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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO Facultad de Ingeniera Elctrica y Electrnica

Escuela Profesional de Ingeniera Elctrica Ciclo 2010-A



Solucionario Del Examen Parcial De Circuitos Electrnicos

SOLUCIN DEL EXAMEN PARCIAL

- EVALUACIN PRCTICA
1) T = 40 D: Germanio
R
1
= R
3
= 10 KO
R
2
= R
4
= 5 KO
Q (V
DQ
, J
DQ
) = ?

Resolvemos aplicando Thevinin (Req):





3 4 1 2
1 2 3 4
10 5 10 5 50 50 100 20
Re
10 5 10 5 15 15 15 3
R xR R xR x x
q k
R R R R
= + = + = + = = O
+ + + +

Hallando ETh:

1
1 2
40 40 8
15 3
I mA
R R
= = =
+


2
3 4
40 40 8
15 3
I mA
R R
= = =
+


Eth = V
AB
= I
1
R
1
I
2
R
3


8 8
(10) (10) 0
3 3
Eth = =
V = I
D
R + V
E


In = 40 V
DC

+
-
R
1

R
2

R
3

R
4

D
1k

C
C
C
C
R
1

R
2

R
3

R
4

a
R
1
R
3

R
4

R
2

b
a
c
R
1

R
2

R
3

R
4

a
I
2

I
1

40
+
-
Req
D
GR

R= 1K
Eth
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ETh = I
D
(Req + R) +
GE
D
V

20
1 0, 2
3
D
O I
| |
= + +
|
\ .


0.2 0.6
3 0, 026
20 20
D
I x mA
| |
= = =
|
\ .



2) Resistencia Dinmica (Rd= ?)
Sabemos:
T
D
V
Rd
I
=
Hallamos V
T
:
23
14
1 1.38 10 (273 40)
27
1.6 10
T
mkt x x x
V mV
q x

+
= = ~
Hallamos I
D
; para una fuente: (Vin = 10 V
CA
/60hz)

La Req = la misma

20
Re
3
q k = O


Por Thevenin:

1
1 2
100 100 20
15 3
I
R R
= = =
+


2
3 4
100 100 20
15 3
I
R R
= = =
+


AB 1 1 2 3
20 20
Eth V I R I R (40) (10) 0
3 3
= = = =
Vemos que no hay variacin en la V
A

I
D
se mantiene I
D
= 0,026 mA
Q = (0,2; -0,026 mA)
I
DA

0,2V
40 V
V
DQ

R
1

R
2

R
3

R
4

100
+
-
R D
R
1

R
2

R
3

R
4

a
I
2

I
1

100
+
-
b
+
+
- -
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27
1, 038
0, 026
T
D
D
V mV
R k
I mA
= = = O

3) (12 V
AD
/ 3 amp)

Vout = Vz = 12 V
P
lim
= ? Vdc = ? Vz = ?
P
lim
= ? Idc = ? Pz = ?

Vout = 12 V Iout = 3 Amp
z out out
dc out
z
dc zap out out
z
z
zap R dc out
z
R R
Lim
R D
V = V x I x 1,2 = 12 x 3 x 1,2 = 43 x 2 watts
V = V +3v
P
I = I + I = + I = 3,36 (A)
10 V
P
I ; V = V - V = 15 - 12 = 3
10 V
V V 3
R = = = = 0,89 (
I I 3,36
=
2 2
R
Lim
)
V 3
R = = = 10,11 watts
R 0, 39

4) V
out
= 35 v R
ADJ
= R
2
= ??
2
out ADJ 2
1
ADJ
ADJ
R
V = 1,25 1+ + I x R
R
5000
37 = 1,25 1+ + I x (5000)
240
5000
37 - 1,25 1+
240
I = 1, 94
5000
mA
| |
|
\ .
| |
|
\ .
| |
|
\ .
=

Para el dato: V
out
= 35 v ; R
ADJ
= R
2
= ??
3 2
2
2
35 1, 25 1 (1.94 10 )
240
4, 72
R
x R
R k

| |
= + +
|
\ .
= O

Vout + 3 s Vdc s 40
Vout = 37
R
L

12 = Vdc
+
-
J
L
= 3Amp I
dc

R
Lim

Z
LM317
R
2

40 V
DC

+
-
240O
5KO
1,5 (A)
R
1

+
-
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- EVALUACIN TERICA

1. Una pequea variacin de tensin en un diodo semiconductor produce:

a) Una gran variacin de corriente
b) Una gran variacin de potencia
c) Una gran variacin de temperatura
d) N.A.

