verdad
4.3.3 Por ecuaciones booleanas
4.3.4 Por descripcin de comportamiento
4.3.5 Por tabla de estado
4.3.6 Por diagrama de transicin

Referencias
http://www.unesa.net/unesa/html/sabereinvestigar/largoviaje/turbinas.htm
http://www.electronicaypotencia.com/tercera-sesin
http://www.sc.ehu.es/sbweb/electronica/elec_basica/default.htm
http://www.ucm.es/info/electron/laboratorio/componentes/codigos/manual3.htm
http://www.iearobotics.com/personal/juan/docencia/apuntes-ssdd-0.3.7.pdf
Simulador TTL: http://www.tourdigital.net/inicio/?q=node/15
http://www.uhu.es/rafael.lopezahumada/descargas/tema6_fund_0405.pdf
http://www.uned.es/ca-bergara/ppropias/Morillo/web_etc_II/4_alu/transp_alu.pdf


Serial Number for Atmel-WinCUPL is 60008009.

2
1
-
f
e
b
2
8
-
f
e
b
0
7
-
m
a
r
0
9
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1
0
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a
y
1
6
-
m
a
y
1
7
-
m
a
y
1 AGUILAR HERNANDEZ FRANCISCO VALENTIN 0 1 1 0 0 1 1 0 1 1 0 1 0
2 BARRIOS JIMENEZ JOSE DE JESUS 0 1 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 0
3 BAUTISTA ARCIGA BRIAN GENARO 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 0
4 BELMONTE CABRERA HECTOR AARON 0 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0
5 CASTRO ARELLANO DANIEL ALEJANDRO 0 1 1 0 1 0 1 0 1 1 1 1 1
6 ESPINOZA MEZA MARIA DEL JESUS 1 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1
7 FALCON TRIANA NAILEA MITCHEL 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
8 GAVIRIA VARGAS JOHAN SEBASTIAN 0 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0 1 0
9 GIJON SORIANO ANTONIO 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0
10 GONZALEZ VILLASEOR DANIEL 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1
11 HERNANDEZ SOLIS JOHANA 0 0 0 0 1 0 1 1 0 0 0 0 0
12 HERNANDEZ CALDERON CARLOS 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1
13 IBARRA MUOZ MARCO ANTONIO 0 1 0 0 1 1 1 0 0 0 0 0 0
14 MARTINEZ MARTINEZ ELI HUMBERTO 0 1 0 0 0 0 1 1 1 0 0 0 0
15 MOREIRA ZAMORA JOSUE 0 0 0 0 1 1 1 0 1 0 0 0 0
16 NAVARRO MEZA EDGAR OMAR 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1
17 ORTIZ ROBLES PEDRO ANGEL RAYMUNDO 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1
18 OSORIO HERNANDEZ CARLOS ROBERTO 0 1 0 0 1 1 1 1 0 0 0 0 0
19 OSUNA AGUILAR SERGIO 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
20 REYES BALTAZAR RAMIRO GEOVANNI 0 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1
21 REYES ORTIZ ANGEL GERARDO 0 1 0 0 1 0 1 1 1 1 0 1 0
22 TERCERO MELENDEZ ARTURO 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 1 1 1
23 TORRES ORTIZ VICTOR ALFONSO 0 1 1 0 1 0 1 1 1 1 1 1 1
2 18 12 3 18 12 21 12 17 16 11 16 9
Asistencia Laboratorio 4 ISC-01V

Curso P Electricos y A Digitales V 1 7

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ndice

Unidad 1. Electrnica analgica ....................................................................................................... 1

, la tensin en un inductor es cero cuando

. Estas resistencias se denominan de lazo cerrado. Para el modelo simplificado del

Resistencia de entrada vista por la fuente v

Resistencia de entrada vista por la fuente v

. As de una expresin booleana podremos pasar a un

; son 4 combinaciones posibles.

combinaciones de entradas posibles, siendo n el

el producto de una variable por su complemento da 0

una variable ms el neutro no se altera

por absorcin es igual con

por cancelacin es igual a

por cancelacin es igual a

por cancelacin es igual a

, por cancelacin es igual a

, por cancelacin es igual a

para cualquier nmero n entero positivo.

por consenso es igual a

por consenso es igual a

de una expresin , es decir:

(sumados nos da uno) ii)

(multiplicados nos da cero)

propiedad del complemento

, y as sucesivamente para ms de tres

Usando el Teorema de De Morgan:

, por De Morgan nuevamente e involucin:

es cero, y por idempotencia:

Por el teorema de De Morgan:

, distribuyendo el primero con el tercer factor:

Salidas diferentes incluyendo 0000.

. Repitiendo este proceso en el tiempo conseguimos

el nmero de pulsos en el contador transcurridos en un tiempo tx, tF

que es el nmero fijo de pulsos de reloj que se puede fijar

, sustituyendo en la expresin anterior:

consideraremos que el perodo es igual a T. Despejando de la expresin obtenida

entradas en salidas. Ahora conseguimos

y Dx ser siempre un mltiplo de

. Con ello, la tensin a la salida V

, como era de esperar. El principal problema que presenta

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