Guía Laboratorio de Electrónica I

REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITCNICA
DE LA FUERZA ARMADA NACIONAL
U.N.E.F.A. NCLEO MARACAY
COORDINACIN DE INGENIERA DE TELECOMUNICACIONES
GUA PRCTICA
LABORATORIO DE ELECTRNICA I
ABRIL DE 2010
Actualizado por:
Dra. Mara del Pilar Prez
Coord. Ing. de Telecomunicaciones 1

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 1
CIRCUITOS CON DIODOS (RECORTADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en circuitos
recortadores.
Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Diodo Zener entre 3,6 V y 6 V de 1 W, Resistores varios.
Pre-Laboratorio:
-
Obtenga de la Hoja de Datos de los diodos seleccionados los valores de los diodos
dados por el fabricante y explique lo que cada uno de ellos especifica.
Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

caracterstica de transferencia Vo vs. Vi.
Procedimiento:
1.
Monte el siguiente circuito:
Figura 1
-
Coloque
los
controles
del
generador de funciones en:

Vi = senoidal
-
f = 200 Hz
Aumente la amplitud y observe lo
que sucede en Vo.

-
Para amplitud media, fotografe la

seal observada y mida los valores pico de la seal.
Grafique
Vo
vs.
Vi
en
el
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de

presentacin XY. Vare la amplitud y fotografe lo observado para amplitud mxima.
-
De quienes dependen los valores

pico de la seal final? Justifique.
Invierta
el
diodo
(en
media
amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo

observado.
-
Justifique
el
por
qu
de
las
diferencias entre los grficos anteriores.

-
Sustituya el diodo por el diodo

zener y repita todos los pasos anteriores. Analice y concluya.
2.
Vi
Figura 2
- Coloque los controles del generador de funciones en:
Vi = senoidal
f = 200 Hz
Amplitud = media
- Mida los valores pico de Vo;

- Grafique Vo vs. Vi en el osciloscopio y fotografe lo observado en Vo y Vo vs. Vi.
- De quines dependen los valores pico de la seal final? Justifique.
- Invierta el diodo y repita el paso anterior.
- Justifique las diferencias entre los grficos anteriores.
3.

+
Vo
Vi
V
Figura 3
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
-
Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

200 Hz.
Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y

comience a aumentar V. Observe lo que sucede para V = 4 voltios.
Mida
los valores pico de Vo y
grafique Vo vs. Vi
-
Vare la fuente, observe y anote lo

sucedido, fotografe la forma de onda de Vo y
Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique.

Repita el procedimiento anterior
para el Circuito de la figura N 4

-
Observe que slo se invirtieron la

fuente VDC y el diodo.
+
Vo
Vi
Figura 4
-
Coloque
los
controles
del
generador de funciones en:

Ajuste Vi a amplitud mxima y f = 200 Hz.
-
Grafique Vo y compare con la

seal de entrada Vi.
Invierta
el
diodo
dibuje
lo
observado.
-
Justifique
el
por
qu
de
las

-
Para la posicin inicial del diodo

grafique Vo vs. Vi colocando en osciloscopio en XY, graficando Vo en el canal 2 y
Vi en el canal 1.
Fotografe lo observado. Justifique

las diferencias entre las grficas obtenidas entre los dos circuitos. Concluya.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
2.4. Monte el siguiente circuito:
Vi
Figura 5
-
Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

200 Hz.
Vare V1 y V2 y observe lo que

sucede en Vo; mida los valores pico para
V 1 = 4 voltios y V2 = 6 voltios.
Grafique en el Osciloscopio Vo vs.
Vi; vare las fuentes, observe lo que sucede y anote los resultados.
-
Fotografe las formas de onda

obtenidas para Vo y Vo vs. Vi.
Post-Laboratorio:
-
Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

de la prctica
Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica, analice y

concluya.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 2
CIRCUITOS CON DIODOS (RECTIFICADORES)
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin de

rectificar la seal de entrada en media onda y onda completa.
Materiales: 1N4007 ( 1N4004), Resistores varios, transformador de toma central.
Pre-Laboratorio:
-
Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vi y Vo.
Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para

cada uno de los circuitos de la prctica.
Mida en la simulacin, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en

los diodos para cada uno de los circuitos de la prctica.
Procedimiento:
1.