2. Disear la matriz de consistencia para el siguiente titulo de proyecto:
DISEO DE UN DIODO RECTIFICADOR
Planteamiento
del problema
Objetivos Hiptesis Indicadores Metodologa




Como usar un
Diodo
rectificador
mediante
oxido de
hierro.
Observar la curva
caracterstica del
diodo rectificador.
Conocer el
principio del diodo
rectificador
Enlistar las
diferentes
aplicaciones del
diodo rectificador.
Comprobar el
voltaje de disparo
del diodo
rectificador.

Mejora del factor
de regulacin al
utilizar la
ganancia de
corriente del
transistor.

Aumento de la
capacidad de
paso de potencia


Tensin de
entrada.

Tensin de
salida.

Corriente de
entrada.







Mtodo
experimental.
Conclusiones Observaciones
Las funciones que tiene el diodo rectificador que
por mas sencillo que parece es algo complicado de
entender, ya que varia sus funciones con pequeos
cambios ya sean de voltaje o de calor.
Este componente electrnico que
es muy til, el comportamiento a
diferentes temperaturas, por que
este componente es afectado al
cambio del calor.

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3. Explique el parmetro comn, que implican las tcnicas del diseo de sistemas de
alimentacin en base al Diodo Zener y regulador monoltico:
El parmetro comn entre el regulador monoltico y diodo zener es:
debido a que es la mnima tensin con que puede trabajar el circuito.

4. Explique en que condiciones se puede implementar un sistema en base a Diodos donde
la curva se establece como:

Las condiciones donde se puede implementar un sistema de diodo es el siguiente:
1 CASO:
Teniendo en cuenta que la Temperatura Fro = -20C y
D
R =
1 D
R
Entonces con esto tendramos:
q
mkT
V
T
=
Donde: m = 1; T = (TC + 273) K; q =
19
10 6 . 1

x ; k =
23
10 38 . 1

x
Por lo tanto, tendramos lo siguiente:
( )( )( )
( )
mV
x
x
q
mkT
V
T
82 . 21
10 6 . 1
273 20 10 38 . 1 1
19
23
=
+
= =


Entonces la relacin que guarda Rd, Vt y Id es la siguiente:
D
T
D
I
V
R = ; Donde:
D
I = intensidad del diodo
Por lo tanto obtendremos:
1 1
82 . 21
D D
T
D
R
mV
R
V
I = =


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2 CASO:
Teniendo en cuenta que la Temperatura Ambiente = 25C y
D
R =
2 D
R
Por lo tanto, tendramos lo siguiente:
( )( )( )
( )
mV
x
x
q
mkT
V
T
7 . 25
10 6 . 1
25 273 10 38 . 1 1
19
23
=
+
= =


Entonces de la relacin siguiente:
D
T
D
I
V
R =
Por lo tanto obtendremos:
2 2
7 . 25
D D
T
D
R
mV
R
V
I = =

3 CASO:
Teniendo en cuenta que la Temperatura Ambiente = 65C y
D
R =
3 D
R
Por lo tanto, tendramos lo siguiente:
( )( )( )
( )
mV
x
x
q
mkT
V
T
15 . 29
10 6 . 1
65 273 10 38 . 1 1
19
23
=
+
= =


Entonces de la relacin siguiente:
D
T
D
I
V
R =
Por lo tanto obtendremos:
3 3
15 . 29
D D
T
D
R
mV
R
V
I = =
Finalmente, para implementar un sistema de diodo tenemos que tener en cuenta a que
temperatura se ira a poner a trabajar el diodo y a que intensidad de corriente estar
aplicada dicho diodo.

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