D2
Vi
5V/200Hz
10K
+
Vo
-
Figura 1
-
Coloque
los
controles
del
Generador de Funciones en:

Vi = 5V (Senoidal)
F=200Hz
Grafique
Vo y compare con la
seal de entrada Vi. Fotografe Vo y Vi.

-
Mida el voltaje DC y la corriente

Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
DC que circula por la carga y por el diodo. Compare con los calculados y simulados
en el pre-laboratorio.
-
Mida el voltaje de pico inverso

(VPI) que aparece en el diodo, comprelo con el valor pico de Vi.
Invierta el diodo y fotografe lo

observado en Vo y en Vi.
Justifique
por
qu
existen

-
Para la posicin inicial del diodo,

grafique Vo vs. Vi colocando el Osciloscopio en XY, y graficando Vo en el Canal 2
y Vi en el Canal 1.
2.
Fotografe lo observado. Concluya.
D3
D1
Ir
+
Vi
6V/200Hz
1K
+
Vr
D2
D4
Figura 2
-
Coloque
los
controles
del

Vi = 6 voltios (senoidal)
F =200 HZ
Observe la seal que aparece en R.

(Vr) y comprela con la de Vi. Fotografe Vo y Vi.
Mida el voltaje DC de la carga Vr y

compare con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
Mida el voltaje de pico inverso

Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
(VPI) que aparece en cada diodo, comprelo con el valor pico de Vi.
-
Mida IR (en DC); mida la corriente

DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
Mida VR y desconecte una rama

del puente (por ejemplo D3).
Mida VR nuevamente y comprelo

con el primer valor tomado.
Explique lo que sucede con VR al

desconectar una rama del circuito.
Explique la operacin de este

circuito e indique qu relacin existe entre las corrientes IR e ID.
3.
D1
TX1
Vi
6V/200Hz
+
-
+
Vs
+
Vs
-
Figura 3
-
- Vo +
IR
10K
D2
Coloque
los
controles
del

Vi = 6 voltios (senoidal)
F =200 HZ
Grafique Vo y comprela con el

valor pico de Vs. Fotografe Vo y Vs.
Sustituya el D1 por un corto e

indique qu sucede a Vo.
Mida el voltaje DC de la carga Vo y

comprelo con el calculado y simulado en el pre-laboratorio.
Mida el VPI que aparece en cada

diodo, comprelo con el valor pico de Vs.
Mida IR (en DC); mida la corriente

Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
DC que circula por cada diodo y comprela con IR. y con los valores calculados y
simulados en el pre-laboratorio.
-
Explique la operacin de este

circuito e indique la diferencia entre el mismo y el montado en la experiencia 2.
Post-Laboratorio:
-

de la prctica
Compare los grficos y valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los

obtenidos en la prctica, analice y concluya.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 3
EL DIODO ZENER COMO REGULADOR DE VOLTAJE - FUENTE DE
ALIMENTACIN REGULADA CON DIODO ZENER
Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento del Diodo Zener como regulador

de voltaje y emplearlo en el diseo de una fuente de alimentacin regulada.
Materiales: Diodo Zener del voltaje que indique el docente para el diseo, Resistores
varios. Valores comerciales ms cercanos para los dispositivos calculados en el diseo.
Pre-Laboratorio:
-
Realice los clculos sugeridos en el procedimiento 1 de la prctica. Recuerde

asumir el valor comercial ms cercano al calculado y determine la potencia de los
resistores y diodos que emplear.
Simule el circuito del procedimiento 1 de la prctica y obtenga todos los valores de

corrientes y voltajes DC que corresponda de acuerdo al caso que corresponda.
Disee una fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener como la mostrada en
el procedimiento 2, segn las caractersticas y restricciones dadas por el instructor
de laboratorio. Estas restricciones pueden incluir: variacin IL de la corriente de
carga, variacin de RL, (que soporte la condicin de circuito abierto), etc.
Simule la fuente de alimentacin regulada con Diodo Zener diseada y mida para
cada caso representado por las restricciones del diseo los voltajes y corrientes DC
correspondientes.
Procedimiento:
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
1. Diodo Zener como regulador de voltaje.
Atendiendo a las caractersticas del Zener adquirido y con relacin al circuito mostrado
en la figura 1:
IR
IL
Rs
+
Va
+
Vz
IZ
ZENER
RL
Figura 1
(Va variable, RL variable)
-
Obtenga el valor de Rs de tal forma que su diodo Zener soporte variaciones de una
fuente de alimentacin no regulada denominada Va y variaciones de RL.
Asumiendo Vamax = 3Vz y RL min = 470, calcule Vamin y RLmax de acuerdo
con las caractersticas del diodo Zener y tomando en cuenta sus condiciones
bsicas de seguridad.
Una vez obtenidos los valores, monte el circuito y mida Va, I R, IZ, IL y VZ, para cada
uno de los casos siguientes:
a) Vamax, RLmax
b) Vamax, RLmin
c) Vamin, RLmax
d) Vamin, RLmin
Determine cules de esos casos son los ms extremos y por qu
Compare los valores obtenidos con los calculados y simulados previamente,

concluya sobre las condiciones de trabajo idneas para que un diodo Zener acte
como regulador de voltaje, as como tambin sobre lo criterios prioritarios a tomar
en cuenta en este diseo.
2. Fuente de Alimentacin regulada con Diodo Zener.

-
Monte la fuente de alimentacin regulada con diodo zener mostrada en la figura 2 y

Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
diseada en el pre-laboratorio de la prctica
Vin
-110/110V
N:a
Rs
+
60 Hz
C
ZENER
RL
Figura 2
Una vez montado el diseo, realice todas las mediciones de los parmetros de
corriente y voltaje. Comprelos con los tericos y con los simulados.
Nota:
-
Tomar en cuenta las potencias disipadas (en teora) y usar valores comerciales.
Post-Laboratorio:
-

de la prctica
Compare los valores calculados y simulados en el pre-laboratorio con los obtenidos

en la prctica, analice y concluya.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 4
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON BJT
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con BJT,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N3904, Q2 = 2N2222. Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.
Pre-Laboratorio:
Obtenga de la Hoja de Datos de los BJT 2N3904 y 2N2222 la curva de mxima

potencia, as como tambin las curvas caractersticas de entrada y de salida de
cada transistor.
Para los circuitos mostrados en las figuras 1, 2 y 3, si Vcc = 15 V, obtenga el valor

de R para obtener la mxima excursin simtrica para Q1
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1, 2 y 3, ajuste el valor de Vs hasta
obtener el mximo nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada
y salida. Mida Vbe, Vce e Ic en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y
seale sobre ella el punto Q de operacin.
En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Procedimiento:
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Ic, Vbe y
Vce, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al BJT durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su cobertura
y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la pantalla
del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y comprela con la
obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el elemento calrico, mida
en DC los valores de Ic, Vbe y Vce, comprelos con los obtenidos en el paso 1 y
seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarizacin Colector a Base (por Retroalimentacin del Colector):
-
Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la experiencia anterior.

Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
3. Polarizacin por Divisor de Tensin:

-
Para el circuito de la figura 3 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
Analice y concluya sobre el efecto del calor y de la variacin de (de transistor) en

relacin con el empleo de los tres circuitos empleados en la prctica.
Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un BJT. Justifique.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 5
POLARIZACIN Y ESTABILIZACIN DE ETAPAS AMPLIFICADORAS CON JFET
Objetivo: Estudiar las tcnicas de polarizacin y estabilizacin de amplificadores con JFET,

observando en cada caso la variacin de la ubicacin del punto Q por efecto de la
temperatura y reemplazo de transistores.
Materiales:
Q1 = 2N5454, Q2 = 2N5457 (es posible sustituir cualquier JFET por el MPF102) Resistores
varios, Potencimetros, capacitores de 10f, cautn.
Pre-Laboratorio:
Obtenga de la Hoja de Datos de los JFETs las curvas caractersticas de entrada y

de salida para cada transistor, as como tambin los valores Idss y Vp.
Para los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2, si Vdd = 15 V, obtenga el valor de

Rs para obtener la mxima excursin simtrica para Q1.
Simule cada uno de los circuitos, ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo
nivel de salida sin distorsin y grafique las seales de entrada y salida. Mida Vgs,
Vds e Id en DC, grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el
punto Q de operacin.
En los circuitos diseados sustituya a Q1 por Q2 y repita el procedimiento

presentado en el apartado anterior.
Procedimiento:
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
1. Polarizacin Fija
Monte el circuito de la figura 1
1. Ajuste la frecuencia de Vs a 1KHz y vare la amplitud de la misma para obtener el

mximo nivel de Vsalida sin distorsin en el osciloscopio. Fotografe las seales de
entrada y de salida. Bajo estas condiciones mida en DC los valores de Id, Vgs y
Vds, grafique la recta de carga del circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
2. Aplique calor al JFET durante dos minutos teniendo cuidado de no tocar su
cobertura y manteniendo los resistores alejados de la fuente de calor. Observe en la
pantalla del osciloscopio la seal de salida del amplificador. Fotografela y
comprela con la obtenida en el paso 1. En el momento exacto de retirar el
elemento calrico, mida en DC los valores de Id, Vgs y Vds, comprelos con los
obtenidos en el paso 1 y seale sobre la recta de carga este nuevo punto Q.
3. Reemplace el transistor Q1 por Q2 y repita los pasos 1 y 2.
2. Polarizacin por Divisor de Tensin:

Actualizado por:
-

UNEFA Ncleo Maracay
Para el circuito de la figura 2 repita los pasos 1, 2 y 3 de la primera experiencia.
Post-Laboratorio:
-
Para cada circuito compare las seales de salida fotografiadas en prctica y los
puntos Q sealados en las rectas de carga para: Q1, Q1 con calor, Q2 y Q2 con
calor.
Analice y concluya sobre el circuito ms eficiente para polarizar un JFET, dada su

variabilidad en sus parmetros Idss y Vp. Justifique.
Analice y concluya sobre el efecto del calor en los JFET, comprelos con los BJT.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 6
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA
SEAL CON BJT
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con BJT, verificando las
caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: 2N3904 2N2222, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
-
Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin emisor comn (E-C) de la

figura 1, para una ganancia de voltaje Av = Vo/Vb que indique su instructor.
Disee un circuito amplificador con BJT en configuracin seguidor de emisor (C-C)

de la figura 2, para una impedancia de entrada Ri = Vb/Ii que indique su instructor.
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vbe, Vce e Ic en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vb) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
Figura 1
Figura 2
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
Procedimiento:
1. Amplificador con BJT en configuracin Emisor Comn (E-C)
-
Monte el circuito de la figura 1 diseado en el pre-laboratorio y mida los parmetros

DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor y por qu.
Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa. Ej. Vbe 0,6 V, Vce Vcc/2 e
Ic 0.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin distorsin. Mida
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.
Mida los parmetros: Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y

Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
2. Amplificador con BJT en configuracin Seguidor de Emisor (C-C)

-

DC de polarizacin del transistor, (Vbe, Vce e Ic). De acuerdo con esta medicin,
indique en qu regin de operacin (activa, corte o saturacin) se encuentra
trabajando este transistor.
Si su transistor se encuentra en las regiones de corte o saturacin, ajuste los

valores del circuito hasta llevarlo a la regin activa.
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vb y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vb en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vb. Analice y concluya.

Resistencia de salida Ro (ver observaciones).
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
Post-Laboratorio:
-
Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
Compare los parmetros Av, Ai, Ri,
Ro y fase de ambas configuraciones y
concluya.
OBSERVACIONES
Las mediciones se hacen en AC, a una frecuencia tal que la ganancia permanezca
constante alrededor de la frecuencia de medicin, o dicho de otra forma, a frecuencias
medias (f 1KHz).
MTODOS PARA
AMPLIFICADOR
LA
MEDICIN
DE
LOS
PARMETROS
DE
UN
CIRCUITO
Ganancia de tensin Av=Vo/Vb.

Es importante tener claro los lugares donde hay que medir las tensiones para poder obtener
la ganancia deseada. Si se desea obtener la ganancia Vo/Vs, es necesario medir Vs del
generador de seales en circuito abierto, de tal forma que se pueda medir solamente Vs, sin
la carga del circuito
Resistencia de entrada, Ri=Vb/is
Un posible mtodo para hallar Ri es a travs de la medicin con carga y sin carga de Vb:
a)Mida Vs. Para lograr esto, haga una medicin en vaco de Vs (tensin de la fuente de
seales sin carga).
b)Mida Vb con carga
c)De la ecuacin Vb= Vs * Ri/(Ri + Rs), despeje Ri.
Rs es la resistencia del generador (50 )
Ganancia de corriente Ai=io/ib
No es normal medir la corriente con un ampermetro en circuitos de naturaleza resistiva,
pues es mucho ms sencillo medir la tensin y luego dividirla entre el valor de la resistencia.
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
a)Obtenga io como io=Vo/Rc

b)Obtenga hie a travs de la expresin: Ri= Rb * hie/(Rb + hie) , Rb= R1* R2 /(R1 + R2)
c)Obtenga ib como ib=Vb/hie y luego haga el cociente io/ib=Ai
Resistencia de salida Ro, resistencia de Thevenin entre
colector y tierra
A pesar que el procedimiento terico para medir la resistencia de
salida es aplicar una fuente de tensin Vk entre colector y tierra,
con la entrada cortocircuitada y luego hacer el clculo del cociente
entre Vk e ik, donde ik es la corriente que circula por la fuente Vk, resulta ser poco prctico.
Si el amplificador se puede representar como el circuito de la figura, a travs de la medicin
de la tensin de colector Vc, con carga y sin carga, se puede determinar Ro siguiendo el
procedimiento:
a)Mida Vo en AC a travs de la tensin de colector en vaco (Sin RL)
b)Cargue el circuito con una resistencia conocida RL entre colector y tierra (colocndole el
capacitor Cc) y mida de nuevo la tensin de colector Vc en AC
c)Despeje Ro, de la ecuacin:
Vc= Vo* RL/ (Ro + RL)
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
PRCTICA N 7
DISEO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS A BAJA FRECUENCIA Y PEQUEA
SEAL CON JFET
Objetivo: Disear amplificadores a baja frecuencia y pequea seal con JFET, verificando
las caractersticas de funcionamiento de las distintas configuraciones de amplificadores.
Materiales: MPF102 2N5454, Resistores varios, Potencimetros, capacitores de 10f.
Pre-Laboratorio:
-
Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin fuente comn de la figura

1, para una ganancia |Av|= 2, RL=1k, VDD=20V
Disee un circuito amplificador con JFET en configuracin seguidor de fuente de la

figura 2, para una impedancia de entrada que indique su instructor.
Simule cada uno de los circuitos de las figuras 1 y 2. Mida: Vgs, Vds e Id en DC y
grafique la recta de carga de cada circuito y seale sobre ella el punto Q de
operacin.
Ajuste el valor de Vs hasta obtener el mximo nivel de salida sin
distorsin y grafique las seales de entrada (Vg) y salida (Vo). Mida adems: Av,
Ai, Ri y Ro.
Figura 1
Figura 2
Procedimiento:
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
1. Amplificador con JFET en configuracin Fuente Comn.

-

DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.

Resistencia de salida Ro.
2. Amplificador con JFET en configuracin Seguidor de Fuente.

-

DC de polarizacin del transistor, (Vgs, Vds e Id).
en el osciloscopio los valores pico de Vo y Vg y obtenga la ganancia de voltaje del
amplificador Av, Resistencia de entrada Ri, Ganancia de corriente Ai, y Resistencia
de salida Ro. Fotografe Vo y Vg en conjunto.
Mida el desfasaje entre las seales Vo y Vg. Analice y concluya.
Post-Laboratorio:
-
Compare los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones con los obtenidos
en la prctica.
Compare los parmetros Av, Ai, Ri,
Ro y fase de ambas configuraciones y
concluya.
-
gm=gmo.(ID/Idss);
gmo=2.Idss / Vp
PRCTICA N 8
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
ESTUDIO DE ETAPAS AMPLIFICADORAS EN CONFIGURACIN CASCODE CON

BJT Y CON JFET
Objetivo: Verificar experimentalmente las caractersticas de etapas amplificadoras en
etapas cascode con BJT y con JFET.
Materiales
- 2 transistores BJT 2N2222.
- 2 transistores JFET MPF102.
- Potencimetros varios, resistores varios, capacitores varios.
Pre-Laboratorio:
-
Para el circuito de la figura 1, determine el valor de R para que los BJT posean una
corriente de colector igual a 10 ma.
Para el circuito de la figura 2, determine el valor de R para que los JFET posean
una corriente de drenador igual a 6 ma.
Realice las simulaciones de los dos circuitos, colocando en Vs la amplitud mxima

que no genere distorsin a la salida y obtenga cada uno de los valores solicitados
en el procedimiento de la prctica.
Procedimiento:
Monte cada uno de los circuitos mostrados en las figuras 1 y 2 y en el laboratorio obtenga:
-
El punto Q de cada transistor (en DC).
La ganancia de tensin: Vout/Va, Va/Vin, Vout/Vin (en AC).
La ganancia de corriente: Iout/Ic, Ic/Iin, Iout/Iin (en AC).
Grafique las seales de entrada y de salida
Actualizado por:

UNEFA Ncleo Maracay
Figura 2
Figura1
Post Labortorio
-
Compare todos los valores obtenidos mediante clculos y simulaciones del prelaboratorio con los obtenidos en la prctica. Analice y concluya.
Compare las ganancias de tensin y corriente de cada cascode y obtenga una

aplicacin de esta configuracin.
De acuerdo a los resultados obtenidos, esta configuracin sirve como amplificador

de potencia, tensin o corriente? Justifique su respuesta.
Actualizado por:

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REPBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA

MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 1

Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vo y la curva

Monte el siguiente circuito:

generador de funciones en:

que sucede en Vo.

Para amplitud media, fotografe la

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 2

osciloscopio. Para ello, tome Vo en el canal 2, Vi en el canal 1 y coloque el control de

De quienes dependen los valores

amplitud) y mida los valores pico; grafique en el osciloscopio Vo vs. Vi y fotografe lo

diferencias entre los grficos anteriores.

Sustituya el diodo por el diodo

Monte el siguiente circuito:

- Mida los valores pico de Vo;

Monte el siguiente circuito:

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 3

Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

Ajuste V a 0 voltios. Observe Vo y

los valores pico de Vo y

Vare la fuente, observe y anote lo

Vo vs. Vi (para V = 4 V). Justifique.

para el Circuito de la figura N 4

Observe que slo se invirtieron la

generador de funciones en:

Grafique Vo y compare con la

diferencias entre los grficos anteriores.

Para la posicin inicial del diodo

Fotografe lo observado. Justifique

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 4

2.4. Monte el siguiente circuito:

Ajuste Vi a amplitud mxima y f =

Vare V1 y V2 y observe lo que

Fotografe las formas de onda

Responda detalladamente cada una de las preguntas sugeridas en el procedimiento

Compare los grficos simulados con los obtenidos en la prctica, analice y

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 5

Objetivo: Verificar experimentalmente el comportamiento de los diodos en la accin de

Simule todos los circuitos del procedimiento de la prctica y grafique Vi y Vo.

Calcule los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en los diodos para

Mida en la simulacin, todos los valores DC de voltajes y corrientes en la carga y en

Monte el siguiente circuito:

Generador de Funciones en:

seal de entrada Vi. Fotografe Vo y Vi.

Mida el voltaje DC y la corriente

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 6

Mida el voltaje de pico inverso

Invierta el diodo y fotografe lo

diferencias entre los grficos anteriores.

Para la posicin inicial del diodo,

Fotografe lo observado. Concluya.

Monte el siguiente circuito:

Generador de Funciones en:

Observe la seal que aparece en R.

Mida el voltaje DC de la carga Vr y

Mida el voltaje de pico inverso

Coord. Ing. de Telecomunicaciones 7

Mida IR (en DC); mida la corriente

Mida VR y desconecte una rama

Mida VR nuevamente y comprelo

Explique lo que sucede con VR al

Explique la operacin de este

Monte el siguiente circuito: